CN108140691B - 用于稳定光伏硅太阳能电池的方法和装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于稳定光伏硅太阳能电池的方法，具有再生步骤，在此进行将载流子注入被加热到至少50℃的太阳能电池的半导体衬底中。本发明的特征在于，在再生步骤之前进行退化步骤，其中太阳能电池借助辐射且尤其是激光射线被施加至少5000W/m2的照射强度且太阳能电池同时被主动冷却。本发明还涉及一种用于稳定光伏硅太阳能电池的装置。

Description

用于稳定光伏硅太阳能电池的方法和装置
技术领域
本发明涉及根据权利要求1的前序部分的用于稳定光伏硅太阳能电池的方法，以及根据权利要求14的前序部分的用于稳定光伏硅太阳能电池的装置。
背景技术
光伏硅太阳能电池用于将入射光线的能量转化为电能。对这种太阳能电池经济性的重要参数尤其在于效率，其主要取决于材料质量、进而尤其取决于与所产生的载流子相关的复合活性。另外，材料成本占典型硅太阳能电池的总成本的相当大一部分，因此存在对廉价材料的需求，该廉价材料仍允许高质量和尤其是长的载流子使用期。但尤其在基于结晶硅衬底的太阳能电池情况下发现有退化作用，即所用材料的质量随着太阳能电池的利用而降低。
因此人们需要以下方法，其在再生状态以高质量稳定这种太阳能电池，从而在使用中未出现退化或退化明显减轻。因为制造方法成本和进而尤其所需的处理过程时间也明显计入总成本，故还要求加速这种方法。
退化行为如前所述极其紧密地与硅太阳能电池半导体衬底中的基于硼氧材料的缺陷相关。通过温度处理和一般借助氢的钝化处理，可以表明允许这种太阳能电池的稳定化的处理方法：
在这种情况下，一种解释模型是图1所示的状态模型。在此情况下，从经过加热(退火)的状态A开始，在此状态中太阳能电池虽然具有高质量，但在使用中因为被辐射且一般是阳光照射而退化。虽然太阳能电池在退化状态D中是稳定的，但效率低了许多。目的是：获得一种再生状态R，其在典型使用条件下稳定且相对于状态D具有更高的效率。
根据实际了解，退火状态和退化状态是可逆的。可以在不利条件下从再生状态转变至退火状态，但无法直接转变至退化状态。此外在图1中依据箭头能清楚看到，无法从退火状态直接转变至再生状态，而是必须选择经由退化状态的路径。
该作用尤其在采用切克劳斯基(Cz)硅时能看到。同样，这样的或相似的作用看起来也出现在多晶硅晶片中。
如前所述的用于稳定光伏硅太阳能电池的方法由WO 2014/206504 A1、EP 1 997157 B1和EP 2 164 114 B1公开。
发明内容
本发明基于以下任务，提供用于稳定光伏硅太阳能电池的方法和装置，以允许不易出错的和/或被加快的硅太阳能电池稳定化。
该任务通过一种根据权利要求1的方法及一种根据权利要求14的装置完成。本发明的方法和装置的有利实施方式可在从属权利要求中找到。
本发明的方法优选设计用于借助本发明的装置且尤其是其有利实施方式来执行。本发明的装置优选设计用于执行本发明的方法、尤其是其中一个有利实施方式。
根据本发明的用于稳定光伏硅太阳能电池的方法具有再生步骤，在这里，将载流子注入到被加热到至少50℃的太阳能电池的半导体衬底中。这样的再生步骤已由现有技术公开。
本发明尤其基于以下认识，在再生之前的太阳能电池的退化程度占具稳定化过程的可靠性和总持续时间的相当一部分。再生之前的在先退化因此应有双重意义：一方面，对于稳定化过程的总质量而言重要的是，在再生步骤之前相关材料尽量没有或只有可忽略不计的少量处于退火状态。因为如前所述无法直接从退火状态转变至再生状态。而此外，该退化过程是一个相比于再生过程同样或甚至更加费时的过程。因此，本发明基于以下认识：用于稳定光伏硅太阳能电池的装置和方法可以通过提高不易出错性和/或降低退化步骤的处理时长而得以显著改善。与此相关，本发明还基于以下认识，如此获得退化步骤的尤其有利的改善，即，在太阳能电池中借助照射获得载流子的高产生率，同时避免太阳能电池的过高温度。
因此，本发明的方法具有在再生步骤前进行的退化步骤，在此，太阳能电池借助激光射线被施以至少5000W/m2(5kW/m2)的照射强度，同时该太阳能电池被主动冷却。
尤其是，因以前述高照射强度照射太阳能电池而产生载流子密度明显提高的自由载流子与主动冷却的结合，因而允许一方面相对快速的退化步骤，其还保证了在退火状态中的太阳能电池材料区基本上或几乎完全转变到退化状态。主动冷却在此提供两种不同的优点：一方面避免因为高照射强度而进行太阳能电池的强烈变热。由此在光伏硅太阳能电池的典型制造过程中稳定化步骤晚于一加工步骤，该加工步骤带来温度影响，进而太阳能电池发热。因此，主动冷却还导致处理过程的加速，做法是针对退化步骤，该太阳能电池即便在制造方法中在先加热时也可以通过主动冷却被快速置于温度降低状态。
因此，本发明方法一方面因为高照射强度和与此同时因主动冷却而避免过度变热，从而允许就完全或至少近似完全消除处于退火状态的材料区而言的高质量，且允许明显的处理过程加速，进而也有稳定化过程的成本降低。
