CN108334126B - 一种电子元器件温度控制方法及装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 45
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 238000012549 training Methods 0.000 claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 22
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 3
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
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Abstract
本发明公开了一种电子元器件温度控制方法,包括:获得电子元器件的当前元器件温度;根据所述当前元器件温度,获得当前温补系数;其中,所述当前温补系数为预先获得的与所述当前元器件温度相对应的所述电子元器件的功率变化率;根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制。相应地,本发明还公开了一种电子元器件温度控制装置。采用本发明的技术方案能够提高对电子元器件的元器件温度进行控制的及时性,从而提高电子元器件性能的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及温度控制技术领域,尤其涉及一种电子元器件温度控制方法及装置。
背景技术
在电子元器件工作的过程中,温度对电子元器件的正常工作会产生一定的影响,已经成为电子元器件的一个重要的技术指标,因此,对温度进行控制是非常必要的,具有重要的意义。
对于对电子元器件的温度控制,现有技术公开的技术方案大都通过检测电子元器件本身的当前温度,当电子元器件的当前温度大于某一温度时,对电子元器件进行降温处理,当电子元器件的当前温度小于某一温度时,对电子元器件进行升温处理,从而根据不同的当前温度采用不同的处理方法将电子元器件的温度保持在一定的温度范围内,但是,响应于电子元器件的当前温度采用不同的处理方法的技术方案容易产生如下问题:由于温度变化是一个缓慢的过程,因此,当检测到的电子元器件的当前温度大于或小于某一温度,并采用相应的处理方法调节电子元器件的温度时,温度可能会在按照原来的发展趋势继续上升或下降一段时间之后,才按照经过调节的发展趋势变化,在这段时间内,电子元器件的温度很可能处于异常的温度范围内,从而造成电子元器件的损坏。由此可见,在现有技术中,对电子元器件的温度的控制具有滞后性,影响电子元器件的性能。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种电子元器件温度控制方法及装置,能够提高对电子元器件的元器件温度进行控制的及时性,从而提高电子元器件性能的稳定性。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种电子元器件温度控制方法,包括:
获得电子元器件的当前元器件温度;
根据所述当前元器件温度,获得当前温补系数;其中,所述当前温补系数为预先获得的与所述当前元器件温度相对应的所述电子元器件的功率变化率;
根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制。
进一步地,所述根据所述当前元器件温度,获得当前温补系数,具体包括:
根据预先生成的温补系数集合,获得与所述当前元器件温度相对应的所述当前温补系数。
进一步地,在所述根据预先生成的温补系数集合,获得与所述当前元器件温度相对应的所述当前温补系数之前,还包括:
设置获得至少两个元器件温度;
调整所述电子元器件的工作功率,并分别获得所述电子元器件工作于每个所述元器件温度时的工作功率;
将所有所述元器件温度按照从小到大的顺序排列,并根据每两个相邻的所述元器件温度所对应的工作功率,计算获得每个所述元器件温度所对应的功率变化率;
将每个所述功率变化率分别设置为温补系数,获得所述温补系数集合。
进一步地,所述设置获得至少两个元器件温度,具体包括:
在预设的训练温度范围中选取至少两个训练温度作为所述元器件温度;其中,所述训练温度范围为-20℃~+80℃。
进一步地,所述温补系数集合为温补系数曲线。
进一步地,在所述根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制之前,还包括:
设置获得至少一个温补系数区间;
则所述根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制,具体包括:
判断所述当前温补系数所在的温补系数区间,并根据所述当前温补系数所在的温补系数区间,获得相应的温度控制方案;
根据所述温度控制方案,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制。
进一步地,所述根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制,具体包括:
判断所述当前温补系数是否大于预设的温补系数阈值;
当判定所述当前温补系数大于所述温补系数阈值时,根据所述当前温补系数和预设的标准温补系数,计算获得温补系数差;
当判定所述温补系数差大于或等于预设的启动温补阈值时,启动对所述电子元器件的降温流程;
当判定所述温补系数差小于或等于预设的关闭温补阈值时,关闭对所述电子元器件的降温流程。
进一步地,所述标准温补系数为所述电子元器件的元器件温度为25℃时所对应的所述电子元器件的功率变化率。
进一步地,所述启动温补阈值预先根据所述电子元器件的元器件结温的80%~90%和所述标准温补系数计算获得;所述关闭温补阈值预先根据所述电子元器件的元器件结温的70%~80%和所述标准温补系数计算获得。
为了解决上述技术问题,本发明实施例还提供了一种电子元器件温度控制装置,包括:
温度检测模块,用于获得电子元器件的当前元器件温度;
温补系数获取模块,用于根据所述当前元器件温度,获得当前温补系数;其中,所述当前温补系数为预先获得的与所述当前元器件温度相对应的所述电子元器件的功率变化率;以及,
温度控制模块,用于根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制。
与现有技术相比,本发明实施例提供了一种电子元器件温度控制方法及装置,将电子元器件的元器件温度通过温补系数的方式对应,根据电子元器件的当前元器件温度所对应的当前温补系数对电子元器件的元器件温度进行相应的控制,由于温补系数为元器件温度对应的电子元器件的功率变化率,因此,通过温补系数可以预判电子元器件的元器件温度的变化趋势,从而可以提前对电子元器件的元器件温度进行控制,可以解决现有技术中对电子元器件的元器件温度的控制具有滞后性的问题,提高了对电子元器件的元器件温度进行控制的及时性,从而提高了电子元器件性能的稳定性。
附图说明
图1是本发明提供的一种电子元器件温度控制方法的一个优选实施例的方法流程图;
图2是本发明提供的一种电子元器件温度控制方法的获得温补系数集合的一个优选实施例的方法流程图;
图3是本发明提供的一种电子元器件温度控制方法的步骤S13的一个优选实施例的具体流程图;
图4是本发明提供的一种电子元器件温度控制装置的一个优选实施例的结构框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本技术领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参见图1所示,是本发明提供的一种电子元器件温度控制方法的一个优选实施例的方法流程图,包括步骤S11至步骤S13:
步骤S11、获得电子元器件的当前元器件温度;
步骤S12、根据所述当前元器件温度,获得当前温补系数;其中,所述当前温补系数为预先获得的与所述当前元器件温度相对应的所述电子元器件的功率变化率;
步骤S13、根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制。
需要说明的是,本实施例由上述电子元器件的元器件温度控制装置执行。在本实施例中,通过检测电子元器件的当前元器件温度,从而获得对应的当前温补系数,并根据该当前温补系数对该电器元器件进行相应的温度控制。
具体的,步骤S11对正在工作的电子元器件进行温度检测,例如使用温度传感器或温度测量芯片对电子元器件的温度进行检测,从而获得电子元器件的当前元器件温度,其中,当前元器件温度具体指温度检测时的元器件温度。
