CN108241470A - 控制器及其操作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种控制器，其包括：计算单元，其适于计算包括在存储器系统的存储器装置的第一存储块组中的多个第一存储块中的每一个的第一标准值、第二标准值和有效页面比例；确定单元，其适于将具有等于或小于第一标准值的有效页面比例的第一存储块确定为复制候选块；以及处理器，其适于当复制候选块的有效页面比例等于或小于第二标准值时，控制存储器装置将复制候选块的数据复制到存储器装置中的第二存储块。

Description

控制器及其操作方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月27日提交的申请号为2016-0180378的韩国专利申请的优先权，其整体通过引用并入本文。
技术领域
本发明的各个实施例涉及一种控制器，并且更特别地，涉及一种控制器及其操作方法。
背景技术
计算机环境范例已经转变至可随时随地使用的普适计算系统。作为结果，诸如移动电话、数码相机和笔记本计算机的便携式电子装置的使用持续快速增长。这些便携式电子装置通常使用具有也被称为数据存储装置的一个或多个半导体存储器装置的存储器系统。数据存储装置可以用作便携式电子装置的主存储器装置或辅助存储器装置。
因为半导体存储器装置不具有移动部件，所以它们提供优良的稳定性、耐久性、高信息访问速度和低功耗。数据存储装置的示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡和固态驱动器(SSD)。
发明内容
各个实施例涉及一种能够增加热数据的使用频率和存储器系统的寿命的控制器及其操作方法。
根据本发明的实施例，控制器可以包括：计算单元，其适于计算包括在存储器系统的存储器装置的第一存储块组中的多个第一存储块中的每一个的第一标准值、第二标准值和有效页面比例；确定单元，其适于将具有等于或小于第一标准值的有效页面比例的第一存储块确定为复制候选块(copy candidate)；以及处理器，其适于当复制候选块的有效页面比例等于或小于第二标准值时，控制存储器装置将复制候选块的数据复制到存储器装置中的第二存储块。
优选地，第二存储块的存储器单元可以比各个第一存储块中的每一个的存储器单元存储更多的位。
优选地，第一存储块中的每一个可以是单层单元存储块，并且第二存储块是多层单元存储块或三层单元存储块。
优选地，可以根据各个第一存储块的第一老化值来增加第一存储块的第一标准值。
优选地，可以通过从第一存储块的封闭块索引中的一个最大值减去各个第一存储块的封闭块索引来获得各个第一存储块的第一老化值，并且各个第一存储块的封闭块索引可以是指各个第一存储块被编程之前被封闭的其他第一存储块的数量。
优选地，各个第一存储块的第一标准值和第一老化值可以具有由以下等式1表示的关系。
在等式1中，Cth可以是各个第一存储块的第一标准值，并且α、β和γ可以是预定加权值，并且A可以是各个第一存储块的第一老化值。
优选地，可以根据各个第一存储块的第二老化值来增加各个第一存储块的第二标准值。
优选地，可以通过从第一存储块的封闭块索引中的一个最大值减去各个第一存储块的复制索引来获得各个第一存储块的第二老化值，并且各个第一存储块的封闭块索引可以是指各个第一存储块被编程之前被封闭的其他第一存储块的数量，并且复制索引可以是指复制候选块被确定之前被封闭的第一存储块的数量。
优选地，各个第一存储块的第二标准值和第二老化值可以具有由以下等式2表示的关系。
在等式2中，Gth可以是各个第一存储块的第二标准值，并且δ、ε和ζ可以是预定加权值，并且B可以是各个第一存储块的第二老化值。
优选地，处理器可以将复制候选块的数据中的有效数据复制到第二存储块。
根据本发明的实施例，控制器的操作方法可以包括：计算用于包括在存储器装置的第一存储块组中的各个第一存储块的有效页面比例的第一标准值和第二标准值；在第一存储块组中将其有效页面比例等于或小于第一标准值的第一存储块确定为复制候选块；以及当复制候选块的有效页面比例等于或小于第二标准值时，控制存储器装置将复制候选块的数据复制到存储器装置中的第二存储块。
优选地，第二存储块的存储器单元可以比第一存储块中的每一个的存储器单元存储更多的位。
优选地，其中第一存储块中的每一个可以是单层单元存储块，并且第二存储块是多层单元存储块或三层单元存储块。
优选地，可以根据各个第一存储块的第一老化值来增加各个第一存储块的第一标准值。
优选地，可以通过从第一存储块的封闭块索引中的一个最大值减去各个第一存储块的封闭块索引来获得各个第一存储块的第一老化值，并且各个第一存储块的封闭块索引可以是指各个第一存储块被编程之前被封闭的其他第一存储块的数量。
优选地，各个第一存储块的第一标准值和第一老化值可以具有由以下等式1表示的关系。
在等式1中，Cth可以是第一存储块中的每一个的第一标准值，并且α、β和γ可以是预定加权值，并且A可以是各个第一存储块的第一老化值。
优选地，可以根据各个第一存储块的第二老化值来增加各个第一存储块的第二标准值。
优选地，可以通过从第一存储块的封闭块索引中的一个最大值减去各个第一存储块的复制索引来获得各个第一存储块的第二老化值，并且各个第一存储块的封闭块索引可以是指各个第一存储块被编程之前被封闭的其他第一存储块的数量，并且复制索引可以是复制候选块被确定之前被封闭的第一存储块的数量。
优选地，各个第一存储块的第二标准值和第二老化值可以具有由以下等式2表示的关系。
在等式2中，Gth可以是各个第一存储块的第二标准值，并且δ、ε和ζ可以是预定加权值，并且B可以是各个第一存储块的第二老化值。
附图说明
图1是说明包括根据实施例的存储器系统的数据处理系统的简图。
图2是说明根据本发明的实施例的存储器装置的简图。
图3是说明根据本发明的实施例的存储器装置中的存储块的电路图。
图4是示意性地说明根据本发明的实施例的图2所示的存储器装置的方面的简图。
图5是示意性地说明图1所示的存储器系统中的控制器和存储器装置的简图。
图6是说明根据本发明的实施例的存储器系统的操作的流程图。
图7至图10是示意性地说明根据图6所示的操作存储在存储器和存储器装置中的数据的简图。
图11至图19是示意性地说明包括根据本发明的实施例的存储器系统的数据处理系统的其它实施例的简图。
具体实施方式
以下将参照附图更详细地描述各个实施例。然而，本发明可以以不同的形式体现并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开是彻底和完整的。在整个公开中，相同的附图标记在整个本发明的各个附图和实施例中表示相同的部件。
附图不一定按比例绘制，在一些情况下，为了清楚地示出实施例的特征，可能已经夸大了比例。当元件被称为连接或联接到另一元件时，应当理解的是，前者可以直接地连接或联接到后者，或经由其间的中间元件电连接或电联接到后者。此外，当描述一个元件“包括”(或“包含”)或“具有”一些元件时，应当理解的是，如果不存在特定限制，则其可以包括(或包含)或具有其它元件以及那些元件。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
图1是说明包括根据实施例的存储器系统的数据处理系统的框图。
参照图1，数据处理系统100可以包括主机102和存储器系统110。
主机102可以包括例如诸如移动电话、MP3播放器和膝上型计算机的便携式电子装置或诸如台式计算机、游戏机、TV和投影仪等的电子装置。
