CN108258082A - 太阳能电池的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种太阳能电池的制备方法。上述太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：对预处理后的硅片背表面进行离子注入处理；对进行离子注入后的硅片背表面进行退火处理；对退火后的硅片背表面进行沉积磷源处理；对进行沉积磷源后的硅片背表面进行激光掺杂，形成选择性发射极。上述太阳能电池的制备方法，通过离子注入工艺和退火处理使太阳能电池的杂质离子掺杂更均匀；在退火处理后加入沉积磷源的步骤，使硅片表面生成一层磷硅玻璃层，避免了磷原子的推进，控制掺杂水平；同时，采用离子注入和激光掺杂结合的工艺制备的太阳能电池无需后续去除掩膜和二次扩散等后续处理步骤，使太阳能电池更易于工业自动化生产。

Description

太阳能电池的制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，特别是涉及太阳能电池的制备方法。
背景技术
N型晶体硅太阳能电池，由于其基体的硼含量极低，因而由硼氧导致的光衰减效应程度低，使其具备了制备高效电池的广阔前景。
随着金刚线等先进切片技术的普及，硅片厚度不断下降，降低了硅片表面载流子的复合效应，可以显著提高电池效率。对于少子寿命长的N型晶体硅来说，效果则更加显著。选择性发射极太阳能电池技术主要特点是金属化区域高掺杂浓度，光照区域低掺杂浓度，目的是保证金属电极与发射区接触良好的情况下，同时降低载流子的表面复合与体复合，提高短波响应，实现高效电池的目标。
传统工艺中，选择性发射极式太阳能电池的发射极主要采用旋涂磷源后激光面扫描、高温扩散后激光掺杂和电镀法等方法制备。这些方法在实验室或小批量试验中可能得到较高效率，但是这些方法在激光掺杂之后还需要去除表面磷源、去除掩膜和二次扩散等后续处理步骤，工艺步骤繁琐，工艺时间长，良率低，生产成本高，所需能耗高。
发明内容
基于此，有必要针对传统选择性发射极太阳能电池工艺繁琐等问题，提供一种掺杂均匀、工艺步骤易于工业自动化生产的太阳能电池制备方法。
一种太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：
对预处理后的硅片背表面进行离子注入处理；
对进行离子注入后的硅片背表面进行退火处理；
对退火后的硅片背表面进行沉积磷源处理；
对进行沉积磷源后的硅片背表面进行激光掺杂，形成选择性发射极；
对形成选择性发射极的硅片进行后续处理，以完成太阳能电池的制备。
上述太阳能电池的制备方法，通过离子注入工艺和退火处理使太阳能电池的杂质离子掺杂更均匀；在退火处理后加入沉积磷源的步骤，使用低温沉积，增大氧气量，使硅片表面生成一层磷硅玻璃层，此步骤可以避免磷原子的推进，控制掺杂水平并且保证了方阻的均匀性；同时，采用离子注入和激光掺杂结合的工艺制备的太阳能电池无需后续去除掩膜和二次扩散退火等后续处理步骤，使太阳能电池更易于工业自动化生产。
在其中一个实施例中，离子注入的杂质离子为P离子，P离子的浓度为1×1015cm-2～3×1015cm-2。
在其中一个实施例中，退火的气体氛围为氧气氛围，氧气氛围中的氧气流量为0.1slm～30slm，退火的温度为500℃～900℃。
在其中一个实施例中，沉积磷源的气体氛围为携带三氯氧磷的氮气氛围和氧气氛围，氮气氛围中的氮气流量为100sccm～2000sccm，氧气氛围中的氧气流量为100sccm～2000sccm。
在其中一个实施例中，对进行沉积磷源后的硅片进行激光掺杂，包括：使用激光器产生激光，激光器的激光镜头到硅片的距离为激光镜头焦距的±10mm范围内，激光光速的功率为10W～30W。
