CN108153066A - 液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括：第一基底；像素电极，设置在第一基底上并且包括第一子像素电极和沿第一方向与第一子像素电极相邻的第二子像素电极；以及屏蔽电极，与像素电极设置在同一层上并且包括沿与第一方向交叉的第二方向具有第一宽度的第一区域和沿与第一方向交叉的第二方向具有小于第一宽度的第二宽度的第二区域，第一子像素电极可以沿第二方向与第一区域相邻，并且第二子像素电极可以沿第二方向与第二区域相邻。

Description

液晶显示装置

本申请要求于2016年12月5日提交的第10-2016-0164346号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种液晶显示(“LCD”)装置。

背景技术

LCD装置是最广泛使用的类型的平板显示装置中的一种。通常，LCD装置包括具有诸如像素电极和共电极的场发生电极的一对基底以及设置在两个基底之间的液晶层。在LCD装置中，通常，将电压施加到场发生电极以在液晶层中产生电场。因此，确定液晶层的液晶分子的方向，并且通过产生的电场控制入射光的偏振。结果，在LCD装置上显示期望的图像。

在各种类型的LCD装置中，具有垂直取向(“VA”)模式的LCD装置中的液晶的长轴在不施加电场时与上显示面板和下显示面板垂直排列，该LCD装置正由于高的对比度和宽的参考视角引起了很多关注。

发明内容

本发明的示例性实施例涉及一种具有改善的侧面可见性且使开口率的减小最小化的液晶显示(“LCD”)装置。

然而，本发明的示例性实施例不限于这里所阐述的实施例。通过参照详细的描述，对于本发明的示例性实施例所属领域的普通技术人员来说，本发明的示例性实施例的上述和其它特征将变得更加明显。

示例性实施例公开了液晶显示装置，所述液晶显示装置包括：第一基底；像素电极，设置在第一基底上，并且包括第一子像素电极和沿第一方向与第一子像素电极相邻的第二子像素电极；以及屏蔽电极，与像素电极设置在同一层上，并且包括沿与第一方向交叉的第二方向具有第一宽度的第一区域和沿与第一方向交叉的第二方向具有小于第一宽度的第二宽度的第二区域。第一子像素电极可以沿第二方向与第一区域相邻，并且第二子像素电极可以沿第二方向与第二区域相邻。

示例性实施例还公开了LCD装置，所述LCD装置包括：第一基底；像素电极，设置在第一基底上，并且包括第一子像素电极和在第一方向上与第一子像素电极相邻的第二子像素电极；第二基底，面对第一基底；以及黑矩阵，设置在第二基底上。黑矩阵可以在与限定第一基底的主表面平面垂直的方向上不与第一子像素电极叠置，并且可以在与限定第一基底的主表面平面垂直的方向上与第二子像素电极至少部分地叠置。

应当理解的是，上述一般描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的并且意在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。

附图说明

从结合附图对实施例的下面的描述中，本公开的上述和/或其它优点和特征将变得明显并且更容易理解，在附图中：

图1是包括在液晶显示器(“LCD”)装置中的像素的示例性实施例的示意性平面图；

图2是图1中示出的栅极导体的示例性实施例的平面图；

图3是图1中示出的数据导体的示例性实施例的平面图；

图4是图1中示出的像素电极和屏蔽电极的示例性实施例的平面图；

图5是图1中示出的像素电极、屏蔽电极和黑矩阵的示例性实施例的平面图；

图6是图1中示出的共电极的示例性实施例的平面图；

图7是沿图1的线I1-I1'截取的剖视图；

图8是沿图1的线I2-I2'截取的剖视图；

图9A是图1中示出的区域A的示例性实施例的放大图；

图9B是图9A中示出的区域B的示例性实施例的放大图；

图9C是图9A中示出的区域C的示例性实施例的放大图；

图9D是图9A中示出的区域D的示例性实施例的放大图；

图9E是图9A中示出的区域E的示例性实施例的放大图；

图10是沿图9A的线II1-II1'截取的剖视图；

图11是沿图9A的线II2-II2'截取的剖视图；

图12是示出LCD装置的示例性实施例的透射率与灰度级的曲线图；

图13至图16是包括在LCD装置中的像素的其它示例性实施例的示意性平面图；

图17是示出图16的LCD装置的示例性实施例的透射率与灰度级的曲线图；

图18是包括在图1的LCD装置中的像素的示例性实施例的示意性平面图；

图19是包括在LCD中的像素的另一示例性实施例的示意性平面图；以及

图20是示出图19的LCD装置的示例性实施例的透射率与灰度级的曲线图。

具体实施方式

在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种示例性实施例的彻底的理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种示例性实施例。在其它情况下，以框图形式示出公知的结构和装置以避免不必要地模糊各种示例性实施例。

在附图中，为了清楚和描述的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。此外，同样的附图标记指示同样的元件。

当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称作“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。如这里所使用的，连接可以指元件彼此物理连接和/或电气连接。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个/种”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个/种”可以理解为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个/种或更多个/种的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的附图标记始终表示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。

尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层和/或部分。

为了描述的目的，这里可使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等空间相对术语，由此来描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。除了图中描绘的方位之外，空间相对术语还意在包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，如此，相应地解释这里使用的空间相对描述语。

这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图是限制性的。如这里所使用的，除非上下文另外清楚指出，否则单数形式的“一个(种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。此外，当术语“包含”和/或“包括”及其变型用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。“或者”意为“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。

如这里使用的“大约”或“近似”包括陈述的值，并意为考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，在由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围之内。例如，“大约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％或±5％内。

这里参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种示例性实施例。如此，例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状变化将是预期的。因此，这里公开的示例性实施例不应该被解释为限于具体示出的区域的形状，而将包括例如由制造导致的形状上的偏差。例如，示出为矩形的注入区域在其边缘处将通常具有倒圆的或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的埋区会导致在埋区和通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，在图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状并且不意图为限制性的。

除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域中的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。除非这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的意思一致的意思，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释。

在下文中，将参照附图描述示例性实施例。

图1是包括在液晶显示器(“LCD”)装置中的像素的示例性实施例的示意性平面图。在图1中，仅以黑矩阵BM的边界线示出黑矩阵BM，使得黑矩阵BM可以与其它元件区分开。

参照图1，根据示例性实施例的LCD装置可以包括像素PX、共电极CE(参照图7)、屏蔽电极180、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2、第一数据线DL1和黑矩阵BM。

