CN108342694B - 蒸镀方法及蒸镀装置 - Google Patents
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Abstract
本发明一实施例提供一种蒸镀方法及蒸镀装置,该蒸镀方法包括将待蒸镀基板与蒸镀机构进行位置匹配;将待蒸镀基板划分为多个待蒸镀区;根据各待蒸镀区的厚度变化调整蒸镀机构的蒸镀速度。本发明实施例提供的蒸镀方法通过将待蒸镀基板划分为多个待蒸镀区,根据各待蒸镀区的厚度变化调整蒸镀机构的蒸镀速度的方式,实现了有效提高待蒸镀基板的厚度均一性的目的,此外,待蒸镀区的划分可实现进一步精准提高待蒸镀基板的厚度均一性的目的。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种蒸镀方法及蒸镀装置。
背景技术
现有蒸镀工艺中,常采用线源蒸镀机构进行蒸镀操作以提高蒸镀的均一性。但是,现有线源蒸镀机构只能通过常规工艺手段(反射板调整、喷嘴口径优化等)改善待蒸镀基板的线性蒸发源方向(即source方向)的均一性,而对线源移动方向(即scan方向)的均一性较难改善。图1所示为现有待蒸镀基板的结构及厚度示意图。如图1所示,待蒸镀基板1的线源移动方向的延展方向为如图1所示方位的左右方向,线性蒸发源方向的延展方向为如图1所示方位的上下方向,并且,如图1所示的待蒸镀基板1的颜色深度与膜层厚度呈正比。
厚度均一性较差的待蒸镀基板可能降低蒸镀过程中的产品良率,尤其是在现有柔性显示装置的氧化铟锡(ITO,Indium tin oxide)膜层制备阵列阶段(即Array阶段)(即待蒸镀基板为ITO膜层基板),ITO膜层基板的厚度不均可能导致蒸镀阶段产品的CIE(Commission Internationale de L'Eclairage)在线源移动方向出现规律性偏差,从而直接降低产品的CIE良率。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种蒸镀方法及蒸镀装置,以解决现有蒸镀方法在蒸镀过程中不能有效调整整体厚度均一性,尤其是待蒸镀基板处于线源蒸镀机构的线源移动方向的厚度均一性的问题。
第一方面,本发明一实施例提供一种蒸镀方法,该蒸镀方法包括将待蒸镀基板与蒸镀机构进行位置匹配;将待蒸镀基板划分为多个待蒸镀区;根据各待蒸镀区的厚度变化调整蒸镀机构的蒸镀速度。
在本发明一实施例中,蒸镀速度包括蒸镀速率和/或扫描速度。
在本发明一实施例中,将待蒸镀基板与蒸镀机构进行位置匹配,包括将蒸镀机构进行旋转和/或移动操作以使蒸镀机构与待蒸镀基板进行位置匹配。
在本发明一实施例中,待蒸镀基板为氧化铟锡基板,蒸镀的膜层为有机膜层。
在本发明一实施例中,待蒸镀区的划分依据待蒸镀基板的厚度变化进行。
在本发明一实施例中,根据各待蒸镀区的厚度变化调整蒸镀机构的蒸镀速度包括根据各待蒸镀区的厚度变化生成厚度与扫描速度的函数关系式;根据函数关系式调整蒸镀机构的扫描速度。
在本发明一实施例中,各待蒸镀区的宽度相同。
第二方面,本发明一实施例还提供一种蒸镀装置,该蒸镀装置包括连接到蒸镀机构的速度控制模块,其中,速度控制模块用于根据待蒸镀基板的厚度变化调整蒸镀机构的蒸镀速度。
在本发明一实施例中,速度控制模块包括智能控制单元,用于将待蒸镀基板划分为多个待蒸镀区,并根据各待蒸镀区的厚度变化生成厚度与扫描速度的函数关系式;执行单元,用于根据函数关系式调整蒸镀机构的扫描速度。
在本发明一实施例中,该蒸镀装置进一步包括连接到蒸镀机构的旋转移动模块,该旋转移动模块用于对蒸镀机构进行旋转和/或移动操作。
本发明实施例提供的蒸镀方法通过将待蒸镀基板划分为多个待蒸镀区,根据各待蒸镀区的厚度变化调整蒸镀机构的蒸镀速度的方式,实现了有效提高待蒸镀基板的厚度均一性的目的,此外,待蒸镀区的划分可实现进一步精准提高待蒸镀基板的厚度均一性的目的。
附图说明
图1所示为现有待蒸镀基板的厚度分布示意图。