太阳能电池的过度变热具有以下缺点，即可能不利影响到太阳能电池，甚至出现损伤，尤其是金属导通结构和与半导体层的电气和机械连接可能受到影响，还有半导体材料的电气质量、尤其是少数载流子寿命或半导体层表面的电钝化质量。另外有利的是，尽可能通过单纯加热和同时以并未明显提高的自由载流子密度来获得退化状态。通过精确设定太阳能电池发热达到的温度、至少是遵守温度上限，避免了不利的高载流子密度。
此外，因为主动冷却(其避免了过度变热的缺点)开创了以下可能，可以采用很高的照射强度用于太阳能电池退化。因此有利的是，在退化步骤中借助激光射线对太阳能电池施以至少10000W/m2、尤其是至少50000W/m2、优选至少100000W/m2、尤其是优选至少500000W/m2的照射强度，同时主动冷却太阳能电池。
在较短时间内的这样高的光强度尤其可以有利地通过采用激光器来产生。激光器有以下优点，相比于其它辐射源例如氙气灯或卤素灯，设备发热较少；此外在大量循环期间均可实现激光射线的快速通断。对此，二极管激光器是尤其适用的。
尤其获得前述有利效果，并且所述不利效果避免了过度变热，做法是在一个优选实施方式中在退化步骤中该太阳能电池不超过100℃、尤其是70℃、优选是60℃、尤其优选是50℃、更好是40℃的温度上限，尤其优选得到优选在退化步骤中的太阳能电池主动冷却的支持。
过高温度尤其带来以下危险，即，退火状态的形成速率相比于其它处理过程占主导地位。因此有利地避免尤其高于100℃的过高温度。
在低于100℃的温度，已经预期有明显的改善，这是因为在这样的温度下没有发生或只轻微发生再生，因此排除了退化区域被再生以及随后陷入退火状态。
另外，高照射强度与降低温度的结合对于居主要的退化是有利的。在典型材料、尤其是Cz硅的情况下，选择低于70℃、更优选是低于60℃的温度因此是十分有利的。尤其是低于50℃的温度、更优选是低于40℃的温度被选择用于居主要的退化过程。
为了避免过高温度而有利的是，太阳能电池温度最好借助光学温度测量被测量，且照射强度和/或主动冷却被如此选择，即太阳能电池温度未升至预定最高温度，尤其在预定温度范围内。
太阳能电池温度控制是通过太阳能电池温度的温度测量且依据测量温度、照射强度和/或用以冷却太阳能电池的冷却功率的变化，由此可以可靠避免过高温度。尤其是，非接触式(优选光学)温度测量的使用，在此对于排除附加误差源是有利的。此外，在此情况下采用在可见光光谱内的单色辐射且最好是激光射线是尤其有利的，因为由此没有发生在热谱内的光学温度测量的影响。另外，在此情况下尤其采用激光器来产生辐射是有利的，因为激光器功率相比于其它光源可以被很快速准确地控制，因此可以实现太阳能电池温度的极其快速精确的调整。
由高强光照射造成的退化与同时的主动冷却的组合如前所述有利地允许短暂的退化步骤持续时长。因此，退化步骤的持续时长最好在0.1秒至20秒、优选是0.1秒至5秒的范围内。由此尤其因为稳定化过程的总持续时间缩短而得到成本节约。
以至少5000W/m2的高照射强度对太阳能电池施以辐射作用造成在硅太阳能电池中的电子空穴对的高产生率。在此情况下，采用宽带辐射在本发明范围中，尤其是采用宽带光源例如卤素灯或氙气灯。同样在本发明范围内的是，该辐射是单色辐射。这尤其是有利的，因为借助于单色辐射可以在发热较小的情况下获得电子空穴对的大量产生。因此，采用激光尤其是有利的。对于就在硅太阳能电池中产生电子空穴对而言的高效率而言，采用以下光谱的辐射是有利的，该光谱在太阳能电池半导体衬底中具有高吸收性。尤其是，退化步骤所用辐射的光谱最好在300nm至1200nm、优选600纳米至1000纳米的波长范围内。因此，以下光谱对已有半导体材料是尤其有利的，其在半导体材料的带边缘上方且靠近带边缘。由此，在发热得以最小化的情况下，得到电子空穴对的高效产生。
试验还表明，通过高照射强度也可以明显加速再生过程。迄今存在以下科学偏见，从大致1000W/m2(1kW/m2)的照射强度起，不会伴随照射强度提高而出现再生过程的进一步加速。但试验表明，在明显更高强度下，在相应温度范围内可以获得优选短暂的总处理时长：
在一个有利的实施方式中，再生步骤在以下情况下进行：太阳能电池主动冷却到低于250℃、优选低于230℃的温度、且对太阳能电池施以至少10000W/m2(10kW/m2)的照射强度。由此，可以有利地获得短的总处理时长。尤其有利的是，在上述参数情况下，该退化步骤和再生步骤的总处理时长小于50秒。此时特别有利的是，在再生步骤中将太阳能电池冷却到在150℃至250℃、尤其是200℃至250℃范围内的温度。
但试验还表明，高许多的照射强度对于获得高质量的再生是有利的，且在这种照射强度下显著更高的温度不是不利的，但太阳能电池不应该超过400℃的最高温度。因此，在一个有利实施方式中，在再生步骤期间进行太阳能电池主动冷却至在250℃至400℃、尤其300℃至400℃范围内的温度，并且太阳能电池被施以至少10000W/m2、最好至少50000W/m2、尤其至少70000W/m2的照射强度。由此可以获得在短暂的总处理时长下的高再生质量。在前述参数情况下，退化步骤和再生步骤的总处理时长最好小于50秒。