第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可以在第一方向d1上延伸。第一数据线DL1可以在第二方向d2上延伸。在示例性实施例中，第一方向d1可以与第二方向d2交叉。在图1中，例如，第一方向d1是LCD装置的行方向，第二方向d2是LCD装置的列方向。为了易于描述，位于像素电极PE上方的扫描线将被称作第一扫描线SL1，位于像素电极PE下面的扫描线将被称作第二扫描线SL2。

像素PX可以包括开关器件TR和像素电极PE。在示例性实施例中，开关器件TR可以是三端器件，诸如薄膜晶体管(“TFT”)。在下文中，将以开关器件TR为TFT的情况为例进行描述。

开关器件TR可以具有电连接到第二扫描线SL2的栅电极GE和电连接到第一数据线DL1的源电极SE。另外，开关器件TR的漏电极DE可以电连接到像素电极PE。

开关器件TR可以根据从第二扫描线SL2接收的扫描信号执行开关操作，从而将从第一数据线DL1接收的数据信号提供到像素电极PE。尽管这里以开关器件TR的栅电极GE电连接到第二扫描线SL2的情况为例进行描述，但是在另一示例性实施例中，开关器件TR的栅电极GE也可以电连接到第一扫描线SL1而非第二扫描线SL2。

在示例性实施例中，像素电极PE可以在第一方向d1上延伸得比在第二方向d2上延伸得更远。像素电极PE包括至少两个子像素电极。这里，两个子像素电极中的一个在与限定下基底110(参照图7)的主表面平面垂直的方向上与黑矩阵BM叠置，另一个子像素电极在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上不与黑矩阵BM叠置。在下文中，将以像素电极PE包括第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE4的情况为例进行描述。

第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE4可以按照第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE4的次序在第一方向d1上布置。第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE4中的每个可以直接连接到其它子像素电极中的一个或两个。第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE4中的每个可以包括板部和分支部。

这里，第一子像素电极SPE1和第四子像素电极SPE4中的每个的至少一部分在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上可以不与黑矩阵BM叠置。另外，第二子像素电极SPE2和第三子像素电极SPE3中的每个在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上可以与黑矩阵BM叠置。后面将参照图4至图6描述第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE4的形状。

在示例性实施例中，屏蔽电极180在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上可以与第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第一数据线DL1中的至少一条叠置。屏蔽电极180可以阻挡像素电极PE与第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第一数据线DL1中的至少一条之间的耦合。后面将参照图4和图5描述屏蔽电极180的形状。

共电极CE(参照图7)可以限定多个狭缝部。这里，狭缝部可以包括与第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE4对应的第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4。后面将参照图6描述共电极CE。

图2是图1中示出的栅极导体GW的示例性实施例的平面图。图3是图1中示出的数据导体DW的示例性实施例的平面图。图4是图1中示出的像素电极PE和屏蔽电极180的示例性实施例的平面图。图5是图1中示出的像素电极PE、屏蔽电极180和黑矩阵BM的示例性实施例的平面图。图6是图1中示出的共电极CE的示例性实施例的平面图。图7是沿图1的线I1-I1'截取的剖视图。图8是沿图1的线I2-I2'截取的剖视图。

参照图2至图8，下显示面板10可以放置成面对上显示面板20。液晶层30可以置于下显示面板10与上显示面板20之间。液晶层30可以包括多个液晶分子31。在示例性实施例中，下显示面板10可以通过密封结合到上显示面板20。

在下文中，将描述下显示面板10。

在示例性实施例中，下基底110可以是透明绝缘基底。在示例性实施例中，透明绝缘基底可以是玻璃基底、石英基底、透明树脂基底等。在示例性实施例中，下基底110可以是柔性的。

栅极导体GW可以设置在下基底110上。栅极导体GW可以包括栅电极GE以及包含第一扫描线SL1和第二扫描线SL2的多条扫描线。第一扫描线SL1可以在下基底110上沿第一方向d1延伸。第一扫描线SL1可以与第二扫描线SL2相邻。

栅电极GE可以设置在下基底110上并且连接到第二扫描线SL2。栅电极GE可以从第二扫描线SL2分支。栅电极GE是开关器件TR的一个元件。

在示例性实施例中，例如，栅极导体GW可以是由选自铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钨(W)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)和铜/钼钛(Cu/MoTi)中的一种导电金属、两种导电金属或至少三种导电金属制成的单层、双层或三层。在示例性实施例中，例如，可以通过同一掩模工艺同时设置栅极导体GW的元件。

栅极绝缘层120可以设置在栅极导体GW上。在示例性实施例中，例如，栅极绝缘层120可以由氮化硅(SiN_x)或氧化硅(SiO_x)制成。在示例性实施例中，栅极绝缘层120也可以具有由物理特性不同的至少两个绝缘层组成的多层结构。

数据导体DW可以设置在栅极绝缘层120上。数据导体DW可以包括半导体层130、第一数据线DL1、源电极SE和漏电极DE。

半导体层130可以包括形成开关器件TR的沟道的沟道区130a。在示例性实施例中，例如，半导体层130可以包括非晶硅或多晶硅。另外，半导体层130可以包括氧化物半导体。在示例性实施例中，例如，氧化物半导体可以是氧化铟镓锌(IGZO)、ZnO、ZnO₂、CdO、SrO、SrO₂、CaO、CaO₂、MgO、MgO₂、InO、In₂O₂、GaO、Ga₂O、Ga₂O₃、SnO、SnO₂、GeO、GeO₂、PbO、Pb₂O₃、Pb₃O₄、TiO、TiO₂、Ti₂O₃和Ti₃O₅中的一种。

数据导体DW还可以包括欧姆接触层140。欧姆接触层140可以设置在半导体层130上。在示例性实施例中，欧姆接触层140可以由利用诸如磷的n型杂质重掺杂的n+氢化非晶硅的材料制成，或者可以由硅化物制成。当半导体层130由氧化物半导体制成时，可以省略欧姆接触层140。

第一数据线DL1、源电极SE和漏电极DE可以设置在栅极绝缘层120和欧姆接触层140上。第一数据线DL1可以在下基底110上沿第二方向d2延伸。

源电极SE可以从第一数据线DL1分支，并且源电极SE的至少一部分在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上可以与栅电极GE叠置。漏电极DE在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上可以与栅电极GE叠置，并且可以与源电极SE分开预定的距离。在图1中，例如，源电极SE是U形的，漏电极DE被源电极SE围绕。然而，源电极SE和漏电极DE的布置不限于该示例。

源电极SE和漏电极DE与半导体层130的沟道区130a和栅电极GE一起形成开关器件TR。开关器件TR的源电极SE可以连接到第一数据线DL1。开关器件TR的漏电极DE可以经由接触孔CNT连接到像素电极PE。

