CN108352382B - 用于电动机的功率模块 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于电动机的功率模块。所述功率模块具有至少一个半导体开关‑半桥。根据本发明,半导体开关‑半桥包括高侧‑半导体开关和低侧‑半导体开关,其中,半导体开关‑半桥的半导体开关分别具有指向相同的方向的切换路径端子,所述切换路径端子由半导体开关的、平坦构造的表面区域形成。高侧‑半导体开关和低侧‑半导体开关在彼此之间包围电路载体,所述电路载体具有至少两个导电的层,其中,借助所述电路载体将半桥的低侧‑半导体开关的切换路径端子和高侧‑半导体开关的切换路径端子彼此电连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于电动机的功率模块。所述功率模块具有至少一个半导体开关-半桥。
发明内容
根据本发明,半导体开关-半桥具有高侧-半导体开关和低侧-半导体开关,其中,半导体开关-半桥的半导体开关分别具有切换路径端子,所述切换路径端子由半导体开关的、尤其是平坦构造的表面区域形成。切换路径端子(尤其是切换路径段子的法向矢量)分别指向相同的方向。高侧-半导体开关和低侧-半导体开关在彼此之间包围电路载体,所述电路载体具有至少两个导电的层,其中,电路载体包括至少一个电绝缘层(尤其是基底层)和至少两个导电的层,所述导电的层将电绝缘层包围在彼此之间。
借助电路载体,半桥的低侧-半导体开关的切换路径端子和高侧-半导体开关的切换路径端子彼此电连接。优选地,通过至少一个或者仅一个导电的层形成了半导体开关-半桥的输出端子。
通过这样的结构,能够有利地提供紧凑的功率模块。功率模块因此能够节省空间地被布置在电动机或者电机中。
在另外的变型方案中,两个导电的层借助至少一个电金属化通孔彼此连接,并且,共同形成半导体开关-半桥(在下文中,也被称为半桥)的输出端子。
在功率模块的、优选的实施方式中,半桥的半导体开关的切换路径端子彼此对置。优选地,半导体开关的切换路径端子彼此共面地被布置。切换路径端子能够这样在彼此之间(尤其是根据三明治的形式)包围电路载体,所述切换路径端子借助导电的层彼此连接,所述电路载体具有导电的层。因此,有利地,功率模块能够节省空间地被构造。在优选的实施方式中,功率模块被构造用于多相的切换、尤其是用于电动机电流的切换,并且,针对每个相位具有至少一个或者仅一个半导体开关-半桥。因此,例如为了操控三相的电动机,功率模块能够具有三个半导体开关-半桥。每个半导体开关-半桥能够例如具有多个(Mehrzahl)或者大量的(Vielzahl)单个半导体开关-半桥,所述单个半导体开关-半桥彼此并联连接,并且尤其被布置为串列。
优选地,半导体开关-半桥针对每个切换路径端子具有至少两个、(三个或者四个)或者多于四个的表面区域,所述表面区域被构造为导电的并且与切换路径端子连接。因此,表面区域能够分别形成接触-垫。
在功率模块的、优选的实施方式中,导电的层具有相位汇流排,在所述相位汇流排处,在所述层的、平坦的延伸中模制有至少一个接触指部,所述接触指部从所述相位汇流排横向地或者以横向分量指向外。优选地,接触指部使半导体开关的切换路径端子彼此连接,所述切换路径端子与输出端子连接。因此,接触轨道能够有利地形成母线(汇流排),所述母线聚集由接触指部所导出的电流,或者,所述母线将电流分布在接触指部上,其中,所分布的电流借助接触指部能够被引导至切换路径端口。
进一步有利地,汇流排能够从功率模块中、从模具-模块的模具体中突出并且因此从外部被电接触,所述功率模块例如由模具-模块形成。
在优选的实施方式中,半导体开关分别由场效晶体管形成,其中,高侧-半导体开关的、与半桥的输出端子连接的切换路径端子是源极-端子,并且,低侧-半导体开关的、与半桥的输出端子连接的切换路径端子是漏极-端子。因此,有利地,半导体开关-半桥能够紧凑地并且节省空间地被构造,所述半导体开关-半桥由两个MOS-场效晶体管或者MIS-场效晶体管构成。进一步有利地,功率模块能够通过紧凑的结构具有低的自感。