图2所示为本发明第一实施例提供的蒸镀方法的流程示意图。
图3所示为本发明第二实施例提供的蒸镀方法的根据各蒸镀区的厚度变化调整蒸镀机构的扫描速度步骤的流程示意图。
图4所示为本发明第三实施例提供的蒸镀方法在进行蒸镀操作时的待蒸镀基板的待蒸镀区划分结构示意图。
图5a图和5b所示为本发明第三实施例提供的蒸镀方法的蒸镀效果示意图。
图6所示为本发明第四实施例提供的蒸镀方法在进行蒸镀操作时的待蒸镀基板的待蒸镀区划分结构示意图。
图7a和图7b所示为本发明第四实施例提供的蒸镀方法的蒸镀效果示意图。
图8所示为本发明第五实施例提供的蒸镀装置的结构示意图。
图9所示为本发明第六实施例提供的蒸镀装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图2所示为本发明第一实施例提供的蒸镀方法的流程示意图。如图2所示,本发明第一实施例提供的蒸镀方法包括:
步骤S1:将待蒸镀基板与蒸镀机构进行位置匹配。
在本发明一实施例中,待蒸镀基板的厚度接近线性分布,此时设定待蒸镀基板与蒸镀机构的匹配位置为待蒸镀基板的厚度线性变化方向与蒸镀机构的线源移动方向一致,从而为后续的根据待蒸镀基板的厚度线性变化趋势调整线源蒸镀机构的扫描速度提供前提条件。
步骤S2:将待蒸镀基板划分为多个待蒸镀区。
应当理解,待蒸镀基板所划分的待蒸镀区的具体数量可根据实际情况自行设定,以充分提高本发明实施例提供的蒸镀方法的适应能力和应用广泛性,本发明实施例对此不作统一限定。
在本发明一实施例中,将待蒸镀基板的厚度变化趋势趋于一致的区域划分为同一待蒸镀区范围,以便为后续的根据各蒸镀区的厚度变化调整线源蒸镀机构的扫描速度提供前提条件。
应当理解,上述实施例所提及的“变化趋势趋于一致”的判断条件并非严格固定的,可由用户或系统根据实际情况自行判断,亦或是设定判断标准进行自动判断,以充分提高本发明实施例提供的蒸镀方法的适应能力和应用广泛性,本发明实施例对此不作统一限定。
步骤S3:根据各待蒸镀区的厚度变化调整蒸镀机构的蒸镀速度。
应当理解,蒸镀速度包括但不限于为蒸镀速率、扫描速度等参数,其中,蒸镀速率为线源蒸镀机构中沿线性蒸发源方向排布的蒸发点源的蒸发速率,扫描速度为线源蒸镀机构沿线源移动方向的扫描速度。
实际应用过程中,首先将厚度不均匀的待蒸镀基板与线源蒸镀机构进行位置匹配,将待蒸镀基板沿线源蒸镀机构的线源移动方向划分为多个待蒸镀区,最后根据各蒸镀区的厚度变化调整线源蒸镀机构的蒸镀速度。
本发明第一实施例提供的蒸镀方法通过将厚度不均匀的待蒸镀基板沿线源蒸镀机构的线源移动方向划分为多个待蒸镀区,根据各待蒸镀区的厚度变化调整线源蒸镀机构的蒸镀速度的方式,实现了有效提高待蒸镀基板的厚度均一性的目的,此外,待蒸镀区的划分可实现进一步精准提高待蒸镀基板的处于线源蒸镀机构的线源移动方向的厚度均一性的目的。
图3所示为本发明第二实施例提供的蒸镀方法的根据各蒸镀区的厚度变化调整线源蒸镀机构的蒸镀速度步骤的流程示意图。在本发明第一实施例的基础上延伸出本发明第二实施例,本发明第二实施例与第一实施例基本相同,下面仅重点叙述不同之处,相同之处不再赘述。
如图3所示,本发明第二实施例提供的蒸镀方法的根据各蒸镀区的厚度变化调整线源蒸镀机构的蒸镀速度步骤(即步骤S3)包括:
步骤S31:根据各待蒸镀区的厚度变化生成厚度与扫描速度的函数关系式。
在本发明一实施例中,厚度与扫描速度的函数关系式为经过多次测试获得,即通过各蒸镀区的厚度分布数据与扫描位置数据(比如扫描坐标数据)关系得出扫描位置数据与扫描速度的对应关系(即函数关系式)。
在本发明一实施例中,得出扫描位置数据与扫描速度的函数关系式为V=bx+c,其中,V表示扫描速度,x表示扫描位置数据,b、c为需要根据多次测试进行测定的未知参数。比如,根据多次测试计算出b=3,c=4,则扫描位置数据与扫描速度的函数关系式为V=3x+4。