本发明的优点尤其在于在短暂的退化步骤的处理过程时间内，太阳能电池退火状态的基本或者优选完全的退化。因此尤其有利的是，避免了可能源于再生过程的对退化过程的不利影响。有利地，再生步骤因此在退化步骤结束之后进行。它因此是两个单独的在时间上前后相继的处理步骤，即，在第一处理步骤中以退化为主，在单独的第二处理步骤中以再生为主。在此情况下，在本发明范围内的是，在退化步骤与再生步骤之间接入一个或多个中间步骤。但优选紧接在退化步骤之后进行再生步骤，以避免可能导致回到退火状态的干扰。
在此情况下，在本发明范围内的是，退化和再生只在太阳能电池的一个或多个局部区域中进行。此时有利的是，在多个局部区域中依次进行退化和再生，使得所有局部区域基本或最好完全覆盖硅太阳能电池。尤其是，与对所用装置的结构要求相关的一个方法实施方式是有利的，在此，在优选完全覆盖太阳能电池宽度的条带状区域中，首先在第一区域进行退化，在后续区域进行再生，在此使条带状区域相对于太阳能电池移动。因此，由此可以实现有利的连续方法，在此，例如太阳能电池在第一区域中在主动冷却的同时，如前所述地以一个强度进行照射以便形成退化步骤，并且在随后区域中在较高温度且最好在施加照射的情况下进行再生。
因此有利的是，使退化区域相对于太阳能电池移动和/或太阳能电池依次在地点不同的多个退化区域中被照射，即被施以退化辐射。
尤其有利的是，在初始区域(在该初始区域，退化区域覆盖太阳能电池的第一边缘)中，以初始强度进行照射；并且在端部区域(在该端部区域，退化区域在初始区域照射之后覆盖太阳能电池的第二边缘、尤其是与第一边缘对置的边缘)中，以相比于初始强度较低的最终强度进行照射。更优选地，在中央区域(在该中央区域，退化区域在初始区域照射之后且在端部区域照射之前覆盖太阳能电池的中央区)内，优选以低于初始强度但高于最终强度的中等强度进行照射。
这是因为，基于太阳能电池的和或许其它的与太阳能电池热耦合的零部件的热容量，在仅照射太阳能电池的一个局部区域时，首先可以凭借较高能量输入且相应较高初始强度获得加速加热至期望温度。在此过程后，尤其可以通过使用相比于初始强度较低的中等强度即比较少的能量输入维持稳定强度。如果退化区域仅移向包括太阳能电池的第二边缘(尤其是与第一边缘对置的边缘)的端部区域，则尚待变热的太阳能电池局部区域的热容量减小，从而优选在端部区域中采用伴随相应再次更少的能量输入的又更小的强度。
由此获得在太阳能电池的整个体积且尤其是整个面积内尽可能均匀恒定的温度，进而有利地降低对主动冷却精度的要求。
但在通过主动冷却保证的恒定温度下，也可以如上所述进行退化区域的处理而没有改变强度。这尤其有利地是可能的，因为太阳能电池被耦合至较大的热容量，其借助主动冷却具有期望温度。例如采用一处理块体是有利的，在该处理块体上，太阳能电池优选以背面大面积地全面贴靠，以形成高的热耦合。按照低设备成本的方式，前述块体可以借助主动冷却被置入期望温度范围。
只要退化借助于至少延伸经过太阳能电池宽度的退化区域进行，则该退化区域可以至少垂直于退化区域位移方向地具有均匀的照射强度。尤其是，该退化区域可以全面具有均匀的照射强度。
有利的是，在退化步骤中在退化区域中进行照射，其中，在太阳能电池的边缘处，以相比于“用以照射与边缘间隔的区域的中央区强度”更低的边缘强度进行照射。这也如前所述，源于边缘区相比于太阳能电池中央区更少地热耦合至周围的太阳能电池区域。
在另一个有利实施方式中，太阳能电池在退化步骤中全表面接受退化辐射。由此，尤其是按照结构简单的方式保证均匀的退化。
一般，再生步骤有利地发生在相比于室温明显升高的温度。为此尤其有利的是，太阳能电池在再生步骤中具有相比于退化步骤更高的温度，尤其有利地具有比退化步骤中的温度高了至少50℃、尤其最好是至少100℃、更好是至少200℃的温度。
有利地，如上所述，也在再生步骤中对太阳能电池施以辐射。在此情况下，一般如前所述，相比于退化步骤，太阳能电池有较高温度是有利的。尽管如此，有利地在再生步骤中该太阳能电池也被主动冷却。这源于按照以高强度进行照射的方式可获得再生步骤的加速。但这样的照射可能导致太阳能电池的过强的、即不希望的强烈变热，从而通过在再生步骤中的主动冷却也可以在再生时采用高强度辐射。为了高效再生，在再生步骤中该太阳能电池有利地被置于在200℃至500℃、尤其更好是250℃至500℃、尤其最好是300℃至500℃范围内的温度。尤其有利的是，在再生步骤中借助主动冷却获得太阳能电池的前述温度范围。
为了获得短的总处理时长而有利的是，执行再生步骤的再生时间T小于3秒，最好小于0.5秒。这尤其有利地得到如下支持：对太阳能电池施以优选大于10kW/m2、尤其大于50kW/m2、最好大于100kW/m2的高光强度，同时进行主动冷却。
本发明的任务还通过根据权利要求14的装置来完成。
