CN108231558A - 一种准分子激光退火温度控制系统及方法和退火装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种准分子激光退火温度控制系统及方法和退火装置，包括：载物台、在载物台下方等间隔交替设置的加热装置与冷却装置、分别与加热装置和冷却装置连接的PLC控制器，所述载物台下表面设有多个分别对应加热装置和冷却装置位置设置的温度传感器，PLC控制器实时接收温度传感器发送的载物台的温度信号，并根据接收的温度信号与预设温度值比较，分别向加热装置与冷却装置发送控制信号使其工作。本发明通过“棋盘式”分布的温度梯度，固定面积区域与四侧温度差恒定，驱使熔融状态的多晶硅在各个方向同时几乎同速率生长，得到大尺寸多晶硅晶粒，同时颗粒和突起也会随之降低，退火后膜层表面的粗糙程度会减轻，很好的保证TFT开关的电学特性。

Description

一种准分子激光退火温度控制系统及方法和退火装置
技术领域
本发明涉及液晶显示器技术领域。更具体地，涉及一种准分子激光退火温度控制系统及方法和退火装置。
背景技术
传统准分子激光退火(ELA)目前采用的退火腔室只提供承载衬底完成非晶硅薄膜辐照，未涉及到考虑如何可以精确控制多晶硅生长方向以及颗粒尺寸和突起高度，进而对薄膜晶体管电学特性产生影响；由于目前准分子激光束均匀地照射到非晶硅薄膜层上，使得非晶硅薄膜层各部分温度大致相等，所以重结晶时的起点和方向无法控制，导致结晶后多晶硅的晶粒偏小，晶粒间晶界偏多，严重影响多晶硅的电子迁移率。
ELA结晶时由于在氮气环境作用下，温度散失很快，导致晶粒生长时间短，结晶后突起增高，可以达到左右，这样的表面形状会导致：过高的晶界会导致栅绝缘层击穿，导致栅极与沟道膜层发生短路，可引起后端亮点不良发生等，之后的干法刻蚀不能将多晶硅的突起完全刻蚀掉，影响后续栅极氧化层的厚度及台阶的覆盖，主要影响了TFT的电性。
因此，需要提供一种准分子激光退火温度控制系统及方法和退火装置。
发明内容
本发明的目的在于提供一种准分子激光退火温度控制系统及方法和退火装置，赋予在ELA结晶工艺中通过“棋盘式”分布的温度梯度，固定面积区域与四侧温度差恒定，驱使熔融状态的多晶硅在各个方向同时几乎同速率生长，得到大尺寸多晶硅晶粒。
为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：
一种准分子激光退火温度控制系统，包括：载物台、在载物台下方等间隔交替设置的加热装置与冷却装置、分别与加热装置和冷却装置连接的PLC控制器，所述载物台下表面设有多个分别对应加热装置和冷却装置位置设置的温度传感器，PLC控制器实时接收温度传感器发送的载物台的温度信号，并根据接收的温度信号与预设温度值比较，分别向加热装置与冷却装置发送控制信号使其工作。
进一步地，加热装置包括热电阻丝、继电器，所述多个热电阻丝等间隔设置在载物台下方。
进一步地，冷却装置包括：冷却水管、压力表、流量计及电磁阀，多组冷却水管等间隔设置在载物台下方，并与热电阻丝交替设置。
进一步地，每组冷却水管包括多个并列设置且相互连通的多通管，所述每个多通管为螺旋状结构。
进一步地，热电阻丝与冷却水管分别沿与载物台侧壁成45°角方向等间隔交替设置在载物台下方。
进一步地，加热装置和冷却装置间设有绝热材料，所述绝热材料为二氧化硅气凝胶或微孔碳酸钙。
进一步地，准分子激光退火温度控制系统还包括温度自动校正模块，一端分别与加热装置、冷却装置连接，另一端与PLC控制器连接，用于当退火过程中温度出现波动时根据设定的参数控制加热装置和冷却装置自动校正。
本发明还公开了一种准分子激光退火温度控制方法，包括：
加热装置与冷却装置等间隔交替设置在载物台下方，所述加热装置根据在载物台下的分布区域对载物台表面进行预热，通过PLC控制器控制温度达到设定值；
多个温度传感器实时将载物台对应位置的温度自动反馈给PLC控制器，PLC控制器根据设定值控制冷却装置的电磁阀门来调节冷却进水量；