在其中一个实施例中，太阳能电池的制备方法还包括对硅片进行预处理。
在其中一个实施例中，对硅片进行预处理，包括：
对硅片的双面依次进行清洗、抛光、碱制绒处理，以在硅片双面形成陷光织构；
对硅片的正表面进行硼扩散；
对硼扩散后的硅片进行边缘刻蚀处理，并去除硅片双面的硼硅玻璃。
在其中一个实施例中，对形成选择性发射极的硅片进行后续处理，以完成太阳能电池的制备，包括：
去除硅片双面的磷硅玻璃；
在去除了磷硅玻璃的硅片双面上依次沉积钝化膜、减反射膜；
对沉积了钝化膜和减反射膜的硅片进行印刷以及烧结处理，以完成太阳能电池的制备。
在其中一个实施例中，硅片采用N型单晶硅。
在其中一个实施例中，钝化膜为氧化铝膜或氧化硅膜，减反射膜为氮化硅膜。
在上述制备方法中，采用离子注入后进行退火处理制备硅片背面的N+层，通过控制离子注入的剂量和退火的气氛、温度以及工艺时间，控制硅片背面的掺杂水平；同时，通过对硅片的预处理和后续处理的补充，完善了整个太阳能电池的制备工艺。
通过上述方法制备的太阳能电池掺杂均匀，易于工艺自动化生产。同时，制备出的太阳能电池边缘绝缘电阻高，漏电流较小。并且，整个制备过程高温过程少，所需能耗较低，硅片表面热损伤小，太阳能电池体内缺陷少，体载流子复合低，J02较低。其中，J02是用来表征二极管模型中的空间电荷区效应的饱和电流密度值。
附图说明
图1为一个实施例中太阳能电池的制备方法的流程图；
图2为一个实施例中太阳能电池的制备方法的流程图；
图3为一个实施例中太阳能电池的制备方法的流程图；
图4为一个实施例中太阳能电池的制备方法的流程图；
图5为一个实施例中太阳能电池的制备方法的流程图；
图6为一个实施例中不同离子注入条件下掺杂浓度随掺杂深度变化曲线趋势图；
图7为通过一个实施例制备的太阳能电池的电流电压关系曲线图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
本发明实施例提供了一种太阳能电池的制备方法，如图1所示，包括：
步骤S110，对预处理后的硅片背表面进行离子注入处理。
离子注入是指当真空中有一束离子束射进硅片时，离子束受到硅片的抵抗而减速，并最终停留在硅片中的这一现象。
步骤S120，对进行离子注入后的硅片背表面进行退火处理。
退火处理是指将硅片曝露于高温环境一段时间后，然后再慢慢冷却的热处理制程。在本实施例中，退火处理的设备优选扩散炉。在退火过程中，控制扩散炉内的气体成分和流量，掌握退火所需的温度和时间。
步骤S130，对退火后的硅片背表面进行沉积磷源处理。
沉积磷源是指在退火达到所需时间之后，温度未降低之前，维持炉管内的温度不变，在扩散炉中通入携带磷源的气体并增大氧气量，以在硅片表面生成一层磷硅玻璃层的操作。在沉积磷源过程中，控制通入扩散炉内气体的成分和流量，掌握所需的温度和时间。
步骤S140，对进行沉积磷源后的硅片背表面进行激光掺杂，形成选择性发射极。
激光掺杂是指利用高能量密度的激光脉冲轰击通过沉积磷源而沉积在硅片表面上的杂质离子，然后将杂质离子掺杂到硅片的电活性区域这一过程。选择性发射极是指电极与硅片接触部位高掺杂浓度，电极之间部位低掺杂浓度的硅片结构。
步骤S150，对形成选择性发射极的硅片进行后续处理，以完成太阳能电池的制备。
上述实施方式提供的太阳能电池的制备方法，通过离子注入工艺和退火处理使太阳能电池的杂质离子掺杂更均匀；在退火处理后加入沉积磷源的步骤，使用低温沉积，增大氧气量，使硅片表面生成一层磷硅玻璃层，此步骤可以避免磷原子的推进，控制掺杂水平并且保证了方阻的均匀性；同时，采用离子注入和激光掺杂结合的工艺制备的太阳能电池无需去除掩膜和二次扩散等后续处理步骤，使太阳能电池更易于工业自动化生产。
在一个实施例中，硅片可以采用N型晶体硅。在本实施例中，硅片优选采用N型单晶硅。