具体的,步骤S12已经预先获得了当前元器件温度所对应的当前温补系数,当检测到电子元器件的当前元器件温度时,根据当前元器件温度可以获得对应的当前温补系数。
具体的,步骤S13根据电子元器件的当前元器件温度所对应的当前温补系数的不同情况对电子元器件的元器件温度进行不同的控制。
在另一个优选实施例中,所述根据所述当前元器件温度,获得当前温补系数,具体包括:
根据预先生成的温补系数集合,获得与所述当前元器件温度相对应的所述当前温补系数。
可以理解的,在对上述电子元器件进行温度控制之前,上述温度控制装置通过检测和计算预先获得该电子元器件工作于不同元器件温度时所对应的温补系数,并根据获得的各个温补系数组成温补系数集合。当检测到电子元器件的当前元器件温度时,通过查询温补系数集合中的所有的温补系数可以找到当前元器件温度所对应的当前温补系数。
参见图2所示,是本发明提供的一种电子元器件温度控制方法的获得温补系数集合的一个优选实施例的方法流程图,在所述根据预先生成的温补系数集合,获得与所述当前元器件温度相对应的所述当前温补系数之前,还包括步骤S1201至步骤S1204:
步骤S1201、设置获得至少两个元器件温度;
步骤S1202、调整所述电子元器件的工作功率,并分别获得所述电子元器件工作于每个所述元器件温度时的工作功率;
步骤S1203、将所有所述元器件温度按照从小到大的顺序排列,并根据每两个相邻的所述元器件温度所对应的工作功率,计算获得每个所述元器件温度所对应的功率变化率;
步骤S1204、将每个所述功率变化率分别设置为温补系数,获得所述温补系数集合。
需要说明的是,在本实施例中,需要事先对上述温补系数集合进行训练。
具体的,首先设置至少两个元器件温度,这里假设设置三个元器件温度,分别为T1、T2和T3,且T1<T2<T3。随后,调整电子元器件的工作功率从小到大逐渐变化,同时实时检测电子元器件的元器件温度,当检测到电子元器件的元器件温度为T1时,记录获得当时的电子元器件的工作功率P1;当检测到电子元器件的元器件温度为T2时,记录获得当时的电子元器件的工作功率P2;当检测到电子元器件的元器件温度为T3时,记录获得当时的电子元器件的工作功率P3。然后,根据获得的P1、P2和P3分别计算获得T1、T2和T3对应的功率变化率。具体的,以计算T2对应的功率变化率为例,可以通过(P3-P1)/(T3-T1)或者(P2-P1)/(T2-T1)或者(P3-P2)/(T3-T2)的方式计算获得T2所对应的功率变化率。按照同样的方式,可以计算获得T1和T3对应的功率变化率。最后,将计算获得的T1、T2和T3对应的功率变化率作为T1、T2和T3对应的温补系数,即可获得由该T1、T2和T3对应的温补系数组成的温补系数集合。以此类推,若设置多个元器件温度,按同样的方法可以获得多个元器件温度所对应的功率变化率,将每个元器件温度所对应的功率变化率分别作为相应的元器件温度所对应的温补系数,所有的温补系数集合在一起组成了温补系数集合。
需要说明的是,在根据每两个相邻的元器件温度以及所对应的工作功率计算功率变化率时,若任意一个元器件温度所对应的功率变化率是根据与该元器件温度相邻且大于该元器件温度的另一个元器件温度计算得到的,则所有的元器件温度所对应的功率变化率都要根据与当前元器件温度相邻且大于当前元器件温度的另一个元器件温度计算获得;若任意一个元器件温度所对应的功率变化率是根据与该元器件温度相邻且小于该元器件温度的另一个元器件温度计算得到的,则所有的元器件温度所对应的功率变化率都要根据与当前元器件温度相邻且小于当前元器件温度的另一个元器件温度计算获得;若任意一个元器件温度所对应的功率变化率是根据与该元器件温度相邻的两个元器件温度计算得到的,则所有的元器件温度所对应的功率变化率都要根据与当前元器件温度相邻的两个元器件温度计算获得。
需要进一步说明的是,在本实施例中,在对上述各个元器件温度对应的工作功率进行检测和记录的过程中,需要维持该电子元器件的外部环境的稳定。具体的,可以控制该电子元器件的外部环境温度维持在某一数值,从而避免外部环境变化对电子元器件工作功率检测结果的影响。一般而言,控制电子元器件的外部环境温度为25℃。
在另一个优选实施例中,所述设置获得至少两个元器件温度,具体包括:
