CN108196402A - 取向膜涂覆方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种取向膜涂覆方法，属于显示技术领域。所述方法包括：在待涂覆取向膜的阵列基板的电极上形成保护膜，保护膜靠近阵列基板的有效显示区域的一边与电极靠近有效显示区域的一边共线；在形成有保护膜的阵列基板上形成取向膜；采用指定溶剂去除电极上的保护膜，以去除形成于保护膜上的取向膜，指定溶剂和电极不反应。本发明解决了采用溶解溶剂对形成在条状电极上的取向液进行溶解时而影响显示装置的显示效果的问题，提高了显示装置的显示效果。本发明用于取向膜涂覆。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种取向膜涂覆方法。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)因其机身薄、省电、无辐射等优点得到了广泛应用，示例的，如液晶电视、移动电话、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。液晶显示装置的显示面板包括彩膜基板，与彩膜基板相对设置的阵列基板，以及填充于彩膜基板和阵列基板之间的液晶层。彩膜基板和阵列基板形成有用于诱导液晶分子取向的取向膜。
相关技术中，通常是点胶机将取向液滴加到匀胶辊与刮刀的接触位置，刮刀把匀胶辊上的取向液涂布均匀。然后，匀胶辊与设置有凸版(Printing Plate，APR)(凸版由紫外线固化聚氨酯类树脂制成)的转印滚筒接触，使得匀胶辊上的取向液被转印到APR版上，之后，取向液通过APR版形成于阵列基板表面得到取向膜。阵列基板包括多个阵列排布的面板，APR版为条状结构，APR版用于将取向液形成在各行面板上，为保证显示效果，取向液的边缘与面板的有效显示区域的边缘的距离需大于预设边距。另外，每个面板设置有条状电极，每行面板的条状电极的长度方向平行，且共线。
然而通常预设边距较小，所以在采用APR版将取向液形成在每行面板上时，很容易将取向液形成在该行面板的条状电极上，后续为了在条状电极上形成集成电路(integrated circuit，IC)，需要采用溶解溶剂对形成在条状电极上的取向液进行溶解，然而该溶解溶剂对条状电极会产生腐蚀作用，所以最终影响显示装置的显示效果。
发明内容
本发明实施例提供了一种取向膜涂覆方法，可以解决相关技术中采用溶解溶剂对形成在条状电极上的取向液进行溶解时而影响显示装置的显示效果的问题。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种取向膜涂覆方法，所述方法包括：
在待涂覆取向膜的阵列基板的电极上形成保护膜，所述保护膜靠近所述阵列基板的有效显示区域的一边与所述电极靠近所述有效显示区域的一边共线；
在形成有所述保护膜的阵列基板上形成取向膜；
采用指定溶剂去除所述电极上的保护膜，以去除形成于所述保护膜上的取向膜，所述指定溶剂和所述电极不反应。
可选的，所述保护膜为水溶性胶，所述指定溶剂为水溶剂。
可选的，所述在待涂覆取向膜的阵列基板的电极上形成保护膜，包括：
采用气溶胶喷印方式在所述阵列基板的电极上形成所述水溶性胶。
可选的，所述采用所述指定溶剂去除所述电极上的保护膜，包括：
将形成有所述保护膜的阵列基板浸泡在所述指定溶剂中，以使所述保护膜被溶解。
可选的，所述保护膜在所述阵列基板上的正投影与所述电极在所述阵列基板上的正投影重叠。
可选的，所述在形成有所述保护膜的阵列基板上形成取向膜，包括：
采用凸版在形成有所述水溶性胶的阵列基板上形成取向液以得到所述取向膜，所述凸版的中部设置有呈阵列排布的多个开口。
可选的，所述采用凸版在形成有所述水溶性胶的阵列基板上形成取向液以得到所述取向膜，包括：
采用所述凸版在形成有所述水溶性胶的阵列基板上形成厚度为100纳米的取向液。
可选的，所述取向液为聚酰亚胺PI液。