PLC控制器控制加热装置和冷却装置处于动态平衡状态，使上方的载物台保持温度恒定。
进一步地，将所述加热装置与冷却装置分别沿与载物台侧壁成45°角方向等间隔交替设置在载物台下方，将载物台分成多个面积相同的方形温度区域，PLC控制器控制加热装置和冷却装置工作使固定方形温度区域与相邻四块区域温度差值相同。
本发明还公开了一种准分子激光退火装置，包括上述的准分子激光退火温度控制系统。
本发明的有益效果如下：
本发明所述技术方案在ELA结晶工艺中通过“围棋盘”型分布的温度梯度，固定面积区域与四侧温度差恒定，驱使熔融状态的多晶硅在各个方向同时几乎同速率生长，得到大尺寸多晶硅晶粒，同时颗粒和突起也会随之降低，退火后膜层表面的粗糙程度会减轻，由于能保证激光扫描后保持温度的功能，可使得结晶时间加长，晶粒尺寸增大，随之晶界相应变少(单位面积内多晶硅数量少)，因此能够很好地解决ELA后，多晶硅半导体层出现的突起和晶粒尺寸小的问题，很好的保证TFT开关的电学特性。
附图说明
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明；
图1为准分子激光退火后形成多晶硅原理示意图；
图2为使用传统设备退火后多晶硅形态示意图；
图3为本发明一个实施例提供的温度控制系统示意图；
图4为本发明一个实施例提供的“棋盘式”温度梯度示意图；
图5为本发明一个实施例提供的退火后多晶硅形态示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明，下面结合优选实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。
如图1所示，在准分子激光退火装置中，载物台本身只仅限于承载底层玻璃板完成激光扫描，由于目前准分子激光束均匀地照射到非晶硅薄膜层上，使得非晶硅薄膜层各部分温度大致相等，等离子体增强化学的气相沉积(PECVD)镀制非晶硅膜层均匀性保证条件下，相同质量的硅，因液态硅密度ρ＝2.53g/cm3，而固态硅密度ρ为2.3g/cm3，多晶硅形成过程中固化时体积膨胀，推动液态在两个晶粒边界处隆起(毛细作用)，造成结晶后突起状，形成晶粒突起，并且在结晶时退火腔室附近的气体氛围中氧气的存在，也在一定程度上增加了多晶硅表面的粗糙度。
如图2所示，传统的准分子激光退火装置没有温度控制系统，运用上述方法进行激光退火处理时，多晶硅在生长过程中a、b等各个方向生长情况不一致，形成杂乱无规则排布的多晶硅形貌，且各向生长速度不一致，这样形成的多晶硅通常缺陷几率较大，电子迁移率普遍较低。
以的非晶硅、突起高度约为例，若该突起界限出现在沟道区，则突起部位栅绝缘层厚度仅仅只有而不在沟道区域的栅极氧化层为此时当施加相同的栅极电压及源漏极电压，栅绝缘层较薄的地方( )相比较区域先开启，使阈值电压均匀性变差，显示效果恶化，严重影响多晶硅的电子迁移率。
如图3所示，本发明公开的一种准分子激光退火温度控制系统包括：包括：载物台、在载物台下方等间隔交替设置的加热装置4与冷却装置3、分别与加热装置4和冷却装置3连接的PLC控制器，所述载物台下表面设有多个分别对应加热装置4和冷却装置3位置设置的温度传感器，PLC控制器实时接收温度传感器发送的载物台的温度信号，并根据接收的温度信号与预设温度值比较，分别向加热装置4与冷却装置3发送控制信号使其工作。
加热装置4和冷却装置3等间隔交替分布在载物台下方，并且设置方向与载物台对角线方向平行，这样载物台下方的温度分布就类似于“围棋棋盘”状，加热装置4和冷却装置3与载物台的接触端分别设有温度传感器，可可以实时精确测量载物台与加热装置4、冷却装置3接触位置的温度并通过温度变送器转换成电信号反馈到PLC控制端。在图3中，浅颜色表示冷却装置3所在位置，深颜色表示加热装置4所在位置，这样设置可确保固定面积区域(图中的每个小方块)及四周的面积区域的温度均可精确控制。