在优选的实施方式中,半导体开关分别由IGBT(IGBT=绝缘栅双极晶体管、Insulated-Gate-Bipolar-Transistor)形成,其中,高侧-半导体开关的、与半桥的输出端子连接的切换路径端子是发射极-端子,并且,低侧-半导体开关的、与半桥的输出端子连接的切换路径端子是集电极-端子。因此,有利地,半桥能够节省空间地被构造,所述半桥由IGBT-晶体管构成。
在优选的实施方式中,所述接触指部包括两个彼此平行布置的、导电的层,所述层通过电绝缘的绝缘层彼此分离。优选地,接触指部的层接触不同的半导体开关的、彼此对置的端子。因此,能够有利地从间隙中节省空间并且低电感地为半桥(尤其是半桥的半导体开关)供应电压,所述间隙在低侧-半导体开关和高侧-半导体开关之间延伸。
优选地,所述电路载体由印制电路板构成。优选地,电绝缘的绝缘层由纤维增强的环氧树脂层、尤其是预浸料-层形成。纤维增强的层的纤维优选是玻璃纤维。
优选地,导电的层由铜层或者铝层形成。由此,电路载体有利地具有良好的导电性。
在其他的实施方式中,电路载体是尤其是烧结的陶瓷电路载体,所述陶瓷电路载体具有至少一个陶瓷的绝缘层。陶瓷电路载体优选是LTCC-电路载体(LTCC=低温共烧陶瓷、Low-Temperature-Cofired-Ceramics)或者HTCC-电路载体(HTCC=高温共烧陶瓷、High-Temperature-Cofired-Ceramics)、DBC-电路载体(DBC=直接键合铜、Direct-Bonded-Copper,也被称为DCB)、AMS-电路载体(AMB=活性金属钎焊、Active-Metal-Braze),包括陶瓷层和作为导电的层的至少一个铜层和/或至少一个铝层。
以这种方式,电路载体(尤其是具有至少两个导电的层的印制电路板或者陶瓷电路载体)能够使作为连接层的半导体开关彼此电连接,并且,因此,构造作为半导体组件的、紧凑的功率模块。进一步优选地,能够在印制电路板中集成另外的电子构件,例如电容器、电阻或者二极管。优选地,借助电路载体来电接触半导体开关-半桥的信号端子和/或控制端子。通过半桥的半导体开关的、彼此对置的端子能够有利地构造低电感的半桥,因为在半导体开关之间的连接管线被构造为短的。
在优选的实施例中,汇流排的和相位汇流排的接触指部分别彼此啮合。以这种方式,能够特别紧凑地构造馈入电流和来自功率模块的馈出电流。
附图说明
现在,将在下文中参照附图和另外的实施例来描述本发明。另外的、有利的实施变型方案由在附图中所描述的特征得出。
图1示意性地示出了用于半导体组件的实施例,所述半导体组件形成半导体开关-半桥,就所述半导体开关-半桥而言,两个半导体开关在彼此之间包围印制电路板,所述印制电路板具有用于馈入电流和馈出电流的电接触部;
图2在分解视图中示意性地示出了用于构造三个半导体开关-半桥的半导体组件,所述三个半导体开关-半桥由FET-晶体管(FET=场效晶体管、 Feld-Effekt-Transistor)形成,其中,在低侧-晶体管和高侧-晶体管之间包围印制电路板,所述印制电路板具有用于馈入电流和馈出电流的电接触部;
图3示出了用于构造功率模块的制造步骤,所述功率模块包括在图2中所示出的部件,其中,高侧-晶体管与电端子、尤其是与汇流排和输出端子焊接;
图4示出了用于构造功率模块的制造步骤,所述功率模块包括在图3中所示出的部件,其中,低侧-半导体开关与电端子、尤其是与汇流排和输出端子焊接;
图5示出了另外的、用于构造功率模块的制造步骤,所述功率模块包括在图4中所示出的部件,其中,所述部件被嵌入到成型料中;
图6示出了在图4中所示出的半导体组件的变型,就所述变型而言,半桥在输出侧与相位分离开关连接;
图7示出了用于生产具有相位分离开关的功率模块的制造步骤,就所述制造步骤而言,低侧-半导体开关被焊接在电端子上;
图8示出了用于生产具有相位分离开关的功率模块的制造步骤,就所述制造步骤而言,在图7中所示出的部件被嵌入在成型料中。