可选的，所述取向液的边缘与所述阵列基板的有效显示区域的边缘的距离为800～1000微米。
可选的，在所述采用指定溶剂去除所述电极上的保护膜，以去除形成于所述保护膜上的取向膜之后，所述方法还包括：
对残留有所述指定溶剂的阵列基板进行烘干处理。
本发明实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
本发明实施例提供的取向膜涂覆方法，在待涂覆取向膜的阵列基板的电极上形成保护膜后，在形成有保护膜的阵列基板上形成取向膜，然后采用指定溶剂去除电极上的保护膜，以去除形成于保护膜上的取向膜，该指定溶剂和电极不反应，相较于相关技术，在去除电极上的取向膜时，无需直接采用对电极具有腐蚀作用的溶解溶剂去除取向膜，因此，提高了显示装置的显示效果。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本发明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的实施例，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种取向膜涂覆方法的流程图；
图2-1是本发明实施例提供的另一种取向膜涂覆方法的流程图；
图2-2是本发明实施例提供的一种在待涂覆取向膜的阵列基板的电极上形成保护膜的结构示意图；
图2-3是本发明实施例提供的一种保护膜靠近阵列基板的有效显示区域的一边与电极靠近有效显示区域的一边共线的示意图；
图2-4是本发明实施例提供的一种在形成有保护膜的阵列基板上形成取向膜的结构示意图；
图2-5是本发明实施例提供的一种凸版的结构示意图；
图2-6是本发明实施例提供的一种取向液的边缘与阵列基板的有效显示区域的边缘的距离的示意图；
图2-7是相关技术中凸版的结构示意图；
图2-8是本发明实施例提供的保护膜的宽度等于电极的宽度的示意图；
图2-9是本发明实施例提供的保护膜的宽度大于电极的宽度的示意图；
图2-10是本发明实施例提供的保护膜的宽度小于电极的宽度的示意图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种取向膜涂覆方法，如图1所示，该方法包括：
步骤101、在待涂覆取向膜的阵列基板的电极上形成保护膜，保护膜靠近阵列基板的有效显示区域的一边与电极靠近有效显示区域的一边共线。
步骤102、在形成有保护膜的阵列基板上形成取向膜。
步骤103、采用指定溶剂去除电极上的保护膜，以去除形成于保护膜上的取向膜，该指定溶剂和电极不反应。
综上所述，本发明实施例提供的取向膜涂覆方法，在待涂覆取向膜的阵列基板的电极上形成保护膜后，在形成有保护膜的阵列基板上形成取向膜，然后采用指定溶剂去除电极上的保护膜，以去除形成于保护膜上的取向膜，该指定溶剂和电极不反应，相较于相关技术，在去除电极上的取向膜时，无需直接采用对电极具有腐蚀作用的溶解溶剂去除取向膜，因此，提高了显示装置的显示效果。
本发明实施例提供了另一种取向膜涂覆方法，如图2-1所示，该方法可以包括：
步骤201、在待涂覆取向膜的阵列基板的电极上形成保护膜，保护膜靠近阵列基板的有效显示区域的一边与电极靠近有效显示区域的一边共线。
示例的，保护膜可以为水溶性胶。如图2-2所示，在待涂覆取向膜的阵列基板100的电极101上形成保护膜102，如图2-3所示，保护膜102靠近阵列基板100的有效显示区域A的一边与电极靠近有效显示区域A的一边共线(图2-3中采用直线L对两个边共线进行示意性说明)。示例的，可以采用气溶胶喷印方式在阵列基板100的电极101上形成水溶性胶。参见图2-2，可以通过用于气溶胶喷印的喷印头200在阵列基板100的电极101上形成水溶性胶。
在本步骤中，形成在电极上的取向膜的宽度可以大于电极的宽度，也可以小于电极的宽度，还可以等于电极的宽度，本发明实施例对此不作限定。其中，取向膜的宽度方向和电极的宽度方向与阵列基板的宽度方向平行。