用于稳定光伏硅太阳能电池的装置具有用于对太阳能电池施以再生辐射的再生辐射源。重要的是，该装置具有用于对太阳能电池施以退化辐射的退化辐射源和用于主动冷却太阳能电池的主动冷却单元。
退化辐射源被设计成对太阳能电池施加具有至少5000W/m2的强度的退化辐射。退化辐射源和冷却单元如此布置和合作地构成，即，太阳能电池可同时接受退化辐射并可被主动冷却。
由此得到已经在本发明方法中提到的优点，尤其是可以在相比于已知方法缩短的时间里进行“退火状态”广泛且优选完全地转为“退化状态”。
如前所述，退化辐射源有利地以激光源形式构成，因为可以借助激光器有利地在短时间内产生高的光强度。在此情况下，采用激光二极管是尤其有利的。一般在退化步骤中照射一个面状区域，其最好完全覆盖太阳能电池的至少一个宽度。尤其有利的是，在退化步骤中该太阳能电池完全接受辐射。因此采用许多激光二极管、尤其是多个呈矩阵形式布置的激光二极管是有利的，以便获得大面积的且均匀的高强度照射。
如前所述，太阳能电池温度的测量和与之无关地控制退化辐射源的照射功率和/或用于冷却太阳能电池的冷却单元的冷却功率是有利的。因此尤其有利是，该装置具有用于测量太阳能电池温度的温度测量单元，尤其最好是光学温度测量单元，优选地该装置具有控制单元，其设计成与退化辐射源和/或冷却单元配合，以获得在预定温度范围内的太阳能电池温度。
如下获得太阳能电池的特别高效的冷却：在该装置的一个有利实施方式中，该冷却单元具有用于太阳能电池的被主动冷却的支座，尤其用于以“面”的形式将太阳能电池的一侧布置在支座上。由此得到太阳能电池和支座之间的良好热接触。一般，太阳能电池具有大的宽度/厚度比。典型的太阳能电池具有大于10厘米的边长和小于500μm的厚度。因此，当将这样的太阳能电池的一面且最好是太阳能电池的背面放置在这样的支座上时，得到了与支座的很好的热耦合。支座最好具有大的热容量，尤其有利的是该支座至少部分且最好完全设计成由金属构成。主动冷却例如可以借助供应冷却液至支座上和/或支座内的冷却管路来进行。
在另一个有利实施方式中，冷却单元具有至少一个主动鼓风机用于供应冷却流体至太阳能电池，尤其是用冷却气体如空气或净化气体如氩气吹拂太阳能电池。由此可以通过简单方式进行太阳能电池的主动冷却，无论在所述装置中针对太阳能电池用的是什么保持机构或输送机构。
一种有利高效的主动冷却通过将冷却液送至太阳能电池表面来获得。由此可以将液体尤其有利地以滴状、特别优选是以雾状施加至太阳能电池。在一个有利实施方式中，冷却单元因此具有用于供应冷却流体至太阳能电池的至少一个表面的供应机构，尤其最好是用于喷射冷却液至太阳能电池的机构。
退化辐射源和再生辐射源有利地以两个单独辐射源形式构成。尤其是退化辐射源和再生辐射源有利地如此设计和安装在该装置中，即该退化辐射源和再生辐射源在各不同地点对太阳能电池施以辐射。
由此可通过很高效的方式做到该退化步骤首先结束，随后进行再生。
在另一个有利实施方式中，退化辐射源和再生辐射源以统一的退化辐射源和再生辐射源形式构成。此外，该装置如此设计，即，退化辐射源和再生辐射源只在太阳能电池表面的局部区域对太阳能电池施加作用，所述局部区域优选覆盖太阳能电池的整个宽度。为此，该装置优选具有输送机构以相对于退化辐射源输送太阳能电池。
在此有利实施方式中，因此使退化区域相对于太阳能电池运动，此外再生和退化借助因此既是退化辐射源、也是再生辐射源的辐射源来获得。
在此情况下，冷却单元最好如此设计，可以实现太阳能电池的部分冷却，以便在退化范围内获得相比于再生范围内的温度更低的温度。
附图说明
以下，结合实施例和附图来描述其它的优选特征和实施方式，其中：
图1示出了已如上所述的用于退化状态(D)、再生状态(R)和退火状态(A)的三个状态模型；
图2示出了具有退化辐射源和单独的再生辐射源的本发明的装置的第一实施例；
图3示出了具有用于太阳能电池的被主动冷却的支座的本发明装置的第二实施例；
图4示出了对太阳能电池施以辐射的视图，在此，强度朝向太阳能电池边缘减小；
图5示出了对太阳能电池施以辐射的视图，在此所述辐射以条带形区域形式运动经过太阳能电池的表面，以及
图6a)、6b)、6c)示出了根据图5的实施例的改进方案，其在加工过程步骤开始和结束时具有不同的强度。
具体实施方式
所有的图示出了并非准确按照比例的示意图。在附图中，相同的附图标记标示相同的或作用相同的零部件。
图2示出了用于稳定光伏硅太阳能电池的装置的第一实施例。该装置具有再生辐射源1，用于对待稳定的太阳能电池2施以再生辐射。
此外，该装置具有用于对太阳能电池2施以退化辐射的退化辐射源3以及主动冷却单元4，其在此设计成包括两个鼓风机4a和4b。
退化辐射源3和鼓风机4a、4b如此布置和配合地构成，即，太阳能电池2在如图2所示的退化位置中可同时接受退化辐射且可被冷却。
根据图2的装置还具有输送带5，用于将太阳能电池2送入所示退化位置和虚线所示的再生位置。
此外，设有附加的鼓风机5a和5b，从而也在再生过程中可以实现通过吹风的太阳能电池主动冷却。