主机102可包括一个或多个操作系统，并且操作系统可控制和管理主机102的操作和性能，并且在主机102和使用数据处理系统100或存储器系统110的用户之间提供交互操作。操作系统可以支持对应于使用目的的操作和性能。例如，根据主机的移动性，操作系统可以被分类为普通操作系统和移动操作系统。并且，根据用户的环境，普通操作系统可以被分类为个人操作系统和企业操作系统。例如，个人操作系统可以为普通用户提供服务并且包括windows和chrome等。企业操作系统可以是用于提供高品质的专用系统并且包括windows server、linux和unix等。并且移动操作系统可以是用于向用户提供系统省电功能和移动服务的专用系统并且包括android、iOS、windows mobile等。主机102可包括多个操作系统，并且执行操作系统以对存储器系统110执行对应于用户的请求的操作。
存储器系统110可以响应于来自主机102的请求而操作，并且特别地，存储待由主机102访问的数据。存储器系统可以用作主机102的主存储器系统或辅助存储器系统。根据主机接口的协议，存储器系统110可以利用可与主机102电联接的各种类型的存储装置中的任何一种来实施。合适的存储装置的示例包括：固态驱动器(SSD)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、尺寸减小的MMC(RS-MMC)和微型MMC、安全数字(SD)卡、迷你SD和微型SD、通用串行总线(USB)存储装置、通用闪速存储(UFS)装置、标准闪存(CF)卡、智能媒体(SM)卡、记忆棒等。
用于存储器系统110的存储装置可以利用诸如动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)的易失性存储器装置或诸如只读存储器(ROM)、掩膜ROM(MROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、相变RAM(PRAM)、磁阻式RAM(MRAM)和电阻式RAM(RRAM)。
存储器系统110可以包括：存储器装置150，其存储待由主机102访问的数据；以及控制器130，其可以控制存储器装置150中数据的存储。
控制器130和存储器装置150可以被集成到一个半导体装置中。例如，控制器130和存储器装置150可以被集成至诸如固态驱动器(SSD)的一个半导体装置中。当存储器系统110用作SSD时，电联接到存储器系统110的主机102的操作速度可以显著增加。
控制器130和存储器装置150可以被集成至一个半导体装置中并被配置为存储卡。控制器130和存储器装置150可以被集成至一个半导体器装置中并被配置为诸如以下的存储卡：个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡、标准闪存(CF)卡、智能媒体(SM)卡(SMC)、记忆棒、多媒体卡(MMC)、RS-MMC和微型MMC、安全数字(SD)卡、迷你SD、微型SD和SDHC、通用闪速存储(UFS)装置。
存储器系统110可被配置为以下的部分：计算机、超移动PC(UMPC)、工作站、上网本、个人数字助理(PDA)、便携式计算机、网络平板、平板电脑、无线电话、移动电话、智能电话、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、便携式游戏机、导航装置、黑盒、数码相机、数字多媒体广播(DMB)播放器、三维(3D)电视、智能电视、数字音频记录器、数字音频播放器、数字图片记录器、数字图片播放器、数字视频记录器、数字视频播放器、配置数据中心的存储器、能够在无线环境下传输和接收信息的装置、配置家庭网络的各种电子装置之一、配置计算机网络的各种电子装置之一、配置远程信息处理网络的各种电子装置之一、RFID装置或配置计算系统的各种组成元件之一。
存储器系统110的存储器装置150在电源被阻断时可以保留存储的数据，例如，存储器装置可以在写入操作期间存储从主机102提供的数据，并且在读取操作期间将存储的数据提供给主机102。存储器装置150可包括多个存储块152、154和156。存储块152、154和156中的每一个可以包括多个页面。页面中的每一个可以包括电联接到多个字线(WL)的多个存储器单元。存储器装置150可以是例如闪速存储器的非易失性存储器装置。闪速存储器可具有三维(3D)堆叠结构。存储器装置可以具有任何其它合适的结构。
控制器130可以控制存储器装置150的诸如读取操作、写入操作、编程操作和擦除操作的整体操作。例如，存储器系统110的控制器130可响应于来自主机102的请求控制存储器装置150。控制器130可将从存储器装置150读取的数据提供给主机102，和/或可将从主机102提供的数据存储到存储器装置150中。
控制器130可包括主机接口单元132、处理器134、错误校正码(ECC)单元138、电源管理单元140、NAND闪速控制器142以及存储器144。
主机接口单元132可处理从主机102提供的命令和数据，并可通过诸如以下的各种接口协议中的至少一种与主机102通信：通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、高速外围组件互连(PCI-E)、串列SCSI(SAS)、串行高级技术附件(SATA)、并行高级技术附件(PATA)、小型计算机系统接口(SCSI)、增强型小型磁盘接口(ESDI)以及电子集成驱动器(IDE)。
ECC单元138可检测并校正在读取操作期间从存储器装置150读取的数据中的错误。当错误位的数量大于或等于可校正错误位的阈值数量时，ECC单元138可以不校正错误位，并且可以输出指示校正错误位的失败的错误校正失败信号。
ECC单元138可基于诸如以下的编码调制执行错误校正：低密度奇偶校验(LDPC)码、博斯-查德胡里-霍昆格姆(Bose-Chaudhri-Hocquenghem，BCH)码、turbo码、里德-所罗门(Reed-Solomon，RS)码、卷积码、递归系统码(RSC)、网格编码调制(TCM)以及分组编码调制(BCM)等。ECC单元138可包括用于错误校正操作的所有电路、系统或装置。
PMU 140可以提供和管理控制器130的电源，即，包括在控制器130中的组成元件的电源。
NFC 142可用作控制器130和存储器装置150之间的存储器接口，以允许控制器130响应于来自主机102的请求来控制存储器装置150。当存储器装置150是闪速存储器时，并且特别地，当存储器装置150是NAND闪速存储器时，NFC 142可以在处理器134的控制下生成用于存储器件150的控制信号并处理数据。
存储器144可用作存储器系统110和控制器130的工作存储器，并且存储用于驱动存储器系统110和控制器130的数据。控制器130可响应于来自主机102的请求控制存储器装置150。例如，控制器130可将从存储器装置150读取的数据提供给主机102，并将从主机102提供的数据存储至存储器装置150中。当控制器130控制存储器装置150的操作时，存储器144可以存储由存储器控制器130和存储器装置150用于诸如读取操作、写入操作、编程操作和擦除操作的操作的数据。
存储器144可利用易失性存储器来实施。存储器144可利用静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)来实施。如上所述，存储器144可以存储由主机102和存储器装置150用于读取操作和写入操作的数据。为了存储数据，存储器144可以包括编程存储器、数据存储器、写入缓冲器、读取缓冲器、映射缓冲器等。
