CN108342715B - 一种化学气相沉积装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的化学气相沉积装置，包括：反应腔室，以及相对设置的上极板与下极板；传动装置，包括一主体部以及设置在主体部上方的支撑部，传动装置设置在下极板的下方，其中，所述传动装置上设置有调节部件，调节部件用于调节下极板的位置，防止下极板的位置发生旋转偏移。通过在传动装置上设置调节部件，在实际生产过程中，调节部件可以直接调节下极板的位置，以达到防止下极板的位置发生旋转偏移的目的，并且，调节时不需要降温，也不需要打开反应腔室，因此缩短了生产周期，提高了生产效率。
Description
技术领域
本发明涉及化学气相沉积领域，具体涉及一种化学气相沉积装置。
背景技术
等离子体增强化学气相沉积法是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，从而在基板上沉积出薄膜。
陶瓷桶是等离子体增强化学气相沉积设备间距调节的传动装置，在传统的结构中，整个陶瓷桶是简洁回转体，并由止固螺丝固定在动轨上；在实际应用中，由于运动的偏移以及机械误差等因素，导致基底相对于理想位置存在偏移。所以，当基底发生偏移时，现有的做法是打开反应腔室，推动基底来实现调节。但由于每次调节都需要降温以及打开反应腔室，因此延长了生产周期，导致生产效率降低。
因此，有必要提供一种化学气相沉积装置，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种化学气相沉积装置，能够缩短生产周期，提高生产效率。
本发明提供了一种化学气相沉积装置，包括：
反应腔室，以及相对设置的上极板与下极板，所述上极板与所述下极板设置在所述反应腔室内；
传动装置，包括一主体部以及设置在所述主体部上方的支撑部，所述传动装置设置在所述下极板的下方，其中，所述传动装置上设置有调节部件，所述调节部件用于调节所述下极板的位置，防止所述下极板的位置发生旋转偏移。
其中，所述支撑部位于所述反应腔室的内部，所述本体部的上部位于所述反应腔室的内部，所述本体部的下部从所述反应腔室穿出，位于所述反应腔室外部；其中，所述调节部件位于所述本体部的下部。
根据本发明一优选实施例，所述调节部件包括设置在所述主体部侧壁上的若干个齿轮；所述反应腔室下壁外侧上设置有与所述若干个齿轮配合的螺丝，所述螺丝的至少为两个，且相对设置在所述主体部侧壁的两侧；所述若干个齿轮与所述螺丝配合以调节所述下极板的位置，防止所述下极板的位置发生旋转偏移。
根据本发明一优选实施例，包括设置在所述主体部下方的马达，所述马达与所述调节部件配合，以调节所述下极板的位置，防止所述下极板的位置发生旋转偏移。
根据本发明一优选实施例，所述若干个齿轮的大小、形状均一致。
根据本发明一优选实施例，所述调节部件包括设置在所述主体部的侧壁上的至少两组键孔，所述任一组键孔的数量为一个或者多个；以及与所述至少两组键孔配合使用的至少两个调节板；其中，所述任一组键孔位于主体部的相对两侧且位于同一平面，所述键孔与所述调节板均位于所述反应腔室外。
根据本发明一优选实施例，所述调节板包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分的长度大于所述第二部分的长度，所述第二部分为空心结构，且所述第二部分与所述主体部的截面大小、形状一致；所述第二部分的内侧上设置有与所述键孔匹配的第一突起部，所述第一突起部与所述键孔配合以固定所述主体部。
根据本发明一优选实施例，所述至少两个调节板的形状、大小均一致。
根据本发明一优选实施例，所述主体部的内部为空心结构，以伸出所需的走线。
根据本发明一优选实施例，所述支撑部的侧壁设置有若干个第二突起部，所述第二突起部用于连接所述下极板。
本发明提供的化学气相沉积装置，包括：反应腔室，以及相对设置的上极板与下极板，上极板与下极板设置在所述反应腔室内；传动装置，包括一主体部以及设置在主体部上方的支撑部，传动装置设置在下极板的下方，其中，所述传动装置上设置有调节部件，调节部件用于调节下极板的位置，防止下极板的位置发生旋转偏移。通过在传动装置上设置调节部件，在实际生产过程中，调节部件可以直接调节下极板的位置，以达到防止所述下极板的位置发生旋转偏移的目的，并且，调节时不需要降温，也不需要打开反应腔室，因此缩短了生产周期，提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的化学气相沉积装置的平面示意图；
图2为本发明一优选实施例提供的传动装置的结构示意图；
图3为本发明一优选实施例提供的调节部件的截面示意图；
图4为本发明另一优选实施例提供的传动装置的结构示意图；
图5～6为本发明另一优选实施例提供的调节部件的截面示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，图1为本发明实施例提供的化学气相沉积装置的平面示意图。
本发明实施例提供一种化学气相沉积装置，包括：反应腔室10，以及相对设置的上极板101与下极板102，所述上极板101与所述下极板102设置在所述反应腔室10内；
传动装置20，包括一主体部201以及设置在所述主体部201上方的支撑部202，所述传动装置20设置在所述下极板102的下方，其中，所述传动装置20上设置有调节部件30，所述调节部件30用于调节所述下极板102的位置，防止所述下极板102的位置发生旋转偏移。