在本发明另一实施例中,得出扫描位置数据与扫描速度的函数关系式为V=ax2+bx+c,其中,V表示扫描速度,x表示扫描位置数据,a、b、c为需要根据多次测试进行测定的未知参数。比如,根据多次测试计算出a=3,b=3,c=4,则扫描位置数据与扫描速度的函数关系式为V=3x2+3x+4。
应当理解,扫描位置数据与扫描速度的函数关系式的具体形式应根据实际情况自行设定,以便能够精准体现扫描位置数据与扫描速度的对应关系,因此,函数关系式包括但不限于为上述实施例所提及的一次函数关系式和二次函数关系式,其他能够精准体现扫描位置数据与扫描速度的对应关系的函数关系式均可。
步骤S32:根据函数关系式调整蒸镀机构的扫描速度。
实际应用过程中,首先将厚度不均匀的待蒸镀基板与线源蒸镀机构进行位置匹配,将待蒸镀基板沿线源蒸镀机构的线源移动方向划分为多个待蒸镀区,然后根据各待蒸镀区的厚度变化生成厚度与扫描速度的函数关系式,并根据生成的函数关系式调整线源蒸镀机构的扫描速度。
本发明第二实施例提供的蒸镀方法通过根据所划分的各待蒸镀区的厚度变化生成厚度与扫描速度的函数关系式,并根据生成的函数关系式调整线源蒸镀机构的扫描速度的方式,有效提高了蒸镀的精准性,从而为提高厚度不均匀的待蒸镀基板的均一性和CIE良率提供了前提条件。
图4所示为本发明第三实施例提供的蒸镀方法在进行蒸镀操作时的待蒸镀基板的待蒸镀区划分结构示意图。在本发明第三实施例中,待蒸镀基板1为氧化铟锡基板(即待蒸镀基板为ITO膜层基板),蒸镀的为有机膜层。
如图4所示,待蒸镀基板1包括面积相等的基板11、基板12、基板13和基板14,其中,基板11和基板12、基板13和基板14分别纵向(如图4所示方位的上下方向)相邻且位置对应,基板11和基板13、基板12和基板14分别横向(如图4所示方位的左右方向)相邻且位置对应。
根据图4可得知,纵向相邻的基板11和基板12的横向厚度变化趋势一致,因此,将基板11和基板12沿纵向划分为多个宽度相等且相互平行的待蒸镀区(即A区~J区),并将线源蒸镀机构的线源移动方向设定为如图4所示的待蒸镀基板1方位的左右方向,也就是说,待蒸镀区的宽度的延展方向与线源蒸镀机构的线源移动方向相同。
同理,纵向相邻的基板13和基板14亦可根据上述划分方式进行待蒸镀区的划分,本发明实施例对此不再详细叙述。
应当理解,当基板11和基板12的横向厚度变化趋势不一致时,亦可将基板11和基板12各自单独进行待蒸镀区的划分,以充分提高后续根据各待蒸镀区的厚度变化调整线源蒸镀机构的扫描速度步骤的精准性。
此外,应当理解,当横向相邻的基板11和基板13的横向厚度变化趋势一致时,可将基板11和基板13沿横向划分为多个宽度相等且相互平行的待蒸镀区,并将线源蒸镀机构的线源移动方向设定为如图4所示的待蒸镀基板1方位的上下方向,其具体可扩展的实施例可参见上述纵向划分的实施例,本发明实施例对此不再详细叙述。
注意,所划分的待蒸镀区的具体数量以及各待蒸镀区的具体宽度可根据实际情况自行设定,以充分提高本发明实施例提供的蒸镀方法的适应能力和应用广泛性,本发明实施例对此不作统一限定。
图5a和图5b所示为本发明第三实施例提供的蒸镀方法的蒸镀效果示意图。如图5a所示,曲线21为待蒸镀的ITO膜层基板厚度变化曲线,曲线22为蒸镀的有机膜层厚度变化曲线,曲线23为线源蒸镀机构沿线源移动方向的扫描速度变化曲线。如图5b所示,曲线24为基于图5a所示的扫描速度变化曲线(即曲线23)生成的总体膜层厚度变化曲线;曲线25为基于图5a所示的扫描速度变化曲线(即曲线23)生成的CIE变化曲线,曲线251和曲线252分别为预设的CIE良率的上限阈值和下限阈值。
通过分析图5a和图5b可明确得知,基于扫描速度变化曲线调整线源蒸镀机构的扫描速度后,整体膜层厚度的均一性得以提升,膜层的CIE良率亦得到显著提高。