在预设的训练温度范围中选取至少两个训练温度作为所述元器件温度;其中,所述训练温度范围为-20℃~+80℃。
可以理解的,电子元器件具有一定的工作温度范围,若超出该工作温度范围,则电子元器件将会出现损坏,即使对其进行温度调控,也无法再进行工作,因此,上述对温补系数集合进行训练的过程中的各个元器件温度为在该工作温度范围内的温度。
在上述任意一个实施例中,所述温补系数集合为温补系数曲线。
具体的,该温补系数曲线的横坐标为温补系数集合中所有的温补系数所对应的元器件温度,并且将所有的元器件温度按照从小到大的顺序排列,该温补系数曲线的纵坐标为排序之后的所有的元器件温度所对应的温补系数。
在又一个优选实施例中,在所述根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制之前,还包括:
设置获得至少一个温补系数区间;
则所述根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制,具体包括:
判断所述当前温补系数所在的温补系数区间,并根据所述当前温补系数所在的温补系数区间,获得相应的温度控制方案;
根据所述温度控制方案,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制。
具体的,首先针对温补系数的大小划分获得至少一个温补系数区间,其中,温补系数区间的划分可以根据实际需要进行不同的设置。当电子元器件的当前温补系数处于不同的温补系数区间时,采用不同的温补系数区间所对应的温度控制方案对电子元器件的元器件温度进行相应的控制。
例如,设置三个温补系数区间,分别为低温区、常温区和高温区,低温区对应的温补系数区间具体为(-∞,K1],常温区对应的温补系数区间具体为(K1,K2),高温区对应的温补系数区间具体为[K2,+∞),其中,K1和K2为相应的温补系数区间的划分阈值,可以根据实际需要进行选取。低温区、常温区和高温区分别具有低温区温度控制方案、常温区温度控制方案和高温区温度控制方案,采用不同的温度控制方案对电子元器件的元器件温度进行控制时产生的效果不同,当电子元器件处于高温区时,应使用高温区所对应的高温区温度控制方案,其他情况同理,这样可以避免误用其他温补系数区间所对应的温度控制方案而达不到相应的控制效果,甚至产生相反的作用,从而影响电子元器件的性能。例如,当电子元器件处于低温区时,采用低温区温度控制方案对电子元器件的元器件温度进行控制,可以避免在低温区误用高温区的温度控制方案,导致补偿矫正偏离,使低温下电子元器件功率偏离无法收敛,从而导致偏差过大而影响电子元器件的性能。
参见图3所示,是本发明提供的一种电子元器件温度控制方法的步骤S13的一个优选实施例的具体流程图,所述根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制,具体包括步骤S1301至步骤S1304:
步骤S1301、判断所述当前温补系数是否大于预设的温补系数阈值;
步骤S1302、当判定所述当前温补系数大于所述温补系数阈值时,根据所述当前温补系数和预设的标准温补系数,计算获得温补系数差;
步骤S1303、当判定所述温补系数差大于或等于预设的启动温补阈值时,启动对所述电子元器件的降温流程;
步骤S1304、当判定所述温补系数差小于或等于预设的关闭温补阈值时,关闭对所述电子元器件的降温流程。
具体的,在本实施例中,首先设置一个温补系数区间(即高温区),并为该温补系数区间设置一个温补系数阈值(即K2),该温补系数阈值K2即为该温补系数区间的下边界。当检测到获得的当前温补系数大于温补系数阈值K2时,判定该当前温补系数落入上述高温区,需要对电子元器件进行温度调控,将当前温补系数减去预设的标准温补系数所得的差值作为温补系数差,并比较温补系数差与预设的启动温补阈值和关闭温补阈值的大小,若温补系数差大于或等于预设的启动温补阈值,则说明电子元器件的温度变化过快,极有可能会超出正常的工作温度范围,因此启动对电子元器件的降温流程,若温补系数差小于或等于预设的关闭温补阈值,则说明电子元器件的温度变化在可以承受的范围内,因此关闭对电子元器件的降温流程并采用其他的温度控制方案,其中,对电子元器件的降温流程具体指通过调节电子元器件的工作功率来降低电子元器件的元器件温度。
