CN108352382B - 用于电动机的功率模块 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于电动机的功率模块。所述功率模块具有至少一个半导体开关‑半桥。根据本发明，半导体开关‑半桥包括高侧‑半导体开关和低侧‑半导体开关，其中，半导体开关‑半桥的半导体开关分别具有指向相同的方向的切换路径端子，所述切换路径端子由半导体开关的、平坦构造的表面区域形成。高侧‑半导体开关和低侧‑半导体开关在彼此之间包围电路载体，所述电路载体具有至少两个导电的层，其中，借助所述电路载体将半桥的低侧‑半导体开关的切换路径端子和高侧‑半导体开关的切换路径端子彼此电连接。

Description

用于电动机的功率模块
技术领域
本发明涉及一种用于电动机的功率模块。所述功率模块具有至少一个半导体开关-半桥。
发明内容
根据本发明，半导体开关-半桥具有高侧-半导体开关和低侧-半导体开关，其中，半导体开关-半桥的半导体开关分别具有切换路径端子，所述切换路径端子由半导体开关的、尤其是平坦构造的表面区域形成。切换路径端子（尤其是切换路径段子的法向矢量）分别指向相同的方向。高侧-半导体开关和低侧-半导体开关在彼此之间包围电路载体，所述电路载体具有至少两个导电的层，其中，电路载体包括至少一个电绝缘层（尤其是基底层）和至少两个导电的层，所述导电的层将电绝缘层包围在彼此之间。
借助电路载体，半桥的低侧-半导体开关的切换路径端子和高侧-半导体开关的切换路径端子彼此电连接。优选地，通过至少一个或者仅一个导电的层形成了半导体开关-半桥的输出端子。
通过这样的结构，能够有利地提供紧凑的功率模块。功率模块因此能够节省空间地被布置在电动机或者电机中。
在另外的变型方案中，两个导电的层借助至少一个电金属化通孔彼此连接，并且，共同形成半导体开关-半桥（在下文中，也被称为半桥）的输出端子。
在功率模块的、优选的实施方式中，半桥的半导体开关的切换路径端子彼此对置。优选地，半导体开关的切换路径端子彼此共面地被布置。切换路径端子能够这样在彼此之间（尤其是根据三明治的形式）包围电路载体，所述切换路径端子借助导电的层彼此连接，所述电路载体具有导电的层。因此，有利地，功率模块能够节省空间地被构造。在优选的实施方式中，功率模块被构造用于多相的切换、尤其是用于电动机电流的切换，并且，针对每个相位具有至少一个或者仅一个半导体开关-半桥。因此，例如为了操控三相的电动机，功率模块能够具有三个半导体开关-半桥。每个半导体开关-半桥能够例如具有多个（Mehrzahl）或者大量的（Vielzahl）单个半导体开关-半桥，所述单个半导体开关-半桥彼此并联连接，并且尤其被布置为串列。
优选地，半导体开关-半桥针对每个切换路径端子具有至少两个、（三个或者四个）或者多于四个的表面区域，所述表面区域被构造为导电的并且与切换路径端子连接。因此，表面区域能够分别形成接触-垫。
在功率模块的、优选的实施方式中，导电的层具有相位汇流排，在所述相位汇流排处，在所述层的、平坦的延伸中模制有至少一个接触指部，所述接触指部从所述相位汇流排横向地或者以横向分量指向外。优选地，接触指部使半导体开关的切换路径端子彼此连接，所述切换路径端子与输出端子连接。因此，接触轨道能够有利地形成母线（汇流排），所述母线聚集由接触指部所导出的电流，或者，所述母线将电流分布在接触指部上，其中，所分布的电流借助接触指部能够被引导至切换路径端口。
进一步有利地，汇流排能够从功率模块中、从模具-模块的模具体中突出并且因此从外部被电接触，所述功率模块例如由模具-模块形成。
在优选的实施方式中，半导体开关分别由场效晶体管形成，其中，高侧-半导体开关的、与半桥的输出端子连接的切换路径端子是源极-端子，并且，低侧-半导体开关的、与半桥的输出端子连接的切换路径端子是漏极-端子。因此，有利地，半导体开关-半桥能够紧凑地并且节省空间地被构造，所述半导体开关-半桥由两个MOS-场效晶体管或者MIS-场效晶体管构成。进一步有利地，功率模块能够通过紧凑的结构具有低的自感。