在示例性实施例中，例如，数据导体DW可以是由选自铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钨(W)、钼钨(MoW)、钼钛(MoTi)和铜/钼钛(Cu/MoTi)中的一种导电金属、两种导电金属或至少三种导电金属制成的单层、双层或三层。然而，形成数据导体DW的材料不限于上述示例，数据导体DW可以由各种金属或各种导体制成。在示例性实施例中，例如，可以通过同一掩模工艺同时设置数据导体DW的元件。在示例性实施例中，除了沟道区130a之外，第一数据线DL1、源电极SE和漏电极DE可以具有与半导体层130基本相同的形状。

第一钝化层150可以设置在第一数据线DL1、源电极SE和漏电极DE上。在示例性实施例中，第一钝化层150可以由诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料制成。第一钝化层150可以防止后面将描述的有机绝缘层160的颜料流入沟道区130a。

有机绝缘层160可以设置在第一钝化层150上。有机绝缘层160可以包括具有相对优异的平坦化特性和光敏性的有机材料。有机绝缘层160可以是滤色器。在示例性实施例中，当有机绝缘层160是滤色器时，其可以显示诸如红色、绿色和蓝色的三原色中的一种。此外，可以省略后面将描述的设置在上显示面板20上的滤色器CF。在可选择的实施例中，可以省略有机绝缘层160而非滤色器CF。在下文中，将以有机绝缘层160不是滤色器的情况为例进行描述。

第二钝化层170可以设置在有机绝缘层160上。在示例性实施例中，第二钝化层170可以由诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料制成。在示例性实施例中，第二钝化层170可以防止有机绝缘层160剥离，并且防止液晶层30被从有机绝缘层160流出的诸如溶剂的物质污染。

使漏电极DE的至少一部分暴露的接触孔CNT可以限定在第一钝化层150、有机绝缘层160和第二钝化层170中。

像素电极PE可以设置在第二钝化层170上。在示例性实施例中，像素电极PE可以由诸如氧化铟锡(“ITO”)或氧化铟锌(“IZO”)的透明导电材料或者诸如铝、银、铬或这些金属的合金的反射金属制成。像素电极PE通过接触孔CNT接触漏电极DE。

在下文中，将参照图1至图4详细描述像素电极PE的形状。

像素电极PE可以包括接触部CT和连接到接触部CT的第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE4。

接触部CT被限定为像素电极PE的直接通过接触孔CNT与暴露的漏电极DE接触的区域。接触部CT直接连接到第一子像素电极SPE1。因此，接触部CT使漏电极DE和第一子像素电极SPE1电气连接并物理连接。

第一子像素电极SPE1可以包括第一板部SPE1a和多个第一分支部SPE1b。在示例性实施例中，例如，第一板部SPE1a可以具有菱形板状。这里，板状是指单个单一的不可分割的板状。第一分支部SPE1b可以从第一板部SPE1a延伸。在示例性实施例中，例如，第一分支部SPE1b可以从菱形的第一板部SPE1a的四个边缘中的至少一个边缘延伸。

第二子像素电极SPE2可以包括第二板部SPE2a和多个第二分支部SPE2b。在示例性实施例中，例如，第二板部SPE2a可以具有菱形板状。第二分支部SPE2b可以从第二板部SPE2a延伸。在示例性实施例中，例如，第二分支部SPE2b可以从菱形的第二板部SPE2a的四个边缘中的至少一个边缘延伸。

第三子像素电极SPE3可以包括第三板部SPE3a和多个第三分支部SPE3b。在示例性实施例中，例如，第三子像素电极SPE3可以具有与第二子像素电极SPE2相同的形状。第四子像素电极SPE4可以包括第四板部SPE4a和多个第四分支部SPE4b。在示例性实施例中，例如，第四子像素电极SPE4可以具有与第一子像素电极SPE1相同的形状。

第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE4彼此分开预定的距离，并且第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE4中的每个直接连接到第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE4之中的其它子像素电极中的一个或两个。在示例性实施例中，第一板部SPE1a可以连接到第二板部SPE2a，第二板部SPE2a可以连接到第一板部SPE1a和第三板部SPE3a。另外，例如，第三板部SPE3a可以连接到第二板部SPE2a和第四板部SPE4a。在可选择的实施例中，包括在每个子像素电极中的分支部(而非板部)可以连接到包括在相邻子像素电极中的分支部。在示例性实施例中，第一子像素电极SPE1与第二子像素电极SPE2之间的距离t1可以为约3微米(μm)。另外，在示例性实施例中，第二子像素电极SPE2与第三子像素电极SPE3之间的距离以及第三子像素电极SPE3与第四子像素电极SPE4之间的距离可以等于第一子像素电极SPE1与第二子像素电极SPE2之间的距离t1。

第一子像素电极SPE1的面积可以小于第二子像素电极SPE2的面积。第一子像素电极SPE1的面积可以基本上等于第四子像素电极SPE4的面积。另外，第二子像素电极SPE2的面积可以基本上等于第三子像素电极SPE3的面积。将基于第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2对此进行更详细地描述。

第一子像素电极SPE1的竖直长度h1小于第二子像素电极SPE2的竖直长度h2。相反，第一子像素电极SPE1的水平长度l1可以基本等于第二子像素电极SPE2的水平长度l2。

在示例性实施例中，例如，第一子像素电极SPE1的竖直长度h1与第二子像素电极SPE2的竖直长度h2之间的差可以为约7.5μm。在示例性实施例中，例如，第一子像素电极SPE1的水平长度l1和第二子像素电极SPE2的水平长度l2可以为约41.5μm。然而，不具体地限定第一子像素电极SPE1的竖直长度h1和水平长度l1以及第二子像素电极SPE2的竖直长度h2和水平长度l2的个体值，只要第一子像素电极SPE1的竖直长度h1小于第二子像素电极SPE2的竖直长度h2即可。

屏蔽电极180与像素电极PE设置在同一层上。在示例性实施例中，屏蔽电极180可以由诸如ITO或IZO的透明导电材料或者诸如铝、银、铬或这些金属的合金的反射金属制成。在示例性实施例中，例如，可以通过同一掩模工艺同时设置屏蔽电极180和像素电极PE。

在下文中，将更详细地描述屏蔽电极180。屏蔽电极180可以包括第一子屏蔽电极180a至第三子屏蔽电极180c。

第一子屏蔽电极180a可以与第一扫描线SL1至少部分地叠置。也就是说，第一子屏蔽电极180a是屏蔽电极180的在第一方向d1上延伸并与第一扫描线SL1至少部分地叠置的区域。第二子屏蔽电极180b可以与第二扫描线SL2至少部分地叠置。也就是说，第二子屏蔽电极180b是屏蔽电极180的在第一方向d1上延伸并与第二扫描线SL2至少部分地叠置的区域。第三子屏蔽电极180c可以与第一数据线DL1至少部分地叠置。也就是说，第三子屏蔽电极180c是屏蔽电极180的在第二方向d2上延伸并与第一数据线DL1至少部分地叠置的区域。