结合图4，通常情况下，设定的温度T0、T1……T7均相等，可以确保浅色部分与周围四块深色区域温度的差值相同，反之每个深色部分与周围四块白色区域温度差值也相同，这样在308nm激光照射非晶硅表面时，膜层吸收能量变成熔融状态，由于四侧温度差恒定，所以各向多晶硅的固化速率大致相同，最后形成“豆腐块”状形状的多晶硅微观形状，同时晶粒尺寸也会随之变大，突起也相应降低。
为了提高效率，当需要同时对多个非晶硅薄膜进行退火处理时，可以将多个非晶硅薄膜有规律放置在载物台上，然后分别设定T0-T7中对应位置的温度参数，不同的非晶硅薄膜对应的温度也不同，此时T0-T7根据需要设置不同的温度梯度，但要确保同一块基板上的固定面积区域与周围四块区域温度差值相同。
在图3中，加热装置4包括热电阻丝2、继电器，多个热电阻丝2等间隔设置在载物台下方；冷却装置3包括：冷却水管1、压力表、流量计及电磁阀，多组冷却水管1等间隔设置在载物台下方，并与热电阻丝2交替设置，每组冷却水管1包括多个并列设置且相互连通的多通管，每个多通管为螺旋状结构。
在实际生产中，载物台一般为正方形，尺寸一般选用2cm*2cm，这样热电阻丝2和冷却水管1沿载物台对角线方向设置时，与载物台侧壁成45°角，载物台沿任一侧壁方向通过激光束，使载物台上固定面积区域的四周的温度都能精确控制。为了提高冷却效率。将冷却装置3中的三个冷却水管1分为一组，这三个冷却水管1通过四通管方式互相连接，并列设置在载物台下方，由于重力作用，当冷却管内水量不满时冷却水难以接触到载物台，导致冷却效率低下，故将冷却管设置成螺旋状，增加了冷却水与载物台的接触面积，更加精确控制冷却水的释放量，提高冷却效率。
在冷却装置3与加热装置4之间采用中温绝热条件较好的材料(使用范围100℃～700℃之间)进行隔热处理，根据实际情况判断，推荐使用二氧化硅气凝胶，表1中列举材料的种类可供备选材料。
材料 导热系数(W/(m.K)) 密度(kg/m3) 最高使用温度(℃)
二氧化硅气凝胶 0.013～0.025 3～250 650
微孔碳酸钙 0.055～0.065 170～240 1000
岩棉纤维板 0.035～0.047 80～200 600
表1
本发明的一个实施例还公开了一种准分子激光退火温度控制方法，包括：加热装置与冷却装置等间隔交替设置在载物台下方，所述加热装置根据在载物台下的分布区域对载物台表面进行预热，通过PLC控制器控制温度达到设定值；
多个温度传感器实时将载物台对应位置的温度自动反馈给PLC控制器，PLC控制器根据设定值控制冷却装置的电磁阀门来调节冷却进水量；
PLC控制器控制加热装置和冷却装置处于动态平衡状态，使上方的载物台保持温度恒定。
进行退火处理时，首先热电阻丝2根据在载物台下的分布区域对载物台表面进行预热，通过PLC控制温度自动校正模块及继电器来控制原始值逐渐进行增加，达到设定值；冷却装置3也开始工作，根据温度传感器实际数值自动反馈给PLC控制器，PLC控制器根据设定值判断是否需要控制电磁阀门来调节冷却进水量，可以通过压力表和流量计来直观查看冷却水的参数。
当载物台达到预定的“围棋盘”型温度设定后，PLC控制器控制加热装置4和冷却装置3处于动态平衡状态，使上方的载物台保持温度恒定。在温度出现波动或设定温度变化时，可重新进行设置并进行确认。在调整温度的过程中，必须停止退火处理，待温度调整到设定状态并趋于平稳后在进行退火处理操作，将载物台沿任一侧壁方向通过激光束，使得激光在载物台上的移动方向与加热装置、冷却装置成45°角，更方便PLC控制器计算载物台上每个方形温度区域与相邻四个方形温度区域的差值，以得到“豆腐块”状的多晶硅。