根据图1的装置尤其允许可靠的且同时相比于已知方法更短暂的稳定方法，因为在如图2所示的硅太阳能电池2的再生位置中，借助退化辐射源3可以对太阳能电池施以高光强度，同时借助鼓风机4a、4b因主动冷却而保证了不高出硅太阳能电池2的预定最高温度。
在此，退化辐射源以具有30行且每行有30个激光器的发光二极管激光器矩阵的形式构成，其产生的光在850纳米波长范围内。同样，可以采用在808纳米或980纳米的波长范围内的光。同样可以采用每行激光器的数量不同且列数不同的二极管激光器矩阵。同样，可以只采用一个激光器，其发出光借助光学机构被相应空间扩张且就强度而言被均匀化。在硅太阳能电池表面，在退化步骤中借助退化辐射源3产生具有50000W/m2强度的光。同时，借助鼓风机4a、4b以环境空气进行吹拂，从而太阳能电池不高出60℃温度。
由此保证快速可靠的退化。尤其是，再生因为比较低的太阳能电池加工过程温度而被排除或至少明显减少。在所述加工过程参数情况下，可以用不到10秒的处理过程时间进行可靠退化。
接着，太阳能电池借助输送带5被送至虚线所示的再生位置。在那里借助再生辐射源1的辐射进行照射，在这里，也借助鼓风机5a和5b来冷却太阳能电池，但按如下方式吹拂环境空气，即太阳能电池具有在120℃至250℃之间的温度。
再生辐射源具有用于产生辐射的多个卤素灯。
或者，再生过程也可以利用尤其如从先前所引用的现有技术中知道的其它结构来进行。重要的是，为了在退化步骤中的可靠和同时快速的退化，硅太阳能电池2同时接受高强度辐射且被主动冷却。
在一个替代结构中，代替鼓风机4a、4b在退化位置上设有喷嘴用于喷洒冷却液雾至硅太阳能电池2。通过被冷却的冷却液槽，借助泵将冷却液供应给两个喷嘴，从而通过对该太阳能电池喷洒来进行主动冷却，使得太阳能电池在退化步骤中不高出预定温度。
在另一个替代方案中，被冷却的气体(如被冷却的环境空气)或其它类型气体(如被冷却的氩气)被供给鼓风机4a、4b，从而可以实现更高效的冷却。还有利的是，尤其纯净气体和/或净化的尤其经过滤的环境空气尤其氩气如上所述借助鼓风机被供应以便冷却，以避免太阳能电池和处理室被污染。
还有利的是，如图2所示的部件安置在一个壳体中。
在图3中示出了本发明装置的第二实施例。为了避免重复，只介绍相比于根据图2的装置的主要区别：
根据图3的装置的冷却单元4被构成为主动冷却的支座、在此是金属块(也称为卡盘)。支座最好具有多个开口，用于通过本身已知的方式将太阳能电池吸紧至支座。该支座还具有冷却管路，冷却液通过泵被泵送经过所述冷却管路以将支座冷却至预定温度。尤其是支座4按照块体形式或者至少基本像相应的块体那样构成，其设计用于太阳能电池的测量尤其是亮度特性曲线测量(所谓的测量块)。
此实施例有以下优点：主动冷却单元4相对于硅太阳能电池2具有大许多的热容量，从而硅太阳能电池2的温度很可靠地对应于主动冷却单元4的温度。
在一个有利设计中，主动冷却单元可以向右向左移动，尤其依靠马达移动，如同箭头所示。由此可以按照一种摇摆运行方式在一侧容纳太阳能电池，随后太阳能电池被置入所示位置以执行处理步骤，随后例如在太阳能电池的对置侧被置于输出位置。
在一个有利改进方案中，根据图3的装置具有虚线所示的光学温度测量及控制单元7。温度测量及控制单元与退化辐射源3相连且如此控制其功率，即太阳能电池在退化步骤中具有的温度在50℃至60℃的范围内。
在根据图3的装置中，可以通过改变用以冷却支座的冷却功率和/或通过改变退化辐射源3用以照射硅太阳能电池2的辐射功率，执行该退化步骤以及在退化步骤结束后随后执行再生步骤。此时尤其重要的是，相比于再生步骤中的硅太阳能电池2的温度，退化步骤在较低的硅太阳能电池温度下进行。
同样可行的是，根据图3的装置只被用于退化步骤，随后在未示出的包含再生辐射源的装置区域内执行再生。它有以下优点，该装置的各自区域一方面针对退化步骤且另一方面针对再生步骤可以被优化。
在本发明范围内的是，为了执行退化，硅太阳能电池被全面施以退化辐射，或者只是太阳能电池的一个局部区域被施以退化辐射，在此，最好使该局部区域移动经过太阳能电池，结果，整个太阳能电池被施以退化辐射和/或多个局部区域被依次施以退化辐射，结果，整个太阳能电池被施以退化辐射。其有利设计如以下结合图4-6所述：
图4示出了从上方看向硅太阳能电池2的俯视图，它被全面施以退化辐射。因为太阳能电池的中央区朝向所有侧都与太阳能电池的相应被加热区域相连，故在此一般相比于其中仅通过边缘实现较少散热的边缘区，可实现更高的能量输入。为了避免在硅太阳能电池边缘区中有过高的温度，因此有利的是：对该边缘区施以比中央区较低的强度。在图4中，连续虚线表示在太阳能电池的四个边缘处的边缘区R，其距各自边缘的距离X在0.5厘米至5厘米范围内，尤其是约为1厘米。退化辐射源如前所述最好如此设计，即，在中央区M内对硅太阳能电池的照射强度比在边缘区R内的强度更高。尤其是，边缘区内的强度优选比在中央区M小了约5％、尤其最好是小了约10％，在此，一般因为有导热而在中央区M与边缘区R之间出现平滑的温度过渡，即温度变化不是分级进行的。