第一子屏蔽电极180a至第三子屏蔽电极180c中的每个连接到其它子屏蔽电极中的一个或两个。在示例性实施例中，例如，屏蔽电极180可以被提供有与提供给共电极CE的电压相同的电压。

在下文中，以使用第一子屏蔽电极180a、第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2为例，描述屏蔽电极180与像素电极PE之间的关系。

第一子屏蔽电极180a可以包括具有不同宽度的区域。在下文中，具有第一宽度w1并且沿第二方向d2与第一子像素电极SPE1相邻的区域将被定义为第一区域180a1。另外，具有第二宽度w2并且沿第二方向d2与第二子像素电极SPE2相邻的区域将被定义为第二区域180a2。换言之，第一区域180a1是第一子屏蔽电极180a的面对第一子像素电极SPE1的区域。另外，第二区域180a2是第一子屏蔽电极180a的面对第二子像素电极SPE2的区域。

更具体地，第一子屏蔽电极180a的第一区域180a1具有如下第一宽度w1：该第一宽度w1为从第一区域180a1的一侧到在第二方向d2上与所述一侧相对的另一侧的距离。第一子屏蔽电极180a的第二区域180a2具有如下第二宽度w2，该第二宽度w2为从第二区域180a2的一侧到在第二方向d2上与所述一侧相对的另一侧的距离。这里，第一宽度w1大于第二宽度w2。

在示例性实施例中，例如，第一宽度w1可以为约11.5μm。此外，在示例性实施例中，例如，第二宽度w2可以为约4μm。因此，在示例性实施例中，例如，第一宽度w1与第二宽度w2之间的差可以为约7.5μm。然而，不具体地限定第一宽度w1和第二宽度w2的个体值，只要第一宽度w1大于第二宽度w2即可。

第一子屏蔽电极180a与第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2中的每个分开预定的距离。这里，第一子屏蔽电极180a的第一区域180a1与第一子像素电极SPE1之间的间隔被限定为第一间隔区域G1。另外，第一子屏蔽电极180a的第二区域180a2与第二子像素电极SPE2之间的间隔被限定为第二间隔区域G2。第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2分别不设置在第一间隔区域G1和第二间隔区域G2中。后面将参照图5描述第一间隔区域G1和第二间隔区域G2。

像素电极PE可以与屏蔽电极180设置在同一层上。此外，屏蔽电极180和像素电极PE彼此绝缘。第二子像素电极SPE2的竖直长度h2大于第一子像素电极SPE1的竖直长度h1。因此，第一子屏蔽电极180a的第二区域180a2可以在第三方向d3上凹陷，凹陷的量为第二子像素电极SPE2的竖直长度h2与第一子像素电极SPE1的竖直长度h1之间的差。这可以反映为第二区域180a2的第二宽度w2小于第一区域180a1的第一宽度w1。

相反，第二子屏蔽电极180b可以设置成具有均匀的宽度。在示例性实施例中，例如，第二子屏蔽电极180b的宽度可以等于第一宽度w1。

尽管附图中未示出，但是第一取向层可以设置在像素电极PE和屏蔽电极180上。在示例性实施例中，第一取向层可以由例如聚酰亚胺制成。

在下文中，将描述上显示面板20。

上基底210可以放置成面对下基底110。在示例性实施例中，例如，上基底210可以由透明玻璃或塑料制成。在示例性实施例中，例如，上基底210可以由与下基底110相同的材料制成。

黑矩阵BM可以设置在上基底210上。设置在上基底210上的黑矩阵BM可以阻挡光穿过除了像素区域之外的区域。在示例性实施例中，例如，黑矩阵BM可以由包括有机物质或铬的金属材料制成。

在包括至少两个子像素电极的像素电极中，黑矩阵BM与子像素电极中的一个至少部分地叠置，但不与其它子像素电极叠置。

参照图1和图5，黑矩阵BM在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上可以不与第一子像素电极SPE1和第四子像素电极SPE4叠置。相比之下，黑矩阵BM在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上可以与第二子像素电极SPE2和第三子像素电极SPE3中的每个的至少一部分叠置。在下文中，将基于第一子像素电极SPE1和第二子像素电极SPE2对此描述。

黑矩阵BM在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上可以不与第一子像素电极SPE1叠置。相反，黑矩阵BM在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上可以与第一子屏蔽电极180a的第一区域180a1完全地叠置。另外，黑矩阵BM可以与第一间隔区域G1的至少一部分叠置，或者可以不与第一间隔区域G1叠置。

黑矩阵BM可以在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上与第二子像素电极SPE2的至少一部分叠置。第一扫描线SL1在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上也可以与第二子像素电极SPE2的至少一部分叠置。

黑矩阵BM可以在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上与第一子屏蔽电极180a的第二区域180a2完全叠置。另外，黑矩阵BM可以与第二间隔区域G2完全叠置。

因此，黑矩阵BM可以完全覆盖液晶分子31之中的位于第二间隔区域G2中的液晶分子。后面将参照图9A至图9E对此进行描述。

滤色器CF可以被设置在黑矩阵BM和上基底210上。在示例性实施例中，滤色器CF可以表示，但不限于，诸如红色、绿色和蓝色的三原色中的一种。滤色器CF可以由在相邻像素中显示不同颜色的材料制成。

平坦化层220可以设置在滤色器CF和黑矩阵BM上。在示例性实施例中，平坦化层220可以由绝缘材料制成并且在一些情况下可以被省略。

共电极CE可以设置在平坦化层220上。共电极CE在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上可以与像素电极PE叠置。在示例性实施例中，共电极CE可以由诸如ITO或IZO的透明导电材料或者诸如铝、银、铬或这些金属的合金的反射金属制成。

参照图6，共电极CE可限定第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4。如果共电极CE由透明导电材料制成，则第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4可以被限定为不设置透明导电材料的区域。

第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上可以分别与第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE4叠置。在示例性实施例中，例如，第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4中的每个可以是十字形的。在示例性实施例中，第一狭缝部SLT1可以具有与第四狭缝部SLT4相同的形状和尺寸。在示例性实施例中，第二狭缝部SLT2可以具有与第三狭缝部SLT3相同的形状和尺寸。