在优选的实施方式中，半导体开关分别由IGBT（IGBT=绝缘栅双极晶体管、Insulated-Gate-Bipolar-Transistor）形成，其中，高侧-半导体开关的、与半桥的输出端子连接的切换路径端子是发射极-端子，并且，低侧-半导体开关的、与半桥的输出端子连接的切换路径端子是集电极-端子。因此，有利地，半桥能够节省空间地被构造，所述半桥由IGBT-晶体管构成。
在优选的实施方式中，所述接触指部包括两个彼此平行布置的、导电的层，所述层通过电绝缘的绝缘层彼此分离。优选地，接触指部的层接触不同的半导体开关的、彼此对置的端子。因此，能够有利地从间隙中节省空间并且低电感地为半桥（尤其是半桥的半导体开关）供应电压，所述间隙在低侧-半导体开关和高侧-半导体开关之间延伸。
优选地，所述电路载体由印制电路板构成。优选地，电绝缘的绝缘层由纤维增强的环氧树脂层、尤其是预浸料-层形成。纤维增强的层的纤维优选是玻璃纤维。
优选地，导电的层由铜层或者铝层形成。由此，电路载体有利地具有良好的导电性。
在其他的实施方式中，电路载体是尤其是烧结的陶瓷电路载体，所述陶瓷电路载体具有至少一个陶瓷的绝缘层。陶瓷电路载体优选是LTCC-电路载体（LTCC=低温共烧陶瓷、Low-Temperature-Cofired-Ceramics）或者HTCC-电路载体（HTCC=高温共烧陶瓷、High-Temperature-Cofired-Ceramics）、DBC-电路载体（DBC=直接键合铜、Direct-Bonded-Copper，也被称为DCB）、AMS-电路载体（AMB=活性金属钎焊、Active-Metal-Braze），包括陶瓷层和作为导电的层的至少一个铜层和/或至少一个铝层。
以这种方式，电路载体（尤其是具有至少两个导电的层的印制电路板或者陶瓷电路载体）能够使作为连接层的半导体开关彼此电连接，并且，因此，构造作为半导体组件的、紧凑的功率模块。进一步优选地，能够在印制电路板中集成另外的电子构件，例如电容器、电阻或者二极管。优选地，借助电路载体来电接触半导体开关-半桥的信号端子和/或控制端子。通过半桥的半导体开关的、彼此对置的端子能够有利地构造低电感的半桥，因为在半导体开关之间的连接管线被构造为短的。
在优选的实施例中，汇流排的和相位汇流排的接触指部分别彼此啮合。以这种方式，能够特别紧凑地构造馈入电流和来自功率模块的馈出电流。
附图说明
现在，将在下文中参照附图和另外的实施例来描述本发明。另外的、有利的实施变型方案由在附图中所描述的特征得出。
图1示意性地示出了用于半导体组件的实施例，所述半导体组件形成半导体开关-半桥，就所述半导体开关-半桥而言，两个半导体开关在彼此之间包围印制电路板，所述印制电路板具有用于馈入电流和馈出电流的电接触部；
图2在分解视图中示意性地示出了用于构造三个半导体开关-半桥的半导体组件，所述三个半导体开关-半桥由FET-晶体管（FET=场效晶体管、 Feld-Effekt-Transistor）形成，其中，在低侧-晶体管和高侧-晶体管之间包围印制电路板，所述印制电路板具有用于馈入电流和馈出电流的电接触部；
图3示出了用于构造功率模块的制造步骤，所述功率模块包括在图2中所示出的部件，其中，高侧-晶体管与电端子、尤其是与汇流排和输出端子焊接；
图4示出了用于构造功率模块的制造步骤，所述功率模块包括在图3中所示出的部件，其中，低侧-半导体开关与电端子、尤其是与汇流排和输出端子焊接；
图5示出了另外的、用于构造功率模块的制造步骤，所述功率模块包括在图4中所示出的部件，其中，所述部件被嵌入到成型料中；
图6示出了在图4中所示出的半导体组件的变型，就所述变型而言，半桥在输出侧与相位分离开关连接；
图7示出了用于生产具有相位分离开关的功率模块的制造步骤，就所述制造步骤而言，低侧-半导体开关被焊接在电端子上；
图8示出了用于生产具有相位分离开关的功率模块的制造步骤，就所述制造步骤而言，在图7中所示出的部件被嵌入在成型料中。
