CN108133883A - 一种高可靠性集成电路板的制备方法 - Google Patents

一种高可靠性集成电路板的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108133883A
CN108133883A CN201711397736.7A CN201711397736A CN108133883A CN 108133883 A CN108133883 A CN 108133883A CN 201711397736 A CN201711397736 A CN 201711397736A CN 108133883 A CN108133883 A CN 108133883A
Authority
CN
China
Prior art keywords
integrated circuit
circuit plate
preparation
high reliability
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201711397736.7A
Other languages
English (en)
Inventor
樊超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUZHOU SAIYUAN MICROELECTRONIC Co Ltd
Original Assignee
SUZHOU SAIYUAN MICROELECTRONIC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUZHOU SAIYUAN MICROELECTRONIC Co Ltd filed Critical SUZHOU SAIYUAN MICROELECTRONIC Co Ltd
Priority to CN201711397736.7A priority Critical patent/CN108133883A/zh
Publication of CN108133883A publication Critical patent/CN108133883A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02082Cleaning product to be cleaned
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供了一种高可靠性集成电路板的制备方法,分别在集成电路板的氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前,采用如下清洗步骤:步骤1:将集成电路板置于网状清洗篮后,浸泡于清洗液中,在80~120kHZ频率下超声清洗3~5min,其中,超声清洗为间歇式,超声的工作时间与停歇时间比例为3:1,所述网状清洗篮的孔径高于30mm;步骤2:采用纯水冲洗集成电路板,然后采用压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴;步骤3:在真空压力为‑0.09~‑0.05Mpa的环境下将集成电路板烘干,其中,烘干温度为40~60℃。本发明在集成电路板的关键工序前,能够将电路板表面,以及隐藏于紧密排列的电子元器件缝隙间或内部的污垢彻底清除干净,且对集成电路板没有任何的腐蚀。

