CN108258025B - 扇出结构及其制造方法、显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种扇出结构及其制造方法、显示面板，涉及显示技术领域。扇出结构包括用于连接驱动电路与显示区的多个扇出单元，其中：每个扇出单元包括扇出线，至少一部分扇出单元还包括与对应扇出线连接的电阻调节单元，所述电阻调节单元被配置为使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值。

Description

扇出结构及其制造方法、显示面板
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及扇出结构及其制造方法、显示面板。
背景技术
在AMOLED(Activematrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)等显示面板中，扇出线用于连接驱动电路和显示区。
一般情况下，连接显示区边缘位置的扇出线的长度较长，连接显示区中间位置的扇出线较短，这使得不同扇出线之间可能会存在较大的电阻差异，从而导致显示面板的不同位置显示不均。
发明内容
发明人注意到，相关技术采用延长较短扇出线长度的方式来降低不同扇出线之间的电阻差异，例如将较短扇出线布置为弯折的形状以延长扇出线的长度。但是，一方面，延长扇出线需要较大的空间，不利于窄边框的显示面板设计；另一方面，由于空间有限，不同扇出线之间的电阻差异仍会较大，不能满足高分辨率显示面板的要求。
基于上述问题，本公开实施例提供了一种扇出结构，一方面可以有效减小不同扇出单元的电阻差异，满足高分辨率显示面板的要求；另一方面还可以节约空间，有利于窄边框的显示面板设计。
根据本公开实施例的一方面，提供一种扇出结构，包括：用于连接驱动电路与显示区的多个扇出单元，其中：每个扇出单元包括扇出线，至少一部分扇出单元还包括与对应扇出线连接的电阻调节单元，所述电阻调节单元被配置为使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值。
在一些实施例中，所述电阻调节单元包括导电区域；所述至少一部分扇出单元还包括在所述导电区域上的绝缘层，所述绝缘层具有使得所述导电区域的一部分露出的开口；所述至少一部分扇出单元的扇出线包括在所述绝缘层上间隔开的第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述开口底部的第一导电区域，所述第二部分覆盖所述开口底部的第二导电区域。
在一些实施例中，所述开口包括第一过孔和第二过孔；所述第一部分覆盖所述第一过孔底部的导电区域，所述第二部分覆盖所述第二过孔底部的导电区域。
在一些实施例中，所述导电区域包括掺杂的多晶硅。
在一些实施例中，所述多个扇出单元包括扇出线的平均阻值最大的第一组扇出单元和除所述第一组扇出单元外的至少一个第二组扇出单元，所述至少一个第二组扇出单元中的每个扇出单元包括与对应扇出线连接的电阻调节单元。
在一些实施例中，每组扇出单元中任意两个扇出单元的扇出线之间的电阻差值小于第二阈值。
根据本公开实施例的另一方面，提供一种显示面板，包括上述任意一个实施例所述的扇出结构。
根据本公开实施例的另一方面，提供一种扇出结构的制造方法，包括：提供基底；以及在所述基底上形成用于连接驱动电路与显示区的多个扇出单元，其中，每个扇出单元包括扇出线，至少一部分扇出单元还包括与对应扇出线连接的电阻调节单元，所述电阻调节单元被配置为使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值。
在一些实施例中，所述在所述基底上形成多个扇出单元包括：在所述基底上形成多个导电区域；在每个导电区域上形成绝缘层，所述绝缘层具有使得对应导电区域的一部分露出的开口；在所述绝缘层上形成扇出线，所述扇出线包括间隔开的第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述开口底部的第一导电区域，所述第二部分覆盖所述开口底部的第二导电区域。
在一些实施例中，所述开口包括第一过孔和第二过孔；所述第一部分覆盖所述第一过孔底部的导电区域，所述第二部分覆盖所述第二过孔底部的导电区域。
在一些实施例中，所述导电区域包括掺杂的多晶硅。
在一些实施例中，在形成扇出线的步骤中，通过调整所述第一导电区域与所述第二导电区域的尺寸和位置，以使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值。
本公开实施例提供的扇出单元中，至少一部分扇出单元包括与扇出线连接的电阻调节单元，通过设置电阻调节单元可以有效减小不同扇出单元的电阻差异，从而改善显示不均的问题，能够满足高分辨率显示面板的要求。另外，扇出线可以采用简单的扇形布线，可以节约空间，有利于窄边框的显示面板设计。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征、方面及其优点将会变得清楚。