在一个实施例中，在离子注入步骤之前，如图2所示，还包括：
步骤S100，对硅片进行预处理。
具体地，如图3所示，在本实施例中，对硅片进行预处理还可以包括：
步骤S101，对硅片的双面依次进行清洗、抛光、碱制绒处理，以在硅片双面形成陷光织构。
在本实施例中，首先对硅片的表面依次进行清洗、抛光、碱制绒的处理，目的是去除硅片的机械损伤层，并在硅片表面形成陷光织构。优选使用槽式一体机对硅片进行抛光、碱制绒处理。陷光织构是指在硅片表面制作凹凸起伏的角锥形态或类“金字塔”绒面，此形态结构不仅可以使光斜射入太阳能电池增加光程，而且可以降低太阳能电池表面反射率。
步骤S102，对硅片的正表面进行硼扩散。
其中，硼扩散是指将一定量的含硼离子的杂质掺杂到硅片中，在本实施例中，只对硅片的正表面进行硼扩散。优选采用双片背靠背插片的方式完成硼扩散。所谓双片背靠背插片是指一个卡槽一次性插两片硅片，两片硅片相互接触，避免接触面扩散并形成PN结，应用这种方式还可以提高太阳能电池的产能。
步骤S103，对硼扩散后的硅片进行边缘刻蚀处理，并去除硅片双面的硼硅玻璃。
在本实施例中，边缘刻蚀是指对硼扩散后的硅片表面边缘的磷硅玻璃进行腐蚀或剥离，从而避免PN结短路造成并联电阻降低。边缘刻蚀后，去除硅片双面的硼硅玻璃。从而完成了对硅片的预处理，然后再对硅片进行离子注入的处理。
在一个实施例中，杂质离子是指离子注入时注入到硅片中含有某种离子的注入物。例如，某种杂质离子可以是P离子(磷离子)。在本实施例中，P离子的浓度为1×1015cm-2～3×1015cm-2。例如，P离子的浓度具体可以是1×1015cm-2，P离子的浓度还可以是3×1015cm-2。优选地，P离子的浓度可以是2×1015cm-2。
在一个实施例中，退火的气体氛围为氧气氛围，氧气氛围中的氧气流量为0.1slm～30slm，退火温度为500℃～900℃，退火时间为2min～120min。在本实施例中，退火的设备优选扩散炉。其中，氧气氛围是指在退火过程中在扩散炉内通入一定量的氧气，使退火过程在氧气环境下进行。
在本实施例中，氧气流量具体可以是0.1slm,氧气流量还可以是30slm。优选地，氧气流量具体可以是10slm。在退火过程中，扩散炉内的温度具体可以是500℃，扩散炉内的温度还可以是900℃。优选地，扩散炉内的温度具体可以是750℃。退火所用时间具体可以是2min，退火所用时间还可以是120min。优选地，退火所用时间具体可以是60min。退火的目的是激活注入到硅片体内的P离子。在本实施例中，退火所需的温度相比于传统退火工艺所需要的温度降低很多，这使得硅片在完成掺杂的同时减少了表面热损伤以及由热过程造成的体内缺陷，同时，温度的降低使得硅片的体载流子复合和J02值都较低，提升了硅片的性能。
在一个实施例中，沉积磷源的气体氛围为携带三氯氧磷的氮气氛围和氧气氛围，氮气氛围中的氮气的流量为100sccm～2000sccm，氧气氛围中的氧气的流量为100sccm～2000sccm，沉积磷源的温度为500℃～900℃，沉积磷源的时间为2min～60min。在本实施例中，沉积磷源的设备优选扩散炉，沉积磷源的温度为退火结束后温度未降低之前扩散炉内的温度，并维持这个温度不变。
在本实施例中，氮气的流量具体可以是100sccm，氮气的流量还可以是2000sccm。优选地，氮气的流量具体可以是1000sccm。氧气的流量具体可以是100sccm，氧气的流量还可以是2000sccm。优选地，氧气的流量具体可以是200sccm。沉积磷源所用的时间可以是2min，沉积磷源所用的时间还可以是60min。优选地，沉积磷源所用的时间可以是10min。在沉积磷源过程中，扩散炉内的温度具体可以是500℃，扩散炉内的温度还可以是900℃。优选地，扩散炉内的温度具体可以是750℃。沉积磷源后，硅片表面生成一层磷硅玻璃，这层磷硅玻璃避免了磷原子的推进，控制掺杂水平并且保证了方阻的均匀性。