具体实施方式
图1示出了用于半导体组件1的实施例。在这个实施例中，半导体组件1形成了功率模块，所述功率模块包括半导体开关-半桥。在这个实施例中，半导体开关-半桥包括低侧-半导体开关2和高侧-半导体开关3。低侧-半导体开关2具有作为切换路径端子的源极-端子7和作为另外的切换路径端子的漏极-端子5，所述低侧-半导体开关在这个实施例中由场效应晶体管形成。高侧-半导体开关3具有作为切换路径端子的漏极-端子6和作为另外的切换路径端子的源极-端子4。高侧-半导体开关3的源极-端子4经由电路载体的部分与低侧-半导体开关的漏极-端子5电连接，所述电路载体包括导电的层46、导电的层47和电绝缘的基底层12。半导体开关2和3分别被平坦地构造。低侧-半导体开关2的源极-端子7具有表面区域42，所述表面区域关于高侧-半导体开关3的漏极-端子6的表面区域43对置地被布置。低侧-半导体开关2的源极-端子7和漏极-端子5分别在共同的平面上延伸。
低侧-半导体开关2的漏极-端子5和高侧-半导体开关3的源极-端子4在彼此之间包围印制电路板部分，所述印制电路板部分具有导电的层46和47。源极-端子4借助电连接器件11与导电的层47物料锁合或者材料锁合地电连接。漏极-端子5借助电连接器件11与导电的层46物料锁合或者材料锁合地电连接。连接器件11例如是焊料，烧结焊接或者导电的粘合剂。导电的层46和47分别借助电金属化通孔48彼此电连接，所述电金属化通孔穿过电绝缘的基底层12。具有导电的层46和47的印制电路板部分形成半导体组件1的输出端子8。
在这个实施例中，源极-端子7借助连接器件11（尤其是焊料、导电的粘合剂或者烧结材料）与导电的层9连接。导电的层9能够形成例如用于为半导体开关-半桥供电的端子。漏极-端子6借助连接器件11（尤其是焊料、导电的粘合剂或者烧结材料）与导电的层10连接。在这个实施例中，导电的层10形成用于为半导体开关-半桥供电的、另外的端子。在这个实施例中，导电的层9和10平行并且彼此间隔开地被布置，并且，在彼此之间包围电绝缘的层12（尤其是纤维增强的环氧树脂层或陶瓷层）。因此，导电的层9和10彼此电绝缘，并且，与绝缘层12共同形成电路载体或者印制电路板。
高侧-半导体开关3和低侧-半导体开关2在彼此之间包围印制电路板，所述印制电路板由绝缘层12和导电的层9、11、46和47构成。
因此，源极-端子7和漏极-端子6在彼此之间包围导电的层9和10以及电绝缘的基底层12，所述基底层12根据三明治的形式被包围在导电的层9和10之间。因此，源极-端子7的表面区域42通过导电的层9被电接触，并且，漏极-端子6的表面区域43通过导电的层10被电接触。导电的层9和10例如被引导到外部，使得半导体开关能够从外部被电接触。
这样形成的半导体开关-半桥能够被嵌入在模具体15中，所述的半导体开关-半桥被紧凑地构造。在这个实施例中，输出端子8从模具体15中突出，所述输出端子例如被构造为导电的层。导电的层9、导电的层10和包围在它们之间的绝缘层12能够一起形汇流排44或汇流排的组成部分，并且，共同从模具体15中突出。因此，半导体开关-半桥能够经由汇流排44被供应电流，其中，电流能够经由输出端子8流出，所述电流由低侧-半导体开关2和高侧-半导体开关3切换。
低侧-半导体开关2具有指向外部的绝缘层13，通过所述绝缘层能够导出损耗热量，所述损耗热量在半导体开关2中产生。高侧-半导体开关3具有指向外部的绝缘层14，通过所述绝缘层能够导出损耗热量，所述损耗热量在半导体开关2中产生。因此，半桥能够有利地经由两个彼此背离的侧散热，所述半桥包括半导体开关2和3。绝缘层13和14能够分别由陶瓷层，DBC-层（DBC=直接键合铜、Direct-Bonded-Copper）形成，其中，铜层被形成用于与指向外部的散热器的、材料锁合的连接（尤其是焊接或者烧结）。散热器（例如冷却体）能够借助导热粘合剂结合到绝缘层13和14处，所述绝缘层例如由聚酰亚胺层形成。