其中，所述支撑部202位于所述反应腔室10的内部，所述本体部201的上部位于所述反应腔室的内部，所述本体部201的下部从所述反应腔室穿出，位于所述反应腔室10外部；其中，所述调节部件30位于所述本体部201的下部。
进一步的，请参阅图2以及图3，图2为本发明一优选实施例提供的传动装置的结构示意图，图3为本发明一优选实施例提供的调节部件的截面示意图。
所述调节部件30包括设置在所述主体部201侧壁上的若干个齿轮301；所述反应腔室10下壁外侧上设置有与所述若干个齿轮301配合的螺丝，所述螺丝的至少为两个，且相对设置在所述主体部201侧壁的两侧；所述若干个齿轮301与所述螺丝配合以调节所述下极板102的位置，防止所述下极板102的位置发生旋转偏移。
例如，在传动装置的两侧上分别设置调节部件，该调节部件包括设置在主体部201侧壁上的一个齿轮301，对应的，反应腔室11下壁外侧上设置有螺丝，螺丝具有螺纹结构，工作时，齿轮301通过螺丝上的螺纹结构调节下极板102的位置，防止所述下极板102的位置发生旋转偏移。当需要减小上极板101与下极板102之间的距离时，传动装置20上升，下极板102的位置由于传动装置20上升而造成旋转偏移，即上极板101与下极板102存在对位误差，此时齿轮301与螺丝配合，调节下极板102的位置，以使下极板102旋转从而达到防止下极板102的位置发生旋转偏移的目的。
具体的，所述化学气相沉积装置还包括设置在所述主体部201下方的马达，所述马达与所述调节部件30配合，以调节所述下极板102的位置，防止所述下极板102的位置发生旋转偏移。例如，在传动装置20的主体部201下方设置一马达，工作时，该马达与调节部件30配合以调节所述下极板102的位置。例如，当需要减小上极板101与下极板102之间的距离时，传动装置20上升，下极板102的位置由于传动装置20上升而造成旋转偏移，即上极板101与下极板102存在对位误差，马达可以与调节部件30配合以调节下极板102的位置，使下极板102旋转从而达到防止下极板102的位置发生旋转偏移。
优选的，所述若干个齿轮301的大小、形状均一致。
请结合参阅图4、图5以及图6，图4为本发明另一优选实施例提供的传动装置的结构示意图；图5～6为本发明另一优选实施例提供的调节部件的截面示意图。
所述调节部件30包括设置在所述主体部201的侧壁上的至少两组键孔501，所述任一组键孔501的数量为一个或者多个；以及与所述至少两组键孔501配合使用的至少两个调节板60；其中，所述任一组键孔501位于主体部201的相对两侧且位于同一平面，所述键孔501与所述调节板60均位于所述反应腔室10外。
具体的，调节部件30包括设置在主体部201的侧壁上的两组键孔501，其中，任一组键孔的数量为两个；以及与两组键孔501配合使用的两个调节板60；其中，任一组键孔501位于主体部201的相对量两侧且位于同一平面，键孔键孔501与调节板60均位于反应腔室10外。
优选的，所述调节板60包括第一部分和第二部分；其中，所述第一部分的长度大于所述第二部分的长度，所述第二部分为空心结构，且所述第二部分与所述主体部的截面大小、形状一致；
优选的，所述第二部分的内侧上设置有与所述键孔501匹配的第一突起部601，所述第一突起部601与所述键孔501配合以固定所述主体部201。
例如，调节部件30包括设置在主体部201的侧壁上的两组键孔501，其中，任一组键孔的数量为两个；以及与两组键孔501配合使用的两个调节板60；其中，任一组键孔501位于主体部201的相对量两侧且位于同一平面，键孔键孔501与调节板60均位于反应腔室10外。其中，当调节上极板101与下极板102之间的距离而造成上极板101与下极板102存在对位误差时，即下极板102旋转偏移的情况，调节板60上的第一突起部601插入键孔501以固定主体部201，然后可以通过调节齿轮来调节下极板102的位置，以达到防止下极板102的位置发生旋转偏移的目的。或者，在调节上极板101与下极板102之间的距离时，传动装置20的下方设置一步进马达，以步进的形式推动传动装置上，同时，调节板60上的第一突起部601插入键孔501以固定主体部201，因此下极板102不会因调节传动装置20而造成与上极板101发生对位偏差的情况，从而达到防止下极板102的位置发生旋转偏移的目的。其中，该调节板的第一部分的形状可以为正方形，第二部分的形状与主体部201的截面大小一致，且第二部分的为空心结构，键孔501与第一突起部601进行匹配时，主体部201穿过第二部分使得键孔501与第一突起部601匹配，从而固定主体部201。
优选的，所述主体部的内部为空心结构602，以伸出所需的走线。
优选的，所述支撑部202的侧壁设置有若干个第二突起部203，所述第二突起部203用于连接所述下极板102。例如，在支撑部202的侧背上设置三个第二突起部203，下极板102与第二突起部203连接处可以设置有三个凹糟，该凹槽与第二突起部203连接，使得传动装置20与下极板102固定连接。
本实施例中，在传动装置20上设置调节部件30，使得调节下极板102的位置时，不仅不需要降温，而且也不需要打开反应腔室10，能够直接在反应腔室10的外部进行调节，因此缩短了生产周期，提高了生产效率。
以上对本发明实施例提供的化学气相沉积装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明。同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (6)
1.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：
