CN108321309A - 可分离的衬底结构及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种可分离的衬底结构及其制备方法。上述可分离的衬底结构的制备方法包括以下步骤：提供支撑基底；在支撑基底上形成图案化的疏水膜，疏水膜具有图案区域和空白区域；以及在疏水膜的空白区域形成柔性基底，得到可分离的衬底结构。上述可分离的衬底结构的制备方法中，疏水膜将柔性基底限定在疏水膜的空白区域位置，减小了柔性基底与支撑基底的接触面积。从而减小了柔性基底对支撑基底的应力，能够避免支撑基底发生翘曲，提高后续图形化过程中的对位精准度以及图形化精度。

Description

可分离的衬底结构及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种可分离的衬底结构及其制备方法。
背景技术
近年来，具有柔性基底的显示装置因其可弯曲的特性，在移动或者手持显示装置中具有广泛的应用前景。塑料基底(例如具有优异的耐热性和强度的聚酰亚胺基底、聚醚砜基底等)常被用作柔性基底。
当利用柔性基底制造显示装置时，为了确保柔性基底的表面平整性，可以使用刚性基板(诸如玻璃基板)作为支撑基底来形成柔性基底。然而，由于柔性基底的应力较大，支撑基底在柔性基底的应力作用下会发生翘曲，导致后续图形化过程中对位不精准。
发明内容
基于此，有必要针对如何避免支撑基底翘曲的问题，提供一种能够避免支撑基底翘曲的可分离的衬底结构及其制备方法。
一种可分离的衬底结构的制备方法，包括以下步骤：
提供支撑基底；
在所述支撑基底上形成图案化的疏水膜，所述疏水膜具有图案区域和空白区域；以及
在所述疏水膜的空白区域形成柔性基底，得到可分离的衬底结构。
上述可分离的衬底结构的制备方法中，疏水膜将柔性基底限定在疏水膜的空白区域位置，减小了柔性基底与支撑基底的接触面积。从而减小了柔性基底对支撑基底的应力，能够避免支撑基底发生翘曲，提高后续图形化过程中的对位精准度以及图形化精度。
在其中一个实施例中，在所述疏水膜的空白区域形成柔性基底的操作为：
在所述疏水膜上涂布用于形成所述柔性基底的前驱体溶液，所述前驱体溶液固化之后形成所述柔性基底。
在其中一个实施例中，采用溅射工艺在所述支撑基底上形成图案化的疏水膜。
此外，还提供一种可分离的衬底结构，包括：
支撑基底；
疏水膜，设置在所述支撑基底上，所述疏水膜具有图案区域和空白区域；以及
柔性基底，设置在所述支撑基底上，且所述柔性基底位于所述疏水膜的空白区域内。
本发明的可分离的衬底结构，疏水膜将柔性基底限定在疏水膜的空白区域位置，减小了柔性基底与支撑基底的接触面积。从而减小了柔性基底对支撑基底的应力，能够避免支撑基底发生翘曲，提高后续图形化过程中的对位精准度以及图形化精度。
在其中一个实施例中，所述疏水膜的材质选自具有疏水性的金属氮化物和金属氧化物中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述疏水膜的厚度为50nm～800nm。
在其中一个实施例中，所述疏水膜的表面粗糙度为5nm～50nm。
在其中一个实施例中，所述疏水膜的水接触角为100°～170°。
在其中一个实施例中，所述柔性基底与所述支撑基底的面积比为1:2～4:5。
在其中一个实施例中，所述柔性基底的材质为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或者聚醚砜。
附图说明
图1为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法的流程图；
图2为一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法中形成图案化的疏水膜的侧面示意图；
图3为一实施方式的可分离的衬底结构的侧面示意图；
图4为一实施方式的可分离的衬底结构的平面示意图；
图5为另一实施方式的可分离的衬底结构的平面示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
请参见图1，一实施方式的可分离的衬底结构的制备方法，包括以下步骤：
S10、提供支撑基底110。
请一并参见图2，通常采用刚性基板作为支撑基底110，例如玻璃基底。
