CN108281364A - 一种垂直led芯片的导电膜测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种垂直LED芯片的导电膜测试方法，该方法包含以下过程：将待测试的垂直LED芯片放置在作为衬台物的导电膜上；更换测试机的平台及测试机接线方式；将放置有待测试的垂直LED芯片导电膜进行翻转，将所述待测试的垂直LED芯片翻转至其他的导电膜；测试所述其他的导电膜上的待测试的垂直LED芯片。本发明通过使用导电膜+测试机平台改造，实现垂直LED芯片的背面导电测试，有效降低成本，提升产品品质，本发明还可以涵盖不同条件下抽测、全测及QC检验测试。
Description
技术领域
本发明涉及垂直LED芯片的测试领域，特别涉及一种垂直LED芯片的导电膜测试方法。
背景技术
传统的LED芯片通常呈四边形，并且其结构有两种：横向结构(Lateral))和垂直结构(Vertical)。其中，垂直结构LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧，由于图形化电极和全部的p型氮化镓层作为第二电极，使得电流几乎全部垂直流过LED外延层，极少有横向流动的电流，因而可改善平面结构的电流分布问题，提高发光效率，也可以解决P电极的遮光问题，提升LED的发光面积。
目前垂直LED芯片的制备工艺主要为，在衬底上(一般为蓝宝石材料)生长GaN在该GaN基外延层上制作接触层和金属反光镜层，然后采用电镀或基板键合(Waferbonding)的方式制作导热性能良好的导热基板，同时也作为GaN基外延层的新衬底，再通过激光剥离的方法使蓝宝石衬底和GaN基外延层分离，外延层转移到金属基板上，这样使得LED芯片的散热性能会更好，之后再形成N型电极和P型电极。
具体地，图1所示为现有技术中垂直LED芯片的结构示意图；垂直LED芯片包括依次连接的P型电极10、P型GaN层20、量子阱层30、N型GaN层40以及N型电极50。
芯片测试是指在芯片封装前，先进行一部分的测试以排除掉一些坏掉的芯片，保证出厂的芯片都是没问题的。
综上所述，受垂直LED芯片产品工艺结构特性限制，正常测试探针无法测至芯片背面电极层，导致垂直产品回测检验时，无法有效检测出产品的质量，为了解决这一问题，人们通常需要使用特制机器设备，或是人工手动进行单颗测试，效率低且成本较高。
发明内容
本发明的目的是提供一种垂直LED芯片的导电膜测试方法，通过将绝缘的蓝膜替换成一种可导电的蓝膜，并对应的将测试机平台进行改造，实现垂直LED的背面导电测试，可减少异常芯片的流出风险，有效提升芯片产品的可靠性。
为了达到上述目的，本发明提供的一种垂直LED芯片的导电膜测试方法，该方法包含以下过程：
将待测试的垂直LED芯片放置在作为衬台物的导电膜上；
更换测试机的平台及测试机接线方式；
将放置有待测试的垂直LED芯片的导电膜进行翻转，将所述待测试的垂直LED芯片翻转至其他的导电膜上；
测试所述其他的导电膜上的待测试的垂直LED芯片。
优选地，所述导电膜包含金属或合金。
优选地，所述导电膜由金属丝或合金丝编制而成。
优选地，金属的导电膜包含Ni、Br、Au、Cu、Sn、Ag中的任意一种或者它们的组合。
优选地，所述导电膜的大小与待测试的垂直LED芯片的数量和分布相匹配。
优选地，翻转前的导电膜上的垂直LED芯片的正面为发光层，背面为金属导电层。
优选地，所述导电膜上待测试的垂直LED芯片形状为方形。
优选地，所述垂直LED芯片包括依次连接的P型电极、P型GaN层、量子阱层、N型GaN层以及N型电极。
优选地，更换后的测试机的平台表面上镀有导电金属；更换后的测试机的接线方式为：将垂直LED芯片的P型电极、N型电极的导线接在一侧，并从所述测试机的平台再接入一根导线，使得所述接线方式形成垂直维度回路。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：(1)本发明通过使用导电膜+测试机平台改造，实现垂直LED芯片的背面导电测试，有效降低成本，提升产品品质。(2)本发明的垂直LED芯片产品测试使用导电膜测试，可以涵盖不同条件下抽测、全测及QC检验测试。
附图说明
图1现有技术的垂直LED芯片的结构示意图；
图2本发明的蓝膜上的垂直LED芯片结构示意图；
图3本发明的垂直LED芯片的导电膜测试方法流程示意图；
具体实施方式
本发明提供了一种垂直LED芯片的导电膜测试方法，为了使本发明更加明显易懂，以下结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。
如图2所示，本发明的待测试的芯片为垂直LED芯片，垂直LED芯片包括依次连接的P型电极、P型GaN层、量子阱层、N型GaN层以及N型电极。
由于垂直LED芯片的P极、N极是相互垂直的，该垂直LED芯片的正面为发光层，背面为可导电的金属层面。
芯片出厂前需要放置在蓝膜(相当于衬台物)上。其中，本发明制备的垂直LED芯片为圆片结构，当出厂时放置在蓝膜上的垂直LED芯片的形状方形，垂直LED芯片还可以是其他合理形状，本发明对此不做限制。
由于垂直LED芯片的两极P、N极是相互垂直，垂直LED芯片的背面与蓝膜的表面接触。
根据本发明的一个实施例，作为衬台物的蓝膜采用导电膜，则垂直LED芯片的背面与该导电膜进行接触，可实现垂直LED芯片的背面的导电作用，使得测试时直接测至芯片背面电极层，避免了现有技术中因绝缘材质的蓝膜与垂直LED芯片的背面接触使得背面绝缘而导致无法直接测试该垂直LED芯片的背面的问题。
