CN108359963B - 一种制膜方法以及成膜装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种制膜方法以及采用上述制膜方法的制膜装置，通过制膜方法将待测薄膜的厚度与预设厚度进行比对，判断形成的薄膜厚度是否与预期的薄膜厚度一致，从而决定调整检测区域的接地线，调整等离子体在台板上形成薄膜时的厚度，通过调整接地线的数量，改变等离子体导走的电荷量，进而使得获取的薄膜厚度与预设厚度匹配；通过成膜装置在台板以及金属框体上设置用于活性连接接地线的装置，使得薄膜的形成更加平整，即使得薄膜的均匀性较高，提升了薄膜晶体管的品质。这样，可以有效解决由于设备腔室环境的变化、部件的差异、部件老化等因素对成膜等离子体的分布产生局部异常的问题，进而改善了成膜的均匀性，提高了薄膜晶体管的品质。

Description

一种制膜方法以及成膜装置

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管技术领域，尤其涉及一种制膜方法以及采用上述制膜方法的成膜装置。

背景技术

随着液晶显示屏幕的发展，超薄、重量轻、低功耗的屏幕需求不断被提出，薄膜晶体管的制作水平直接决定了显示屏幕的质量。在薄膜晶体管制作过程中，CVD(ChemicalVapor Deposition，化学气相淀积)薄膜的质量对薄膜晶体管的品质有着直接影响。其中，PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)是普遍使用的成膜方法，其借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少以及不易龟裂的特点，因此在面板行业内广泛使用。对于PECVD来说，薄膜膜厚均匀性会直接影响薄膜晶体管的品质。膜厚均匀性的好坏对器件性能，刻蚀效果，痕迹效果等有直接影响。而影响膜厚均匀性的因素很多，例如：成膜台板成膜温度分布、成膜压力、成膜气体流量、成膜电源功率等。在PECVD中，等离子体的分布更会直接影响膜厚均匀性的分布。但是，由于设备腔室环境的变化，部件的差异，部件老化等因素，会对成膜等离子体的分布产生局部恶化影响，尤其是薄膜的边缘区域，进而导致面内成膜均匀性的变差，影响薄膜晶体管的品质。

发明内容

基于此，有必要提供一种改善成膜均匀性的制膜方法以及采用上述制膜方法的成膜装置。

一种制膜方法，包括：对台板上待测薄膜的厚度进行检测，获取待测薄膜的多个检测区域的厚度值；根据多个所述检测区域的厚度值与预设厚度值的比较结果，调整台板上的接地线接地的数量。

在其中一个实施例中，所述根据多个所述检测区域的厚度值与预设厚度值的比较结果，调整接地线接地的数量的步骤包括：将多个所述检测区域的厚度值逐一与所述预设厚度值对比，当所述检测区域的厚度值与所述预设厚度值不匹配时，调整对应的所述检测区域的接地线的数量。

在其中一个实施例中，所述根据多个所述检测区域的厚度值与预设厚度值的比较结果，调整接地线接地的数量的步骤包括：将多个所述检测区域的厚度值逐一与预设厚度值做差，获取多个厚度差值；检测厚度差值是否处于预设范围内，当厚度差值超出所述预设范围时，则检测厚度差值是否大于第一阈值以及是否小于第二阈值，当所述厚度差值大于所述第一阈值时，增加对应的所述检测区域的接地线的数量；当所述厚度差值小于所述第二阈值，减少对应的所述检测区域的接地线的数量。

在其中一个实施例中，所述对台板上的待测薄膜的进行厚度检测，获取待测薄膜的多个检测区域的厚度值之前包括：将至少一所述接地线与所述台板连接；采用射频电源将原材料气体电离成等离子体，以使等离子体于台板上沉积为待测薄膜。

采用上述制膜方法，通过将待测薄膜的厚度与预设厚度进行比对，判断形成的薄膜厚度是否与预期的薄膜厚度一致，从而决定调整检测区域的接地线，调整等离子体在台板上形成薄膜时的厚度，通过调整接地线接地的数量，改变等离子体导走的电荷量，进而使得获取的薄膜厚度与预设厚度匹配。