S20、在支撑基底110上形成图案化的疏水膜120，疏水膜120具有图案区域121和空白区域122。
请一并参见图2，较优的，采用溅射(sputter)工艺在支撑基底110上形成图案化的疏水膜120。采用溅射工艺能够形成图案较精准的疏水膜120。
较优的，疏水膜120的材质选自具有疏水性的金属氮化物和金属氧化物中的至少一种。可以将具有疏水性的金属氮化物和金属氧化物溅射在支撑基底110上。金属氮化物和金属氧化物具有耐高温的特性，能够避免后续在可分离的衬底结构100上制备OLED器件时的高温工艺损坏疏水膜120。
更优的，疏水膜120的材质选自化学计量比或者非化学计量比的ZrxNy、ZrxOy、NdxNy、NdxOy、YxOy、YxNy、LaxOy、LaxNy、TixOy、ZnxOy和HaxOy中的至少一种。这些种类材质的疏水膜120耐高温，能够避免后续在可分离的衬底结构100上制备OLED器件时的高温工艺损坏疏水膜120。
当然，本发明的疏水膜120的材质不限于此，亦可选自其他具有疏水性的材质。
较优的，疏水膜120的厚度为50nm～800nm。当疏水膜120的厚度为50nm～800nm时，疏水膜120的疏水效果较好，能够避免后续涂布柔性基底130的前驱体溶液时、前驱体溶液在疏水膜上铺展。
较优的，疏水膜120的表面粗糙度为5nm～50nm。当疏水膜120的表面粗糙度为5nm～50nm时，疏水膜120的疏水效果较好，能够避免后续涂布柔性基底130的前驱体溶液时、前驱体溶液在疏水膜上铺展。
较优的，疏水膜120的水接触角为100°～170°。当疏水膜120的水接触角为100°～170°时，疏水膜120的疏水效果较好，能够避免后续涂布柔性基底130的前驱体溶液时、前驱体溶液在疏水膜上铺展。
需要说明的是，本发明的可分离的衬底结构的制备方法中，疏水膜120的材质选自具有疏水性的金属氮化物和金属氧化物中的至少一种，疏水膜120的厚度为50nm～800nm，疏水膜120的表面粗糙度为5nm～50nm以及疏水膜120的水接触角为100°～170°，这几个方案结合在一起形成的方案的效果最佳，即疏水膜120的疏水效果最佳。
较优的，柔性基底130与支撑基底110的面积比为1:2～4:5。一方面，减小了柔性基底130与支撑基底110的接触面积，从而减小柔性基底130对支撑基底110的应力；另一方面，能够最大限度地利用支撑基底110。
更优的，当柔性基底130与支撑基底110的面积比为定值时，疏水膜120将柔性基底130分隔成不同的子柔性基底，这样使得每个子柔性基底均对支撑基底110产生较小的应力，能够有效避免支撑基底110翘曲。
其中，图案区域121指的是支撑基底110上存在疏水材料的区域。空白区域122指的是支撑基底110上不存在疏水材料的区域，如图2所示。
S30、在疏水膜120的空白区域122形成柔性基底130，得到可分离的衬底结构100。
请一并参见图3和图4，本实施方式的疏水膜120的空白区域122为4个相互独立的矩形，柔性基底130位于上述矩形的位置。当然，疏水膜120的图案不限于此，空白区域的图案也不限于此。例如，当空白区域为矩形时，矩形的个数还可以为1个、2个或者2个以上，矩形的位置不限于中间，还可以位于支撑基底110的边缘。此外，疏水膜120的图案还可以为任意图案。
请参见图5，另一实施方式的可分离的衬底结构200中，疏水膜220的空白区域形成的图形为4个相互独立的圆形。即，柔性基底230的形状为圆形。
较优的，在疏水膜120的空白区域122形成柔性基底130的操作为：
在疏水膜120上涂布用于形成柔性基底的前驱体溶液，前驱体溶液固化之后形成柔性基底130。
在涂布的过程中，由于前驱体溶液在疏水膜120上不能铺展，因此，前驱体溶液进而可涂布在空白区域122。
较优的，柔性基底130的材质为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或者聚醚砜。
当柔性基底130的材质为聚酰亚胺时，在疏水膜120的空白区域122形成柔性基底130的操作为：
在疏水膜120上涂布聚酰胺酸(PAA)，聚酰胺酸固化之后形成聚酰亚胺基底。
当柔性基底130的材质为聚酰亚胺时，其前驱体溶液为聚酰胺酸，而聚酰胺酸具有亲水性，更不会在疏水膜120上铺展，因此可停留于空白区域122，固化之后进而形成柔性基底130。