当形成在电极上的取向膜的宽度等于电极的宽度时，保护膜在阵列基板上的正投影与电极在阵列基板上的正投影重叠。
步骤202、在形成有保护膜的阵列基板上形成取向膜。
如图2-4所示，在形成有保护膜102的阵列基板100上形成取向膜103。
示例的，当保护膜为水溶性胶时，可以采用凸版在形成有水溶性胶的阵列基板上形成取向液以得到取向膜。其中，凸版的中部设置有呈阵列排布的多个开口，示例的，该凸版240的结构示意图可以如图2-5所示，该凸版240的中部设置有呈阵列排布的多个开口241。
实际应用中，可以采用凸版在形成有水溶性胶的阵列基板上形成厚度为100nm(纳米)的取向液，该取向液可以为聚酰亚胺(Polyimide，PI)液。
可选的，如图2-6所示，取向液的边缘与阵列基板100的有效显示区域A的边缘的距离a可以为800～1000um(微米)，图2-6中的其它标记可以参考图2-2。
相关技术中，为了将取向液形成在阵列基板表面得到取向膜，常采用条状结构的APR版将取向液转印至阵列基板表面。该条状结构的凸版的结构示意图如图2-7所示，该凸版260设置有多个矩形透光区域261，每个矩形透光区域261与阵列基板上的一行面板对应。在采用该凸版将取向液形成在每行面板上时，为保证取向液的边缘与面板的有效显示区域的边缘的距离大于预设边距，同时保证形成在条状电极上的取向液的量较少，需要将矩形透光区域的位置与阵列基板中对应行的面板的位置对齐，所以针对不同型号的阵列基板，需要采用对应结构的凸版来完成取向膜的涂覆，而凸版的成本较高，因此，涂覆成本较高，且更换凸版的过程费时费力。
而在本发明实施例中，由于先在待涂覆取向膜的阵列基板的电极上形成了保护膜，所以在形成有保护膜的阵列基板上形成取向膜的时候，无需考虑形成在条状电极上的取向液的量较少的问题，因此可以采用中部设置有呈阵列排布的多个开口的凸版，在形成有保护膜的阵列基板上形成取向液以得到取向膜，保护膜的形成使得不同型号的阵列基板均可以采用该凸版，因此，降低了涂覆成本。且由于在不同型号的阵列基板上形成取向膜的时候，无需更换凸版，所以省时省力。另外，该涂覆方式提高了凸版的利用率。
步骤203、采用指定溶剂去除电极上的保护膜，以去除形成于保护膜上的取向膜，该指定溶剂和电极不反应。
示例的，采用指定溶剂去除电极上的保护膜可以包括：将形成有保护膜的阵列基板浸泡在指定溶剂中，以使保护膜被溶解。由于保护膜位于电极和取向膜之间，所以当保护膜被指定溶剂溶解后，保护膜上面的取向膜也会脱落。且由于指定溶剂和电极不反应，因而不会对电极产生腐蚀作用，避免了对显示装置的显示效果造成影响。
示例的，当保护膜为水溶性胶时，该指定溶剂可以为水溶剂。
示例的，如图2-8所示，当形成在电极(图2-8未示出)上的保护膜102的宽度d等于电极的宽度D，也即是保护膜在阵列基板上的正投影与电极在阵列基板上的正投影重叠时，在执行步骤202时，取向膜与形成有保护膜的电极不接触，所以在步骤203中，采用指定溶剂去除电极上的保护膜之后，电极上不会残留有取向膜，后续无需采用对电极具有腐蚀作用的溶解溶剂去除残留在电极上的取向膜，因此，提高了显示装置的显示效果。图2-8中的其它标记可以参考图2-2。
示例的，如图2-9所示，当形成在电极101上的保护膜102的宽度d大于电极101的宽度D时，在执行步骤202时，取向膜与形成有保护膜的电极不接触，所以，在步骤203中，采用指定溶剂去除电极上的保护膜之后，电极上不会残留有取向膜，后续无需采用对电极具有腐蚀作用的溶解溶剂去除残留在电极上的取向膜，因此，提高了显示装置的显示效果。图2-9中的其它标记可以参考图2-2。