Description

一种高可靠性集成电路板的制备方法
技术领域
本发明涉及集成电路板领域。更具体地说,本发明涉及一种高可靠性集成电路板的制备方法。
背景技术
集成电路作为电子产品中的核心部件,其质量的好坏直接决定了到电子整机产品的性能和可靠性的高低。在集成电路的制备过程中,其表面粘附的颗粒、有机物、金属等污染物严重影响器件的性能。例如:
(1)颗粒性污染物--灰尘、棉绒和焊锡球等。其中,尤其是焊锡球是一种焊接缺陷,如果设备的振动使大量小焊锡球聚集到一个部位上,便可能引起电短路。
(2)非极性污染物--松香树脂、石蜡及波峰焊上使用的抗氧化油,还有操作者遗留下的化妆品或洗手剂等。非极性污染物会影响集成电路板的外观,且易导致接触不良。
(3)极性沾污物--卤化物、酸和盐等,极性沾污物易导致介质击穿、漏电、元件/电路腐蚀等现象。
随着集成电路板中单元图案的日益微型化以及集成度的日益提高,污染物对集成电路板的影响也愈加突出。但现有的集成电路板清洗技术存在清洗效果不佳或硅片在清洗过程中被腐蚀等现象,目前因清洗不佳引起的器件失效已超过集成电路制造中总损失的一半。
发明内容
本发明的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷,并提供至少后面将说明的优点。
本发明还有一个目的是提供一种高可靠性集成电路板的制备方法,其在集成电路板的关键工序前,能够将电路板表面,以及隐藏于紧密排列的电子元器件缝隙间或内部的污垢彻底清除干净,且对集成电路板没有任何的腐蚀,可显著提高集成电路板的使用寿命和可靠性。
为了实现根据本发明的这些目的和其它优点,提供了一种高可靠性集成电路板的制备方法,分别在所述集成电路板的氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前,采用如下清洗步骤:
步骤1:将集成电路板置于网状清洗篮后,浸泡于清洗液中,在80~120kHZ的频率下超声清洗3~5min,其中,超声清洗的工作方式采用间歇式,超声的工作时间与停歇时间比例为3:1,所述网状清洗篮的孔径高于30mm;
间歇式的操作可避免长时间超声操作引起的集成电路板的老化,并且本申请文件采用较高的频率对集成电路板进行清洗,超声波的穿透能力强,对集成电路板内部或狭小的缝隙起到良好的清洁效果;并且超声装置中网状清洗篮的孔径要高于30mm,否则会影响超声清洗的效果。
步骤2:采用纯水冲洗集成电路板,然后采用压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴;
步骤3:采用真空烘箱将集成电路板烘干,其中真空烘箱的真空压力为-0.09~-0.05Mpa,烘干温度为40~60℃,在真空条件下,可实现集成电路板在较低温度下的快速干燥,且干燥条件温和,避免集成电路在高温下的老化。
优选的是,其中,所述清洗液包括如下重量组份:
本申请文件中,超声波配合清洗液可去除集成电路板表面微米级的污物,并且对集成电路板没有任何的损伤。
优选的是,其中,所述步骤2中压缩空气的压力为0.08~0.15Mpa。
优选的是,其中,所述步骤1中清洗液的温度维持在35~40℃,清洗条件温和,减少清洗对集成电路板造成的损伤。
优选的是,其中,所述步骤2中纯水的电导率小于0.1us/cm,防止水中的微量元素或微生物改变集成电路的电特性或最终产品的性质。
优选的是,其中,所述步骤1中的集成电路板的超声清洗在氮气气氛的保护下进行,以提供集成电路板在清洗过程的保护作用。
优选的是,其中,所述步骤3的真空烘箱为双电机水平循环送风方式,以提高箱体内部的温度均匀度,保证集成电路板的质量。
优选的是,其中,所述步骤3的烘干在氮气保护下进行,先提供集成电路板真空干燥的真空环境,再通入氮气防止集成电路板的老化。
本发明至少包括以下有益效果:
(1)本发明在集成电路板的关键工序前,能够将电路板表面,以及隐藏于紧密排列的电子元器件缝隙间或内部的污垢彻底清除干净,清洗效率高,耗时短;
(2)本发明制备得到的集成电路板洁净度高,可有效防止由于杂质污染而导致的集成电路产品发生表面擦伤、短路、图形断线、接触不良等现象,可显著提高集成电路板的使用寿命和可靠性;
(3)本发明技术方案操作温和,集成电路芯片没有任何的腐蚀作用,工艺简单,适用性广,易于推广。
本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现,部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步的详细说明,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
应当理解,本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。
<实例1>
在集成电路板的制备过程中,分别在氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前,采用如下清洗步骤:
步骤1:将集成电路板置于网状清洗篮后,浸泡于清洗液中,在35℃、80kHZ的频率和氮气气氛中超声清洗3min,其中超声清洗的工作方式采用间歇式,超声的工作时间与停歇时间比例为3:1,其中,网状清洗篮的孔径高于30mm,所述清洗液包括如下重量组份:脂肪醇聚氧乙烯醚15份;十三烷基聚氧乙烯醚羧酸钠10份;羟基丙酸甲酯8份;乙酸乙酯5份;二甲氧基乙烷3份;甲基环氧乙烷3份;香叶醇2份;松醇2份;辛甘醇1份;
步骤3:采用电导率小于0.1us/cm的纯水冲洗集成电路板,然后采用0.08Mpa的压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴;
步骤4:采用真空烘箱在氮气保护下将集成电路板烘干,其中真空烘箱的真空压力为-0.09Mpa,烘干温度为40℃,所述真空烘箱采用双电机水平循环送风方式。