本发明的可分离的衬底结构的制备方法中，疏水膜将柔性基底限定在疏水膜的空白区域位置，减小了柔性基底与支撑基底的接触面积。从而减小了柔性基底对支撑基底的应力，能够避免支撑基底发生翘曲，提高后续图形化过程中的对位精准度以及图形化精度。
请参见图4，一实施方式的可分离的衬底结构100包括支撑基底110、疏水膜120以及柔性基底130。
其中，疏水膜120设置在支撑基底110上，疏水膜120具有图案区域121和空白区域122。
其中，柔性基底130设置在支撑基底110上，且柔性基底130位于疏水膜120的空白区域122内。
较优的，疏水膜120的材质选自具有疏水性的金属氮化物和金属氧化物中的至少一种。可以将具有疏水性的金属氮化物和金属氧化物溅射在支撑基底110上。金属氮化物和金属氧化物具有耐高温的特性，能够避免后续在可分离的衬底结构100上制备OLED器件时的高温工艺损坏疏水膜120。
更优的，疏水膜120的材质选自化学计量比或者非化学计量比的ZrxNy、ZrxOy、NdxNy、NdxOy、YxOy、YxNy、LaxOy、LaxNy、TixOy、ZnxOy和HaxOy中的至少一种。这些种类材质的疏水膜120耐高温，能够避免后续在可分离的衬底结构100上制备OLED器件时的高温工艺损坏疏水膜120。
当然，本发明的疏水膜120的材质不限于此，亦可选自其他具有疏水性的材质。
较优的，疏水膜120的厚度为50nm～800nm。当疏水膜120的厚度为50nm～800nm时，疏水膜120的疏水效果较好，能够避免后续涂布柔性基底130的前驱体溶液时、前驱体溶液在疏水膜上铺展。
较优的，疏水膜120的表面粗糙度为5nm～50nm。当疏水膜120的表面粗糙度为5nm～50nm时，疏水膜120的疏水效果较好，能够避免后续涂布柔性基底130的前驱体溶液时、前驱体溶液在疏水膜上铺展。
较优的，疏水膜120的水接触角为100°～170°。当疏水膜120的水接触角为100°～170°时，疏水膜120的疏水效果较好，能够避免后续涂布柔性基底130的前驱体溶液时、前驱体溶液在疏水膜上铺展。
需要说明的是，本发明的可分离的衬底结构的制备方法中，疏水膜120的材质选自具有疏水性的金属氮化物和金属氧化物中的至少一种，疏水膜120的厚度为50nm～800nm，疏水膜120的表面粗糙度为5nm～50nm以及疏水膜120的水接触角为100°～170°，这几个方案结合在一起形成的方案的效果最佳，即疏水膜120的疏水效果最佳。
较优的，柔性基底130与支撑基底110的面积比为1:2～4:5。一方面，减小了柔性基底130与支撑基底110的接触面积，从而减小柔性基底130对支撑基底110的应力；另一方面，能够最大限度地利用支撑基底110。
更优的，当柔性基底130与支撑基底110的面积比为定值时，疏水膜120将柔性基底130分隔成不同的子柔性基底，这样使得每个子柔性基底均对支撑基底110产生较小的应力，能够有效避免支撑基底110翘曲。
其中，图案区域121指的是支撑基底110上存在疏水材料的区域。空白区域122指的是支撑基底110上不存在疏水材料的区域，如图2所示。
较优的，柔性基底130的材质为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或者聚醚砜。
本发明的可分离的衬底结构，疏水膜将柔性基底限定在疏水膜的空白区域位置，减小了柔性基底与支撑基底的接触面积。从而减小了柔性基底对支撑基底的应力，能够避免支撑基底发生翘曲，提高后续图形化过程中的对位精准度以及图形化精度。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种可分离的衬底结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供支撑基底；
在所述支撑基底上形成图案化的疏水膜，所述疏水膜具有图案区域和空白区域；以及
在所述疏水膜的空白区域形成柔性基底，得到可分离的衬底结构。
2.根据权利要求1所述的可分离的衬底结构的制备方法，其特征在于，在所述疏水膜的空白区域形成柔性基底的操作为：
在所述疏水膜上涂布用于形成所述柔性基底的前驱体溶液，所述前驱体溶液固化之后形成所述柔性基底。