具体实施方式
图1示出了用于半导体组件1的实施例。在这个实施例中,半导体组件1形成了功率模块,所述功率模块包括半导体开关-半桥。在这个实施例中,半导体开关-半桥包括低侧-半导体开关2和高侧-半导体开关3。低侧-半导体开关2具有作为切换路径端子的源极-端子7和作为另外的切换路径端子的漏极-端子5,所述低侧-半导体开关在这个实施例中由场效应晶体管形成。高侧-半导体开关3具有作为切换路径端子的漏极-端子6和作为另外的切换路径端子的源极-端子4。高侧-半导体开关3的源极-端子4经由电路载体的部分与低侧-半导体开关的漏极-端子5电连接,所述电路载体包括导电的层46、导电的层47和电绝缘的基底层12。半导体开关2和3分别被平坦地构造。低侧-半导体开关2的源极-端子7具有表面区域42,所述表面区域关于高侧-半导体开关3的漏极-端子6的表面区域43对置地被布置。低侧-半导体开关2的源极-端子7和漏极-端子5分别在共同的平面上延伸。
低侧-半导体开关2的漏极-端子5和高侧-半导体开关3的源极-端子4在彼此之间包围印制电路板部分,所述印制电路板部分具有导电的层46和47。源极-端子4借助电连接器件11与导电的层47物料锁合或者材料锁合地电连接。漏极-端子5借助电连接器件11与导电的层46物料锁合或者材料锁合地电连接。连接器件11例如是焊料,烧结焊接或者导电的粘合剂。导电的层46和47分别借助电金属化通孔48彼此电连接,所述电金属化通孔穿过电绝缘的基底层12。具有导电的层46和47的印制电路板部分形成半导体组件1的输出端子8。
在这个实施例中,源极-端子7借助连接器件11(尤其是焊料、导电的粘合剂或者烧结材料)与导电的层9连接。导电的层9能够形成例如用于为半导体开关-半桥供电的端子。漏极-端子6借助连接器件11(尤其是焊料、导电的粘合剂或者烧结材料)与导电的层10连接。在这个实施例中,导电的层10形成用于为半导体开关-半桥供电的、另外的端子。在这个实施例中,导电的层9和10平行并且彼此间隔开地被布置,并且,在彼此之间包围电绝缘的层12(尤其是纤维增强的环氧树脂层或陶瓷层)。因此,导电的层9和10彼此电绝缘,并且,与绝缘层12共同形成电路载体或者印制电路板。
高侧-半导体开关3和低侧-半导体开关2在彼此之间包围印制电路板,所述印制电路板由绝缘层12和导电的层9、11、46和47构成。
因此,源极-端子7和漏极-端子6在彼此之间包围导电的层9和10以及电绝缘的基底层12,所述基底层12根据三明治的形式被包围在导电的层9和10之间。因此,源极-端子7的表面区域42通过导电的层9被电接触,并且,漏极-端子6的表面区域43通过导电的层10被电接触。导电的层9和10例如被引导到外部,使得半导体开关能够从外部被电接触。
这样形成的半导体开关-半桥能够被嵌入在模具体15中,所述的半导体开关-半桥被紧凑地构造。在这个实施例中,输出端子8从模具体15中突出,所述输出端子例如被构造为导电的层。导电的层9、导电的层10和包围在它们之间的绝缘层12能够一起形汇流排44或汇流排的组成部分,并且,共同从模具体15中突出。因此,半导体开关-半桥能够经由汇流排44被供应电流,其中,电流能够经由输出端子8流出,所述电流由低侧-半导体开关2和高侧-半导体开关3切换。
低侧-半导体开关2具有指向外部的绝缘层13,通过所述绝缘层能够导出损耗热量,所述损耗热量在半导体开关2中产生。高侧-半导体开关3具有指向外部的绝缘层14,通过所述绝缘层能够导出损耗热量,所述损耗热量在半导体开关2中产生。因此,半桥能够有利地经由两个彼此背离的侧散热,所述半桥包括半导体开关2和3。绝缘层13和14能够分别由陶瓷层,DBC-层(DBC=直接键合铜、Direct-Bonded-Copper)形成,其中,铜层被形成用于与指向外部的散热器的、材料锁合的连接(尤其是焊接或者烧结)。散热器(例如冷却体)能够借助导热粘合剂结合到绝缘层13和14处,所述绝缘层例如由聚酰亚胺层形成。