将本实例1清洗后的集成电路板经显微镜放大检测,表面洁净,未见灰尘、油污、指纹等污染物,且集成电路板未见腐蚀痕迹。
<实例2>
在集成电路板的制备过程中,分别在氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前,采用如下清洗步骤:
步骤1:将集成电路板置于网状清洗篮后,浸泡于清洗液中,在40℃、120kHZ的频率和氮气气氛中超声清洗5min,其中超声清洗的工作方式采用间歇式,超声的工作时间与停歇时间比例为3:1,其中,网状清洗篮的孔径高于30mm,所述清洗液包括如下重量组份:脂肪醇聚氧乙烯醚20份;十三烷基聚氧乙烯醚羧酸钠15份;羟基丙酸甲酯10份;乙酸乙酯8份;二甲氧基乙烷7份;甲基环氧乙烷7份;香叶醇5份;松醇5份;辛甘醇3份;
步骤2:采用电导率小于0.1us/cm的纯水冲洗集成电路板,然后采用0.15Mpa的压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴;
步骤3:采用真空烘箱在氮气保护下将集成电路板烘干,其中真空烘箱的真空压力为-0.05Mpa,烘干温度为60℃,所述真空烘箱采用双电机水平循环送风方式。
将本实例2清洗后的集成电路板经显微镜放大检测,表面洁净,未见灰尘、油污、指纹等污染物,且集成电路板未见腐蚀痕迹。
<实例3>
在集成电路板的制备过程中,分别在氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前,采用如下清洗步骤:
步骤1:将集成电路板置于网状清洗篮后,浸泡于清洗液中,在38℃、100kHZ的频率和氮气气氛中超声清洗4min,其中超声清洗的工作方式采用间歇式,超声的工作时间与停歇时间比例为3:1,其中,网状清洗篮的孔径高于30mm,所述清洗液包括如下重量组份:脂肪醇聚氧乙烯醚18份;十三烷基聚氧乙烯醚羧酸钠12份;羟基丙酸甲酯9份;乙酸乙酯7份;二甲氧基乙烷5份;甲基环氧乙烷5份;香叶醇3份;松醇3份;辛甘醇2份;
步骤2:采用电导率小于0.1us/cm的纯水冲洗集成电路板,然后采用0.12Mpa的压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴;
步骤3:采用真空烘箱在氮气保护下将集成电路板烘干,其中真空烘箱的真空压力为-0.07Mpa,烘干温度为50℃,所述真空烘箱采用双电机水平循环送风方式。
将本实例3清洗后的集成电路板经显微镜放大检测,表面洁净,未见灰尘、油污、指纹等污染物,且集成电路板未见腐蚀痕迹。
<实例4>
在集成电路板的制备过程中,分别在氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前,采用如下清洗步骤:
步骤1:将集成电路板置于网状清洗篮后,浸泡于清洗液中,在36℃、90kHZ的频率和氮气气氛中超声清洗3min,其中超声清洗的工作方式采用间歇式,超声的工作时间与停歇时间比例为3:1,其中,网状清洗篮的孔径高于30mm,所述清洗液包括如下重量组份:脂肪醇聚氧乙烯醚16份;十三烷基聚氧乙烯醚羧酸钠11份;羟基丙酸甲酯9份;乙酸乙酯6份;二甲氧基乙烷4份;甲基环氧乙烷4份;香叶醇4份;松醇5份;辛甘醇3份;
步骤2:采用电导率小于0.1us/cm的纯水冲洗集成电路板,然后采用0.12Mpa的压缩空气吹去集成电路板表面的水滴;
步骤3:采用真空烘箱在氮气保护下将集成电路板烘干,其中真空烘箱的真空压力为-0.06Mpa,烘干温度为45℃,所述真空烘箱采用双电机水平循环送风方式。
将本实例4清洗后的集成电路板经显微镜放大检测,表面洁净,未见灰尘、油污、指纹等污染物,且集成电路板未见腐蚀痕迹。
<实例5>
在集成电路板的制备过程中,分别在氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前,采用如下清洗步骤:
步骤1:将集成电路板置于网状清洗篮后,浸泡于清洗液中,在39℃、110kHZ的频率和氮气气氛中超声清洗5min,其中超声清洗的工作方式采用间歇式,超声的工作时间与停歇时间比例为3:1,其中,网状清洗篮的孔径高于30mm,所述清洗液包括如下重量组份:脂肪醇聚氧乙烯醚17份;十三烷基聚氧乙烯醚羧酸钠14份;羟基丙酸甲酯10份;乙酸乙酯7份;二甲氧基乙烷6份;甲基环氧乙烷6份;香叶醇3份;松醇4份;辛甘醇3份;
步骤2:采用电导率小于0.1us/cm的纯水冲洗集成电路板,然后采用0.09Mpa的压缩空气吹去集成电路板表面的水滴;
步骤3:采用真空烘箱在氮气保护下将集成电路板烘干,其中真空烘箱的真空压力为-0.08Mpa,烘干温度为55℃,所述真空烘箱采用双电机水平循环送风方式。
将本实例5清洗后的集成电路板经显微镜放大检测,表面洁净,未见灰尘、油污、指纹等污染物,且集成电路板未见腐蚀痕迹。
可见,本发明的分别在集成电路板的氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射等关键工序前,将电路板表面,以及隐藏于紧密排列的电子元器件缝隙间或内部的污垢彻底清除干净,显著提升了产品的使用寿命和质量稳定性,且操作温和,集成电路芯片没有任何的腐蚀作用,工艺简单,适用性广,易于推广。
尽管本发明的实施方案已公开如上,但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用。它完全可以被适用于各种适合本发明的领域。对于熟悉本领域的人员而言,可容易地实现另外的修改。因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下,本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的实施例。