图2以分解图示意性地示出了半导体组件16的组成部分。在这个实施例中，半导体组件16形成功率模块，所述功率模块具有三个半导体开关-半桥，所述半导体开关-半桥用于操控三相的电动机或者三相的电机。在这个实施例中，半导体组件16包括三个高侧-半导体开关，即：高侧-场效应晶体管17，高侧-场效应晶体管18和高侧-场效应晶体管19。场效应晶体管17、18和19分别被平坦地构造，其中，切换路径端子（尤其是漏极-端子23和源极-端子25）以其平坦的延伸分别指向相同的方向。
半导体开关17的漏极-端子23仍然由两个另外的端子部分23a和23b形成。除了源极-端子25，半导体开关17的源极-端子还包括两个另外的端子部分25a和25b，所述端子部分分别由半导体开关17的表面区域形成。
表面区域沿着纵向轴线30相互交替地变换，所述表面区域形成半导体开关17的源极-和漏极-端子。因此，沿着纵向轴线30，形成源极-端子25的表面区域与形成漏极端子23的表面区域相邻地被布置。在形成源极-端子25的表面区域之后是形成漏极-端子部分23a的表面区域。沿着纵向轴线，漏极-端子部分23a之后是源极-端子部分25a，并且，在源极-端子部分25a之后是漏极-端子部分23b。漏极-端子部分23b之后是源极-端子部分25b。因此，沿着纵向轴线30布置的两个源极-端子部分在彼此之间包围漏极-端子部分，并且，沿着纵向轴线30布置的漏极-端子部分在彼此之间包围源极-端子部分。
半导体组件16也包括电路载体50，在所述电路载体上构造有汇流排27。在这个实施例中，汇流排27包括两个导电的层28和31，所述导电的层彼此平行地被布置并且借助基底层29彼此电隔离。汇流排27沿着纵向轴线30延伸。如接触指部32一样地，沿着纵向轴线30彼此间隔开的接触指部被模制在汇流排27处，其中，接触指部分别与导电的层28或者31连接，并且，在彼此之间包围布置在其中的、绝缘的基底层29。因此，汇流排27和模制在汇流排27处的接触指部形成两个接触平面，所述接触平面彼此平行地被布置并且借助基底层29彼此电隔离。
基底层29和/或电路载体50的基底层例如由预浸料-层（尤其是纤维增强的环氧树脂层）形成。
接触指部32的、导电的层31被构造用于，与漏极-端子23焊接。在这个实施例中，在汇流排27处还模制有两个另外的、沿着纵向轴线30彼此间隔开的接触指部32a和32b。接触指部32a的导电的层31被构造用于，与漏极-端子23a电连接、尤其是焊接、例如回流-焊接。接触指部32的导电的层31被构造用于，与漏极-端子23b焊接。因此，汇流排27（尤其是汇流排27的、导电的层31）能够借助接触指部32、32a和32b与半导体开关17的漏极-端子（尤其是漏极-端子部分23、23a和23b）电连接。因此，半导体开关17能够借助汇流排27与电压源电连接，尤其是与电压源的正极。
半导体组件16也包括低侧-半导体开关20，所述低侧半导体开关被构造用于，与高侧-半导体开关17共同形成半导体开关-半桥。半导体组件16也包括半导体开关21和另外的低侧-半导体开关22，所述低侧-半导体开关被构造用于，与高侧-半导体开关19共同形成半导体开关-半桥，所述半导体开关21被构造用于，与高侧-半导体开关19共同构造半导体开关-半桥。
半导体组件16也包括输出端子34，所述输出端子在这个实施例中被构造为（例如冲压出或者激光切割出的）板件、在电路载体50的基底层中的嵌入物。输出端子34包括沿着纵向轴线30延伸的汇流排和沿着纵向轴线30彼此间隔开的接触指部33、33a和33b，所述接触指部被模制在汇流排处。
接触指部33被构造用于，以平坦的侧与高侧-半导体开关17的源极-端子25焊接，并且，以与之对置的侧与低侧-半导体开关20的漏极-端子24焊接。低侧半导体-开关20的、沿着纵向轴线30与漏极-端子24相邻布置的源极-端子26被构造用于，与接触指部32的、导电的层28焊接，使得源极-端子26能够经由汇流排27（尤其是经由汇流排27的、导电的层28）与电压源的极（尤其是电压源的负极）连接。