存储器144可以将用于存储块152至156的用户数据的元数据存储在元数据表中。例如，存储器144可以将各个存储块152至156的封闭块索引CBI和有效页面比例VPR、复制候选块确定值Cth、候选块索引CI和复制值Gth等存储在元数据表中。封闭块索引CBI可以表示直到特定存储块被封闭的时刻之前的封闭存储块的数量。有效页面比例VPR表示存储块中的页面中的有效页面的比例。复制候选块确定值Cth可以用于确定存储块是否是复制操作的目标。候选块索引CI表示直到特定存储块被确定为复制操作的目标的时刻之前的封闭存储块的数量。复制值Gth可以用于确定是否对目标执行复制操作。此处，复制操作可以是复制存储块的存储数据并将复制的数据存储到另一存储块中的操作。例如，可以在垃圾收集操作期间执行复制操作。
处理器134可以控制存储器系统110的一般操作，并且可以响应于来自主机102的写入请求或读取请求来控制存储器装置150的写入操作或读取操作。处理器134可以驱动被称为闪存转换层(FTL)的固件来控制存储器系统110的一般操作。处理器134可以利用微处理器或中央处理单元(CPU)来实施。
管理单元(未示出)可以被包括在处理器134中，并且可以执行存储器装置150的坏块管理。管理单元可以发现对于进一步使用处于不良状况的包括在存储器装置150中的坏存储块，并且对坏存储块执行坏块管理。但存储器装置150是例如NAND闪速存储器的闪速存储器时，由于NAND逻辑功能的特性，在写入操作期间，例如在编程操作期间可能发生编程失败。在坏块管理期间，编程失败的存储块或坏存储块的数据可以被编程到新存储块中。并且，由于编程故障导致的坏块会严重降低具有3D堆叠结构的存储器装置150的使用效率和存储器系统100的可靠性，因此需要可靠的坏块管理。
图2是说明图1所示的存储器装置150的示意图。
参照图2，存储器装置150可以包括例如第0块210至第(N-1)块240的多个存储块。多个存储块210至240中的每一个可以包括例如2M数量的页面(2M个页面)的多个页面。多个页面中的每一个可以包括多个存储器单元。多个字线可以电联接到存储器单元。
根据可以在每个存储器单元中存储或表示的位的数量，存储器装置150可以包括多个存储块作为单层单元(SLC)存储块和多层单元(MLC)存储块。SLC存储块可以包括由每一个能够存储1位数据的存储器单元实施的多个页面。MLC存储块可以包括由每一个能够存储例如两位或更多位数据的多位数据的存储器单元实施的多个页面。包括由能够存储3位数据的存储器单元实施的多个页面的MLC存储块也可以被限定为三层单元(TLC)存储块。
多个存储器装置210至240中的每一个可在写入操作期间存储从主机102提供的数据，并且可在读取操作期间将存储的数据提供给主机102。
图3是说明图1所示的多个存储块152至156中的一个的电路图。
参照图3，存储器装置150的存储块152可以包括分别电联接到位线BL0至BLm-1的多个单元串340。每列单元串340可包括至少一个漏极选择晶体管DST和至少一个源极选择晶体管SST。多个存储器单元或多个存储器单元晶体管MC0至MCn-1可以串联地电联接在选择晶体管DST和SST之间。各个存储器单元MC0至MCn-1可以由每个可以存储1位信息的单层单元(SLC)或由每个可以存储多位数据信息的多层单元(MLC)配置。串340可以分别电联接到相应的位线BL0至BLm-1。作为参考，在图3中，“DSL”表示漏极选择线，“SSL”表示源极选择线，并且“CSL”表示共源线。
虽然图3仅示出由NAND闪速存储器单元配置的存储块152，但是应当注意的是，根据实施例的存储器装置150的存储块152不限于NAND闪速存储器，并且可以由NOR闪速存储器、组合至少两种存储器单元的混合闪速存储器或其中控制器内置在存储器芯片中的1-NAND闪速存储器实现。半导体装置的操作特性不仅可应用于其中电荷存储层通过导电浮栅配置的闪速存储器装置而且可应用于其中电荷存储层通过介电层配置的电荷撷取闪存(CTF)
存储器装置150的电压供给块310可提供待根据操作模式被供给至各自字线的字线电压，例如编程电压、读取电压和通过电压，并且提供待被供应至体材料(bulk)，例如其中形成有存储器单元的阱区的电压。电压供给块310可在控制电路(未示出)的控制下执行电压产生操作。电压供给块310可产生多个可变读取电压以产生多个读取数据、在控制电路的控制下选择存储块或存储器单元阵列的扇区中的一个、选择被选择的存储块的字线中的一个并且将字线电压提供至选择的字线和未选择的字线。
存储器装置150的读取/写入电路320可以由控制电路控制，并且可以根据操作模式用作读出放大器或写入驱动器。在验证/正常读取操作期间，读取/写入电路320可用作读出放大器，其用于从存储器单元阵列读取数据。并且，在编程操作期间，读取/写入电路320可用作根据待被存储在存储器单元阵列中的数据驱动位线的写入驱动器。读取/写入电路320可以在编程操作期间从缓冲器(未示出)接收待写入存储器单元阵列的数据，并且可以根据输入的数据来驱动位线。例如，读取/写入电路320可以包括分别对应于列(或位线)或列对(或位线对)的多个页面缓冲器322、324和326，并且多个锁存器(未示出)可以被包括在页面缓冲器322、324和326中的每一个中。
图4是说明图1所示的存储器装置150的多个存储块152至156的示例的框图。
参照图4，存储器装置150可以包括多个存储块BLK0至BLKN-1，并且存储块BLK0至BLKN-1中的每一个可以被实现为三维(3D)结构或竖直结构。每个存储块BLK0至BLKN-1可以包括在例如x轴方向、y轴方向和z轴方向的第一方向至第三方向上延伸的结构。
各个存储块BLK0至BLKN-1可以包括在第二方向上延伸的多个NAND串NS。多个NAND串NS可以被设置在第一方向和/或第三方向上。每个NAND串NS可以电联接到位线BL、至少一个漏极选择线SSL、至少一个接地选择线GSL、多个字线WL、至少一个虚拟字线DWL和共源线CSL。各个存储块BLK0至BLKN-1可以电联接到多个位线BL、多个源极选择线SSL、多个接地选择线GSL、多个字线WL、多个虚拟字线DWL和多个共源线CSL。
如上所述，存储器系统110可以将包括在存储器装置150中的多个存储块152至156管理到单层单元存储块或多层单元存储块，并且在单层单元存储块或多层单元存储块中对从主机102提供的数据进行编程。并且，存储器系统110可将在单层存储块中编程的数据的一部分复制到多层存储块。在下文中，参照图5至图10，存储器系统110被描述成用于将在单层单元存储块中编程的数据的一部分复制到多层单元存储块。
图5是示意性地说明存储器系统的控制器130和存储器装置150的简图。
例如，如图5所示，存储器装置150可以包括包含第一存储块BLOCK0至BLOCK4的第一存储块组710和包含第二存储块BLOCK5的第二存储块组740，并且存储块BLOCK0至BLOCK5中的每一个可以具有8个页面。第一存储块BLOCK0至BLOCK4可以是单层单元存储块，并且第二存储块BLOCK5可以是多层单元存储块。图5的实施例中所示的第一组和第二组中的每一组中的存储块的数量以及块的每一个中的页面的数量仅仅是示例，并且可以根据设计选择而改变。例如，第二存储块组740可以包括多个第二存储块。并且，每个组的每个存储块的存储器单元中的存储器单元的类型可以根据设计而变化。例如，第二存储块可以是三层单元存储块或四层单元存储块。如上所述，第一存储块和第二存储块的位存储方法彼此不同，使得本发明可以提供单层单元的优点和多层单元的优点两者。
计算单元780可以计算包括在存储器系统110的存储器装置150的第一存储块组710中的多个第一存储块中的每一个的第一标准值、第二标准值和有效页面比例VPR。
确定单元790可以将具有等于或小于第一标准值的有效页面比例VPR的第一存储块确定为复制候选块。