其中，导电膜可以为金属材质或合金材料，例如，Ni、Br、Au、Cu、Sn、Ag中的任意一种或者它们的组合。该导电膜是由金属丝或合金丝编制而成的膜状结构。
导电膜上的待测试的垂直LED芯片一颗颗地分布在导电膜上。且导电膜的大小与待测试的垂直LED芯片的数量和分布相匹配。
根据本发明的另外一个实施例，如图3所示，本发明的垂直LED芯片的导电膜测试方法的步骤包含：
S1、将垂直LED芯片放置在作为衬台物的导电膜上；
S2、更换测试机平台及接线：
将测试垂直LED芯片的测试机以及接线方式对应地进行更换，使得能够正常测试。其中，在测试机的平台表面上镀上导电金属，通过将测试机平台的探针、导线等进行连接，形成测试回路。具体地，由于本发明的芯片为垂直LED芯片，则将垂直LED芯片的P、N极的导线接在一侧，并从测试机的平台上再接入一根导线，使得该接线方式形成垂直维度回路，用于后续的垂直LED芯片的测试。
S3、导电膜翻转：
将放置有待测试的垂直LED芯片的一片导电膜(即相当于可导电的蓝膜)进行翻转，将该片导电膜上的垂直LED芯片翻转至另一导电膜上，待测试的垂直LED芯片被翻转到另外一导电膜上后，则垂直LED芯片的背面朝上。
S4、垂直LED芯片测试：
将带有垂直LED芯片的导电膜放置到更换后的测试机的平台表面进行测试，即可实现对翻转后的垂直LED芯片进行测试，使得该垂直LED芯片的背面也能实现测试。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (9)
1.一种垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，该方法包含以下过程：
将待测试的垂直LED芯片放置在作为衬台物的导电膜上；
更换测试机的平台及测试机接线方式；
将放置有待测试的垂直LED芯片的导电膜进行翻转，将所述待测试的垂直LED芯片翻转至其他的导电膜上；
测试所述其他的导电膜上的垂直LED芯片。
2.如权利要求1所述的垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，
所述导电膜为金属或合金。
3.如权利要求2所述的垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，
所述导电膜由金属丝或合金丝编制而成。
4.如权利要求2或3所述的垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，
金属的导电膜为Ni、Br、Au、Cu、Sn、Ag中的任意一种或者它们的组合。
5.如权利要求1或2或3所述的垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，
所述导电膜的大小与待测试的垂直LED芯片的数量和分布相匹配。
6.如权利要求1所述的垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，
翻转前的导电膜上的垂直LED芯片的正面为发光层，背面为金属导电层。
7.如权利要求1所述的垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，
所述导电膜上的待测试的垂直LED芯片形状为方形。
8.如权利要求1所述的垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，
所述垂直LED芯片包括依次连接的P型电极、P型GaN层、量子阱层、N型GaN层以及N型电极。
9.如权利要求8所述的垂直LED芯片的导电膜测试方法，其特征在于，
更换后的测试机的平台表面上镀有导电金属；
更换后的测试机的接线方式为：将垂直LED芯片的P型电极、N型电极的导线接在一侧，并从所述测试机的平台再接入一根导线，使得所述接线方式形成垂直维度回路。
Priority Applications (1)
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| CN201711475444.0A CN108281364A (zh) | 2017-12-29 | 2017-12-29 | 一种垂直led芯片的导电膜测试方法 |
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| CN (1) | CN108281364A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112053969A (zh) * | 2020-09-10 | 2020-12-08 | 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司 | 一种外延片测试方法 |
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2017
- 2017-12-29 CN CN201711475444.0A patent/CN108281364A/zh active Pending
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Application publication date: 20180713 |
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