根据图4的如此调整后的照射强度尤其在以下情况下是有利的：硅太阳能电池并不与高许多的热容量相关联，例如当太阳能电池就像在根据图1的装置中那样被吹拂冷却时，尤其当输送带按照本身已知的方式就像例如在直通炉中那样只由两个较窄条带或绳构成时，它们因此只具有小的热容量和差的散热。
在根据图2的冷却单元的设计中，即在采用利用借助冷却液输入的主动冷却或集成式主动冷却的冷却块情况下，一般出现呈冷却块状的支座具有相比于硅太阳能电池高许多倍的热容量，结果在此情况下，也因为基于太阳能电池背面贴靠尤其基本是全面贴靠支座而有很好的热接触，而在退化过程中没有不均匀的太阳能电池温度分布，或者至少程度很小。因此在此可以采用全面均匀的照射。由此获得一种结构简单的设计。为了提高温度均匀性，显然也可以在此情况下采用尤其根据图4的局部非均匀的照射强度。
在关于在退化过程中的“全面”照射且尤其是根据图4的“全面”照射的一个替代实施例中，图5只示出了对硅太阳能电池的条带状退化区域6施以退化辐射，在此，使退化区域6根据方向V相对于硅太阳能电池2移动，结果，硅太阳能电池2的整个表面被施以退化辐射。由此可以有利地实现连续处理过程，尤其以下述方式：在退化区域6位置固定的情况下使太阳能电池与图5中的方向V相反地运动。
为了优化当前的加工过程条件，首先执行退化步骤。在随后的单独方法步骤中执行再生。这可以包括以再生辐射全面照射或者也只用再生辐射照射太阳能电池的局部区域，在这里，使该局部区域相对于太阳能电池移动，结果，整个太阳能电池将被施加再生辐射。
它有如下优点，即，可以通过很可靠的方式规定一方面对退化且另一方面对再生最佳的加工过程条件。
如下得到一个结构有利简单的设计：在一个替代设计中，如图5所示的局部区域的照射在图6a)中靠左的第一局部区域内被用于退化并在靠右的第二局部区域中被用于再生：
在此情况下充分利用以下情况，太阳能电池在所述区域根据箭头V相对于硅太阳能电池相对位移时从初始温度起因辐射照射而变热。因此可以选择加工过程参数，从而在图5内的区域6中得到如在图5的下方示意所示的温度曲线：
在定性的示意图中，相对于太阳能电池温度T绘制出了地点x。因为区域6在根据图5的视图中从右向左移动且在此实施例中太阳能电池一开始具有低的温度(如大致室温，尤其约20℃)，故太阳能电池因为辐射照射而变热。所述参数如此选择，即，在极限范围XG中超出极限温度TG，从而低于该极限温度基本上发生退化，而高于极限温度基本上或更多地发生再生。由此也可以在前后两个相继的单独处理步骤中执行退化和再生，在此，在退化和再生之间的极限Xg随着局部区域相对于硅太阳能电池的位移而也移动，从而在局部区域完全位移经过整个太阳能电池后导致完全再生的太阳能电池。该变型允许结构简单的设计，因为尤其是只需要采用一个辐射源且另外保证了空间紧凑的结构。但作为对策需要精确调准和维持加工过程参数。在一个有利改进方案中，太阳能电池在根据图5在极限XG左侧的区域中被冷却，尤其被吹拂冷却气体，以在退化区域6内实现温差。
在首先单独地将太阳能电池完全退化且接着将太阳能电池完全再生的方法变型中，一般保证了相对于加工过程参数波动的较高稳定性和不易出错性。
图6a)、6b)、6c)示出了退化步骤的一个实施例，在此也如关于图5所述，使其中太阳能电池被施以退化辐射的退化区域6相对于硅太阳能电池根据方向V运动，结果，硅太阳能电池的整个表面被施以退化辐射。在这里，考虑到太阳能电池边缘区有不同的热学性能，首先在如退化区域覆盖太阳能电池2的靠右的第一边缘的图6a)所示的状态中，以在初始区域中略微提升的初始强度对太阳能电池施以退化辐射。由此补偿了余下的太阳能电池一般在初始区域还具有较低温度且因此可被施以较高强度以达到期望温度范围。
因为退化区域至靠右边缘和进而初始区域具有距离X1、尤其是约1厘米的距离，故在中央区域内以相比于初始强度较低的中等强度对太阳能电池施以退化辐射。这在图6b)中被示出。
在退化步骤结束时，如图6c)所示，当退化区域6覆盖太阳能电池的在图中靠左的对置边缘时，太阳能电池以相比于初始强度和相比于中等强度较低的最终强度被施以退化辐射。
由此可以获得太阳能电池温度的极高稳固性。这样的方法也可以被用在再生步骤中。因为再生步骤中的温度敏感性一般比在退化步骤中更高，故尤其有利的是，将如上所述的设计方案应用在再生步骤中。

Claims (31)

1.一种用于稳定光伏硅太阳能电池(2)的方法，包括再生步骤，
在再生步骤中，通过施加辐射将太阳能电池加热到至少50℃，在该太阳能电池的半导体衬底中进行载流子注入，
在所述再生步骤之前进行一个退化步骤，在退化步骤中，该太阳能电池借助辐射，且该太阳能电池同时被主动冷却，将处于退火状态的该太阳能电池的材料区转换为退化状态；
其中，该太阳能电池在所述再生步骤的温度高于在所述退化步骤的温度，
执行退化步骤的时长在0.1秒至10秒的范围内，并且