在下文中，将基于第一子像素电极SPE1、第二子像素电极SPE2、第一狭缝部SLT1和第二狭缝部SLT2，参照图1、图4和图6描述像素电极PE与共电极CE之间的关系。

在示例性实施例中，第一狭缝部SLT1的竖直长度hs1小于第二狭缝部SLT2的竖直长度hs2。相反，第一狭缝部SLT1的水平长度ls1可以等于第二狭缝部SLT2的水平长度ls2。在示例性实施例中，第一狭缝部SLT1的竖直长度hs1和水平长度ls1可以分别与第一子像素电极SPE1的竖直长度h1和水平长度l1对应。在示例性实施例中，第二狭缝部SLT2的竖直长度hs2和水平长度ls2可以分别与第二子像素电极SPE2的竖直长度h2和水平长度12对应。

尽管附图中未示出，但是第二取向层可以设置在共电极CE上。在示例性实施例中，第二取向层可以由例如聚酰亚胺制成。

在下文中，将描述液晶层30。

液晶层30包括具有负的介电各向异性的液晶分子31。在示例性实施例中，当在下基底110与上基底210之间提供电场时，液晶分子31可以通过在特定方向上旋转或倾斜来改变光的偏振。

图9A是图1中示出的区域A的示例性实施例的放大图。图9B是图9A中示出的区域B的示例性实施例的放大图。图9C是图9A中示出的区域C的示例性实施例的放大图。图9D是图9A中示出的区域D的示例性实施例的放大图。图9E是图9A中示出的区域E的示例性实施例的放大图。图10是沿图9A的线II1-II1'截取的剖视图。图11是沿图9A的线II2-II2'截取的剖视图。为了易于描述，图10和图11主要示出像素电极PE、共电极CE、黑矩阵BM和屏蔽电极180。

参照图1和图9A至图11，LCD装置还可以包括电场区域EF。电场区域EF可以在第一方向d1上与第一间隔区域G1相邻，并且在第二方向d2上与第二间隔区域G2相邻。如上所述，像素电极PE不设置在第一间隔区域G1和第二间隔区域G2中。相反，第二子像素电极SPE2的至少一部分设置在电场区域EF中。

在下文中，位于第一间隔区域G1中的液晶分子中的一个将被称作第一液晶分子31a，位于第二间隔区域G2中的液晶分子中的一个将被称作第二液晶分子31b，位于电场区域EF中的液晶分子中的一个将被称作第三液晶分子31c。

当在像素电极PE与共电极CE之间提供电场时，第一液晶分子31a至第三液晶分子31c1和31c2根据电场以预定角度倾斜。

第一子像素电极SPE1不设置在第一间隔区域G1中。因此，当在第一子像素电极SPE1的端部与共电极CE之间提供电场E1时，在LCD装置的平面图中，设置在第一间隔区域G1中的第一液晶分子31a以与第一方向d1成约90度的方位角倾斜。

第二子像素电极SPE2不设置在第二间隔区域G2中。因此，当在第二子像素电极SPE2的端部与共电极CE之间提供电场E2时，在LCD装置的平面图中，第二液晶分子31b以与第一方向d1成约90度的方位角倾斜。

相反，第二子像素电极SPE2的至少一部分被设置在电场区域EF中。因此，当在第二子像素电极SPE2的所述至少一部分与共电极CE之间提供电场时，在LCD装置的平面图中，第三液晶分子31c以约45度或约135度的方位角倾斜。

更具体地，第二分支部SPE2b可以包括在第四方向d4上从第二板部SPE2a延伸的分支部和在第五方向d5上从第二板部SPE2a延伸的分支部。另外，电场区域EF可以包括第一子电场区域EFa和第二子电场区域EFb，所述第一子电场区域EFa与在第四方向d4上从第二板部SPE2a延伸的分支部对应，所述第二子电场区域EFb与在第五方向d5上从第二板部SPE2a延伸的分支部对应。

在第三液晶分子31c中，当通过在第四方向d4上从第二板部SPE2a延伸的分支部、第二板部SPE2a、第二狭缝部SLT2和共电极CE提供电场时，设置在第一子电场区域EFa中的液晶分子31c1可以以预定方位角倾斜。更具体地，如图9D所示，液晶分子31c1可以相对于第一方向d1以约45度的方位角a倾斜。

另外，在第三液晶分子31c中，当通过在第五方向d5上从第二板部SPE2a延伸的分支部、第二板部SPE2a、第二狭缝部SLT2和共电极CE提供电场时，设置在第二子电场区域EFb中的液晶分子31c2可以以预定方位角倾斜。更具体地，如图9E所示，液晶分子31c2可以相对于第一方向d1以约135度的方位角b倾斜。

参照图10，第一间隔区域G1的仅至少一部分可与黑矩阵BM叠置。相反，参照图11，第二间隔区域G2可与黑矩阵BM完全叠置。因此，设置在第二间隔区域G2中的第二液晶分子31b可以与黑矩阵BM叠置。

通常，如果从LCD装置的与第一方向d1对应的侧面观看到相对于第一方向d1以约90度的方位角倾斜的液晶分子，则当LCD装置显示低灰度级的图像时，看到液晶分子的侧表面。由于光会通过液晶分子的被看到的侧表面泄漏，所以会降低从侧面观看的图像的可见性。相反，如果从LCD装置的与第一方向d1对应的侧面观看到相对于第一方向d1以约0度的方位角倾斜的液晶分子，则当LCD装置显示低灰度级的图像时，可以看到液晶分子的端部。因此，其可以改善从侧面观看的图像的可见性。

通常，在高灰度级的图像中，透射率可以随着液晶分子相对于第一方向d1的方位角越发接近于约90度而增大。相反，透射率可以随着液晶分子相对于第一方向d1的方位角越发接近于约0度而减小。

参照图9A，如上所述，在低灰度级处，设置在第二间隔区域G2中的第二液晶分子31b以相对于第一方向d1约90度的方位角倾斜。然而，第二间隔区域G2与黑矩阵BM叠置。因此，防止由位于第二间隔区域G2中的第二液晶分子31b泄漏的光通过黑矩阵BM行进到LCD装置外部。因此，可以改善从侧面观看的处于低灰度级的图像的可见性。

另外，设置在第一子电场区域EFa中的液晶分子31c1相对于第一方向d1以约45度的方位角倾斜，设置在第二子电场区域EFb中的液晶分子31c2相对于第一方向d1以约135度的方位角倾斜(即，液晶分子31c2与在第一方向d1的反方向上延伸的虚线之间的夹角为约45度)。这可以改善处于低灰度级的图像的可见性并且有效地使高灰度级处的透射率的减小最小化。