一种成膜装置，包括：正极板、台板以及多个接地线，所述正极板与所述台板相对设置，所述接地线的一端与所述台板连接，所述接地线的另一端用于接地；所述正极板用于与射频电源连接，并通过射频电源将原材料气体电离成等离子体；所述台板用于沉积等离子体以形成待测薄膜；连接所述台板的所述接地线的数量用于根据薄膜的厚度检测结果进行调整。

在其中一个实施例中，所述台板设置有多个连接件，每一所述连接件与一所述接地线对应，至少一个所述连接件与所述连接线靠近所述台板的一端连接。

在其中一个实施例中，所述连接件包括第一连接件和第二连接件，每一所述第一连接件与一所述接地线连接，所述第二连接件与对应的所述接地线之间绝缘。

在其中一个实施例中，所述台板的每一检测区域内对应设置有至少一个所述第一连接件和至少一个所述第二连接件。

在其中一个实施例中，所述成膜装置还包括金属框体，所述正极板、所述台板以及所述接地线收容于所述金属框体内，所述正极板与所述金属框体之间绝缘，至少一所述接地线分别与所述金属框体以及所述台板连接，所述金属框体用于接地。

在其中一个实施例中，所述金属框体设置有多个紧固件，每一所述紧固件与一所述接地线对应，至少一个所述紧固件与所述接地线远离所述台板的一端连接。

采用上述制膜方法的成膜装置，通过在台板以及金属框体上设置用于活性连接接地线的装置，使得在增减接地线的时候，可以实现快速拆装，从而使得薄膜的形成更加平整，即使得薄膜的均匀性较高，提升了薄膜晶体管的品质。

附图说明

图1为一实施例的制膜方法的流程图；

图2为另一实施例的制膜方法的流程图；

图3为一实施例的成膜装置结构示意图；

图4为又一实施例的成膜装置结构示意图；

图5为又一实施例的成膜装置结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

例如，请参阅图1，一种制膜方法，包括如下步骤：

S110：对台板上待测薄膜的厚度进行检测，获取待测薄膜的多个检测区域的厚度值。在一实施例中，所述台板用于形成薄膜，所述薄膜在形成的过程中，需要对其厚度进行调整，采用厚度检测装置对所述台板上的薄膜进行厚度检测，从而判断所述台板上的薄膜与实际生产中需要的薄膜是否匹配，即所述台板上的薄膜是否合格，其中，厚度检测装置包括但不局限于光学检测仪。通过厚度检测装置对所述台板上的待测薄膜的厚度进行检测，为了获取待测薄膜进行准确的厚度值，将所述台板上的待测薄膜按照预设检测轨迹划分为多个检测区域，使得厚度检测装置沿预设轨迹移动时，依次获取每一个检测区域的厚度值，便于后续标记的检测区域的预设厚度值与对应检测区域的实际获取的厚度值比对。

S120：根据多个所述检测区域的厚度值与预设厚度值的比较结果，调整台板上的接地线接地的数量。在一实施例中，通过厚度检测装置检测出待测薄膜的厚度，通过厚度检测装置沿预设轨迹对每一个检测区域上的待测薄膜进行检测，获取到多个检测区域的对应的待测薄膜的厚度值，即每一个检测区域对应一个厚度数值，每一个检测区域的待测薄膜的厚度值与预设厚度值比较。根据不同的成膜时期，每次检测的预设厚度值是不同的，即每一成膜时期薄膜的预设厚度值不同，为了便于调整薄膜的厚度，每一成膜时期的预设厚度值是固定值，作为一个参考标准。当检测区域的厚度值与预设厚度值的比较结果出来后，对于检测区域的厚度值与预设厚度值不一致的区域进行接地线的调整，例如，调整台板与接地线的连接数量，即调整接地线与台板的接触点的个数，又如，调整接地线与地面接触的数量，即调整接地线与地面的接触点的个数，例如，调整连接台板与地的接地线的数量。