在再生步骤期间该太阳能电池被主动冷却至在250℃至400℃范围内的温度，且太阳能电池被施加至少10000W/m2的照射强度，其中，退化步骤和再生步骤的总处理时长小于50秒。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述辐射是激光射线。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征是，在所述退化步骤中，太阳能电池被施加至少50000W/m2的照射强度，且该太阳能电池同时被主动冷却。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征是，在所述退化步骤中，太阳能电池被施加至少100000W/m2的照射强度，且该太阳能电池同时被主动冷却。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征是，在所述退化步骤中，太阳能电池被施加至少500000W/m2的照射强度，且该太阳能电池同时被主动冷却。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征是，执行退化步骤的时长在0.1秒至5秒的范围内。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征是，在该再生步骤中，与该太阳能电池的载流子注入同时地进行太阳能电池的主动冷却。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征是，在该再生步骤中，太阳能电池被冷却到在90℃至500℃范围内的温度；和/或执行再生持续时间T不到3秒的再生步骤。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征是，在该再生步骤中，太阳能电池被冷却到在90℃至500℃范围内的温度；和/或执行再生持续时间T不到0.5秒的再生步骤。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其特征是，太阳能电池的温度借助光学温度测量被测量，并且该照射强度和/或主动冷却被如此选择，即太阳能电池的温度未超出预定最高温度。
11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征是，太阳能电池的温度借助光学温度测量被测量，并且该照射强度和/或主动冷却被如此选择，即太阳能电池的温度在预定温度范围内。
12.根据权利要求1或2所述的方法，其特征是，在退化步骤中在退化区域(6)中进行太阳能电池的照射，其中，该退化区域(6)延伸于太阳能电池的整个宽度。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征是，其中，该退化区域(6)只覆盖太阳能电池表面的局部区域。
14.根据前述权利要求1或2所述的方法，其特征是，使退化区域(6)相对于太阳能电池运动；和/或该太阳能电池在多个地点不同的退化区域被依次照射。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征是，在该退化区域(6)覆盖太阳能电池的第一边缘的初始区域中，以初始强度进行照射，并且在退化区域(6)在初始区域照射之后覆盖太阳能电池的第二边缘且与第一边缘对置的边缘的端部区域中，以低于初始强度的最终强度进行照射。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征是，在退化区域(6)在初始区域照射之后且在照射该端部区域之前覆盖太阳能电池的中央区的中央区域内，以中等强度进行照射，该中等强度低于初始强度且高于最终强度。
17.根据权利要求1或2所述的方法，其特征是，在退化步骤中，在退化区域(6)内进行照射，该退化区域至少延伸经过太阳能电池的宽度，其中，在太阳能电池的边缘处以相比于中央区强度更低的边缘强度进行照射，借助于所述中央区强度来照射与边缘间隔的区域。
18.根据前述权利要求1或2所述的方法，其特征是，在退化步骤期间该太阳能电池被施加至少70000W/m2的照射强度。
19.一种用于稳定光伏硅太阳能电池(2)的、用于执行根据前述权利要求之一的方法的装置，其具有用于对太阳能电池施加再生辐射的再生辐射源(1)，
其特征是，
该装置具有用于对太阳能电池施加退化辐射的退化辐射源和用于主动冷却太阳能电池的主动冷却单元(4)，
其中，该退化辐射源(3)设计成对太阳能电池施加强度至少为5000W/m2的退化辐射，并且
其中，该退化辐射源(3)和该冷却单元设计成如此布置和合作，即该太阳能电池能同时被施加退化辐射和被冷却。
20.根据权利要求19所述的装置，其特征是，该退化辐射源(3)是具有至少一个激光二极管的激光辐射源。
21.根据权利要求19所述的装置，其特征是，该退化辐射源(3)是具有多个激光二极管的激光辐射源。