附图说明
附图构成本说明书的一部分，其描述了本公开的示例性实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理，在附图中：
图1是根据本公开一些实施例的扇出结构的俯视图；
图2A是根据本公开一些实现方式的扇出单元的俯视图；
图2B是沿着图2A所示B-B’截取的截面图；
图3A是根据本公开另一些实现方式的扇出单元的俯视图；
图3B是沿着图3A所示B-B’截取的截面图；
图4是根据本公开一些实施例的显示面板的结构示意图；
图5是根据本公开一些实施例的扇出结构的制造方法的流程示意图；
图6是根据本公开一些实施例的形成多个扇出单元的流程示意图；
图7A-图7C示出了本公开一些实施例的形成扇出单元的不同阶段的截面示意图。
应当明白，附图中所示出的各个部分的尺寸并不是按照实际的比例关系绘制的。此外，相同或类似的参考标号表示相同或类似的构件。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。本公开可以以许多不同的形式实现，不限于这里所述的实施例。提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
在本公开中，当描述到特定部件位于第一部件和第二部件之间时，在该特定部件与第一部件或第二部件之间可以存在居间部件，也可以不存在居间部件。当描述到特定部件连接其它部件时，该特定部件可以与所述其它部件直接连接而不具有居间部件，也可以不与所述其它部件直接连接而具有居间部件。
本公开使用的所有术语(包括技术术语或者科学术语)与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
图1是根据本公开一些实施例的扇出结构的结构示意图。如图1所示，该扇出结构可以包括用于连接驱动电路11与显示区12的多个扇出单元101。这里，驱动电路11可以是栅极驱动电路，也可以是源极驱动电路。应理解，显示区12也可以称为有源区。
每个扇出单元101包括扇出线111。至少一部分扇出单元101还包括与对应扇出线111连接的电阻调节单元121。不同的电阻调节单元121被配置为使得不同扇出单元101之间的电阻差值小于第一阈值。
例如，一部分扇出单元101可以包括与对应扇出线111连接的电阻调节单元121。又例如，全部的扇出单元101均可以包括与对应扇出线111连接的电阻调节单元121。
在一些实施例中，扇出线111可以包括第一部分1111和第二部分1112，第一部分1111用于连接驱动电路11和电阻调节单元121，第二部分1112用于连接电阻调节单元121和显示区12。
可以理解的是，不同扇出单元101之间的电阻差值越小越好，因此，不同的电阻调节单元121可以被配置为使得不同扇出单元101的电阻基本相同。
需要说明的是，第一阈值可以根据实际情况进行设置。例如，对于高分辨率的显示面板，不同扇出单元101之间的电阻差值应该尽可能小，因此，第一阈值可以设置为较小的第一值；对于低分辨率的显示面板，不同扇出单元101之间的电阻差值相对高分辨显示面板来说可以适当增大，因此，第一阈值可以设置为比第一值大的第二值。作为一个示例，第一阈值的范围例如可以是300-500Ω，例如350Ω、400Ω、450Ω等。
上述实施例中，至少一部分扇出单元包括与扇出线连接的电阻调节单元，通过设置电阻调节单元可以有效减小不同扇出单元的电阻差异，从而改善显示不均的问题，能够满足高分辨率显示面板的要求。另外，扇出线可以采用简单的扇形布线(如图1所示)，可以节约空间，有利于窄边框的显示面板设计。另外，由于可以节约空间，因此，在通过设置电阻调节单元来减小不同扇出单元的电阻差异的方式下，还可以增大扇出线的间距，以改善扇出线之间的短路问题。
在一些实施例中，多个扇出单元可以包括扇出线的平均阻值最大的第一组扇出单元和除第一组扇出单元外的至少一个第二组扇出单元。该至少一个第二组扇出单元中的每个扇出单元可以包括与对应扇出线连接的电阻调节单元，而第一组扇出单元可以不包括电阻调节单元。这里，第一组扇出单元包括至少一个扇出单元，第二组扇出单元包括至少一个扇出单元。
例如，第一组扇出单元可以仅包括一个扇出单元，该扇出单元的扇出线阻值最大；第二组扇出单元可以包括一个或多个扇出单元。也即，除扇出线阻值最大的扇出单元外的其他扇出单元均可以包括电阻调节单元。这种情况下，针对每个扇出单元，可以通过调整扇出线和电阻调节单元的连接方式来调整扇出单元的电阻。
又例如，第一组扇出单元可以包括多个扇出单元，第二组扇出单元也可以包括多个扇出单元，并且，每组扇出单元中任意两个扇出单元的扇出线之间的电阻差值小于第二阈值。这里，扇出线之间的电阻差值小于第二阈值也可以理解为扇出线之间的电阻差值满足预设需求。这种情况下，可以将同一第二组扇出单元中每个扇出单元的扇出线和电阻调节单元的连接方式设置为相同的连接方式。作为一个示例，第二阈值的范围例如可以是0-100Ω，例如30Ω、50Ω、80Ω等。