在一个实施例中，在步骤S110之前还包括步骤S111，请参阅图2，步骤S111：将至少一所述接地线与所述台板连接；采用射频电源将原材料气体电离成等离子体，以使等离子体于台板上沉积为待测薄膜。在一实施例中，所述接地线是成膜过程中用来导走因等离子体成膜轰击产生的电荷积累的一种装置，是构成放电回路的重要组成部分。射频电源与一金属板连接，金属板与台板之间填充有原材料气体，通过射频电源的大功率作用，使得原材料气体发生电离现象，从而产生等离子体。射频电源在金属板与台板之间形成有高频磁场，等离子体在磁场力的作用下附着于台板台板上，由于等离子体的聚集，使得所述台板上沉积出一层薄膜。为了使得等离子体在沉积形成薄膜的过程中形成放电回路，所述接地线的一端与所述台板连接，所述接地线的另一端用于接地，其中，每一检测区域对应的所述台板连接有至少一接地线，这样，便于后续对每一检测区域对应的薄膜进行厚度调整。

在一个实施例中，步骤S120包括：将多个所述检测区域的厚度值逐一与所述预设厚度值对比，当所述检测区域的厚度值与所述预设厚度值不匹配时，调整对应的所述检测区域的接地线的数量。将厚度检测装置获取的厚度值与预设厚度值比较，即将将厚度检测装置获取的厚度值与预设厚度值进行匹配，例如，求取多个检测区域的厚度值的中值，本实施例中，中值作为当前待测薄膜的预设厚度值，将每一检测区域的厚度值与中值比较，当厚度值超出中值的预设范围时，则对应调整检测区域的接地线的数量，这样，使得预设厚度值可以根据待测薄膜的厚度自动调整。又如，预设厚度值还可以是平均值，例如，求取多个检测区域的厚度值的平均值，本实施例中，平均值作为当前待测薄膜的预设厚度值，将每一检测区域的厚度值与平均值比较，当厚度值超出平均值的预设范围时，则对应调整检测区域的接地线的数量，这样，使得预设厚度值可以根据待测薄膜的厚度自动调整。

在另一实施例中，步骤S120包括：将多个所述检测区域的厚度值逐一与预设厚度值做差，获取多个厚度差值；检测厚度差值是否处于预设范围内，当厚度差值超出预设范围时，则检测厚度差值是否大于第一阈值，当所述厚度差值大于所述第一阈值时，增加对应的所述检测区域的接地线的数量；检测厚度差值是否小于第二阈值，当所述厚度差值小于所述第二阈值，减少对应的所述检测区域的接地线的数量。其中，预设厚度值为标准值，采用差值运算获取厚度差值，使得厚度值的比较转换为差值的比较，由于厚度检测装置为光学检测仪，其检测精度在0.05mm～0.007mm之间，这样，使得获取的厚度差值在比较处理过程中保有较高的精度，便于厚度差值的区分。为了便于厚度差值的判断，设置有预设范围，此预设范围为预设厚度值的误差范围，即预设范围为预设厚度值的允许误差区间。其中，预设范围的第一阈值为预设范围的上限值，即第一阈值为预设范围的最大值，当厚度差值大于所述第一阈值时，表明该检测区域对应的薄膜厚度过厚，为了降低该区域的薄膜厚度，增加该区域对应接地线数量，通过增加的接地线提高该区域的等离子体导向地面的速率，即增加了该区域的等离子体导向地面的电荷量，使得该区域等离子体的电荷积累减少，使得成膜厚度减小，从而使得该区域的薄膜厚度差值处于预设范围内，即该区域的薄膜厚度与预设厚度向匹配；预设范围的第二阈值为预设范围的下限值，即第二阈值为预设范围的最小值，当厚度差值小于所述第二阈值时，表明该检测区域对应的薄膜厚度过薄，为了增加该区域的薄膜厚度，减少该区域对应接地线数量，通过减少的接地线降低该区域的等离子体导向地面的速率，即减少了该区域的等离子体导向地面的电荷量，使得该区域等离子体的电荷积累增多，使得成膜厚度增大，从而使得该区域的薄膜厚度差值处于预设范围内，即该区域的薄膜厚度与预设厚度向匹配。

通过上述制膜方法，改造成膜台板的局部区域的接地线的分布以及数量，使得该区域的等离子体分布随着变化，等离子体的局部分布变化影响着成膜膜厚的变化，也决定了薄膜的优良率。通过这种方法，可以补充因硬件、成膜温度等原因导致的局部膜厚异常问题，从而改善了成膜的均匀性。