图12是示出LCD装置的示例性实施例的透射率与灰度级的曲线图。曲线图的横轴表示灰度级，纵轴表示透射率T。附图标记1表示在正面观看LCD装置时相对于灰度级的透射率，附图标记2和3表示在侧面观看LCD装置时相对于灰度级的透射率。这里，附图标记2表示根据比较示例的LCD装置，附图标记3表示根据示例性实施例的LCD装置。

参照图12，因为根据示例性实施例的LCD装置3的透射率相对接近于在正面观看时的相对于灰度级的透射率1，所以对于低灰度级的图像，根据示例性实施例的LCD装置3在侧面观看时具有改善的可见性。另外，对于高灰度级的图像，根据示例性实施例的LCD装置3比根据比较示例的LCD装置2具有更高的透射率。

下面的表1示出了根据示例性实施例的LCD装置3和根据比较示例的LCD装置2中的每个的透射率和可见性指数(“GDI”)。

[表1]

	示例性实施例	比较示例
			透射率(％)	104	100
可见性指数(GDI)	0.425	0.444

参照表1和图12，根据示例性实施例的LCD装置3比根据比较示例的LCD装置2具有更高的透射率和更低的可见性指数。因此，根据示例性实施例的LCD装置3具有改善的侧面可见性。

图13至图16是包括在LCD装置中的像素的其它示例性实施例的示意性平面图。将省略与上面参照图1至图12描述的元件和特征相同的元件和特征的描述。另外，将由相同的附图标记表示与上述元件相同的元件。为了易于描述，图13至图16主要示出像素电极PE和屏蔽电极180。

参照图13，第一子像素电极SPE1可以具有与第三子像素电极SPE31相同的形状。第三子像素电极SPE31可以包括第三板部SPE31a和多个第三分支部SPE31b。第二子像素电极SPE2可以具有与第四子像素电极SPE41相同的形状。第四子像素电极SPE41可以包括第四板部SPE41a和多个第四分支部SPE41b。第一子像素电极SPE1的竖直长度h1小于第二子像素电极SPE2的竖直长度h2。第三子像素电极SPE31的竖直长度h3小于第四子像素电极SPE41的竖直长度h4。在示例性实施例中，例如，第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE41的水平长度l1至14可以彼此基本相等。

与图4中的第一子屏蔽电极180a对应的第一子屏蔽电极180aA可以包括第一区域180a1、第二区域180a2、第三区域180a3和第四区域180a4。第一区域180a1至第四区域180a4可以按照第一区域180a1至第四区域180a4的顺序沿第一方向d1布置。第一区域180a1沿第二方向d2的第一宽度w1可以基本等于第三区域180a3沿第二方向d2的第三宽度w3。第二区域180a2沿第二方向d2的第二宽度w2可以基本等于第四区域180a4沿第二方向d2的第四宽度w4。也就是说，第一子屏蔽电极180aA的第二区域180a2和第四区域180a4可以在第三方向d3上凹陷。

第一子像素电极SPE1至第四子像素电极SPE41可以分别面对第一子屏蔽电极180aA的第一区域180a1至第四区域180a4。

第一子像素电极SPE1和第三子像素电极SPE31可以不与黑矩阵BM叠置。另外，第二子像素电极SPE2和第四子像素电极SPE41中的每个的至少一部分可以与黑矩阵BM叠置。

也就是说，虽然在图1至图12中第一子屏蔽电极180a与第二子像素电极SPE2和第三子像素电极SPE3中的每个之间的间隔与黑矩阵BM叠置，但是在图13中第一子屏蔽电极180aA与第二子像素电极SPE2和第四子像素电极SPE41中的每个之间的间隔与黑矩阵BM叠置。

然而，子像素电极的布置和第一子屏蔽电极180aA的形状不限于附图中示出的子像素电极的布置和第一子屏蔽电极180aA的形状，只要包括在像素电极中的至少两个子像素电极中的一个与黑矩阵BM叠置，并且另一个子像素电极不与黑矩阵BM叠置即可。

参照图14，与第一子像素电极SPE1和第四子像素电极SPE4相比，第二子像素电极SPE21和第三子像素电极SPE32可以在第二方向d2上更远地延伸。第二子像素电极SPE21可以包括第二板部SPE21a和多个第二分支部SPE21b。第三子像素电极SPE32可以包括第三板部SPE32a和多个第三分支部SPE32b。第一子屏蔽电极180aB和第二子屏蔽电极180bA分别与图4中的第一子屏蔽电极180a和第二子屏蔽电极180b对应。因此，第二子屏蔽电极180bA可以包括与第二子像素电极SPE21和第三子像素电极SPE32对应的具有不同宽度的区域。第二子屏蔽电极180bA在与限定下基底110的主表面平面垂直的方向上，与电连接到栅电极GE的第二扫描线SL2叠置。也就是说，具有第一宽度w11的第一区域180b1和具有第二宽度w21的第二区域180b2可以位于第二子屏蔽电极180bA中。第二方向d2上的第一宽度w11可以大于第二方向d2上的第二宽度w21。

尽管附图中未示出，但是第二子像素电极SPE21和第三子像素电极SPE32可以沿第二方向d2和第三方向d3中的每个方向更远延伸。在这种情况下，第一子屏蔽电极180aB和第二子屏蔽电极180bA中的每个可以包括与子像素电极的尺寸对应的具有不同宽度的区域。

参照图15，第一子像素电极SPE11的在第一方向d1上的水平长度l11可以与第二子像素电极SPE22的在第一方向d1上的水平长度l21不同。更具体地，在示例性实施例中，例如，第一子像素电极SPE11的水平长度l11可以为约38.5μm。在示例性实施例中，例如，第二子像素电极SPE22的水平长度l21可以为约41.5μm。第三子像素电极SPE33的水平长度l31可以等于第二子像素电极SPE22的水平长度l21，第四子像素电极SPE41的水平长度l41可以等于第一子像素电极SPE11的水平长度l11。第一子像素电极SPE11可以包括第一板部SPE11a和多个第一分支部SPE11b，第二子像素电极SPE22可以包括第二板部SPE22a和多个第二分支部SPE22b，第三子像素电极SPE33可以包括第三板部SPE33a和多个第三分支部SPE33b，第四子像素电极SPE41可以包括第四板部SPE41a和多个第四分支部SPE41b。第一子屏蔽电极180aC与图4中的第一子屏蔽电极180a对应。