处理器134可以将从主机102接收的数据编程到第一存储块组710或第二存储块组740中，并且将第一存储块组710的编程数据复制到第二存储块组740中。对于复制操作，处理器134可以将用于存储在第一存储块组710中的数据的元数据存储在控制器130的存储器144中的元数据表770中。元数据可以是用于确定处理器134可以将第一存储块组710的编程数据复制到第二存储块组740的时刻的数据。
存储器144可以将用于第一存储块BLOCK0至BLOCK4的元数据存储作为元数据表770。元数据表770可以存储用于第一存储块BLOCK0至BLOCK4中的每一个的封闭块索引CBI、有效页面比例VPR、复制候选块确定值Cth、候选块索引CI和复制值Gth。封闭块索引CBI表示直到相应的第一存储块被封闭的时刻之前被封闭的存储块的数量。例如，在第一时间处，当第一存储块BLOCK0被封闭时，第一存储块BLOCK0的封闭块索引CBI为‘0’。并且然后，当第一存储块BLOCK1被封闭时，第一存储块BLOCK1的封闭块索引CBI为‘1’。有效页面比例VPR表示包含在相应的第一存储块中的页面中存储有效数据的页面的比例。候选块确定值Cth可以是用于确定相应的第一存储块是否是复制候选块(即，如上限定的复制操作的目标)的标准值。候选块索引CI表示直到相应的第一存储块被确定为复制候选块的时刻之前被封闭的第一存储块的数量。复制值Gth可以是用于确定是否对被确定为复制候选块的相应的第一存储块执行复制操作的标准值。
处理器134可以使用以下等式1来计算第一存储块BLOCK0至BLOCK4中的每一个的复制候选块确定值Cth。处理器134可以将第一存储块BLOCK0至BLOCK4中的每一个的复制候选块确定值Cth存储在存储器144中。
[等式1]
在等式1中，Cth(i)表示第i个第一存储块的复制候选块确定值，并且α和β表示预定的权重，并且γ表示预定的校正值。A(i)表示第i个第一存储块的第一老化值。第i个第一存储块的第一老化值可以是通过从封闭块索引CBI中的最大封闭块索引CBI减去第i个第一存储块的封闭块索引CBI而获得的值。
在下文中，假设α、β和γ分别是0.25、1和1。
处理器134可以使用以下等式2来计算用于第一存储块BLOCK0至BLOCK4中的每一个的复制值Gth。处理器134可以存储第一存储块BLOCK0至BLOCK4中的每一个的复制值Gth。
[等式2]
在等式2中，Gth(i)表示第i个第一存储块的复制值，并且δ和ε表示预定的权重，并且ζ表示预定的校正值。B(i)可以是第i个第一存储块的第二老化值。可以通过从封闭块索引CBI中的最大封闭块索引CBI减去第i个第一存储块的候选块索引CI获得第i个第一存储块的第二老化值。
在下文中，假设δ、ε和ζ分别是0.30、1和1。
参照等式1和等式2，随着最大封闭块索引CBI的增加，第i个第一存储块的复制候选块确定值Cth和复制值Gth可以增加。
处理器134可以将第一存储块确定为复制候选块，该第一存储块的有效页面比例VPR等于或小于第一存储块组710中的复制候选块确定值Cth。
图6是说明根据本发明的实施例的存储器系统110的操作的流程图。
如图6所示，在步骤S510中，存储器系统110可以对第一存储块BLOCK0至BLOCK4中的每一个执行复制候选确定操作。在步骤S520中，存储器系统110可以对第一存储块BLOCK0至BLOCK4中的复制候选块中的每一个执行复制操作。步骤S510可以包括多个步骤S511至S514，并且步骤S520可以包括多个步骤S521至S524。
首先，在步骤S511中，处理器134可以将第一存储块BLOCK0至BLOCK4中的一个封闭存储块的封闭块索引CBI、有效页面比例VPR和复制候选确定值Cth写入元数据表770中。封闭的第一存储块是完全被编程的第一存储块。在步骤S512中，处理器134可将复制候选块确定值Cth与封闭的第一存储块的有效页面比例VPR进行比较。
在步骤S513中，当封闭的第一存储块的有效页面比例VPR等于或小于复制候选块确定值Cth时，处理器134可以将封闭的第一存储块确定为复制候选块。
在步骤S514中，当封闭的第一存储块的有效页面比例VPR大于复制候选块确定值Cth时，处理器134可以更新元数据，即封闭的第一存储块的有效页面比例VPR和复制候选块确定值Cth。当封闭的第一存储块的有效页面比例VPR改变或最大封闭块索引CBI增加时，处理器134可以对封闭的第一存储块执行更新操作。
在步骤S521中，在步骤S513之后，处理器134可以将封闭的第一存储块的候选索引CI、有效页面比例VPR和复制值Gth写入元数据表770中。
在步骤S522中，处理器134可以将复制值Gth与被确定为复制候选块的封闭的第一存储块的有效页面比例VPR进行比较。
在步骤S523中，当有效页面比例VPR等于或小于复制值Gth时，处理器134可以将存储在复制候选块中的有效数据复制到包括在第二存储块组740中的第二存储块。
在步骤S524中，当有效页面比例VPR大于复制候选块的复制值Gth时，处理器134可以更新元数据，即封闭的第一存储块的有效页面比例VPR和复制值Gth。当复制候选块的有效页面比例VPR改变或最大封闭块索引CBI增加时，处理器134可以对被确定为复制候选块的封闭的第一存储块执行更新操作。
以下将参照图7至图10描述随时间流逝的步骤S510至步骤S520。
图7至图10是示意性地说明根据图6所示的操作存储在存储器144和存储器装置150中的数据的简图。
图7示出在处理器134将对应于第0至第7逻辑地址的逻辑地址数据LBA0至LBA7编程到第一存储块组710的第一存储块BLOCK0之后第一存储块BLOCK0被封闭的示例性状况。
图7例示了首先被编程和封闭的第一存储块BLOCK0。由于封闭的第一存储器块BLOCK0，处理器134可以在存储器144的元数据表770中写入或更新封闭的第一存储块BLOCK0的元数据。
并且，参照图7，由于封闭的第一存储块BLOCK0的有效页面比例VPR(示例性地具有值‘1’)超过其复制候选块确定值Cth(示例性地具有值‘0.25’)，处理器134可以对封闭的第一存储块BLOCK0执行步骤S514而不是步骤S513。因此，如图7所例示，封闭的第一存储块BLOCK0的元数据(即，候选块索引CI和复制值Gth)可以不按照步骤S513和后续步骤被写入或更新在封闭的第一存储块BLOCK0的元数据表770中。
图8示出在处理器134将对应于第7至第14逻辑地址的第7至第14逻辑地址数据LBA7至LBA14编程到第一存储块组710的第一存储块BLOCK1之后第一存储块BLOCK1被封闭，并且然后在处理器134将对应于第0至第2和第11至第15逻辑地址的第0至第2和第11至第15逻辑地址数据LBA0至LBA2和LBA11至LBA15编程到第一存储块组710的第一存储块BLOCK2之后第一存储块BLOCK2被封闭的示例性状况。
图8示出在完成参照图7所述的第一存储块BLOCK0的步骤S510和S520之后顺序地编程和封闭的第一存储块BLOCK1和BLOCK2。由于封闭的第一存储块BLOCK1和BLOCK2，处理器144可以在存储器144的元数据表770中写入或更新封闭的第一存储块BLOCK0至BLOCK2中的每一个的封闭块索引CBI、有效页面比例VPR和复制候选块确定值Cth。
由于第一存储块BLOCK2的有效页面比例VPR(示例性地具有值‘1’)超过其复制候选块确定值Cth(示例性地具有值‘0.25’)，处理器134可以对封闭的第一存储块BLOCK2执行步骤S514而不是步骤S513。因此，如图8所例示的，封闭的第一存储块BLOCK2的元数据(即，候选块索引CI和复制值Gth)可以不按照步骤S513和后续步骤被写入或更新在封闭的第一存储块BLOCK2的元数据表770中。