为了进一步对上述制膜方法描述，结合成膜装置进行说明，本发明还提供了一种采用上述制膜方法的PECVD成膜装置。

请参阅图3，一种PECVD成膜装置10，包括：正极板11、台板12以及多个接地线13，所述正极板11与所述台板12相对设置，所述接地线13的一端与所述台板12连接，所述接地线13的另一端用于接地；所述正极板11用于与射频电源连接，并通过射频电源将原材料气体电离成等离子体；所述台板12用于沉积等离子体以形成待测薄膜；连接所述台板12的所述接地线13的数量用于根据薄膜的厚度检测结果进行调整。所述台板12作为负极板，所述正极板11与射频电源连接，使得所述正极板11与所述台板12之间形成有电场，而且，所述正极板11与所述台板12之间填充含有制作薄膜的原材料气体，射频电源将原材料气体电离并形成等离子体。在电场力的作用下，等离子体轰击产生电荷，使得产生的电荷积累于所述台板12上，从而形成薄膜。由于电荷积累的过程中，处于边缘位置的电荷会出现不均匀的情况，使得薄膜的边缘厚度不一，为了解决上述问题，在所述台板12上连接接地线13，通过调整接地线13的数量改善薄膜的厚度，使得薄膜边缘的厚度与中部膜厚保持一致，从而提高薄膜的良品率。

为了便于接地线13与台板12之间的拆装，请参阅图4，所述台板12设置有多个连接件121，每一所述连接件121与一所述接地线13对应，至少一个所述连接件121与所述连接线靠近所述台板12的一端连接。所述连接件121设置于所述台板12远离所述正极板11的一侧，即所述连接件121设置于所述台板12的下表面，所述连接件121包括底座和连接头，所述底座与所述台板12连接，所述底座开设有凹槽，所述凹槽内设置有连接头，所述连接头与所述接地线13连接。为了便于所述接地线13与所述连接头的拆装，例如，所述连接头采用螺栓紧固方式进行连接，即所述连接头为螺栓，所述凹槽内设置有金属垫片，所述金属垫片与所述台板12电连接，使得所述接地线13通过所述金属垫片与所述台板12的连接。当需要接上接地线13时，朝向靠近所述金属垫片的方向扭转所述连接头，使得接地线13与金属垫片接触，从而使得接地线13与台板12之间的电连接；当需要断开接地线13时，只需朝向远离所述金属垫片的方向扭转所述连接头，使得接地线13与金属垫片分离，即断开了台板12与接地线13之间的电连接。其中，每一个连接件121与一根接地线13对应设置，即接地线13与连接件121一一对应，为了确保实现对台板12上薄膜厚度的调整，每一检测区域设置有多个连接件121，便于增减检测区域的接地线13数量，从而实现薄膜的厚度改变。

为了便于调整检测区域的接地线13数量，请参阅图4，所述连接件121包括第一连接件1211和第二连接件1212，每一所述第一连接件1211与一所述接地线13连接，所述第二连接件1212与对应的所述接地线13之间绝缘。在进行制膜之前，将第一连接件1211对应的接地线13连接上，而第二连接件1212则不与接地线13连接。当薄膜检测过厚时，通过增加第二连接件1212与接地线13的数量改善薄膜厚度；当薄膜检测过薄时，通过减少第一连接件1211与接地线13的数量改善薄膜厚度。由于第一连接件1211为可拆装，便于减少检测区域的接地线13，而且，第二连接件1212同样为可拆装，使得检测区域的膜厚出现过厚情况时，可以有相应的位置进行接地线13的增加。这样，无论是检测区域的薄膜出现过厚还是过薄的情况，接地线13都可以通过相应的连接件121进行增减。