接触指部33a被构造用于，与源极-端子25a焊接，并且，接触指部33b被构造用于，与源极-端子25b连接。
因此，输出端子34的接触指部33将高侧-半导体开关17的源极-端子25与低侧-半导体开关20的漏极-端子24连接，并且，将漏极-端子24的部分端子24a与源极-端子25的部分端子25a连接。接触指部33b将低侧-半导体开关20的漏极-端子的部分端子24b与高侧-半导体开关17的源极-端子25的部分端子25b连接。因此，按照三明治的形式，输出端子34的接触指部33、33a和33b被包围在分别平坦地延伸的半导体开关（即，高侧-半导体开关17和低侧-半导体开关20）之间。
在汇流排27处模制出另外的、用于电接触高侧-半导体开关18的接触指部，以及，另外三个用于电接触高侧-半导体开关19的接触指部。
半导体组件16也包括用于半导体开关-半桥的输出端子35和用于半桥的输出端子36，所述半导体开关-半桥包括高侧-半导体开关18和低侧-半导体开关21，所述半桥包括高侧-半导体开关19和低侧-导体开关22。因此，能够将电机的相位（尤其是电机的定子线圈）分别连接到输出端子34、35和36处。
汇流排27的接触指部和输出端子（例如输出端子34、35或36）的接触指部分别被构造用于，以平坦的延伸彼此啮合。因此，汇流排的和输出端子的接触指部被布置在共同的平面中，并且，能够共同被包围在高侧-半导体开关17和低侧-半导体开关20之间，尤其是根据三明治的形式。
在其他的实施方式中，半导体开关17、18、19、20、21和22能够分别被构造为IGBT。源极-端子对应于发射极端子，并且，漏极-端子对应于集电极端子。
半导体开关分别具有控制端子（在图2中未示出）、尤其是栅极-端子，并且，被分别构造用于，在栅极-端子处接受控制信号并且根据控制信号来接通或者阻断半导体开关，所述控制信号用于接通半导体开关。控制端子能够例如由汇流排27的导电的、与其余区域绝缘的区域形成。
图3示出了用于制造功率模块的制造步骤，所述功率模块包括半导体组件16的、在图2中已经示出的部件，所述半导体组件在图2中被示出。就在图3中所示出的制造步骤而言，汇流排27的接触指部以导电的层31被放置到高侧-半导体开关（如半导体开关17、半导体开关18和半导体开关19）的切换路径端子上，并且，例如借助焊膏和回流-焊接被电连接和材料锁合地连接。如在图2中所描述的，输出端子34的接触指部放置在相应的、高侧-半导体开关17的切换路径端子上，并且，如在图1中所描述的，利用焊膏与对应的切换路径端子焊接。
在如在图3中所示出的同一步骤中，输出端子35能够与高侧-半导体开关18焊接，并且，输出端子36能够与高侧-半导体开关19焊接。
图4示出了用于制造功率模块的制造步骤，所述功率模块包括在图2中所示出的部件，就所述功率模块而言，低侧-半导体开关20、21和22被放置到汇流排27和输出端子34、35和36上，并且，与汇流排27和输出端子焊接。
因此，输出端子34将高侧-半导体开关17的源极-端子与低侧-半导体开关20的漏极-端子连接。因此，半导体开关-半桥能够借助汇流排27被连接到电压源，所述半导体开关-半桥包括根据图4彼此平行布置的半导体开关（即，高侧-半导体开关17和低侧-半导体开关20），所述半导体开关共同形成半导体开关-半桥。
图5示出了用于制造功率模块的制造步骤，就所述功率模块而言，在图4中所示出的半导体组件借助成型料被如此重新成型，使得汇流排27以及输出端子34、35和36从模具体15中突出，所述模具体由尤其是聚合化的成型料制成。
图5也示出了一种变型，就所述变型而言，功率模块与散热器导热地连接，所述散热器在这个实施例中是冷却体45。绝缘层31由冷却体（尤其是冷却片）导热地接触，使得损耗热量能够例如经由冷却体45被排出。所述冷却体45能够例如与热管连接，或者，仅由热管构成。
