CN108333685A - 一种单模光纤与多模光纤的熔接方法 - Google Patents

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张心贲
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Abstract

本发明涉及一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，属于光纤光缆领域。该方法包括以下步骤：1）选取一段常规单模光纤；2）将单模光纤的中部除去涂覆层，在氢氧焰下高温对除去涂覆层区定点加热实现纤芯扩束；3）将加热后的光纤去涂覆层区用腐蚀液腐蚀后居中切割；4）选取一段多模光纤；5）将多模光纤的中部除去涂覆层，在氢氧焰下对除去涂覆层区高温拉锥，使拉锥后多模光纤纤芯直径与加热扩束后的单模光纤纤芯直径匹配；6）将拉锥后的多模光纤去涂覆层区居中切割；7）将步骤3）切割后的单模光纤与步骤6）切割后的多模光纤熔接。本发明的熔接方法主要是用于优化单模光纤与多模光纤熔接损耗偏大的问题，制作工艺简单，效果明显。

Description

一种单模光纤与多模光纤的熔接方法
技术领域
本发明涉及一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，属于光纤光缆领域。
背景技术
单模光纤与多模光纤的熔接技术主要是用于光纤链路与光纤系统之间的链路桥接，主要方式有冷接法与熔接法。冷接法属于物理对接，重复性存在较大的风险，而且由于光纤模场的不匹配，损耗会较大；熔接法是直接将单模光纤与多模光纤熔接，虽然从优化熔接参数能起到一定的损耗优化的效果，但由于光纤本身的模场差异性，熔接损耗也会较大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于提供一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，以达到优化熔接损耗效果。
本发明的技术方案是：
一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，包括以下步骤：
步骤1)选取一段常规单模光纤；
步骤2)将单模光纤的中部除去涂覆层，在氢氧焰下高温对除去涂覆层区定点加热实现纤芯扩束；
步骤3)将加热后的光纤去涂覆层区用腐蚀液腐蚀后居中切割；
步骤4)选取一段多模光纤；
步骤5)将多模光纤的中部除去涂覆层，在氢氧焰下对除去涂覆层区高温拉锥，使拉锥后多模光纤纤芯直径与加热扩束后的单模光纤纤芯直径匹配；
步骤6)将拉锥后的多模光纤去涂覆层区居中切割；
步骤7)将步骤3)切割后的单模光纤与步骤6)切割后的多模光纤熔接。
其中，步骤1)中单模光纤是指常规纤芯直径为9μm，包层直径为125μm的单模光纤。
其中，步骤2)中，在1500℃～1700℃氢氧焰下进行高温定点加热。
其中，步骤3)中，在去涂覆层区居中切割。
其中，步骤4)中，多模光纤是指常规纤芯直径为50μm，包层直径为125μm，或者纤芯直径为62.5μm，包层直径为125μm的多模光纤。
其中，步骤5)中，在1500℃～1700℃氢氧焰下进行高温拉锥，拉锥机步进电机速度＞0μm/s。
其中，步骤2)和步骤5)中，氢氧焰的氢气与氧气的流量比为H2:O2＝3.75:1。
其中，步骤1)中选取的单模光纤的长度大于50cm，步骤4)中选取的多模光纤的长度大于50cm。
其中，步骤3)中将加热后的光纤去涂覆层区用腐蚀液腐蚀，使单模光纤的包层直径与拉锥后的多模光纤的包层直径匹配。
本发明的有益效果是：
由于本发明目的是优化单模光纤与多模光纤的熔接，先将单模光纤在氢氧焰下定点高温加热，达到纤芯扩束的效果，然后将多模光纤在氢氧焰下拉锥至与单模光纤纤芯匹配，此时的单模光纤是包层已进行了腐蚀之后，将两种光纤进行熔接。由于最终扩束后的单模光纤与拉锥后的多模光纤纤芯匹配，最终的熔接损耗主要表现为拉锥所带来的损耗与熔接所引起的损耗，较之前纤芯不匹配所引起的损耗小。
附图说明
图1是本发明提供的一种单模光纤与多模光纤的熔接方法流程图；
图2是本发明的单模光纤纤芯扩束前后的截面图；
图3是本发明的多模光纤拉锥前后的截面图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。但不用来限制本发明的范围。
如图1所示，本发明提供的一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，包括以下步骤：
步骤1)选取一段常规单模光纤；
步骤2)将单模光纤的中部除去涂覆层之后，在氢氧焰下高温对除去涂覆层区定点加热实现纤芯扩束；
步骤3)将加热后的光纤去涂覆层区用腐蚀液腐蚀后居中切割；
步骤4)选取一段多模光纤；
步骤5)将多模光纤的中部除去涂覆层之后，在氢氧焰下对除去涂覆层区高温拉锥，使拉锥后多模光纤纤芯直径与加热扩束后的单模光纤纤芯直径匹配；
步骤6)将拉锥后的多模光纤去涂覆层区居中切割；
步骤7)将步骤3)切割后的单模光纤与步骤6)切割后的多模光纤熔接。
在本实施例方案中，步骤1)中单模光纤是指常规纤芯直径为9μm，包层直径为125μm的单模光纤。
在本实施例方案中，步骤2)中，在1500℃～1700℃氢氧焰下进行高温定点加热。