下面介绍具有电阻调节单元1112的扇出单元101(即上述的至少一部分扇出单元)的不同实现方式。
图2A是根据本公开一些实现方式的扇出单元的俯视图。图2B是沿着图2A所示B-B’截取的截面图。
参见图2A和图2B，扇出单元101可以包括在基底201之上的导电区域203(即，电阻调节单元)、在导电区域203上的绝缘层204、以及在绝缘层204上的扇出线111。作为一个示例，导电区域203可以是掺杂的多晶硅，例如，重掺杂的多晶硅。可选地，扇出单元101还可以包括基底201与导电区域203之间的缓冲层202。缓冲层202例如可以是交替的有机层和无机层组成的叠层。缓冲层202的设置可以起到防水、防氧化的作用。
这里，绝缘层204具有使得导电区域203的一部分露出的开口214。扇出线111包括在绝缘层204上间隔开的第一部分1111和第二部分1112，第一部分1111覆盖开口214底部的第一导电区域213，第二部分1112覆盖开口214底部的第二导电区域223。
第一导电区域213的尺寸决定了第一部分1111和导电区域203的接触面积，第二导电区域223的尺寸决定了第二部分1112和导电区域203的接触面积。第一导电区域213和第二导电区域223的位置决定了第一导电区域213和第二导电区域223之间的导电区域的大小。因此，可以通过调整第一导电区域213和第二导电区域223的尺寸、以及第一导电区域213和第二导电区域223的位置来调整对应扇出单元的电阻，从而使得不同扇出单元之间的电阻差值满足需求，例如基本相同。
图3A是根据本公开另一些实现方式的扇出单元的俯视图。图3B是沿着图3A所示B-B’截取的截面图。需要说明的是，下面仅重点介绍与图2A和图2B所示扇出单元的不同之处，其他相同或相似之处可以参照上面的描述。
参见图3A和图3B，扇出单元101的绝缘层204具有使得导电区域203的一部分露出的开口214。与图2A和图2B所示扇出单元相比，这里的开口214可以包括第一过孔2141和第二过孔2142。第一部分1111可以覆盖第一过孔2141底部的导电区域(对应第一导电区域213)，第二部分1112可以覆盖第二过孔2142底部的导电区域(对应第二导电区域223)。
上述实现方式中，可以通过调整第一过孔2141和第二过孔2142的尺寸、数量，以及第一过孔2141和第二过孔2142之间的距离来调整对应扇出单元的电阻，以使得不同扇出单元之间的电阻差值满足需求，例如基本相同。
另外，在图2A和图2B、以及图3A和图3B所示的扇出单元中，还可以通过调整导电区域的掺杂浓度来调整扇出单元的电阻。
图4是根据本公开一些实施例的显示面板的结构示意图。如图4所示，显示面板400可以包括上述任意一个实施例的扇出结构401。例如，显示面板400可以包括但不限于AMOLED显示面板、液晶显示面板等。
图5是根据本公开一些实施例的扇出结构的制造方法的流程示意图。
在步骤502，提供基底。基底可以是玻璃基底等。在一些实施例中，基底可以是柔性基底。
在步骤504，在基底上形成用于连接驱动电路与显示区的多个扇出单元。
这里，每个扇出单元包括扇出线，至少一部分扇出单元还包括与对应扇出线连接的电阻调节单元，电阻调节单元被配置为使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值。
上述实施例可以形成至少一部分扇出单元包括与扇出线连接的电阻调节单元的扇出结构，通过形成电阻调节单元可以有效减小不同扇出单元的电阻差异，从而改善显示不均的问题，能够满足高分辨率显示面板的要求。另外，扇出线可以采用简单的扇形布线，可以节约空间，有利于窄边框的显示面板设计。
图6是根据本公开一些实施例的形成多个扇出单元的流程示意图。图7A-图7C示出了本公开一些实施例的形成扇出单元的不同阶段的截面示意图。以下结合图6、图7A-图7C介绍扇出单元的一种示例性形成工艺。
首先，在步骤602，在基底201上形成多个导电区域203。
如图7A所示，导电区域203形成在基底201之上。可选地，可以先在基底201上形成缓冲层202，再在缓冲层202上形成导电区域203。缓冲层202例如可以是交替的有机层和无机层组成的叠层。缓冲层202的设置可以起到防水、防氧化的作用。
在一些实现方式中，在采用低温多晶硅(LTPS)工艺形成AMOLED的过程中需要沉积多晶硅，在沉积多晶硅时可以同时形成多个导电区域203。
接下来，在步骤604，在每个导电区域203上形成绝缘层204。
如图7B所示，绝缘层204具有使得对应导电区域203的一部分露出的开口214。在一些实现方式中，开口214可以包括第一过孔2141和第二过孔2142。第一过孔2141可以使得第一导电区域213露出，第二过孔2142可以使得第二导电区域223露出。
在一些实施例中，绝缘层204可以包括第一绝缘层和在第一绝缘层上的第二绝缘层，开口214可以贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，从而使得导电区域203的一部分露出。作为一个示例，绝缘层204可以是硅的氮化物或硅的氧化物等。