在一个实施例中，对进行沉积磷源后的硅片进行激光掺杂，包括：使用激光器产生激光，激光器的激光镜头到硅片的距离为激光镜头焦距的±10mm范围内，激光光速的功率为10W～30W。其中，激光器是指发射激光的装置。激光镜头是激光器上的部件。
在本实施例中，激光镜头到硅片的距离可以相比激光镜头焦距增加1mm～10mm，激光镜头到硅片的距离可以相比激光镜头焦距减少1mm～10mm。优选地，激光镜头到硅片的距离可以与激光镜头焦距相同。其中，激光光速的功率可以为10W，激光光速的功率还可以为30W。优选地，激光光速的功率可以为30W。通过使用激光进行掺杂能够熔融硅片表面的磷硅玻璃，使磷硅玻璃中的磷扩散到发射极中，增加激光扫描区域掺杂浓度。
在一个实施例中，如图4所示，对硅片进行后续处理，包括：
步骤S151，去除硅片双面的磷硅玻璃。
在本实施例中，优选使用氢氟酸和氯化氢混合的水溶液去除硅片双面的磷硅玻璃。氢氟酸溶液的浓度在20％～40％之间，所需的时间为8min～15min。其中，氢氟酸溶液的浓度可以为20％，氢氟酸溶液的浓度还可以为40％，优选地，氢氟酸溶液的浓度具体可以为20％。去除硅片双面的磷硅玻璃所需的时间可以为8min，去除硅片双面的磷硅玻璃所需的时间还可以为15min。优选地，去除硅片双面的磷硅玻璃所需的时间具体可以为11min。
步骤S152，在去除了磷硅玻璃的硅片双面上依次沉积钝化膜、减反射膜。
在本实施例中，钝化膜为氧化铝膜或氧化硅膜，其中硅片的正表面采用ALD(Atomic Layer Deposition原子层沉积)氧化铝形成氧化铝钝化膜，硅片的背表面进行热氧化形成氧化硅钝化膜。然后，采用PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition等离子体增强化学的气相沉积法)在硅片正表面和背表面的钝化膜表面沉积氮化硅减反射膜。其中，硅片正表面和背表面减反射膜的厚度可以为75nm，硅片正表面和背表面减反射膜的厚度还可以为85nm。优选的，硅片正表面和背表面减反射膜的厚度可以为80nm。硅片正表面和背表面减反射膜的折射率可以为1.95，硅片正表面和背表面减反射膜的折射率还可以为2.10。优选地，硅片正表面减反射膜的折射率具体可以为1.95，硅片背表面减反射膜的折射率具体可以为2.10。
步骤S153，对沉积了钝化膜和减反射膜的硅片进行印刷以及烧结处理，以完成太阳能电池的制备。
在本实施例中，采用叠层分离印刷技术制备太阳能电池的正负极。其中，维持硅片正表面和背表面的栅线宽高比在75％～83％之间。栅线宽高比是指电池印刷过程中的金属栅线的宽度与高度的比率。在本实施例中，硅片正表面和背表面的栅线宽高比可以为75％，硅片正表面和背表面的栅线宽高比还可以为83％。优选地，硅片正表面的栅线宽高比具体可以为81％，硅片背表面的栅线宽高比具体可以为78％。维持一定范围的栅线宽高比，有助于光的吸收与电流的收集。烧结处理是指将印刷到硅片上的电极在高温下烧结成电池片，最终使电极和硅片本身形成欧姆接触，从而提高电池片的开路电压和填充因子，使电极的接触具有电阻特性，达到生产高转效率电池片目的的工艺。
以下通过一个具体的实施例进一步说明本发明：
在一个实施例中，如图5所示，太阳能电池的制备方法可以包括：
步骤S201，对硅片的双面依次进行清洗、抛光、碱制绒处理，以在硅片双面形成陷光织构。
需要说明的是，本实施例的太阳能电池的制备方法适用于N型单晶硅制作的太阳能电池。在本实施例中，硅片优选为N型单晶硅。在本实施例中，优选使用槽式一体机对硅片进行抛光、碱制绒处理，以去除硅片的机械损伤层，并在硅片表面形成可以提高太阳能电池性能的陷光织构。