反应腔室，以及相对设置的上极板与下极板，所述上极板与所述下极板设置在所述反应腔室内；
传动装置，包括主体部以及设置在所述主体部上方的支撑部，所述支撑部位于所述反应腔室的内部，所述主体部的上部位于所述反应腔室的内部，所述主体部的下部从所述反应腔室穿出，位于所述反应腔室外部，所述传动装置设置在所述下极板的下方，其中，所述传动装置上设置有调节部件，所述调节部件用于调节所述下极板的位置，防止所述下极板的位置发生旋转偏移，其中，所述调节部件位于所述主体部的下部，所述调节部件包括设置在所述主体部的侧壁上的至少两组键孔，所述键孔的数量为一个或者多个；以及与所述至少两组键孔配合使用的至少两个调节板；其中，所述键孔位于主体部的相对两侧且位于同一平面，所述键孔与所述调节板均位于所述反应腔室外；
所述调节板包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分的长度大于所述第二部分的长度，所述第二部分为空心结构，且所述第二部分与所述主体部的截面大小、形状一致，所述第二部分的内侧上设置有与所述键孔匹配的第一突起部，所述第一突起部与所述键孔配合以固定所述主体部；所述支撑部的侧壁上设置有多个第二突起部，且所述下极 板与所述多个第二突起部连接处设置有多个凹糟，所述多个凹槽用于使传动装置与下极板固定连接。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述调节部件包括设置在所述主体部侧壁上的若干个齿轮；
所述反应腔室下壁外侧上设置有与所述若干个齿轮配合的螺丝，所述螺丝的至少为两个，且相对设置在所述主体部侧壁的两侧；
所述若干个齿轮与所述螺丝配合以调节所述下极板的位置，防止所述下极板的位置发生旋转偏移。
3.根据权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于，还包括设置在所述主体部下方的马达，所述马达与所述调节部件配合，以调节所述下极板的位置，防止所述下极板的位置发生旋转偏移。
4.根据权利要求3所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述若干个齿轮的大小、形状均一致。
5.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述至少两个调节板的形状、大小均一致。
6.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述主体部的内部为空心结构，以伸出所需的走线。
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102054649A (zh) * | 2009-10-27 | 2011-05-11 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4271874B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2009-06-03 | パナソニック株式会社 | 真空処理装置のロードロック室での基板位置決め方法とその装置 |
| KR101536257B1 (ko) * | 2009-07-22 | 2015-07-13 | 한국에이에스엠지니텍 주식회사 | 수평 흐름 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법 |
| CN104465447B (zh) * | 2013-09-17 | 2017-07-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 载台升降装置、反应腔室及等离子体加工设备 |
| CN203569186U (zh) * | 2013-11-25 | 2014-04-30 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种化学气相沉积装置及基片托盘和旋转轴 |
| CN203794985U (zh) * | 2014-04-23 | 2014-08-27 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种镀膜设备 |
| JP6523991B2 (ja) * | 2015-04-14 | 2019-06-05 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN105483652B (zh) * | 2015-12-07 | 2018-03-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 化学气相沉积装置及其使用方法 |
-
2018
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102054649A (zh) * | 2009-10-27 | 2011-05-11 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理装置以及等离子体处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108342715A (zh) | 2018-07-31 |
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