为了提高调整接地线13接地的效率，所述台板12的每一检测区域内对应设置有至少一个所述第一连接件1211和至少一个所述第二连接件1212。台板12上连接的接地线13的数量根据连接件的布局分布决定，例如，第一连接件1211和第二连接件1212的分布情况为：每一检测区域内对应设置有一个所述第一连接件1211和一个所述第二连接件1212，第一连接件1211用于减少该检测区域的接地线13数量，第二连接件1212用于增加该检测区域的接地线13数量，由于检测区域设置有一个第一连接件1211和一个第二连接件1212，在进行调整接地线13时可以快速选择其中一个连接件，完成对接地线13的增减；又如，每一检测区域相互交叉设置有多个第一连接件1211和多个第二连接件1212，由于第一连接件1211从开始就连接有接地线13，当薄膜检测过厚时，增加一个第二连接件1212的接地线13，在下一次检测过程中，上一次增加了接地线13的第二连接件1212作为下一次增减接地线13的第一连接件1211，即上一次连接上接地线13的第二连接件1212作为下一次的第一连接件1211使用，同样，上一次减少接地线13的第一连接件1211作为下一次的第二连接件1212。在另一实施例中，在进行成膜初始化时，所述第一连接件以及所述第二连接件均连接上接地线，当检测区域的薄膜过薄时，减少该区域的第一连接件以及第二连接件连接的接地线数量；当检测区域的薄膜过厚时，减少其他区域第一连接件以及第二连接件连接的接地线数量；在又一实施例中，在进行成膜初始化时，所述第一连接件以及所述第二连接件均不与接地线连接，即接地线空置，当检测区域的薄膜过厚时，增加该区域的第一连接件以及第二连接件连接的接地线数量；当检测区域的薄膜过薄时，增加其他区域第一连接件以及第二连接件连接的接地线数量。这样，在每一次增减接地线13的过程中，只需要根据是否连接有接地线13判断连接件，从而实现快速增减接地线13；又如，在检测区域内交替设置第一连接件1211和第二连接件1212，将第一连接件1211设置于奇数位置，第二连接件1212设置于偶数位置，膜厚局部异常偏小时，可减少相应奇数位置的接地线13数量，可使该区域等离子体增加，使膜厚变大，改善异常偏小问题；膜厚局部异常偏厚时，可增加相应空余的偶数位置的接地线13数量，使该区域等离子体减少，使膜厚变小，改善异常偏大问题。这样，根据连接件位置标注的奇偶性，只需要增加/减少相应的偶/奇数位置的接地线13数量即可，便于快速识别并调整接地线13数量。

为了进一步提高调整接地线13接地的效率，请参阅图5，所述PECVD成膜装置10还包括金属框体14，所述正极板11、所述台板12以及所述接地线13收容于所述金属框体14内，所述正极板11与所述金属框体14之间绝缘，至少一所述接地线13分别与所述金属框体14以及所述台板12连接，所述金属框体14用于接地。由于金属框体14整体为金属材质，为了避免正极板11与金属框体14连接而导致的短路问题，在所述正极板11与所述金属框体14之间设置有绝缘层和胶黏层，绝缘层使得正极板11与金属框体14绝缘，胶黏层使得正极板11与金属框体14粘合。所述接地线13的一端与所述台板12连接，所述接地线13的另一端金属框体14连接，所述接地线13与台板12的连接方式为固定连接，例如，所述接地线13与台板12的连接方式为焊接；例如，所述接地线13与所述金属框体14的连接方式为活动连接，例如，所述接地线13与台板12的连接方式为卡接，例如，所述接地线13与台板12的连接方式为螺接。其中接地线13与金属框体14的外侧连接，即接地线13远离台板12的一端与金属框体14的外表面连接，这样，当需要调整接地线13接地的数量时，则连接或者断开接地线13，而且，接地线13是与金属框体14的外表面连接，使得接地线13的断开和连接可以在外部操作，无需进入成膜腔内部进行接地线13的连接与断开，从而提高了增减接地线13的效率。