在本实施例方案中，步骤3)中，在去涂覆层区居中切割。
在本实施例方案中，步骤4)中，多模光纤是指常规纤芯直径为50μm，包层直径为125μm，或者纤芯直径为62.5μm，包层直径为125μm的多模光纤。
在本实施例方案中，步骤5)中，在1500℃～1700℃氢氧焰下进行高温拉锥，拉锥机步进电机速度＞0μm/s。
在本实施例方案中，步骤2)和步骤5)中，氢氧焰的氢气与氧气的流量比为H2:O2＝3.75:1。
在本实施例方案中，步骤1)中选取的单模光纤的长度大于50cm，步骤4)中选取的多模光纤的长度大于50cm。
在本实施例方案中，步骤3)中将加热后的光纤去涂覆层区用腐蚀液腐蚀，使单模光纤的包层直径与拉锥后的多模光纤的包层直径匹配。
本发明介绍了一种单模光纤与多模光纤的新的熔接方法，利用先将单模光纤(纤芯为D1，包层为D2)扩束使得单模光纤的纤芯D’1(D’1＞D1)，包层为D2；将多模光纤拉锥(纤芯为D3，包层为D4)至纤芯D’1与扩束后的单模光纤纤芯匹配，测得此时的多模光纤包层直径D’4，此时将单模光纤包层D2腐蚀至D’4,与多模光纤熔接，具有更优的熔接损耗特性。
此熔接方法可用于型号为G652、G657等的单模光纤与型号为OM2、OM3等的多模光纤的熔接。
下面举例具体说明如下：
本发明方法的具体实施过程:
1)选取常规单模光纤1m，纤芯直径9μm，包层直径125μm，涂覆层直径250μm；
2)选取常规多模光纤1m，纤芯直径50μm，包层直径125μm，涂覆层直径250μm；
3)将1)中的单模光纤中间部分去除涂覆层(例如：0.5m处去除2cm长涂覆层)，将该去除涂覆层区在氢氧焰1500℃～1700℃进行定点高温加热，氢气与氧气的流量比为H2:O2＝3.75:1，拉锥电机拉伸速度为0μm/s，纤芯扩束后为15μm，包层125μm，如图2所示；
4)将2)中的多模光纤中间部分去除涂覆层，在氢氧焰1500℃～1700℃进行高温拉锥，H2:O2＝3.75:1，拉锥电机拉伸速度为150μm/s，纤芯拉锥后为15μm，包层为37.5μm，如图3所示；
5)将3)中扩束后单模光纤包层部分进行腐蚀至37.5μm；
6)将4)、5)处理后的光纤在去涂覆层区居中切割后熔接。
虽然本发明已经详细示例并描述了相关的特定实施例做参考，但对本领域的技术人员来说，在阅读和理解了该说明书和附图后，在不背离本发明的思想和范围上，可以作出各种改变。这些改变都将落入本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1)选取一段常规单模光纤；
步骤2)将单模光纤的中部除去涂覆层，在氢氧焰下高温对除去涂覆层区定点加热实现纤芯扩束；
步骤3)将加热后的光纤去涂覆层区用腐蚀液腐蚀后居中切割；
步骤4)选取一段多模光纤；
步骤5)将多模光纤的中部除去涂覆层，在氢氧焰下对除去涂覆层区高温拉锥，使拉锥后多模光纤纤芯直径与加热扩束后的单模光纤纤芯直径匹配；
步骤6)将拉锥后的多模光纤去涂覆层区居中切割；
步骤7)将步骤3)切割后的单模光纤与步骤6)切割后的多模光纤熔接。
2.根据权利要求1所述的一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，其特征在于，步骤1)中单模光纤是指常规纤芯直径为9μm，包层直径为125μm的单模光纤。
3.根据权利要求1所述的一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，其特征在于，步骤2)中，在1500℃～1700℃氢氧焰下进行高温定点加热。
4.根据权利要求1所述的一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，其特征在于，步骤3)中，在去涂覆层区居中切割。
5.根据权利要求1所述的一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，其特征在于，步骤4)中，多模光纤是指常规纤芯直径为50μm，包层直径为125μm，或者纤芯直径为62.5μm，包层直径为125μm的多模光纤。
6.根据权利要求1所述的一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，其特征在于，步骤5)中，在1500℃～1700℃氢氧焰下进行高温拉锥，拉锥机步进电机速度＞0μm/s。
7.根据权利要求1所述的一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，其特征在于，步骤2)和步骤5)中，氢氧焰的氢气与氧气的流量比为H2:O2＝3.75:1。
8.根据权利要求1所述的一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，其特征在于，步骤1)中选取的单模光纤的长度大于50cm，步骤4)中选取的多模光纤的长度大于50cm。
9.根据权利要求1所述的一种单模光纤与多模光纤的熔接方法，其特征在于，步骤3)中将加热后的光纤去涂覆层区用腐蚀液腐蚀，使单模光纤的包层直径与拉锥后的多模光纤的包层直径匹配。
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