本发明第三实施例所提供的蒸镀方法通过将厚度不均匀的ITO膜层基板沿垂直于线源蒸镀机构的线源移动方向划分为若干宽度相等的待蒸镀区,并根据所划分的待蒸镀区生成厚度与扫描速度的函数关系式以及根据关系式进行有机膜层的蒸镀操作的方式,实现了线源蒸镀机构的线源移动方向的有机膜层与ITO膜层基板的厚度互补,从而提升了整体膜层厚度的均一性,进而提升了膜层的CIE良率。
图6所示为本发明第四实施例提供的蒸镀方法在进行蒸镀操作时的待蒸镀基板的待蒸镀区划分结构示意图。在本发明第三实施例的基础上延伸出本发明第四实施例,本发明第四实施例与第三实施例基本相同,下面仅重点叙述不同之处,相同之处不再赘述。
如图6所示,在本发明第四实施例提供的待蒸镀基板1中,横向相邻的基板11和基板13的纵向厚度变化趋势一致,横向相邻的基板12和基板14的纵向厚度变化趋势一致,并且基板11和基板13的纵向厚度变化趋势与基板12和基板14的纵向厚度变化趋势正相反,因此,将基板11和基板13沿横向划分多个宽度相等且相互平行的待蒸镀区(即A区~D区),将基板12和基板14同样沿横向划分多个宽度相等且相互平行的待蒸镀区(即E区~H区)。
在实际的蒸镀过程中,线源蒸镀机构的线源移动方向为如图6所示的待蒸镀基板1方位的左右方向,首先利用线源蒸镀机构对纵向厚度变化趋势一致的基板11和基板13进行蒸镀操作,并根据基板11和基板13具体的纵向厚度变化趋势设定线源蒸镀结构在线性蒸发源方向的蒸镀速率(比如,设定线性蒸镀结构处于D区的蒸镀速率较大,A区的蒸镀速率较小),以便提高蒸镀后的基板11和基板13的膜层厚度的均一性和CIE良率。
由于基板12和基板14的纵向厚度变化趋势与基板11和基板13正相反,因此待基板11和基板13蒸镀完毕后,直接将线源蒸镀机构沿线性蒸发源方向旋转180°并与基板12和基板14进行位置匹配后进行基板12和基板14的蒸镀操作,以便提高蒸镀后的基板12和基板14的膜层厚度的均一性和CIE良率。
优选地,根据待蒸镀基板1的纵向厚度变化趋势生成纵向厚度与蒸镀速率的函数关系式,以便提高蒸镀的有机膜层厚度与ITO膜层基板厚度的互补性,从而进一步提高蒸镀后的膜层厚度的均一性和CIE良率。
本发明第四实施例所提供的蒸镀方法通过将厚度不均匀的ITO膜层基板沿垂直于线源蒸镀机构的线性蒸发源方向划分为若干宽度相等的待蒸镀区,并根据所划分的待蒸镀区的具体厚度实时调整线源蒸镀机构的线性蒸发源方向的蒸镀速率的方式,实现了线源蒸镀机构的线性蒸发源方向的有机膜层与ITO膜层基板的厚度互补,从而提升了整体膜层厚度的均一性,进而提升了膜层的CIE良率。
在本发明一实施例中,基板11和基板13的纵向厚度变化趋势与基板12和基板14的纵向厚度变化趋势并非正好相反,而是各自有各自的规律,则此时可分别单独设置线源蒸镀机构在蒸镀基板11和基板13以及在蒸镀基板12和基板14时的蒸镀速率,以充分提高本发明实施例提供的蒸镀方法的适应能力和应用广泛性,本发明实施例对此不作统一限定。此外,必要时,可将线源蒸镀机构旋转合适的角度以充分提高蒸镀后膜层厚度的均一性,本发明实施例对此不再详细赘述。
在本发明另一实施例中,基板11和基板13的A区的厚度与基板12和基板14的E区的厚度相同,基板11和基板13的B区~D区的厚度与基板12和基板14的F区~H区的厚度亦相同,并且A区和E区的厚度明显高于B区~D区、F区~H区的厚度,则在实际的蒸镀过程中,当对基板11和基板13进行蒸镀操作时,线源蒸镀机构与A区对应的蒸镀点源的蒸镀速率低于其与B区~D区对应的蒸镀点源的蒸镀速率,以便提高蒸镀后的基板11和基板13的膜层厚度的均一性及CIE良率;待基板11和基板13蒸镀完毕后,将线源蒸镀机构沿线性蒸发源方向旋转180°并将其与基板12和基板14进行位置匹配,从而使线源蒸镀机构与A区对应的蒸镀点源与H区相对应,原与B区~D区对应的蒸镀点源改为与F区~H区相对应并进行蒸镀操作,以提高蒸镀后的基板12和基板14的膜层厚度的均一性及CIE良率。
应当理解,线源蒸镀机构所旋转的方向及具体度数可根据实际情况自行设定,本发明实施例对此不作统一限定。