然而，由于各个封闭的第一存储块BLOCK0和BLOCK1的有效页面比例VPR(示例性地具有值‘0.5’和‘0.5’)分别等于或小于其复制候选块确定值Cth(示例性地具有值‘0.75’和‘0.5’)，处理器134可以对第一存储块BLOCK0和BLOCK1执行步骤S513。因此，如图8所例示的，可以在第一存储块BLOCK0和BLOCK1的元数据表770中写入或更新候选块索引CI和复制值Gth。
并且，由于各个第一存储块BLOCK0和BLOCK1的有效页面比例VPR(示例性地具有值‘0.5’和‘0.5’)超过复制值Gth(示例性地具有值‘0.3’和‘0.3’)，处理器134可以对第一存储块BLOCK0和BLOCK1执行步骤S524而不是步骤S523。因此，如图8所例示的，存储在第一存储块BLOCK0和BLOCK1中的有效数据可以不被复制到第二存储块BLOCK5中。
图9示出在处理器134将对应于第16至第23逻辑地址的第16至第23逻辑地址数据LBA16至LBA23编程到第一存储块组710的第一存储块BLOCK3之后第一存储块BLOCK3被封闭，并且然后在处理器134将对应于第24至第31逻辑地址的第24至第31逻辑地址数据LBA24至31编程到第一存储块组710的第一存储块BLOCK4之后第一存储块BLOCK4被封闭的示例性状况。
图9示出在完成参照图8所述的第一存储块BLOCK1和BLOCK2的步骤S510和S520之后顺序地编程和封闭的第一存储块BLOCK3和BLOCK4。由于封闭的第一存储块BLOCK3和BLOCK4，处理器134可以在存储器144的元数据表770中写入或更新封闭的第一存储块BLOCK0至BLOCK4中的每一个的封闭块索引CBI、有效页面比例VPR和复制候选块确定值Cth。
由于各个第一存储块BLOCK2至BLOCK4的有效页面比例VPR(示例性地具有值‘1’、‘1’和‘1’)超过其复制候选块确定值Cth(示例性地具有值‘0.75’、‘0.5’和‘0.25’)，因此处理器134可以对各个第一存储块BLOCK2至BLOCK4执行步骤S514而不是步骤S513。因此，如图9所例示，封闭的第一存储块BLOCK2至BLOCK4的元数据(即，候选块索引CI和复制值Gth)可以不按照步骤S513和后续步骤被写入或更新在封闭的第一存储块BLOCK2至BLOCK4的元数据表770中。
并且，由于各个第一存储块BLOCK0和BLOCK1的有效页面比例VPR(示例性地具有值‘0.5’和‘0.5’)分别等于或小于其复制值Gth(示例性地具有值‘0.6’和‘0.6’)，所以处理器134可以对第一存储块BLOCK0和BLOCK1执行步骤S524。因此，有效数据，即存储在第一存储块BLOCK0至BLOCK1中的第3至第10逻辑地址数据LBA3至LBA10可以被复制到第二存储快组740的第二存储块BLOCK5中。第二存储块BLOCK5可以是能够比第一存储块BLOCK0至BLOCK4存储多两倍或更多数据的多层单元存储块。因此，如图9所例示的，第二存储块BLOCK5可以比第一存储块BLOCKL0至BLOCK4存储多两倍的数据。并且，当在对第3至第10逻辑地址数据LBA3至LBA10的复制操作之后封闭第二存储块5时，第二存储块BLOCK5的封闭块索引CBI可以具有值“5”，并且因此第一存储块BLOCK0至BLOCK4的元数据可以被更新。
图10示出在处理器134擦除第一存储块BLOCK0和BLOCK1，并且然后将对应于第0至第2和第32至第36逻辑地址的第0至第2和第32至36地址数据LBA0至LBA2和LBA32至LBA36编程到第一存储块组710的第一存储块BLOCK0之后第一存储块BLOCK0被封闭的示例性状况。
图10示出编程和封闭的第一存储块BLOCK0。由于封闭的第一存储块BLOCK0，处理器134可以在存储器144的元数据表770中写入或更新各个第一存储块BLOCK0和BLOCK2至BLOCK4中的封闭块索引CBI、有效页面比例VPR和复制候选块确定值Cth。
如图10所例示的，第一存储块BLOCK0封闭之前，封闭的存储块的数量是6(即，第一存储块BLOCK0至BLOCK4和第二存储块BLOCK5)，因此封闭的第一存储块BLOCK0的封闭块索引CBI可以具有值“6”。
由于第一存储块BLOCK0和BLOCK4的有效页面比例VPR(示例性地具有值‘1’和‘1’)超过其复制候选块确定值Cth(示例性地具有值‘0.25’和‘0.75’)，处理器134可以对第一存储块BLOCK0和BLOCK4执行步骤S514而不是步骤S513。
由于第一存储块BLOCK2和BLOCK3的有效页面比例VPR(示例性地具有值‘0.625’和‘1’)分别低于其复制候选块确定值Cth(示例性地具有值‘1’和‘1’)，处理器134可以对第一存储块BLOCK2和BLOCK3执行步骤S513和后续步骤(即，步骤S520)。因此，各个第一存储块BLOCK2和BLOCK3的候选块索引CI和复制值Gth可以被写入或更新。
如参照图5至图10所描述的，根据本发明的实施例，在选择第一存储块作为复制操作的候选块之后，处理器134可以将存储在选择的第一存储块中的有效数据复制到第二存储块中。因此，对第二存储块的编程操作的数量可以减少，因此第二存储块的寿命可以增加。
进一步地，通过选择第一存储块作为复制操作的候选块，一旦被编程，第一存储块可以不被选择作为复制操作的目标。即，存储热数据的第一存储块可以不被选择作为复制操作的目标。因此，热数据可以相对较长地被存储在第一存储块中，因此存储热数据的第一存储块的使用频率可以增加。因此，作为单层单元SLC块的第一存储块可以提供用于热数据的快速的编程速度，并且作为多层单元MLC或三层单元TLC块的第二存储块的寿命可以通过将热数据存储在作为单层单元SLC块的第一存储块中而比现有技术延长。
在上述实施例中，处理器执行步骤S510和S520。然而，注意的是，这仅仅是本发明的示例。在其它实施例中，各个步骤S510和S520可以由除处理器134之外的专用电路或装置执行。例如，第一存储块BLOCK0至BLOCK4中的每一个的复制候选块确定值Cth和复制值Gth可以由计算单元计算，并且确定复制候选块的操作可以由确定单元执行。
图11至图19是示意性示出图1的数据处理系统的应用示例的图。
图11是示意性说明包括根据本实施例的存储器系统的数据处理系统的另一示例的简图。图11示意性说明了应用根据本发明的实施例的存储器系统的存储卡。
参照图11，存储卡6100可包括存储器控制器6120、存储器装置6130和连接器6110。
更具体地，存储器控制器6120可被连接至通过非易失性存储器实施的存储器装置6130，并被配置成访问存储器装置6130。例如，存储器控制器6120可被配置成控制存储器装置6130的读取操作、写入操作、擦除操作和后台操作。存储器控制器6120可被配置成提供存储器装置6130和主机之间的接口并驱动固件以控制存储器装置6130。也就是说，存储器控制器6120可对应于参照图1描述的存储器系统110的控制器130，并且存储器装置6130可对应于参照图1描述的存储器系统110的存储器装置150。
因此，存储器控制器6120可包括RAM、处理单元、主机接口、存储器接口和错误校正单元。