“围棋盘”型的温度梯度可以确保固定面积区域与周围四块区域温度差值相同，当308nm激光照射非晶硅表面时，膜层吸收能量变成熔融状态，由于四侧温度差恒定，所以各向多晶硅的固化速率大致相同，最后形成“豆腐块”状形状的晶粒。如图5所示，其中多晶硅大致生长速率va＇＞vb＇＝vc＇＝vd＇(因激光照射角度影响va＇略大)；据文献查证室温和400℃条件下相比，固化速率分别为0.7m/s和0.5m/s，那么温度400℃下多晶硅以未融化的“籽晶”为依托生长的时间更长，晶粒尺寸变大，突起也随之降低可避免TFT工艺后端出现的栅绝缘层被击穿等产生的不良现象。
本发明的一个实施例还提供了一种准分子激光退火装置，包括上述的准分子激光退火温度控制系统，在对载物台进行温度控制后进行激光退火处理，将载物台沿任一侧壁方向通过激光束，使得激光在载物台上的移动方向与加热装置、冷却装置成45°角，更方便PLC控制器计算载物台上每个方形温度区域与相邻四个方形温度区域的差值，使生成的多晶硅更加符合工艺要求。
本发明在ELA结晶工艺中通过“围棋盘”型分布的温度梯度，固定面积区域与四侧温度差恒定，驱使熔融状态的多晶硅在各个方向同时几乎同速率生长，得到大尺寸多晶硅晶粒，同时颗粒和突起也会随之降低，退火后膜层表面的粗糙程度会减轻，由于能保证激光扫描后保持温度的功能，可使得结晶时间加长，晶粒尺寸增大，随之晶界相应变少(单位面积内多晶硅数量少)，因此能够很好地解决ELA后，多晶硅半导体层出现的突起和晶粒尺寸小的问题，很好的保证TFT开关的电学特性。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。

Claims (10)

1.一种准分子激光退火温度控制系统，其特征在于，包括：载物台、在载物台下方等间隔交替设置的加热装置与冷却装置、分别与加热装置和冷却装置连接的PLC控制器，所述载物台下表面设有多个分别对应加热装置和冷却装置位置设置的温度传感器，PLC控制器实时接收温度传感器发送的载物台的温度信号，并根据接收的温度信号与预设温度值比较，分别向加热装置与冷却装置发送控制信号使其工作。
2.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述加热装置包括热电阻丝、继电器，所述多个热电阻丝等间隔设置在载物台下方。
3.根据权利要求2所述的温度控制系统，其特征在于，所述冷却装置包括：冷却水管、压力表、流量计及电磁阀，多组冷却水管等间隔设置在载物台下方，并与热电阻丝交替设置。
4.根据权利要求3所述的温度控制系统，其特征在于，所述每组冷却水管包括多个并列设置且相互连通的多通管，所述每个多通管为螺旋状结构。
5.根据权利要求3所述的温度控制系统，其特征在于，所述热电阻丝与冷却水管分别沿与载物台侧壁成45°角方向等间隔交替设置在载物台下方。
6.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，所述加热装置和冷却装置间设有绝热材料，所述绝热材料为二氧化硅气凝胶或微孔碳酸钙。
7.根据权利要求1所述的温度控制系统，其特征在于，还包括温度自动校正模块，一端分别与加热装置、冷却装置连接，另一端与PLC控制器连接，用于当退火过程中温度出现波动时根据设定的参数控制加热装置和冷却装置自动校正。
8.一种准分子激光退火温度控制方法，其特征在于，包括：
加热装置与冷却装置等间隔交替设置在载物台下方，所述加热装置根据在载物台下的分布区域对载物台表面进行预热，通过PLC控制器控制温度达到设定值；
多个温度传感器实时将载物台对应位置的温度自动反馈给PLC控制器，PLC控制器根据设定值控制冷却装置的电磁阀门来调节冷却进水量；
PLC控制器控制加热装置和冷却装置处于动态平衡状态，使上方的载物台保持温度恒定。
9.根据权利要求8所述的温度控制方法，其特征在于，将所述加热装置与冷却装置分别沿与载物台侧壁成45°角方向等间隔交替设置在载物台下方，将载物台分成多个面积相同的方形温度区域，PLC控制器控制加热装置和冷却装置工作使固定方形温度区域与相邻四块区域温度差值相同。