需要说明的是,当判定当前温补系数不大于预设的温补系数阈值时,采用其他的温度控制方案;当判定温补系数差小于预设的启动温补阈值且大于预设的关闭温补阈值时,先采用其他的温度控制方案(如采用风冷或水冷降温方案),当电子元器件的元器件温度进一步升高至满足温补系数差大于或等于预设的启动温补阈值时,就启动对电子元器件的降温流程,当电子元器件的元器件温度进一步降低至满足温补系数差小于或等于预设的关闭温补阈值时,就关闭对电子元器件的降温流程。
在另一个优选实施例中,所述标准温补系数为所述电子元器件的元器件温度为25℃时所对应的所述电子元器件的功率变化率。
需要说明的是,该25℃为电子元器件的标准元器件温度,在工作于25℃时,电子元器件的工作效率最高,工作寿命最长。
在又一个优选实施例中,所述启动温补阈值预先根据所述电子元器件的元器件结温的80%~90%和所述标准温补系数计算获得;所述关闭温补阈值预先根据所述电子元器件的元器件结温的70%~80%和所述标准温补系数计算获得。
具体的,首先获得当元器件温度达到电子元器件结温的80%(80%~90%范围内的任意一个数值同理)时所对应的温补系数,将该温补系数减去预设的标准温补系数所得的差值作为启动温补阈值,同理,获得当元器件温度达到电子元器件结温的70%(70%~80%范围内的任意一个数值同理)时所对应的温补系数,将该温补系数减去预设的标准温补系数所得的差值作为关闭温补阈值。
可以理解的,根据80%~90%和70%~80%的数值范围可以分别获得启动温补阈值的范围和关闭温补阈值的范围,相当于扩大了温补阈值的判断范围,根据不同的启动温补阈值和关闭温补阈值设置可以控制降温流程的启动或关闭时间以及控制降温流程的工作时间,当设置的启动温补阈值较小时,降温流程启动较早,对电子元器件的元器件温度控制相应较快;当设置的启动温补阈值较大时,降温流程启动较晚,对电子元器件的元器件温度控制相应较慢;当设置的启动温补阈值较大而关闭温补阈值较小时,降温流程的工作时间较长;当设置的启动温补阈值较小而关闭温补阈值较大时,降温流程的工作时间较短;启动温补阈值和关闭温补阈值的选取可以根据实际需要进行调整,因此,设置可调整的温补阈值范围可以优化上述温度控制方法。
例如,在某些特定场景下,降温流程会降低电子元器件所在设备或系统的吞吐量,通过调整启动温补阈值和关闭温补阈值可以调整降温流程的工作周期,从而平衡吞吐量与温度制约的影响,通过调整启动温补阈值和关闭温补阈值可以优化启动可关闭降温流程的占比情况,从而最大限度的平衡温度控制与吞吐量控制的动态平衡。
参见图4所示,是本发明提供的一种电子元器件温度控制装置的一个优选实施例的结构框图,包括:
温度检测模块11,用于获得电子元器件的当前元器件温度;
温补系数获取模块12,用于根据所述当前元器件温度,获得当前温补系数;其中,所述当前温补系数为预先获得的与所述当前元器件温度相对应的所述电子元器件的功率变化率;以及,
温度控制模块13,用于根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制。
具体的,通过温度检测模块11对正在工作的电子元器件进行温度检测,例如使用温度传感器或温度测量芯片对电子元器件的温度进行检测,从而获得电子元器件的当前元器件温度,其中,当前元器件温度具体指温度检测时的元器件温度,由于已经预先获得了当前元器件温度所对应的当前温补系数,通过温补系数获取模块12可以根据当前元器件温度找到对应的当前温补系数,温度控制模块13则根据电子元器件的当前元器件温度所对应的当前温补系数的不同情况对电子元器件的元器件温度进行不同的控制。
优选地,所述温补系数获取模块12具体包括:
当前温补系数获取单元,用于根据预先生成的温补系数集合,获得与所述当前元器件温度相对应的所述当前温补系数。
优选地,所述电子元器件温度控制装置还包括:
元器件温度设置模块,用于设置获得至少两个元器件温度;
功率获取模块,用于调整所述电子元器件的工作功率,并分别获得所述电子元器件工作于每个所述元器件温度时的工作功率;
功率变化率计算模块,用于将所有所述元器件温度按照从小到大的顺序排列,并根据每两个相邻的所述元器件温度所对应的工作功率,计算获得每个所述元器件温度所对应的功率变化率;以及,
温补系数集合获取模块,用于将每个所述功率变化率分别设置为温补系数,获得所述温补系数集合。
优选地,所述元器件温度设置模块具体包括:
元器件温度选取单元,用于在预设的训练温度范围中选取至少两个训练温度作为所述元器件温度;其中,所述训练温度范围为-20℃~+80℃。
优选地,所述温补系数集合为温补系数曲线。
优选地,所述电子元器件温度控制装置还包括:
温补系数区间设置模块,用于设置获得至少一个温补系数区间;
则所述温度控制模块13具体包括:
第一判断单元,用于判断所述当前温补系数所在的温补系数区间,并根据所述当前温补系数所在的温补系数区间,获得相应的温度控制方案;以及,
温度控制单元,用于根据所述温度控制方案,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制。
优选地,所述温度控制模块13具体包括:
第二判断单元,用于判断所述当前温补系数是否大于预设的温补系数阈值;
温补系数差计算单元,用于当判定所述当前温补系数大于所述温补系数阈值时,根据所述当前温补系数和预设的标准温补系数,计算获得温补系数差;
降温流程启动单元,用于当判定所述温补系数差大于或等于预设的启动温补阈值时,启动对所述电子元器件的降温流程;以及,
降温流程关闭单元,用于当判定所述温补系数差小于或等于预设的关闭温补阈值时,关闭对所述电子元器件的降温流程。
优选地,所述标准温补系数为所述电子元器件的元器件温度为25℃时所对应的所述电子元器件的功率变化率。
优选地,所述启动温补阈值预先根据所述电子元器件的元器件结温的80%~90%和所述标准温补系数计算获得;所述关闭温补阈值预先根据所述电子元器件的元器件结温的70%~80%和所述标准温补系数计算获得。
综上,本发明实施例所提供的一种电子元器件温度控制方法及装置,将电子元器件的元器件温度通过温补系数的方式对应,根据电子元器件的当前元器件温度所对应的当前温补系数对电子元器件的元器件温度进行相应的控制,由于温补系数为元器件温度对应的电子元器件的功率变化率,因此,通过温补系数可以预判电子元器件的元器件温度的变化趋势,从而可以提前对电子元器件的元器件温度进行控制,解决了现有技术中对电子元器件的元器件温度的控制具有滞后性的问题,提高了对电子元器件的元器件温度进行控制的及时性,从而提高了电子元器件性能的稳定性。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,这些改进和变形也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种电子元器件温度控制方法,其特征在于,包括:
获得电子元器件的当前元器件温度;
根据所述当前元器件温度,获得当前温补系数;其中,所述当前温补系数为预先获得的与所述当前元器件温度相对应的所述电子元器件的功率变化率;
根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制;
所述根据所述当前元器件温度,获得当前温补系数,具体包括:
根据预先生成的温补系数集合,获得与所述当前元器件温度相对应的所述当前温补系数;
在所述根据预先生成的温补系数集合,获得与所述当前元器件温度相对应的所述当前温补系数之前,还包括:
设置获得至少两个元器件温度;
调整所述电子元器件的工作功率,并分别获得所述电子元器件工作于每个所述元器件温度时的工作功率;
将所有所述元器件温度按照从小到大的顺序排列,并根据每两个相邻的所述元器件温度所对应的工作功率,计算获得每个所述元器件温度所对应的功率变化率;
将每个所述功率变化率分别设置为温补系数,获得所述温补系数集合。
2.如权利要求1所述的电子元器件温度控制方法,其特征在于,所述设置获得至少两个元器件温度,具体包括:
在预设的训练温度范围中选取至少两个训练温度作为所述元器件温度;其中,所述训练温度范围为-20℃~+80℃。
3.如权利要求1或2所述的电子元器件温度控制方法,其特征在于,所述温补系数集合为温补系数曲线。
4.如权利要求1所述的电子元器件温度控制方法,其特征在于,在所述根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制之前,还包括:
设置获得至少一个温补系数区间;
则所述根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制,具体包括:
判断所述当前温补系数所在的温补系数区间,并根据所述当前温补系数所在的温补系数区间,获得相应的温度控制方案;
根据所述温度控制方案,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制。
5.如权利要求1所述的电子元器件温度控制方法,其特征在于,所述根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制,具体包括:
判断所述当前温补系数是否大于预设的温补系数阈值;
当判定所述当前温补系数大于所述温补系数阈值时,根据所述当前温补系数和预设的标准温补系数,计算获得温补系数差;
当判定所述温补系数差大于或等于预设的启动温补阈值时,启动对所述电子元器件的降温流程;
当判定所述温补系数差小于或等于预设的关闭温补阈值时,关闭对所述电子元器件的降温流程。
6.如权利要求5所述的电子元器件温度控制方法,其特征在于,所述标准温补系数为所述电子元器件的元器件温度为25℃时所对应的所述电子元器件的功率变化率。
7.如权利要求5所述的电子元器件温度控制方法,其特征在于,所述启动温补阈值预先根据所述电子元器件的元器件结温的80%~90%和所述标准温补系数计算获得;所述关闭温补阈值预先根据所述电子元器件的元器件结温的70%~80%和所述标准温补系数计算获得。
8.一种电子元器件温度控制装置,其特征在于,包括:
温度检测模块,用于获得电子元器件的当前元器件温度;
温补系数获取模块,用于根据所述当前元器件温度,获得当前温补系数;其中,所述当前温补系数为预先获得的与所述当前元器件温度相对应的所述电子元器件的功率变化率;以及,
温度控制模块,用于根据所述当前温补系数,对所述电子元器件的元器件温度进行相应的控制;
所述温补系数获取模块具体包括:
当前温补系数获取单元,用于根据预先生成的温补系数集合,获得与所述当前元器件温度相对应的所述当前温补系数;
所述电子元器件温度控制装置还包括:
元器件温度设置模块,用于设置获得至少两个元器件温度;
功率获取模块,用于调整所述电子元器件的工作功率,并分别获得所述电子元器件工作于每个所述元器件温度时的工作功率;
功率变化率计算模块,用于将所有所述元器件温度按照从小到大的顺序排列,并根据每两个相邻的所述元器件温度所对应的工作功率,计算获得每个所述元器件温度所对应的功率变化率;以及,
温补系数集合获取模块,用于将每个所述功率变化率分别设置为温补系数,获得所述温补系数集合。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810046697.4A CN108334126B (zh) | 2018-01-17 | 2018-01-17 | 一种电子元器件温度控制方法及装置 |
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---|---|---|---|
CN201810046697.4A CN108334126B (zh) | 2018-01-17 | 2018-01-17 | 一种电子元器件温度控制方法及装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108334126A CN108334126A (zh) | 2018-07-27 |
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108334126B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112485645A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-03-12 | 海光信息技术股份有限公司 | 芯片测试温度控制方法、控制系统、温控板卡及测试系统 |
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-
2018
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN108334126A (zh) | 2018-07-27 |
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