存储器控制器6120可通过连接器6110与例如图1的主机102的外部装置通信。例如，如参照图1所述，存储器控制器6120可被配置成通过诸如以下的各种通信协议中的一种或多种与外部装置通信：通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、外围组件互连(PCI)、高速PCI(PCIe)、高级技术附件(ATA)、串行ATA、并行ATA、小型计算机系统接口(SCSI)、增强型小型磁盘接口(EDSI)、电子集成驱动器(IDE)、火线、通用闪存(UFS)、WIFI以及蓝牙。因此，根据本实施例的存储器系统和数据处理系统可应用于有线/无线电子装置，或者特别是移动电子装置。
存储器装置6130可通过非易失性存储器来实施。例如，存储器装置6130可通过诸如以下的各种非易失性存储器装置来实施：可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、NAND闪速存储器、NOR闪速存储器、相变RAM(PRAM)、电阻式RAM(ReRAM)、铁电RAM(FRAM)以及自旋转移力矩磁性RAM(STT-MRAM)。
存储器控制器6120和存储器装置6130可被集成至单个半导体装置中。例如，存储器控制器6120和存储器装置6130可通过集成至单个半导体装置中构成固态驱动器(SSD)。存储卡6100可以是PC卡(PCMCIA：个人计算机存储卡国际协会)、标准闪存(CF)卡、智能媒体卡(例如，SM和SMC)、记忆棒、多媒体卡(例如，MMC、RS-MMC、微型MMC和eMMC)、SD卡(例如，SD、迷你SD、微型SD和SDHC)以及通用闪存(UFS)。
图12是示意性说明包括根据本实施例的存储器系统的数据处理系统的另一示例的简图。
参照图12，数据处理系统6200可包括具有一个或多个非易失性存储器的存储器装置6230和用于控制存储器装置6230的存储器控制器6220。图12所示的数据处理系统6200可作为如参照图1所描述的诸如存储卡(CF、SD、微型SD等)或USB装置的存储介质。存储器装置6230可对应于图1所示的存储器系统110中的存储器装置150，并且存储器控制器6220可对应于图1所示的存储器系统110中的控制器130。
存储器控制器6220可响应于主机6210的请求控制对存储器装置6230的读取操作、写入操作或擦除操作，并且存储器控制器6220可包括一个或多个CPU 6221、诸如RAM 6222的缓冲存储器、ECC电路6223、主机接口6224以及诸如NVM接口6225的存储器接口。
CPU 6221可控制对存储器装置6230的全部操作，例如读取操作、写入操作、文件系统管理操作和坏页面管理操作。RAM 6222可根据CPU 6221的控制来操作且用作工作存储器、缓冲存储器或高速缓冲存储器。当RAM 6222用作工作存储器时，通过CPU 6221处理的数据可被临时存储在RAM 6222中。当RAM 6222用作缓冲存储器时，RAM 6222可用于缓冲从主机6210传输到存储器装置6230的数据或从存储器装置6230传输到主机6210的数据。当RAM6222用作高速缓冲存储器时，RAM 6222可辅助低速存储器装置6230以高速运行。
ECC电路6223可对应于图1所示的控制器130的ECC单元138。如参照图1所述，ECC电路6223可生成用于校正从存储器装置6230提供的数据的失效位或错误位的ECC(错误校正码)。ECC电路6223可对提供给存储器装置6230的数据执行错误校正编码，从而形成具有奇偶校验位的数据。奇偶校验位可被存储在存储器装置6230中。ECC电路6223可对从存储器装置6230输出的数据执行错误校正解码。此时，ECC电路6223可使用奇偶校验位来校正错误。例如，如参照图1所述，ECC电路6223可使用LDPC码、BCH码、turbo码、里德-所罗门码、卷积码、RSC或诸如TCM或BCM的编码调制来校正错误。
存储器控制器6220可通过主机接口6224向主机6210传输数据/接收来自主机6210的数据，并通过NVM接口6225向存储器装置6230传输数据/接收来自存储器装置6230的数据。主机接口6224可通过PATA总线、SATA总线、SCSI、USB、PCIe或NAND接口连接至主机6210。存储器控制器6220可利用诸如WiFi或长期演进(LTE)的移动通信协议具有无线通信功能。存储器控制器6220可连接至外部装置，例如主机6210或另一个外部装置，然后向外部装置传输数据/接收来自外部装置的数据。特别地，由于存储器控制器6220被配置成通过各种通信协议中的一种或多种与外部装置通信，因此根据本实施例的存储器系统和数据处理系统可被应用于有线/无线电子装置或特别是移动电子装置。
图13是示意性说明包括根据本实施例的存储器系统的数据处理系统的另一示例的简图。图13示意性示出应用根据本实施例的存储器系统的SSD。
参照图13，SSD 6300可包括控制器6320和包括多个非易失性存储器的存储器装置6340。控制器6320可对应于图1的存储器系统110中的控制器130，并且存储器装置6340可对应于图1的存储器系统中的存储器装置150。
更具体地，控制器6320可通过多个通道CH1至CHi连接至存储器装置6340。控制器6320可包括一个或多个处理器6321、缓冲存储器6325、ECC电路6322、主机接口6324以及诸如非易失性存储器接口6326的存储器接口。
缓冲存储器6325可临时存储从主机6310提供的数据或从包括在存储器装置6340中的多个闪速存储器NVM提供的数据，或者临时存储多个闪速存储器NVM的元数据，例如，包括映射表的映射数据。缓冲存储器6325可通过诸如DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、LPDDR SDRAM和GRAM的易失性存储器或诸如FRAM、ReRAM、STT-MRAM和PRAM的非易失性存储器来实施。为便于描述，图13说明缓冲存储器6325存在于控制器6320中。然而，缓冲存储器6325可存在于控制器6320的外部。
ECC电路6322可在编程操作期间计算待被编程到存储器装置6340的数据的ECC值，在读取操作期间基于ECC值对从存储器装置6340读取的数据执行错误校正操作，并在失效数据恢复操作期间对从存储器装置6340恢复的数据执行错误校正操作。
主机接口6324可提供与诸如主机6310的外部装置的接口功能，并且非易失性存储器接口6326可提供与通过多个通道连接的存储器装置6340的接口功能。
此外，可提供应用了图1的存储器系统110的多个SSD 6300来实施数据处理系统，例如，RAID(独立磁盘冗余阵列)系统。此时，RAID系统可包括多个SSD 6300和用于控制多个SSD 6300的RAID控制器。当RAID控制器响应于从主机6310提供的写入命令执行编程操作时，RAID控制器可根据多个RAID级别，即，从主机6310提供的写入命令的RAID级别信息，在SSD 6300中选择一个或多个存储器系统或SSD 6300，并将对应于写入命令的数据输出到选择的SSD 6300。此外，当RAID控制器响应于从主机6310提供的读取命令执行读取操作时，RAID控制器可根据多个RAID级别，即，从主机6310提供的读取命令的RAID级别信息，在SSD6300中选择一个或多个存储器系统或SSD 6300，并将从所选择的SSD 6300读取的数据提供给主机6310。
图14是示意性说明包括根据本实施例的存储器系统的数据处理系统的另一示例的简图。图14示意性说明应用了根据本实施例的存储器系统的嵌入式多媒体卡(eMMC)。
参照图14，eMMC 6400可包括控制器6430和通过一个或多个NAND闪速存储器实施的存储器装置6440。控制器6430可对应于图1的存储器系统110中的控制器130，并且存储器装置6440可对应于图1的存储器系统110中的存储器装置150。