图2以分解图示意性地示出了半导体组件16的组成部分。在这个实施例中,半导体组件16形成功率模块,所述功率模块具有三个半导体开关-半桥,所述半导体开关-半桥用于操控三相的电动机或者三相的电机。在这个实施例中,半导体组件16包括三个高侧-半导体开关,即:高侧-场效应晶体管17,高侧-场效应晶体管18和高侧-场效应晶体管19。场效应晶体管17、18和19分别被平坦地构造,其中,切换路径端子(尤其是漏极-端子23和源极-端子25)以其平坦的延伸分别指向相同的方向。
半导体开关17的漏极-端子23仍然由两个另外的端子部分23a和23b形成。除了源极-端子25,半导体开关17的源极-端子还包括两个另外的端子部分25a和25b,所述端子部分分别由半导体开关17的表面区域形成。
表面区域沿着纵向轴线30相互交替地变换,所述表面区域形成半导体开关17的源极-和漏极-端子。因此,沿着纵向轴线30,形成源极-端子25的表面区域与形成漏极端子23的表面区域相邻地被布置。在形成源极-端子25的表面区域之后是形成漏极-端子部分23a的表面区域。沿着纵向轴线,漏极-端子部分23a之后是源极-端子部分25a,并且,在源极-端子部分25a之后是漏极-端子部分23b。漏极-端子部分23b之后是源极-端子部分25b。因此,沿着纵向轴线30布置的两个源极-端子部分在彼此之间包围漏极-端子部分,并且,沿着纵向轴线30布置的漏极-端子部分在彼此之间包围源极-端子部分。
半导体组件16也包括电路载体50,在所述电路载体上构造有汇流排27。在这个实施例中,汇流排27包括两个导电的层28和31,所述导电的层彼此平行地被布置并且借助基底层29彼此电隔离。汇流排27沿着纵向轴线30延伸。如接触指部32一样地,沿着纵向轴线30彼此间隔开的接触指部被模制在汇流排27处,其中,接触指部分别与导电的层28或者31连接,并且,在彼此之间包围布置在其中的、绝缘的基底层29。因此,汇流排27和模制在汇流排27处的接触指部形成两个接触平面,所述接触平面彼此平行地被布置并且借助基底层29彼此电隔离。
基底层29和/或电路载体50的基底层例如由预浸料-层(尤其是纤维增强的环氧树脂层)形成。
接触指部32的、导电的层31被构造用于,与漏极-端子23焊接。在这个实施例中,在汇流排27处还模制有两个另外的、沿着纵向轴线30彼此间隔开的接触指部32a和32b。接触指部32a的导电的层31被构造用于,与漏极-端子23a电连接、尤其是焊接、例如回流-焊接。接触指部32的导电的层31被构造用于,与漏极-端子23b焊接。因此,汇流排27(尤其是汇流排27的、导电的层31)能够借助接触指部32、32a和32b与半导体开关17的漏极-端子(尤其是漏极-端子部分23、23a和23b)电连接。因此,半导体开关17能够借助汇流排27与电压源电连接,尤其是与电压源的正极。
半导体组件16也包括低侧-半导体开关20,所述低侧半导体开关被构造用于,与高侧-半导体开关17共同形成半导体开关-半桥。半导体组件16也包括半导体开关21和另外的低侧-半导体开关22,所述低侧-半导体开关被构造用于,与高侧-半导体开关19共同形成半导体开关-半桥,所述半导体开关21被构造用于,与高侧-半导体开关19共同构造半导体开关-半桥。
半导体组件16也包括输出端子34,所述输出端子在这个实施例中被构造为(例如冲压出或者激光切割出的)板件、在电路载体50的基底层中的嵌入物。输出端子34包括沿着纵向轴线30延伸的汇流排和沿着纵向轴线30彼此间隔开的接触指部33、33a和33b,所述接触指部被模制在汇流排处。
接触指部33被构造用于,以平坦的侧与高侧-半导体开关17的源极-端子25焊接,并且,以与之对置的侧与低侧-半导体开关20的漏极-端子24焊接。低侧半导体-开关20的、沿着纵向轴线30与漏极-端子24相邻布置的源极-端子26被构造用于,与接触指部32的、导电的层28焊接,使得源极-端子26能够经由汇流排27(尤其是经由汇流排27的、导电的层28)与电压源的极(尤其是电压源的负极)连接。