例如，在示例性实施例中，第一子像素电极SPE11与第二子像素电极SPE22之间的距离t2可以为约5μm。在示例性实施例中，第二子像素电极SPE22与第三子像素电极SPE33之间的距离以及第三子像素电极SPE33与第四子像素电极SPE41之间的距离可以等于第一子像素电极SPE11与第二子像素电极SPE22之间的距离t2。

也就是说，可以通过形成比第二子像素电极SPE22的水平长度l21小的第一子像素电极SPE11的水平长度l11并且增大第一子像素电极SPE11与第二子像素电极SPE22之间的距离t2，来增强低灰度级处的电场。结果，可以改善侧面可见性。

参照图16，第一子像素电极SPE11至第四子像素电极SPE41在第二方向d2上可以具有相同的竖直长度。相反，第一子像素电极SPE11在第一方向d1上的水平长度l11可以与第二子像素电极SPE23在第一方向d1上的水平长度l21不同。在示例性实施例中，例如，第一子像素电极SPE11的水平长度l11可以是约38.5μm，第二子像素电极SPE23的水平长度l21可以是约41.5μm。第三子像素电极SPE34的水平长度l31可以等于第二子像素电极SPE23的水平长度l21，第四子像素电极SPE41的水平长度l41可以等于第一子像素电极SPE11的水平长度l11。第二子像素电极SPE23可以包括第二平板部SPE23a和多个第二分支部SPE23b，第三子像素电极SPE34可以包括第三平板部SPE34a和多个第三分支部SPE34b。

例如，在示例性实施例中，第一子像素电极SPE11与第二子像素电极SPE23之间的距离t2可以为约5μm。在示例性实施例中，例如，第二子像素电极SPE23与第三子像素电极SPE34之间的距离以及第三子像素电极SPE34与第四子像素电极SPE41之间的距离可以等于第一子像素电极SPE11与第二子像素电极SPE23之间的距离t2。

第一子屏蔽电极180aB可以被设置成在第二方向d2上具有基本上均匀的宽度。第二子屏蔽电极180b可以被设置成在第二方向d2上具有基本上均匀的宽度。

图17是示出图16的LCD装置的示例性实施例的透射率与灰度级的曲线图。曲线图的横轴表示灰度级，纵轴表示透射率T。附图标记1表示在正面观看LCD装置时相对于灰度级的透射率，附图标记2和3表示在侧面观看LCD装置时相对于灰度级的透射率。这里，附图标记2表示根据比较示例的LCD装置，附图标记3表示根据示例性实施例的LCD装置。

下面的表2示出了根据示例性实施例的LCD装置3和根据比较示例的LCD装置2中的每个的透射率和GDI。

[表2]

	实施例(图16)	比较示例
			透射率(％)	102	100
可见性指数(GDI)	0.404	0.444

参照表2和图17，根据图16的示例性实施例的LCD装置3比根据比较示例的LCD装置2具有更高的透射率和更低的可见性指数。因此，根据示例性实施例的LCD装置3具有改善的侧面可见性。

更具体地讲，由于第一子像素电极SPE11的面积与第二子像素电极SPE23的面积(或者第三子像素电极SPE34的面积与第四子像素电极SPE41的面积)不同，所以第一子像素电极SPE11与第二子像素电极SPE23之间的电压-透射率比存在差异。电压-透射率比的差异改善了根据示例性实施例的LCD装置3的侧面可见性。

图18是包括在图1的LCD装置中的像素的示例性实施例的示意性平面图。为了易于描述，图18主要示出像素电极PE、屏蔽电极180和第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4。

参照图18，在示例性实施例中，第一狭缝部SLT1可以具有与第四狭缝部SLT4相同的形状和尺寸。在示例性实施例中，第二狭缝部SLT2可以具有与第三狭缝部SLT3相同的形状和尺寸。第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4在第一方向d1上的水平长度可以都相同。

相反，第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4在第二方向d2上的竖直宽度ws1可以与第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4在第一方向d1上的水平宽度ws2不同。在示例性实施例中，第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4的竖直宽度ws1可小于第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4的水平宽度ws2。例如，在示例性实施例中，第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4的竖直宽度ws1可以为约3μm。例如，在示例性实施例中，第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4的水平宽度ws2可以为约5μm。

由于第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4的竖直宽度ws1小于第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4的水平宽度ws2，因此可以在第一方向d1和与第一方向d1相反的方向上提供强电场。结果，可以改善低灰度级处的侧面可见性。

图19是包括在LCD装置中的像素的另一示例性实施例的示意性平面图。

参照图19，第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4都可以具有相同的形状。

也就是说，第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4在第二方向d2上的竖直宽度ws1可以与第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4在第一方向d1上的水平宽度ws2不同。更具体地，第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4的竖直宽度ws1可以小于第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4的水平宽度ws2。例如，在示例性实施例中，第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4的竖直宽度ws1可以为约3μm。例如，在示例性实施例中，第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4的水平宽度ws2可以为约5μm。第二子像素电极SPE24和第三子像素电极SPE31可以分别包括第二板部SPE24a和多个第二分支部SPE24b以及第三板部SPE31a和多个第三分支部SPE31b。第二狭缝部SLT21和第三狭缝部SLT31分别与图1中的第二狭缝部SLT2和第三狭缝部SLT3对应。

图20是示出图19的LCD装置的示例性实施例的透射率与灰度级的曲线图。曲线图的横轴表示灰度级，纵轴表示透射率T。附图标记1表示在正面观看LCD装置时相对于灰度级的透射率，附图标记2和3表示在侧面观看LCD装置时相对于灰度级的透射率。这里，附图标记2表示根据比较示例的LCD装置，附图标记3表示根据示例性实施例的LCD装置。

下面的表3示出了根据示例性实施例的LCD装置3和根据比较示例的LCD装置2中的每个的透射率和GDI。

[表3]

	实施例(图19)	比较示例
			透射率(％)	95	100
可见性指数(GDI)	0.384	0.444

参照表3和图20，根据图19的示例性实施例的LCD装置3与根据比较示例的LCD装置2就透射率而言没有太大差异，但是比根据比较示例的LCD装置2具有更低的可见性指数。因此，根据示例性实施例的LCD装置3具有改善的侧面可见性。

由于第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4的竖直宽度ws1小于第一狭缝部SLT1至第四狭缝部SLT4的水平宽度ws2，因此可以在第一方向d1和与第一方向d1相反的方向上提供强电场。结果，可以改善低灰度级处的侧面可见性。