3.根据权利要求1所述的可分离的衬底结构的制备方法，其特征在于，采用溅射工艺在所述支撑基底上形成图案化的疏水膜。
4.一种可分离的衬底结构，其特征在于，包括：
支撑基底；
疏水膜，设置在所述支撑基底上，所述疏水膜具有图案区域和空白区域；以及
柔性基底，设置在所述支撑基底上，且所述柔性基底位于所述疏水膜的空白区域内。
5.根据权利要求4所述的可分离的衬底结构，其特征在于，所述疏水膜的材质选自具有疏水性的金属氮化物和金属氧化物中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的可分离的衬底结构，其特征在于，所述疏水膜的厚度为50nm～800nm。
7.根据权利要求4所述的可分离的衬底结构，其特征在于，所述疏水膜的表面粗糙度为5nm～50nm。
8.根据权利要求4所述的可分离的衬底结构，其特征在于，所述疏水膜的水接触角为100°～170°。
9.根据权利要求4所述的可分离的衬底结构，其特征在于，所述柔性基底与所述支撑基底的面积比为1:2～4:5。
10.根据权利要求4所述的可分离的衬底结构，其特征在于，所述柔性基底的材质为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或者聚醚砜。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109585699A (zh) * 2018-12-05 2019-04-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 Oled显示面板及其制造方法、显示装置
WO2020248773A1 (zh) * 2019-06-13 2020-12-17 京东方科技集团股份有限公司 防止基板翘曲的方法、显示面板的制作方法及显示面板
CN115472744A (zh) * 2022-04-28 2022-12-13 天津大学 具有优异生物相容性的柔性衬底及其制备方法和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070685A (zh) * 2015-08-14 2015-11-18 Tcl集团股份有限公司 梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法
CN106229421A (zh) * 2016-08-24 2016-12-14 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性基板制作方法和柔性基板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105070685A (zh) * 2015-08-14 2015-11-18 Tcl集团股份有限公司 梯形像素Bank结构和OLED器件的制备方法
CN106229421A (zh) * 2016-08-24 2016-12-14 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性基板制作方法和柔性基板

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109585699A (zh) * 2018-12-05 2019-04-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 Oled显示面板及其制造方法、显示装置
WO2020248773A1 (zh) * 2019-06-13 2020-12-17 京东方科技集团股份有限公司 防止基板翘曲的方法、显示面板的制作方法及显示面板
CN115472744A (zh) * 2022-04-28 2022-12-13 天津大学 具有优异生物相容性的柔性衬底及其制备方法和应用
CN115472744B (zh) * 2022-04-28 2024-03-22 天津大学 具有优异生物相容性的柔性衬底及其制备方法和应用

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