更具体地，控制器6430可通过多个通道连接至存储器装置6440。控制器6430可包括一个或多个内核6432、主机接口6431和诸如NAND接口6433的存储器接口。
内核6432可控制eMMC 6400的全部操作，主机接口6431可提供控制器6430和主机6410之间的接口功能，并且NAND接口6433可提供存储器装置6440和控制器6430之间的接口功能。例如，主机接口6431可用作并行接口，例如参照图1所描述的MMC接口。此外，主机接口6431可用作串行接口，例如UHS((超高速)-I/UHS-II)接口。
图15至图18是示意性说明包括根据本实施例的存储器系统的数据处理系统的其它示例的简图。图15至图18示意性说明应用根据本实施例的存储器系统的UFS(通用闪存)系统。
参照图15至图18，UFS系统6500、6600、6700和6800可分别包括主机6510、6610、6710和6810，UFS装置6520、6620、6720和6820以及UFS卡6530、6630、6730和6830。主机6510、6610、6710和6810可用作有线/无线电子装置或特别是移动电子装置的应用处理器，UFS装置6520、6620、6720和6820可用作嵌入式UFS装置，并且UFS卡6530、6630、6730和6830可用作外部嵌入式UFS装置或可移除UFS卡。
各个UFS系统6500、6600、6700和6800中的主机6510、6610、6710和6810，UFS装置6520、6620、6720和6820以及UFS卡6530、6630、6730和6830可通过UFS协议与诸如有线/无线电子装置或特别是移动电子装置的外部装置通信，并且UFS装置6520、6620、6720和6820以及UFS卡6530、6630、6730和6830可通过图1所示的存储器系统110来实施。例如，在UFS系统6500、6600、6700和6800中，UFS装置6520、6620、6720和6820可以参照图12至图14描述的数据处理系统6200、SSD 6300或eMMC 6400的形式来实施，并且UFS卡6530、6630、6730和6830可以参照图11描述的存储卡系统6100的形式来实施。
此外，在UFS系统6500、6600、6700和6800中，主机6510、6610、6710和6810，UFS装置6520、6620、6720和6820以及UFS卡6530、6630、6730和6830可通过UFS接口，例如，MIPI(移动行业处理器接口)中的MIPI M-PHY和MIPI UniPro(统一协议)彼此通信。此外，UFS装置6520、6620、6720和6820与UFS卡6530、6630、6730和6830可通过除UFS协议以外的各种协议，例如，UFD、MMC、SD、迷你SD和微型SD彼此通信。
在图15所示的UFS系统6500中，主机6510、UFS装置6520以及UFS卡6530中的每一个可包括UniPro。主机6510可执行交换操作，以便与UFS装置6520和UFS卡6530通信。特别地，主机6510可通过例如UniPro处的L3交换的链路层交换与UFS装置6520或UFS卡6530通信。此时，UFS装置6520和UFS卡6530可通过主机6510的UniPro处的链路层交换来彼此通信。在本实施例中，为便于描述，已经例示了其中一个UFS装置6520和一个UFS卡6530连接至主机6510的配置。然而，多个UFS装置和UFS卡可并联或以星型形式连接至主机6510，并且多个UFS卡可并联或以星型形式连接至UFS装置6520，或者串联或以链型形式连接至UFS装置6520。
在图16所示的UFS系统6600中，主机6610、UFS装置6620和UFS卡6630中的每一个可包括UniPro，并且主机6610可通过执行交换操作的交换模块6640，例如，通过在UniPro处执行链路层交换例如L3交换的交换模块6640，与UFS装置6620或UFS卡6630通信。UFS装置6620和UFS卡6630可通过UniPro处的交换模块6640的链路层交换来彼此通信。在本实施例中，为便于描述，已经例示了其中一个UFS装置6620和一个UFS卡6630连接至交换模块6640的配置。然而，多个UFS装置和UFS卡可并联或以星型形式连接至交换模块6640，并且多个UFS卡可串联或以链型形式连接至UFS装置6620。
在图17所示的UFS系统6700中，主机6710、UFS装置6720和UFS卡6730中的每一个可包括UniPro，并且主机6710可通过执行交换操作的交换模块6740，例如通过在UniPro处执行链路层交换例如L3交换的交换模块6740，与UFS装置6720或UFS卡6730通信。此时，UFS装置6720和UFS卡6730可通过UniPro处的交换模块6740的链路层交换来彼此通信，并且交换模块6740可在UFS装置6720内部或外部与UFS装置6720集成为一个模块。在本实施例中，为便于描述，已经例示了其中一个UFS装置6720和一个UFS卡6730连接至交换模块6740的配置。然而，每个都包括交换模块6740和UFS装置6720的多个模块可并联或以星型形式连接至主机6710，或者串联或以链型形式彼此连接。此外，多个UFS卡可并联或以星型形式连接至UFS装置6720。
在图18所示的UFS系统6800中，主机6810、UFS装置6820和UFS卡6830中的每一个可包括M-PHY和UniPro。UFS装置6820可执行交换操作，以便与主机6810和UFS卡6830通信。特别地，UFS装置6820可通过用于与主机6810通信的M-PHY和UniPro模块和用于与UFS卡6830通信的M-PHY和UniPro模块之间的交换操作，例如通过目标ID(标识符)交换操作，来与主机6810或UFS卡6830通信。此时，主机6810和UFS卡6830可通过UFS装置6820的M-PHY和UniPro模块之间的目标ID交换来彼此通信。在本实施例中，为便于描述，已经例示了其中一个UFS装置6820连接至主机6810且一个UFS卡6830连接至UFS装置6820的配置。然而，多个UFS装置可并联或以星型形式连接至主机6810，或串联或以链型形式连接至主机6810，并且多个UFS卡可并联或以星型形式连接至UFS装置6820，或串联或以链型形式连接至UFS装置6820。
图19是示意性说明包括根据实施例的存储器系统的数据处理系统的另一示例的简图。图19是示意性说明应用了根据本实施例的存储器系统的用户系统的简图。
参照图19，用户系统6900可包括应用处理器6930、存储器模块6920、网络模块6940、存储模块6950和用户接口6910。
更具体地，应用处理器6930可驱动包括在诸如OS的用户系统6900中的组件，并且包括控制包括在用户系统6900中的组件的控制器、接口和图形引擎。应用处理器6930可作为片上系统(SoC)被提供。
存储器模块6920可用作用户系统6900的主存储器、工作存储器、缓冲存储器或高速缓冲存储器。存储器模块6920可包括诸如DRAM、SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3SDRAM、LPDDR SDARM、LPDDR2 SDRAM或LPDDR3 SDRAM的易失性RAM，或诸如PRAM、ReRAM、MRAM或FRAM的非易失性RAM。例如，可基于POP(堆叠式封装)封装和安装应用处理器6930和存储器模块6920。