输出端子34、35和36共同形成为插塞式接触部，使得功率模块能够被插入到插栏中，并且，能够在那里接触电接触部，例如U形地形成的接触部51、52和53、尤其是绝缘位移接触部。汇流排27被构造用于，与U形的接触部54接触，所述U形的接触部具有用于接触导电的层28的接触叉55和用于接触导电的层31的接触叉56。接触叉55、56借助绝缘体57（例如陶瓷或者塑料）彼此电绝缘，并且，被构造用于，围绕汇流排27。因此，功率模块能够简单地与电机的、另外的部件插塞式连接。
图6示出了在图2、3和4中所示出的半导体组件的变型方案，就所述半导体组件而言，半导体开关-半桥在输出侧上分别与相位分离开关连接。在这个实施例中，相位分离开关由场效应晶体管形成，尤其是对应于高侧-半导体开关17的场效应晶体管。
高侧-半导体开关（如半导体开关17、18和19）分别以其平坦的延伸布置在同一个平面中，如相位分离开关，即：将输入侧与高侧-半导体开关17的输出端连接的相位分离开关38，将输出侧与包括高侧-半导体开关18的半桥连接的相位分离开关39，以及，将输入侧与包括高侧-半导体开关19和低侧-半导体开关22的半桥的输出端连接的相位分离开关40。半导体组件16也包括电路载体58，所述电路载体例如具有作为绝缘层29的预浸料-层或者陶瓷层。
为了将相位分离开关38与高侧-半导体开关17连接，半导体组件16包括导电的连接元件37，所述连接元件在这个实施例中被构造为沿纵向延伸的接触指部。
连接元件37例如形成为尤其是冲压出或者激光切割的片材（尤其是铜片）、在电路载体58中的嵌入物，并且，与端部部分接合，并且，因此在接触指部32和32a之间电接触源极-端子25，所述端部部分在汇流排27的接触指部32和32a之间。因此，连接元件37接触源极-端子25，而不接触在图2中的半导体组件16中的接触指部33。连接元件37的端部部分与相位分离开关38的切换路径端子焊接连接，使得半导体开关17的源极-端子25与相位分离开关38连接，所述源极-端子与低侧-半导体开关20的漏极-端子24共同形成半导体开关半桥的、已经提到的输出端。
半导体组件16也包括输出端子34，所述输出端子在半导体组件16中与相位分离开关38的切换路径端子连接。
半导体组件16也包括连接元件37a和另外的连接元件37b，所述连接元件以端部部分在接触指部32a和接触指部32b之间延伸，所述另外的连接元件与接触指部32b相邻布置地延伸。因此，连接元件37、37a和37b形成半导体开关-半桥的输出端，并且，将这个半导体开关-半桥与相位分离开关38连接，所述半导体开关半桥包括高侧-半导体开关17和低侧-半导体开关20。汇流排27和连接元件（如，连接元件37）以及输出端子34、35和36被分别布置在共同的平面中。
图7示出了用于制造功率模块的、另外的制造步骤，所述功率模块包括半导体组件16，就所述半导体组件而言，在图7中，低侧-半导体开关20与高侧-半导体开关17对置地被布置，低侧-半导体开关21与高侧-半导体开关18对置地被布置，并且，低侧-半导体开关22与高侧-半导体开关19对置地被布置。低侧-半导体开关20、21和22分别经由汇流排27（尤其是导电的层28）被供给电压，其中，漏极-端子作为输出端子与连接元件（如连接元件37）电连接。低侧-半导体开关20、21和22能够分别借助回流-焊接与汇流排27和连接元件（如连接元件37）焊接。
图8示出了功率模块，就所述功率模块而言，在图7中所示出的半导体组件17借助成型料被如此嵌入，使得汇流排27和输出端子34、35和36能够从模具体41中突出，并且，能够在那里由插塞式接触部夹紧地或者附加穿刺地电接触，所述模具体由成型料制成。

Claims (10)

1.用于电动机的功率模块（1、16、17），其中，所述功率模块（1、16、17）包括至少一个半导体开关-半桥（2、3、17、18、19、20、21、22），
其特征在于，