接触指部33a被构造用于,与源极-端子25a焊接,并且,接触指部33b被构造用于,与源极-端子25b连接。
因此,输出端子34的接触指部33将高侧-半导体开关17的源极-端子25与低侧-半导体开关20的漏极-端子24连接,并且,将漏极-端子24的部分端子24a与源极-端子25的部分端子25a连接。接触指部33b将低侧-半导体开关20的漏极-端子的部分端子24b与高侧-半导体开关17的源极-端子25的部分端子25b连接。因此,按照三明治的形式,输出端子34的接触指部33、33a和33b被包围在分别平坦地延伸的半导体开关(即,高侧-半导体开关17和低侧-半导体开关20)之间。
在汇流排27处模制出另外的、用于电接触高侧-半导体开关18的接触指部,以及,另外三个用于电接触高侧-半导体开关19的接触指部。
半导体组件16也包括用于半导体开关-半桥的输出端子35和用于半桥的输出端子36,所述半导体开关-半桥包括高侧-半导体开关18和低侧-半导体开关21,所述半桥包括高侧-半导体开关19和低侧-导体开关22。因此,能够将电机的相位(尤其是电机的定子线圈)分别连接到输出端子34、35和36处。
汇流排27的接触指部和输出端子(例如输出端子34、35或36)的接触指部分别被构造用于,以平坦的延伸彼此啮合。因此,汇流排的和输出端子的接触指部被布置在共同的平面中,并且,能够共同被包围在高侧-半导体开关17和低侧-半导体开关20之间,尤其是根据三明治的形式。
在其他的实施方式中,半导体开关17、18、19、20、21和22能够分别被构造为IGBT。源极-端子对应于发射极端子,并且,漏极-端子对应于集电极端子。
半导体开关分别具有控制端子(在图2中未示出)、尤其是栅极-端子,并且,被分别构造用于,在栅极-端子处接受控制信号并且根据控制信号来接通或者阻断半导体开关,所述控制信号用于接通半导体开关。控制端子能够例如由汇流排27的导电的、与其余区域绝缘的区域形成。
图3示出了用于制造功率模块的制造步骤,所述功率模块包括半导体组件16的、在图2中已经示出的部件,所述半导体组件在图2中被示出。就在图3中所示出的制造步骤而言,汇流排27的接触指部以导电的层31被放置到高侧-半导体开关(如半导体开关17、半导体开关18和半导体开关19)的切换路径端子上,并且,例如借助焊膏和回流-焊接被电连接和材料锁合地连接。如在图2中所描述的,输出端子34的接触指部放置在相应的、高侧-半导体开关17的切换路径端子上,并且,如在图1中所描述的,利用焊膏与对应的切换路径端子焊接。
在如在图3中所示出的同一步骤中,输出端子35能够与高侧-半导体开关18焊接,并且,输出端子36能够与高侧-半导体开关19焊接。
图4示出了用于制造功率模块的制造步骤,所述功率模块包括在图2中所示出的部件,就所述功率模块而言,低侧-半导体开关20、21和22被放置到汇流排27和输出端子34、35和36上,并且,与汇流排27和输出端子焊接。
因此,输出端子34将高侧-半导体开关17的源极-端子与低侧-半导体开关20的漏极-端子连接。因此,半导体开关-半桥能够借助汇流排27被连接到电压源,所述半导体开关-半桥包括根据图4彼此平行布置的半导体开关(即,高侧-半导体开关17和低侧-半导体开关20),所述半导体开关共同形成半导体开关-半桥。
图5示出了用于制造功率模块的制造步骤,就所述功率模块而言,在图4中所示出的半导体组件借助成型料被如此重新成型,使得汇流排27以及输出端子34、35和36从模具体15中突出,所述模具体由尤其是聚合化的成型料制成。
图5也示出了一种变型,就所述变型而言,功率模块与散热器导热地连接,所述散热器在这个实施例中是冷却体45。绝缘层31由冷却体(尤其是冷却片)导热地接触,使得损耗热量能够例如经由冷却体45被排出。所述冷却体45能够例如与热管连接,或者,仅由热管构成。