步骤S202，对硅片的正表面进行硼扩散。
在本实施例中，只对硅片的正表面进行硼扩散。优选采用双片背靠背插片的方式完成硼扩散并形成PN结。采用双片背靠背插片的方式可以在完成扩散的同时提高太阳能电池的产能。
步骤S203，对硼扩散后的硅片进行边缘刻蚀处理，并去除硅片双面的硼硅玻璃。
在本实施例中，对硼扩散后的硅片表面边缘的磷硅玻璃进行腐蚀或剥离，从而避免PN结短路造成并联电阻降低。同时，去除硅片正表面和背表面的硼硅玻璃。
步骤S204，对预处理后的硅片背表面进行离子注入处理。
在本实施例中，离子注入的杂质离子为P离子，P离子的浓度为1×1015cm-2～3×1015cm-2。其中，P离子的浓度优选为2×1015cm-2。
步骤S205，对进行离子注入后的硅片背表面进行退火处理。
在本实施例中，退火的气体氛围为氧气氛围，氧气氛围中的氧气流量为0.1slm～30slm，退火温度为500℃～900℃，退火时间为2min～120min。其中，氧气流量优选为30slm，退火温度优选为750℃，退火所用时间优选为60min。在本实施例中，退火所需的温度相比于传统退火工艺所需要的温度降低很多，这使得硅片在完成掺杂的同时减少了表面热损伤以及由热过程造成的体内缺陷，同时，温度的降低使得硅片的体载流子复合和J02值都较低，提升了硅片的性能。退火后，表面掺杂浓度随掺杂深度变化曲线趋势如图6中的虚线所示。
步骤S206，对退火后的硅片背表面进行沉积磷源处理。
在本实施例中，沉积磷源的气体氛围为携带三氯氧磷的氮气氛围和氧气氛围，氮气氛围中的氮气的流量为100sccm～2000sccm，氧气氛围中的氧气的流量为100sccm～2000sccm，沉积磷源的温度为500℃～900℃，沉积磷源的时间为2min～60min。在本实施例中，沉积磷源的设备优选扩散炉。具体的，氮气的流量优选为1000sccm，氧气的流量优选为200sccm，沉积磷源的温度优选为750℃，沉积磷源的时间优选为10min。沉积磷源后，硅片表面生成一层磷硅玻璃，这层磷硅玻璃避免了磷原子的推进，控制掺杂水平并且保证了方阻的均匀性。
步骤S207，对进行沉积磷源后的硅片背表面进行激光掺杂，形成选择性发射极。
在本实施例中，使用激光器产生激光，激光器的激光镜头到硅片的距离为激光镜头焦距的±10mm范围内，激光光速的功率为10W～30W。具体的，激光光速的功率优选为30W。通过使用激光进行掺杂能够熔融硅片表面的磷硅玻璃，使磷硅玻璃中的磷扩散到发射极中，增加激光扫描区域掺杂浓度。激光掺杂后，表面掺杂浓度随掺杂深度变化曲线趋势如图6中的实线所示。由图6可见，经过沉积磷源和激光掺杂两个步骤的处理后，硅片中的P离子掺杂程度更为优越。
步骤S208，去除硅片双面的磷硅玻璃。
在本实施例中，优选使用氢氟酸和氯化氢混合的水溶液去除硅片双面的磷硅玻璃，氢氟酸溶液的浓度在20％～40％之间，所需的时间为8min～15min。具体的，氢氟酸溶液的浓度优选为20％，所需的时间优选为11min。
步骤S209，在去除了磷硅玻璃的硅片双面上依次沉积钝化膜、减反射膜。
在本实施例中，钝化膜为氧化铝膜或氧化硅膜，其中硅片的正表面采用ALD氧化铝形成氧化铝钝化膜，硅片的背表面进行热氧化形成氧化硅钝化膜。然后，采用PECVD在钝化膜表面沉积氮化硅减反射膜。其中，减反射膜的厚度为75nm～85nm，折射率在1.95～2.10之间。具体的，硅片正表面减反射膜的厚度优选为80nm，折射率优选为1.95。硅片背表面减反射膜的厚度优选为80nm，折射率优选为2.10。
步骤S210，对沉积了钝化膜和减反射膜的硅片进行印刷以及烧结处理，以完成太阳能电池的制备。