示例的，如图2-10所示，当形成在电极101上的保护膜102的宽度d小于电极101的宽度D时，在执行步骤202时，可能会将少量的取向液形成在形成有保护膜的电极上。在步骤203中，采用指定溶剂去除电极上的保护膜之后，电极上可能会残留有少量取向膜，即使电极上残留有少量取向膜，后续可以采用对电极具有腐蚀作用的较少量的溶解溶剂去除残留在电极上的取向膜，相较于相关技术，使用的去除取向膜的溶解溶剂更少，因此，也可以提高显示装置的显示效果。图2-10中的其它标记可以参考图2-2。
步骤204、对残留有指定溶剂的阵列基板进行烘干处理。
由于在执行步骤203时，采用了指定溶剂去除电极上的保护膜，比如可以将形成有保护膜的阵列基板浸泡在指定溶剂中，以使保护膜被溶解，所以为了避免残留在阵列基板上的指定溶剂对阵列基板的显示效果造成影响，可以对残留有指定溶剂的阵列基板进行烘干处理。
综上所述，本发明实施例提供的取向膜涂覆方法，在待涂覆取向膜的阵列基板的电极上形成保护膜后，在形成有保护膜的阵列基板上形成取向膜，然后采用指定溶剂去除电极上的保护膜，以去除形成于保护膜上的取向膜，该指定溶剂和电极不反应，相较于相关技术，在去除电极上的取向膜时，无需直接采用对电极具有腐蚀作用的溶解溶剂去除取向膜，因此，提高了显示装置的显示效果。
需要说明的是，本发明实施例提供的取向膜涂覆方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。
Claims (10)
1.一种取向膜涂覆方法，其特征在于，所述方法包括：
在待涂覆取向膜的阵列基板的电极上形成保护膜，所述保护膜靠近所述阵列基板的有效显示区域的一边与所述电极靠近所述有效显示区域的一边共线；
在形成有所述保护膜的阵列基板上形成取向膜；
采用指定溶剂去除所述电极上的保护膜，以去除形成于所述保护膜上的取向膜，所述指定溶剂和所述电极不反应。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护膜为水溶性胶，所述指定溶剂为水溶剂。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在待涂覆取向膜的阵列基板的电极上形成保护膜，包括：
采用气溶胶喷印方式在所述阵列基板的电极上形成所述水溶性胶。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用所述指定溶剂去除所述电极上的保护膜，包括：
将形成有所述保护膜的阵列基板浸泡在所述指定溶剂中，以使所述保护膜被溶解。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述保护膜在所述阵列基板上的正投影与所述电极在所述阵列基板上的正投影重叠。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述保护膜的阵列基板上形成取向膜，包括：
采用凸版在形成有所述水溶性胶的阵列基板上形成取向液以得到所述取向膜，所述凸版的中部设置有呈阵列排布的多个开口。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用凸版在形成有所述水溶性胶的阵列基板上形成取向液以得到所述取向膜，包括：
采用所述凸版在形成有所述水溶性胶的阵列基板上形成厚度为100纳米的取向液。
8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，
所述取向液为聚酰亚胺PI液。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，
所述取向液的边缘与所述阵列基板的有效显示区域的边缘的距离为800～1000微米。
10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述采用指定溶剂去除所述电极上的保护膜，以去除形成于所述保护膜上的取向膜之后，所述方法还包括：
对残留有所述指定溶剂的阵列基板进行烘干处理。
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