为了便于增减金属框体14与接地线13，所述金属框体14设置有多个紧固件141，每一所述紧固件141与一所述接地线13对应，至少一个所述紧固件141与所述接地线13远离所述台板12的一端连接，所述紧固件与所述连接件的结构类似，此处不再对其结构进行赘述。所述紧固件141包括第一紧固件1411和第二紧固件1412，每一所述第一紧固件1411与一所述接地线13连接，所述第二紧固件1412与对应的所述接地线13之间绝缘。由于金属框体14作为成膜腔室，将所述紧固件设置于所述金属框体14的外表面，接地线13与紧固件连接，使得接地线13的接地端置于成膜腔的外部，便于断开或者连接接地线13，从而避免进入成膜腔室执行断开/连接接地线13的操作，提高了增减金属框体14与接地线13的效率。而且，成膜腔室在制膜过程中温度较高，还有较强的电磁辐射，将紧固件设置于金属框体14的外表面表面操作人员受到高温和辐射损害，提高了操作人员的安全性。

上述PECVD成膜装置10通过改造成膜腔室接地线13分布，从而改善等离子体局部分布异常的情况，进而补偿因腔室环境、部件等影响等离子体分布不均匀问题，改善成膜均匀性，而且，通过设置连接件和紧固件，使得接地线13的断开和连接更加方便。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种制膜方法，其特征在于，包括如下步骤：

对台板上待测薄膜的厚度进行检测，获取待测薄膜的多个检测区域的厚度值；

根据多个所述检测区域的厚度值与预设厚度值的比较结果，调整台板上的接地线接地的数量；

其中，所述根据多个所述检测区域的厚度值与预设厚度值的比较结果，调整接地线接地的数量的步骤包括：将多个所述检测区域的厚度值逐一与所述预设厚度值对比，当所述检测区域的厚度值与所述预设厚度值不匹配时，调整对应的所述检测区域的接地线的数量。

2.根据权利要求1所述制膜方法，其特征在于，所述预设厚度值包括多个检测区域的厚度值的中值以及多个检测区域的厚度值的平均值的其中一个。

3.根据权利要求1所述制膜方法，其特征在于，所述根据多个所述检测区域的厚度值与预设厚度值的比较结果，调整接地线接地的数量的步骤包括：

将多个所述检测区域的厚度值逐一与预设厚度值做差，获取多个厚度差值；

检测厚度差值是否处于预设范围内，当厚度差值超出所述预设范围时，则检测厚度差值是否大于第一阈值以及是否小于第二阈值，当所述厚度差值大于所述第一阈值时，增加对应的所述检测区域的接地线的数量；当所述厚度差值小于所述第二阈值，减少对应的所述检测区域的接地线的数量。

4.根据权利要求1所述制膜方法，其特征在于，所述对台板上的待测薄膜的进行厚度检测，获取待测薄膜的多个检测区域的厚度值之前包括：

将至少一所述接地线与所述台板连接；

采用射频电源将原材料气体电离成等离子体，以使等离子体于台板上沉积为待测薄膜。

5.一种成膜装置，其特征在于，包括：正极板、台板以及多个接地线，所述正极板与所述台板相对设置，所述接地线的一端与所述台板连接，所述接地线的另一端用于接地；

所述正极板用于与射频电源连接，并通过射频电源将原材料气体电离成等离子体；

所述台板用于沉积等离子体以形成待测薄膜；

连接所述台板的所述接地线的数量用于根据薄膜的厚度检测结果进行调整。

6.根据权利要求5所述成膜装置，其特征在于，所述台板设置有多个连接件，每一所述连接件与一所述接地线对应，至少一个所述连接件与所述连接线靠近所述台板的一端连接。

7.根据权利要求6所述成膜装置，其特征在于，所述连接件包括第一连接件和第二连接件，每一所述第一连接件与一所述接地线连接，所述第二连接件与对应的所述接地线之间绝缘。

8.根据权利要求7所述成膜装置，其特征在于，所述台板的每一检测区域内对应设置有至少一个所述第一连接件和至少一个所述第二连接件。

9.根据权利要求5所述成膜装置，其特征在于，所述成膜装置还包括金属框体，所述正极板、所述台板以及所述接地线收容于所述金属框体内，所述正极板与所述金属框体之间绝缘，至少一所述接地线分别与所述金属框体以及所述台板连接，所述金属框体用于接地。

10.根据权利要求9所述成膜装置，其特征在于，所述金属框体设置有多个紧固件，每一所述紧固件与一所述接地线对应，至少一个所述紧固件与所述接地线远离所述台板的一端连接。

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