在本实施例中，采用叠层分离印刷技术制备太阳能电池的正负极，其中，维持硅片正表面和背表面的栅线宽高比在75％～83％之间。具体的，硅片正表面的栅线宽高比优选为81％，硅片背表面的栅线宽高比优选为78％。维持一定范围的栅线宽高比，有助于光的吸收与电流的收集。
通过本实施例中的方法制备的太阳能电池的良率可以达到97.5％。随机抽取一片通过本实施例中的方法制得的太阳能电池进行电性能测试，电池效率可以达到21.32％，通过本实施例制备的太阳能电池的电流电压关系曲线如图7所示。
通过上述方法制备的太阳能电池掺杂均匀，易于工艺自动化生产。同时，制备出的太阳能电池边缘绝缘电阻高，漏电流较小。并且，整个制备过程高温过程少，硅片表面热损伤小，太阳能电池体内缺陷少，体载流子复合低，所需能耗较低，有利于节约能源。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
对预处理后的硅片背表面进行离子注入处理；
对所述进行离子注入后的硅片背表面进行退火处理；
对所述退火后的硅片背表面进行沉积磷源处理；
对所述进行沉积磷源后的硅片背表面进行激光掺杂，形成选择性发射极；
对形成选择性发射极的硅片进行后续处理，以完成太阳能电池的制备。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述离子注入的杂质离子为P离子，所述P离子的浓度为1×1015cm-2～3×1015cm-2。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述退火的气体氛围为氧气氛围，所述氧气氛围中的氧气流量为0.1slm～30slm，所述退火的温度为500℃～900℃。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述沉积磷源的气体氛围为携带三氯氧磷的氮气氛围和氧气氛围，所述氮气氛围中的氮气流量为100sccm～2000sccm，所述氧气氛围中的氧气流量为100sccm～2000sccm。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对进行沉积磷源后的硅片进行激光掺杂，包括：使用激光器产生激光，所述激光器的激光镜头到硅片的距离为激光镜头焦距的±10mm范围内，所述激光光速的功率为10W～30W。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，还包括对所述硅片进行预处理。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对硅片进行预处理，包括：
对所述硅片的双面依次进行清洗、抛光、碱制绒处理，以在所述硅片双面形成陷光织构；
对所述硅片的正表面进行硼扩散；
对硼扩散后的硅片进行边缘刻蚀处理，并去除所述硅片双面的硼硅玻璃。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对形成选择性发射极的硅片进行后续处理，以完成太阳能电池的制备，包括：
去除所述硅片双面的磷硅玻璃；
在所述去除了磷硅玻璃的硅片双面上依次沉积钝化膜、减反射膜；
对所述沉积了钝化膜和减反射膜的硅片进行印刷以及烧结处理，以完成太阳能电池的制备。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硅片采用N型单晶硅。
10.根据权利要求8所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述钝化膜为氧化铝膜或氧化硅膜，所述减反射膜为氮化硅膜。
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