尽管附图中未示出，但是在示例性实施例中，图1中示出的像素PX可以应用于显示蓝色的像素。然而，图1中示出的像素PX也可以应用于显示绿色或红色的像素。

根据本发明构思的实施例，可以有效地使开口率的减小最小化。

另外，可以改善侧面可见性。

此外，可以有效地使高灰度级处的透射率的降低最小化。

尽管这里已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但是其它实施例和修改将根据该描述而明显。因此，本发明构思不限于这些实施例，而是由给出的权利要求和各种明显的修改及等同布置的更宽范围所限定。

Claims (20)

1.一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括：

第一基底；

像素电极，设置在所述第一基底上，并且包括第一子像素电极和沿第一方向与所述第一子像素电极相邻的第二子像素电极；以及

屏蔽电极，与所述像素电极设置在同一层上，并且包括第一区域和第二区域，所述第一区域沿与所述第一方向交叉的第二方向具有第一宽度，所述第二区域沿与所述第一方向交叉的所述第二方向具有比所述第一宽度小的第二宽度，

其中，所述第一子像素电极沿所述第二方向与所述屏蔽电极的所述第一区域相邻，并且所述第二子像素电极沿所述第二方向与所述屏蔽电极的所述第二区域相邻。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：

第二基底，面对所述第一基底；以及

黑矩阵，设置在所述第二基底上，

其中，所述黑矩阵在与限定所述第一基底的主表面平面垂直的方向上不与所述第一子像素电极叠置，并且所述黑矩阵在与限定所述第一基底的所述主表面平面垂直的所述方向上与所述第二子像素电极的至少一部分叠置。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：

第一间隔区域，设置在所述第一子像素电极与所述屏蔽电极的所述第一区域之间；以及

第二间隔区域，设置在所述第二子像素电极与所述屏蔽电极的所述第二区域之间，

其中，所述黑矩阵在与限定所述第一基底的所述主表面平面垂直的所述方向上与所述第二间隔区域完全叠置。

4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述黑矩阵在与限定所述第一基底的所述主表面平面垂直的所述方向上不与所述第一间隔区域叠置。

5.根据权利要求3所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：

多个液晶分子，设置在所述第二间隔区域中，

其中，所述液晶分子在与限定所述第一基底的所述主表面平面垂直的所述方向上与所述黑矩阵完全叠置。

6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素电极的面积小于所述第二子像素电极的面积。

7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极中的每个具有与所述第二方向平行的竖直长度，

其中，所述第一子像素电极的竖直长度小于所述第二子像素电极的竖直长度。

8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极中的每个具有与所述第一方向平行的水平长度，

其中，所述第一子像素电极的水平长度小于所述第二子像素电极的水平长度。

9.根据权利要求1所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：

共电极，限定第一狭缝部和第二狭缝部，所述第一狭缝部在与限定所述第一基底的主表面平面垂直的方向上与所述第一子像素电极叠置，所述第二狭缝部在与限定所述第一基底的所述主表面平面垂直的所述方向上与所述第二子像素电极叠置，其中，所述第一狭缝部和所述第二狭缝部中的每个是十字形的。

10.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其中，所述第一狭缝部和所述第二狭缝部中的每个具有与所述第二方向平行的竖直部，其中，所述第一狭缝部的竖直部在所述第二方向上的竖直长度小于所述第二狭缝部的竖直部在所述第二方向上的竖直长度。

11.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其中，所述第一狭缝部包括与所述第一方向平行的水平部和与所述第二方向平行的竖直部，并且所述第二狭缝部包括与所述第一方向平行的水平部和与所述第二方向平行的竖直部，其中，所述第一狭缝部的水平部在所述第二方向上的宽度比所述第一狭缝部的竖直部在所述第一方向上的宽度窄，并且所述第二狭缝部的水平部在所述第二方向上的宽度比所述第二狭缝部的竖直部在所述第一方向上的宽度窄。

12.根据权利要求1所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：

第一扫描线，在所述第一方向上延伸，并且在与限定所述第一基底的主表面平面垂直的方向上与所述屏蔽电极叠置；以及

第二扫描线，在所述第一方向上延伸，并且与所述第一扫描线相邻，

其中，所述第二子像素电极的至少一部分在与限定所述第一基底的所述主表面平面垂直的所述方向上与所述第一扫描线叠置。

13.一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括：

第一基底；

像素电极，设置在所述第一基底上并且包括第一子像素电极和在第一方向上与所述第一子像素电极相邻的第二子像素电极；

第二基底，面对所述第一基底；以及

黑矩阵，设置在所述第二基底上，

其中，所述黑矩阵在与限定所述第一基底的主表面平面垂直的方向上不与所述第一子像素电极叠置，并且在与限定所述第一基底的所述主表面平面垂直的所述方向上与所述第二子像素电极的至少一部分叠置。

14.根据权利要求13所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：

屏蔽电极，与所述像素电极设置在同一层上并且包括第一区域和第二区域，所述第一区域在与所述第一方向交叉的第二方向上具有第一宽度，所述第二区域在与所述第一方向交叉的所述第二方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第一子像素电极沿所述第二方向面对所述屏蔽电极的所述第一区域，并且所述第二子像素电极沿所述第二方向面对所述屏蔽电极的所述第二区域。

15.根据权利要求14所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：

第一间隔区域，设置在所述第一子像素电极与所述第一区域之间；以及

第二间隔区域，设置在所述第二子像素电极与所述第二区域之间，

其中，所述黑矩阵在与限定所述第一基底的所述主表面平面垂直的所述方向上与所述第二间隔区域完全叠置。

16.根据权利要求15所述的液晶显示装置，其中，所述黑矩阵在与限定所述第一基底的所述主表面平面垂直的所述方向上不与所述第一间隔区域叠置。

17.根据权利要求15所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：

多个液晶分子，位于所述第二间隔区域中，

其中，所述多个液晶分子在与限定所述第一基底的所述主表面平面垂直的所述方向上与所述黑矩阵完全叠置。

18.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素电极的面积小于所述第二子像素电极的面积。

19.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极中的每个具有平行于与所述第一方向交叉的第二方向的竖直长度，其中，所述第一子像素电极的竖直长度小于所述第二子像素电极的竖直长度。

20.根据权利要求13所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：

共电极，限定第一狭缝部和第二狭缝部，所述第一狭缝部在与限定所述第一基底的所述主表面平面垂直的所述方向上与所述第一子像素电极叠置，所述第二狭缝部在与限定所述第一基底的所述主表面平面垂直的所述方向上与所述第二子像素电极叠置，

其中，所述第一狭缝部和所述第二狭缝部中的每个具有平行于与所述第一方向交叉的第二方向的竖直部，其中，所述第一狭缝部的竖直部在所述第二方向上的竖直长度小于所述第二狭缝部的竖直部在所述第二方向上的竖直长度。