需要指出的是，上述步骤602形成的导电区域可以是掺杂的多晶硅，也可以是不掺杂的多晶硅，如果是不掺杂的多晶硅，则可以在步骤604形成绝缘层204的过程中对多晶硅进行掺杂。例如，可以在导电区域203上形成绝缘材料层(图中未示出)，然后执行掺杂工艺以对多晶硅进行掺杂，之后对绝缘材料层进行图案化以形成具有开口214的绝缘层214。
接下来，在步骤606，在绝缘层204上形成扇出线101。
如图7C所示，扇出线101可以包括间隔开的第一部分1111和第二部分1112。第一部分1111可以覆盖开口214底部的第一导电区域213，第二部分1112可以覆盖开口214底部的第二导电区域223。在开口214包括第一过孔2141和第二过孔2142的情况下，第一部分1111可以覆盖第一过孔2141底部的导电区域213(即第一导电区域213)，第二部分1112可以覆盖第二过孔2142底部的导电区域223(即第二导电区域223)。
在形成扇出线101的步骤中，可以通过调整第一导电区域213与第二导电区域223的尺寸和位置，以使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值。
另外，在形成扇出线101后，还可以在图7C所示结构上沉积平坦化层，例如有机材料等。
上述实施例中，在采用低温多晶硅(LTPS)工艺形成AMOLED的过程中可以同时形成多个扇出单元，无需增加掩模、额外工艺和成本。
至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。本公开的范围由所附权利要求来限定。

Claims (9)

1.一种扇出结构，包括：用于连接驱动电路与显示区的多个扇出单元，其中：
每个扇出单元包括扇出线，
至少一部分扇出单元还包括与对应扇出线连接的电阻调节单元，所述电阻调节单元被配置为使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值；
其中：
所述电阻调节单元包括导电区域；
所述至少一部分扇出单元还包括在所述导电区域上的绝缘层，所述绝缘层具有使得所述导电区域的一部分露出的开口；
所述至少一部分扇出单元的扇出线包括在所述绝缘层上间隔开的第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述开口底部的第一导电区域，所述第二部分覆盖所述开口底部的第二导电区域；
其中，所述第一导电区域和所述第二导电区域的尺寸和位置被配置为使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值。
2.根据权利要求1所述的扇出结构，其中，
所述开口包括第一过孔和第二过孔；
所述第一部分覆盖所述第一过孔底部的第一导电区域，所述第二部分覆盖所述第二过孔底部的第二导电区域。
3.根据权利要求1所述的扇出结构，其中，
所述导电区域包括掺杂的多晶硅。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的扇出结构，其中，
所述多个扇出单元包括扇出线的平均阻值最大的第一组扇出单元和除所述第一组扇出单元外的至少一个第二组扇出单元，所述至少一个第二组扇出单元中的每个扇出单元包括与对应扇出线连接的电阻调节单元。
5.根据权利要求4所述的扇出结构，其中，
每组扇出单元中任意两个扇出单元的扇出线之间的电阻差值小于第二阈值。
6.一种显示面板，包括如权利要求1-5任意一项所述的扇出结构。
7.一种扇出结构的制造方法，包括：
提供基底；以及
在所述基底上形成用于连接驱动电路与显示区的多个扇出单元，其中，每个扇出单元包括扇出线，至少一部分扇出单元还包括与对应扇出线连接的电阻调节单元，所述电阻调节单元被配置为使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值；
其中，所述在所述基底上形成多个扇出单元包括：
在所述基底上形成多个导电区域；
在每个导电区域上形成绝缘层，所述绝缘层具有使得对应导电区域的一部分露出的开口；
在所述绝缘层上形成扇出线，所述扇出线包括间隔开的第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述开口底部的第一导电区域，所述第二部分覆盖所述开口底部的第二导电区域；
其中，在形成扇出线的步骤中，通过调整所述第一导电区域与所述第二导电区域的尺寸和位置，以使得不同扇出单元之间的电阻差值小于第一阈值。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，
所述开口包括第一过孔和第二过孔；
所述第一部分覆盖所述第一过孔底部的第一导电区域，所述第二部分覆盖所述第二过孔底部的第二导电区域。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，
所述导电区域包括掺杂的多晶硅。
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