输出端子34、35和36共同形成为插塞式接触部,使得功率模块能够被插入到插栏中,并且,能够在那里接触电接触部,例如U形地形成的接触部51、52和53、尤其是绝缘位移接触部。汇流排27被构造用于,与U形的接触部54接触,所述U形的接触部具有用于接触导电的层28的接触叉55和用于接触导电的层31的接触叉56。接触叉55、56借助绝缘体57(例如陶瓷或者塑料)彼此电绝缘,并且,被构造用于,围绕汇流排27。因此,功率模块能够简单地与电机的、另外的部件插塞式连接。
图6示出了在图2、3和4中所示出的半导体组件的变型方案,就所述半导体组件而言,半导体开关-半桥在输出侧上分别与相位分离开关连接。在这个实施例中,相位分离开关由场效应晶体管形成,尤其是对应于高侧-半导体开关17的场效应晶体管。
高侧-半导体开关(如半导体开关17、18和19)分别以其平坦的延伸布置在同一个平面中,如相位分离开关,即:将输入侧与高侧-半导体开关17的输出端连接的相位分离开关38,将输出侧与包括高侧-半导体开关18的半桥连接的相位分离开关39,以及,将输入侧与包括高侧-半导体开关19和低侧-半导体开关22的半桥的输出端连接的相位分离开关40。半导体组件16也包括电路载体58,所述电路载体例如具有作为绝缘层29的预浸料-层或者陶瓷层。
为了将相位分离开关38与高侧-半导体开关17连接,半导体组件16包括导电的连接元件37,所述连接元件在这个实施例中被构造为沿纵向延伸的接触指部。
连接元件37例如形成为尤其是冲压出或者激光切割的片材(尤其是铜片)、在电路载体58中的嵌入物,并且,与端部部分接合,并且,因此在接触指部32和32a之间电接触源极-端子25,所述端部部分在汇流排27的接触指部32和32a之间。因此,连接元件37接触源极-端子25,而不接触在图2中的半导体组件16中的接触指部33。连接元件37的端部部分与相位分离开关38的切换路径端子焊接连接,使得半导体开关17的源极-端子25与相位分离开关38连接,所述源极-端子与低侧-半导体开关20的漏极-端子24共同形成半导体开关半桥的、已经提到的输出端。
半导体组件16也包括输出端子34,所述输出端子在半导体组件16中与相位分离开关38的切换路径端子连接。
半导体组件16也包括连接元件37a和另外的连接元件37b,所述连接元件以端部部分在接触指部32a和接触指部32b之间延伸,所述另外的连接元件与接触指部32b相邻布置地延伸。因此,连接元件37、37a和37b形成半导体开关-半桥的输出端,并且,将这个半导体开关-半桥与相位分离开关38连接,所述半导体开关半桥包括高侧-半导体开关17和低侧-半导体开关20。汇流排27和连接元件(如,连接元件37)以及输出端子34、35和36被分别布置在共同的平面中。
图7示出了用于制造功率模块的、另外的制造步骤,所述功率模块包括半导体组件16,就所述半导体组件而言,在图7中,低侧-半导体开关20与高侧-半导体开关17对置地被布置,低侧-半导体开关21与高侧-半导体开关18对置地被布置,并且,低侧-半导体开关22与高侧-半导体开关19对置地被布置。低侧-半导体开关20、21和22分别经由汇流排27(尤其是导电的层28)被供给电压,其中,漏极-端子作为输出端子与连接元件(如连接元件37)电连接。低侧-半导体开关20、21和22能够分别借助回流-焊接与汇流排27和连接元件(如连接元件37)焊接。
图8示出了功率模块,就所述功率模块而言,在图7中所示出的半导体组件17借助成型料被如此嵌入,使得汇流排27和输出端子34、35和36能够从模具体41中突出,并且,能够在那里由插塞式接触部夹紧地或者附加穿刺地电接触,所述模具体由成型料制成。
Claims (10)
1.用于电动机的功率模块(1、16、17),其中,所述功率模块(1、16、17)包括至少一个半导体开关-半桥(2、3、17、18、19、20、21、22),
其特征在于,