22.根据权利要求19所述的装置，其特征是，该冷却单元具有用于太阳能电池的被主动冷却的支座。
23.根据权利要求22所述的装置，其特征是，该支座用于以面的形式将太阳能电池的一面安置在该支座上。
24.根据权利要求19至23之一所述的装置，其特征是，该装置具有用于测量太阳能电池温度的温度测量单元。
25.根据权利要求24所述的装置，其特征是，该温度测量单元是光学温度测量单元。
26.根据权利要求24所述的装置，其特征是，该装置具有控制单元，该控制单元设计成与退化辐射源和/或冷却单元合作，以便获得在预定温度范围内的太阳能电池温度。
27.根据权利要求19至23之一所述的装置，其特征是，所述退化辐射源(3)和所述再生辐射源(1)设计成两个单独的辐射源。
28.根据权利要求27所述的装置，其特征是，该退化辐射源(3)和该再生辐射源(1)如此设计和布置在该装置中，即，所述退化辐射源(3)和所述再生辐射源(1)在不同地点对太阳能电池施加辐射。
29.根据权利要求19至23之一所述的装置，其特征是，所述退化辐射源(3)和所述再生辐射源(1)以退化和再生辐射源(1)形式构成，且该装置如此设计，即，该退化和该再生辐射源(1)只在太阳能电池表面的局部区域中对太阳能电池施加作用。
30.根据权利要求29所述的装置，其特征是，该局部区域覆盖太阳能电池的整个宽度。
31.根据权利要求29所述的装置，其特征是，该装置具有用于相对于该退化辐射源(3)输送太阳能电池的输送机构。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10347432B2 (en) * 2017-05-21 2019-07-09 Farzaneh Arabpour Roghabadi Recovering a degraded solar cell
CN111403552B (zh) * 2020-03-24 2022-07-22 浙江爱旭太阳能科技有限公司 一种降低晶硅太阳能电池衰减的多种光源复合钝化方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1144573A (zh) * 1994-03-25 1997-03-05 阿莫科/恩龙太阳公司 稳定非晶硅及含稳定非晶硅的器件
DE102009059300A1 (de) * 2009-12-23 2011-06-30 SolarWorld Innovations GmbH, 09599 Photovoltaikzellen-Transport- und Regenerationsbehälter
WO2014206504A1 (de) * 2013-06-26 2014-12-31 Universität Konstanz Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines photovoltaikelements mit stabilisiertem wirkungsgrad

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006012920B3 (de) 2006-03-21 2008-01-24 Universität Konstanz Verfahren zum Herstellen eines Photovoltaikelements mit stabilisiertem Wirkungsgrad
FR2995727B1 (fr) * 2012-09-14 2014-10-24 Commissariat Energie Atomique Dispositif et procede de restauration de cellules photovoltaiques a base de silicium

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1144573A (zh) * 1994-03-25 1997-03-05 阿莫科/恩龙太阳公司 稳定非晶硅及含稳定非晶硅的器件
DE102009059300A1 (de) * 2009-12-23 2011-06-30 SolarWorld Innovations GmbH, 09599 Photovoltaikzellen-Transport- und Regenerationsbehälter
WO2014206504A1 (de) * 2013-06-26 2014-12-31 Universität Konstanz Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines photovoltaikelements mit stabilisiertem wirkungsgrad

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