图7a和图7b所示为本发明第四实施例提供的蒸镀方法的蒸镀效果示意图。如图7a所示,M区和N区为蒸镀装置的两独立分区,ITO膜层基板厚度分布71和蒸镀的有机膜层厚度分布72的分布趋势表征了膜层总厚度的均一性,线源蒸镀机构3根据实际情况对M区和N区的待蒸镀基板进行蒸镀操作。在图7a中,在基板12和基板14蒸镀完毕后,并未对线源蒸镀机构3进行换区并旋转操作,而是直接对基板11和基板13进行蒸镀,则此时出现的蒸镀结果为降低了整体膜层厚度的均一性,即提高了CIE偏差。
如图7b所示,在基板12和基板14蒸镀完毕后,将线源蒸镀机构3沿线性蒸发源方向旋转180°(或将待蒸镀的基板11和基板13旋转180°)后对基板11和基板13进行蒸镀,则此时出现的蒸镀结果为提高了整体膜层厚度的均一性,即提高了CIE良率。
实际蒸镀过程中,首先读取待蒸镀基板1的具体编号(比如11或12或13或14),然后根据具体编号进行待蒸镀基板1的对位与线源蒸镀机构3(或待蒸镀基板1)的旋转操作,最后进行蒸镀操作。
图8所示为本发明第五实施例提供的蒸镀装置的结构示意图。如图8所示,本发明第五实施例提供的蒸镀装置包括线源蒸镀机构3和借助连接线5连接到线源蒸镀机构3的速度控制模块4,其中,速度控制模块4用于将待蒸镀基板1沿线源蒸镀机构3的线源移动方向划分为多个待蒸镀区(图中未示出),并根据各待蒸镀区的厚度变化调整线源蒸镀机构3在线源移动方向(即如图8所示的线源移动方向)的扫描速度。
本发明第五实施例提供的蒸镀装置通过设置与线源蒸镀机构相连接的速度控制模块的方式,实现了在线源蒸镀机构的线源移动方向上的扫描速度控制,实现了有效提高待蒸镀基板的处于线源蒸镀机构的线源移动方向的厚度均一性的目的。
在本发明一实施例中,速度控制模块4包括相互连接的智能控制单元和执行单元,其中,智能控制单元用于将待蒸镀基板1沿线源蒸镀机构3的线源移动方向划分为多个待蒸镀区,并根据各待蒸镀区的厚度变化生成厚度与扫描速度的函数关系式,执行单元用于根据函数关系式调整线源蒸镀机构的扫描速度。
应当理解,线源蒸镀机构3和速度控制模块4之间的连接亦可不借助于连接线5,以充分提高本发明实施例提供的蒸镀方法的适应能力和应用广泛性,本发明实施例对此不作统一限定。比如,线源蒸镀机构3和速度控制模块4之间的连接方式为无线连接、红外连接等连接方式。
图9所示为本发明第六实施例提供的蒸镀装置的结构示意图。在本发明第五实施例的基础上延伸出本发明第六实施例,本发明第六实施例与第五实施例基本相同,下面仅重点叙述不同之处,相同之处不再赘述。
如图9所示,本发明第六实施例提供的蒸镀装置进一步包括连接到线源蒸镀机构3的旋转移动模块6,旋转移动模块6用于旋转和/或移动线源蒸镀机构3。
实际蒸镀过程中,可根据实际情况基于旋转移动模块6对线源蒸镀机构3进行旋转和/或移动操作,以便充分提高整体膜层厚度的均一性,进而提高CIE良率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种蒸镀方法,其特征在于,包括:
将待蒸镀基板与蒸镀机构进行位置匹配,其中,所述蒸镀机构为线源蒸镀机构,所述将待蒸镀基板与蒸镀机构进行位置匹配,包括:设定所述待蒸镀基板的厚度线性变化方向与所述线源蒸镀机构的线源移动方向一致;
将所述待蒸镀基板沿所述线源蒸镀机构的所述线源移动方向划分为多个待蒸镀区;
根据各所述待蒸镀区的厚度变化调整所述线源蒸镀机构在所述线源移动方向的蒸镀速度,其中,所述蒸镀速度包括扫描速度。
2.如权利要求1所述的蒸镀方法,其特征在于,所述将待蒸镀基板与蒸镀机构进行位置匹配,包括:
将所述蒸镀机构进行旋转和/或移动操作以使所述蒸镀机构与所述待蒸镀基板进行位置匹配。
3.如权利要求1所述的蒸镀方法,其特征在于,所述待蒸镀基板为氧化铟锡基板,所述蒸镀的膜层为有机膜层。
4.如权利要求1所述的蒸镀方法,其特征在于,所述待蒸镀区的划分依据所述待蒸镀基板的厚度变化进行。
5.如权利要求1所述的蒸镀方法,其特征在于,所述根据各所述待蒸镀区的厚度变化调整所述线源蒸镀机构在所述线源移动方向的蒸镀速度,包括:
根据各所述待蒸镀区的厚度变化生成厚度与扫描速度的函数关系式;
根据所述函数关系式调整所述线源蒸镀机构的扫描速度。
6.如权利要求5所述的蒸镀方法,其特征在于,各所述待蒸镀区的宽度相同。
7.一种蒸镀装置,包括蒸镀机构,其特征在于,所述蒸镀机构为线源蒸镀机构,进一步包括连接到所述线源蒸镀机构的速度控制模块,所述速度控制模块用于将待蒸镀基板沿所述线源蒸镀机构的线源移动方向划分为多个待蒸镀区,并根据所述多个待蒸镀区的厚度变化调整所述线源蒸镀机构在所述线源移动方向的扫描速度,其中,所述待蒸镀基板的厚度线性变化方向与所述线源蒸镀机构的所述线源移动方向一致。
8.如权利要求7所述的蒸镀装置,其特征在于,所述速度控制模块包括:
智能控制单元,用于将所述待蒸镀基板划分为多个待蒸镀区,并根据各所述待蒸镀区的厚度变化生成厚度与扫描速度的函数关系式;
执行单元,用于根据所述函数关系式调整所述蒸镀机构的扫描速度。
9.如权利要求7所述的蒸镀装置,其特征在于,进一步包括连接到所述蒸镀机构的旋转移动模块,所述旋转移动模块用于对所述蒸镀机构进行旋转和/或移动操作。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810099839.3A CN108342694B (zh) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 蒸镀方法及蒸镀装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810099839.3A CN108342694B (zh) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 蒸镀方法及蒸镀装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108342694A CN108342694A (zh) | 2018-07-31 |
CN108342694B true CN108342694B (zh) | 2020-01-31 |
Family
ID=62959894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810099839.3A Active CN108342694B (zh) | 2018-01-31 | 2018-01-31 | 蒸镀方法及蒸镀装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108342694B (zh) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104952787B (zh) * | 2014-03-26 | 2020-03-27 | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 | 径向厚度自动修整方法 |
CN103938161A (zh) * | 2014-04-29 | 2014-07-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板蒸镀装置和蒸镀方法 |
-
2018
- 2018-01-31 CN CN201810099839.3A patent/CN108342694B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108342694A (zh) | 2018-07-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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