10.一种准分子激光退火装置，包括如权利要求1-7任意一条所述的准分子激光退火温度控制系统。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108831827A (zh) * 2018-07-31 2018-11-16 山东大学 一种热辅助飞秒激光退火非晶硅的装置
CN110440602A (zh) * 2019-08-13 2019-11-12 德淮半导体有限公司 一种冷却水自动调节系统
CN111952223A (zh) * 2020-08-17 2020-11-17 北京中科镭特电子有限公司 一种载物台组件及激光热处理装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020108427A1 (en) * 2001-02-14 2002-08-15 Fujitsu Limited Laser bending method and apparatus for bending a work piece in normal and reverse directions
CN101369526A (zh) * 2007-08-15 2009-02-18 应用材料股份有限公司 脉冲激光退火系统结构
CN103219230A (zh) * 2013-04-19 2013-07-24 京东方科技集团股份有限公司 低温多晶硅的制作方法、低温多晶硅薄膜和薄膜晶体管
CN103681244A (zh) * 2013-12-25 2014-03-26 深圳市华星光电技术有限公司 低温多晶硅薄膜的预清洗方法及其制备方法、制作系统
CN104362115A (zh) * 2014-10-14 2015-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种准分子激光退火装置及该装置的使用方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020108427A1 (en) * 2001-02-14 2002-08-15 Fujitsu Limited Laser bending method and apparatus for bending a work piece in normal and reverse directions
CN101369526A (zh) * 2007-08-15 2009-02-18 应用材料股份有限公司 脉冲激光退火系统结构
CN103219230A (zh) * 2013-04-19 2013-07-24 京东方科技集团股份有限公司 低温多晶硅的制作方法、低温多晶硅薄膜和薄膜晶体管
CN103681244A (zh) * 2013-12-25 2014-03-26 深圳市华星光电技术有限公司 低温多晶硅薄膜的预清洗方法及其制备方法、制作系统
CN104362115A (zh) * 2014-10-14 2015-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 一种准分子激光退火装置及该装置的使用方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108831827A (zh) * 2018-07-31 2018-11-16 山东大学 一种热辅助飞秒激光退火非晶硅的装置
CN108831827B (zh) * 2018-07-31 2020-07-28 山东大学 一种热辅助飞秒激光退火非晶硅的装置
CN110440602A (zh) * 2019-08-13 2019-11-12 德淮半导体有限公司 一种冷却水自动调节系统
CN111952223A (zh) * 2020-08-17 2020-11-17 北京中科镭特电子有限公司 一种载物台组件及激光热处理装置

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