所述半导体开关-半桥(2、3、17、18、19、20、21、22)包括高侧-半导体开关(3、17、18、19)和低侧-半导体开关(2、20、21、22),其中,所述半桥(2、3)的所述半导体开关(2、3、17、18、19、20、21、22)分别具有切换路径端子(4、5、6、7、23、24、25、26),所述切换路径端子由所述半导体开关(2、3、17、18、19、20、21、22)的、平坦构造的表面区域形成,并且,半导体开关的所述切换路径端子(4、5、6、7、23、24、25、26)分别指向相同的方向,其中,所述高侧-半导体开关(3)和所述低侧-半导体开关(2)在彼此之间包围电路载体,所述电路载体具有至少两个导电的层(8、9、10、28、31、34、35、36),其中,所述电路载体(50、58)包括至少一个电绝缘层(29)和所述至少两个导电的层,所述导电的层将所述绝缘层(29)包围在彼此之间,其中,借助所述电路载体,所述半桥的所述低侧-半导体开关(2、20、21、22)的切换路径端子(4、6、24、26)和所述高侧-半导体开关(3)的切换路径端子(5、7、23、25)彼此电连接,其中,通过所述电路载体的至少一个导电的层(8、9、10)形成了所述半导体开关-半桥(2、3)的输出端子,其中,所述输出端子包括沿着所述功率模块的纵向轴线(30)延伸的汇流排和沿着所述纵向轴线(30)彼此间隔开的接触指部(33、33a、33b),所述接触指部(33、33a、33b)被模制在所述输出端子的汇流排处,所述接触指部(33、33a、33b)使所述半导体开关的与所述输出端子连接的切换路径端子彼此连接。
2.根据权利要求1所述的功率模块(1、16、17),其特征在于,半桥的所述半导体开关(2、3、17、18、19、20、21、22)的所述切换路径端子(4、5、6、7、23、24、25、26)彼此对置。
3.根据权利要求1或2所述的功率模块(1、16、17),其特征在于,所述功率模块(1、16、17)被构造用于多相的切换,并且,针对每个相位具有至少一个或者仅一个半导体开关-半桥。
4.根据权利要求1或2所述的功率模块(1、16、17),其特征在于,所述导电的层(28、31)具有相位-汇流排(27),在所述相位-汇流排处,在所述层的、平坦的延伸中模制所述相位-汇流排(27)的接触指部(32、32a、32b),所述接触指部从所述相位-汇流排(27)横向地或者以横向分量指向外。
5.根据权利要求1或2所述的功率模块(1、16、17),其特征在于,所述半导体开关(2、3、17、18、19、20、21、22)分别由场效晶体管形成,其中,所述高侧-半导体开关的、与所述半桥的所述输出端子连接的所述切换路径端子是源极-端子,并且,所述低侧-半导体开关的、与所述半桥的所述输出端子连接的所述切换路径端子是漏极-端子。
6.根据权利要求1或2所述的功率模块(1、16、17),其特征在于,所述半导体开关(2、3、17、18、19、20、21、22)分别由IGBT形成,其中,所述高侧-半导体开关(2、3、17、18、19、20、21、22)的、与所述半桥的所述输出端子连接的所述切换路径端子是发射极-端子,并且,所述低侧-半导体开关的、与所述半桥的所述输出端子连接的所述切换路径端子是集电极-端子。
7.根据权利要求4所述的功率模块(1、16、17),其特征在于,在所述相位-汇流排处至少模制有至少一个接触指部(32、32a、32b),其中,所述接触指部(32、32a、32b)电接触用于为所述半桥供电的切换路径端子。
8.根据权利要求7所述的功率模块(1、16、17),其特征在于,由所述电路载体的边缘部分形成插塞式连接部,通过所述插塞式连接部能够电接触所述功率模块。
9.根据权利要求7所述的功率模块(1、16、17),其特征在于,所述相位-汇流排(27)的接触指部(32、32a、32b)和所述输出端子(34、35、36)的汇流排的接触指部(33、33a、33b)彼此啮合。
10.根据权利要求1或2所述的功率模块(1、16、17),其特征在于,所述功率模块(1、16、17)被嵌入到模具体(15、41)中。
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