网络模块6940可与外部装置通信。例如，网络模块6940不仅可支持有线通信，而且可支持各种无线通信协议，诸如码分多址(CDMA)、全球移动通信系统(GSM)、宽带CDMA(WCDMA)、CDMA-2000、时分多址(TDMA)、长期演进(LTE)、全球微波接入互操作性(WiMAX)、无线局域网(WLAN)、超宽带(UWB)、蓝牙、无线显示(WI-DI)，从而与有线/无线电子装置或特别是移动电子装置通信。因此，根据本发明的实施例的存储器系统和数据处理系统可应用于有线/无线电子装置。网络模块6940可被包括在应用处理器6930中。
存储模块6950可存储数据，例如从应用处理器6930提供的数据，然后可将所存储的数据传输到应用处理器6930。存储模块6950可通过诸如相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(ReRAM)、NAND闪存、NOR闪存和3D NAND闪存的非易失性半导体存储器装置来实施，并且可被提供为诸如用户系统6900的存储卡或外部驱动器的可移除存储介质。存储模块6950可对应于参照图1描述的存储器系统110。此外，存储模块6950可被实施为如上参照图13至图18所述的SSD、eMMC和UFS。
用户接口6910可包括用于向应用处理器6930输入数据或命令或者用于将数据输出到外部装置的接口。例如，用户接口6910可包括诸如键盘、小键盘、按钮、触摸面板、触摸屏、触摸板、触摸球、摄像机、麦克风、陀螺仪传感器、振动传感器和压电元件的用户输入接口，以及诸如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示装置、有源矩阵OLED(AMOLED)显示装置、LED、扬声器和电动机的用户输出接口。
此外，当图1的存储器系统110应用于用户系统6900的移动电子装置时，应用处理器6930可控制移动电子装置的全部操作，并且网络模块6940可用作用于控制与外部装置的有线/无线通信的通信模块。用户接口6910可在移动电子装置的显示/触摸模块上显示通过处理器6930处理的数据或支持从触摸面板接收数据的功能。
虽然为了说明性目的已经描述了各个实施例，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离如所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可进行各种改变和修改。

Claims (20)

1.一种用于存储器系统的控制器，所述控制器包括：
计算单元，其适于计算包括在所述存储器系统的存储器装置的第一存储块组中的多个第一存储块的每一个的第一标准值、第二标准值和有效页面比例；
确定单元，其适于将具有等于或小于所述第一标准值的有效页面比例的第一存储块确定为复制候选块；以及
处理器，其适于当所述复制候选块的所述有效页面比例等于或小于所述第二标准值时，控制所述存储器装置将所述复制候选块的数据复制到所述存储器装置中的第二存储块。
2.根据权利要求1所述的控制器，其中所述第二存储块的存储器单元比各个第一存储块中的每一个的存储器单元存储更多的位。
3.根据权利要求2所述的控制器，其中所述第一存储块中的每一个是单层单元存储块，并且所述第二存储块是多层单元存储块或三层单元存储块。
4.根据权利要求2所述的控制器，其中根据所述各个第一存储块的第一老化值来增加所述各个第一存储块的所述第一标准值。
5.根据权利要求4所述的控制器，
其中通过从所述第一存储块的封闭块索引中的一个最大值减去所述各个第一存储块的封闭块索引来获得所述各个第一存储块的所述第一老化值，以及
其中所述各个第一存储块的所述封闭块索引是指所述各个第一存储块被编程之前被封闭的其他第一存储块的数量。
6.根据权利要求5所述的控制器，
其中所述各个第一存储块的所述第一标准值和所述第一老化值具有由以下等式1表示的关系：
[等式1]
其中Cth是所述各个第一存储块的所述第一标准值，α、β和γ是预定加权值，并且A是所述各个第一存储块的所述第一老化值。
7.根据权利要求2所述的控制器，其中根据所述各个第一存储块的第二老化值来增加所述各个第一存储块的所述第二标准值。
8.根据权利要求7所述的控制器，
其中通过从所述第一存储块的封闭块索引中的一个最大值减去所述各个第一存储块的复制索引来获得所述各个第一存储块的所述第二老化值，以及
其中所述各个第一存储块的封闭块索引是指所述各个第一存储块被编程之前被封闭的其他第一存储块的数量，以及，
所述复制索引是指所述复制候选块被确定之前被封闭的所述第一存储块的数量。
9.根据权利要求8所述的控制器，其中所述各个第一存储块的所述第二标准值和所述第二老化值具有由以下等式2表示的关系：
[等式2]
以及
其中Gth是所述各个第一存储块的所述第二标准值，δ和ε是预定量的权重，ζ是预定加权值，并且B是所述各个第一存储块的所述第二老化值。
10.根据权利要求2所述的控制器，其中所述处理器将所述复制候选块的数据中的有效数据复制到所述第二存储块。
11.一种控制器的操作方法，所述方法包括：
计算用于包括在存储器装置的第一存储块组中的各个第一存储块的有效页面比例的第一标准值和第二标准值；
将所述第一存储块组中所述有效页面比例等于或小于所述第一标准值的第一存储块确定为复制候选块；以及
当所述复制候选块的所述有效页面比例等于或小于所述第二标准值时，控制所述存储器装置将所述复制候选块的数据复制到所述存储器装置中的第二存储块。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二存储块的存储器单元比所述各个第一存储块的存储器单元存储更多的位。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一存储块中的每一个是单层单元存储块，并且所述第二存储块是多层单元存储块或三层单元存储块。
14.根据权利要求12所述的方法，其中根据所述各个第一存储块的第一老化值来增加所述各个第一存储块的所述第一标准值。
15.根据权利要求14所述的方法，
其中通过从所述第一存储块的封闭块索引中的一个最大值减去所述各个第一存储块的封闭块索引来获得所述各个第一存储块的所述第一老化值，以及
其中所述各个第一存储块的所述封闭块索引是指所述各个第一存储块被编程之前被封闭的其他第一存储块的数量。
16.根据权利要求15所述的方法，
其中所述各个第一存储块的所述第一标准值和所述第一老化值具有由以下等式1表示的关系：
[等式1]
以及
其中Cth是所述各个第一存储块的所述第一标准值，α、β和γ是预定加权值，并且A是所述各个第一存储块的所述第一老化值。
17.根据权利要求12所述的方法，
其中根据所述各个第一存储块的第二老化值来增加所述各个第一存储块的所述第二标准值。
18.根据权利要求17所述的方法，
其中通过从所述第一存储块的封闭块索引中的一个最大值减去所述各个第一存储块的复制索引来获得所述各个第一存储块的所述第二老化值，
其中所述各个第一存储块的封闭块索引是指所述各个第一存储块被编程之前被封闭的其他第一存储块的数量，以及，
所述复制索引是指所述复制候选块被确定之前被封闭的所述第一存储块的数量。
19.根据权利要求18所述的方法，
其中所述各个第一存储块的所述第二标准值和所述第二老化值具有由以下等式2表示的关系：
[等式2]
以及
其中Gth是所述各个第一存储块的所述第二标准值，δ、ε和ζ是预定加权值，并且B是所述各个第一存储块的所述第二老化值。
20.根据权利要求12所述的方法，
其中控制所述存储器装置包括将所述复制候选块的数据中的有效数据复制到所述第二存储块。
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