所述半导体开关-半桥（2、3、17、18、19、20、21、22）包括高侧-半导体开关（3、17、18、19）和低侧-半导体开关（2、20、21、22），其中，所述半桥（2、3）的所述半导体开关（2、3、17、18、19、20、21、22）分别具有切换路径端子（4、5、6、7、23、24、25、26），所述切换路径端子由所述半导体开关（2、3、17、18、19、20、21、22）的、平坦构造的表面区域形成，并且，半导体开关的所述切换路径端子（4、5、6、7、23、24、25、26）分别指向相同的方向，其中，所述高侧-半导体开关（3）和所述低侧-半导体开关（2）在彼此之间包围电路载体，所述电路载体具有至少两个导电的层（8、9、10、28、31、34、35、36），其中，所述电路载体（50、58）包括至少一个电绝缘层（29）和所述至少两个导电的层，所述导电的层将所述绝缘层（29）包围在彼此之间，其中，借助所述电路载体，所述半桥的所述低侧-半导体开关（2、20、21、22）的切换路径端子（4、6、24、26）和所述高侧-半导体开关（3）的切换路径端子（5、7、23、25）彼此电连接，其中，通过所述电路载体的至少一个导电的层（8、9、10）形成了所述半导体开关-半桥（2、3）的输出端子，其中，所述输出端子包括沿着所述功率模块的纵向轴线（30）延伸的汇流排和沿着所述纵向轴线（30）彼此间隔开的接触指部（33、33a、33b），所述接触指部（33、33a、33b）被模制在所述输出端子的汇流排处，所述接触指部（33、33a、33b）使所述半导体开关的与所述输出端子连接的切换路径端子彼此连接。
2.根据权利要求1所述的功率模块（1、16、17），其特征在于，半桥的所述半导体开关（2、3、17、18、19、20、21、22）的所述切换路径端子（4、5、6、7、23、24、25、26）彼此对置。
3.根据权利要求1或2所述的功率模块（1、16、17），其特征在于，所述功率模块（1、16、17）被构造用于多相的切换，并且，针对每个相位具有至少一个或者仅一个半导体开关-半桥。
4.根据权利要求1或2所述的功率模块（1、16、17），其特征在于，所述导电的层（28、31）具有相位-汇流排（27），在所述相位-汇流排处，在所述层的、平坦的延伸中模制所述相位-汇流排（27）的接触指部（32、32a、32b），所述接触指部从所述相位-汇流排（27）横向地或者以横向分量指向外。
5.根据权利要求1或2所述的功率模块（1、16、17），其特征在于，所述半导体开关（2、3、17、18、19、20、21、22）分别由场效晶体管形成，其中，所述高侧-半导体开关的、与所述半桥的所述输出端子连接的所述切换路径端子是源极-端子，并且，所述低侧-半导体开关的、与所述半桥的所述输出端子连接的所述切换路径端子是漏极-端子。
6.根据权利要求1或2所述的功率模块（1、16、17），其特征在于，所述半导体开关（2、3、17、18、19、20、21、22）分别由IGBT形成，其中，所述高侧-半导体开关（2、3、17、18、19、20、21、22）的、与所述半桥的所述输出端子连接的所述切换路径端子是发射极-端子，并且，所述低侧-半导体开关的、与所述半桥的所述输出端子连接的所述切换路径端子是集电极-端子。
7.根据权利要求4所述的功率模块（1、16、17），其特征在于，在所述相位-汇流排处至少模制有至少一个接触指部（32、32a、32b），其中，所述接触指部（32、32a、32b）电接触用于为所述半桥供电的切换路径端子。
8.根据权利要求7所述的功率模块（1、16、17），其特征在于，由所述电路载体的边缘部分形成插塞式连接部，通过所述插塞式连接部能够电接触所述功率模块。
9.根据权利要求7所述的功率模块（1、16、17），其特征在于，所述相位-汇流排（27）的接触指部（32、32a、32b）和所述输出端子（34、35、36）的汇流排的接触指部（33、33a、33b）彼此啮合。
10.根据权利要求1或2所述的功率模块（1、16、17），其特征在于，所述功率模块（1、16、17）被嵌入到模具体（15、41）中。
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