Claims (8)

1.一种高可靠性集成电路板的制备方法,其特征在于,分别在所述集成电路板的氧化、化学气相沉积、曝光、刻蚀和磁控溅射工序前,采用如下清洗步骤:
步骤1:将集成电路板置于网状清洗篮后,浸泡于清洗液中,在80~120kHZ的频率下超声清洗3~5min,其中,超声清洗的工作方式采用间歇式,超声的工作时间与停歇时间比例为3:1,所述网状清洗篮的孔径高于30mm;
步骤2:采用纯水冲洗集成电路板,然后采用压缩氮气吹去集成电路板表面的水滴;
步骤3:在真空压力为-0.09~-0.05Mpa的环境下将集成电路板烘干,其中,烘干温度为40~60℃。
2.如权利要求1所述的高可靠性集成电路板的制备方法,其特征在于,所述清洗液包括如下重量组份:
3.如权利要求1所述的高可靠性集成电路板的制备方法,其特征在于,所述步骤2中压缩氮气的压力为0.08~0.15Mpa。
4.如权利要求1所述的高可靠性集成电路板的制备方法,其特征在于,所述步骤1中清洗液的温度维持在35~40℃。
5.如权利要求1所述的高可靠性集成电路板的制备方法,其特征在于,所述步骤2中纯水的电导率小于0.1us/cm。
6.如权利要求1所述的高可靠性集成电路板的制备方法,其特征在于,所述步骤1中的集成电路板的超声清洗在氮气气氛的保护下进行。
7.如权利要求1所述的高可靠性集成电路板的制备方法,其特征在于,所述步骤3的真空烘箱采用双电机水平循环送风方式。
8.如权利要求1所述的高可靠性集成电路板的制备方法,其特征在于,所述步骤3的烘干在氮气保护下进行。
CN201711397736.7A 2017-12-21 2017-12-21 一种高可靠性集成电路板的制备方法 Pending CN108133883A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711397736.7A CN108133883A (zh) 2017-12-21 2017-12-21 一种高可靠性集成电路板的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711397736.7A CN108133883A (zh) 2017-12-21 2017-12-21 一种高可靠性集成电路板的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108133883A true CN108133883A (zh) 2018-06-08

Family

ID=62391767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711397736.7A Pending CN108133883A (zh) 2017-12-21 2017-12-21 一种高可靠性集成电路板的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108133883A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111192839A (zh) * 2020-01-07 2020-05-22 贵州振华风光半导体有限公司 黑陶瓷低熔玻璃外壳集成电路内部水汽含量控制方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104377309A (zh) * 2014-10-14 2015-02-25 天津理工大学 一种低压有机电致蓝光发光器件及其制备方法
CN104893834A (zh) * 2015-06-01 2015-09-09 东莞市伟思化学科技有限公司 一种用于清洗印刷电路板的水基清洗液及其制备方法
CN105859154A (zh) * 2016-04-07 2016-08-17 厦门大学 一种磺酸基修饰的抗生物污染涂层的制备方法
CN105921459A (zh) * 2016-06-12 2016-09-07 深圳市微纳集成电路与系统应用研究院 一种印制电路板超声波清洗方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104377309A (zh) * 2014-10-14 2015-02-25 天津理工大学 一种低压有机电致蓝光发光器件及其制备方法
CN104893834A (zh) * 2015-06-01 2015-09-09 东莞市伟思化学科技有限公司 一种用于清洗印刷电路板的水基清洗液及其制备方法
CN105859154A (zh) * 2016-04-07 2016-08-17 厦门大学 一种磺酸基修饰的抗生物污染涂层的制备方法
CN105921459A (zh) * 2016-06-12 2016-09-07 深圳市微纳集成电路与系统应用研究院 一种印制电路板超声波清洗方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111192839A (zh) * 2020-01-07 2020-05-22 贵州振华风光半导体有限公司 黑陶瓷低熔玻璃外壳集成电路内部水汽含量控制方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108004046A (zh) 一种超声清洗集成电路板的方法
CN102649625B (zh) 一种镀膜用玻璃衬底的清洗方法
CN102085520A (zh) 常压双介质阻挡扁口型活性自由基清洗系统
CN102085521A (zh) 常压介质阻挡型活性自由基清洗系统
CN102310063A (zh) 蜂窝形状等离子体自由基清洗系统
CN108039317A (zh) 一种高洁净集成电路板
CN108133883A (zh) 一种高可靠性集成电路板的制备方法
CN104009122A (zh) 一种丝网印刷返工硅片的处理方法
CN1884465A (zh) 精密电子仪器在线清洗剂及其生产方法
CN108133882A (zh) 一种集成电路板的清洗方法
CN103157619A (zh) 清洗制造有机el器件的气相沉积掩模的方法及清洗液
CN102044407A (zh) 芯片的清洗方法
CN102921676A (zh) 一种新型的具有排气功能的常压等离子体自由基清洗喷枪
CN202207679U (zh) 一种蜂窝状常压等离子体自由基清洗设备
CN1280029C (zh) 使用冷氢焰清洁玻璃基片的装置和方法
CN104212658B (zh) 一种电器设备的带电清洗剂及其制备方法
JP2009173880A (ja) 液晶洗浄助剤、液晶洗浄剤および液晶パネルの洗浄方法
WO2012167410A1 (zh) 一种射频、介质阻挡常压辉光等离子体扫描去胶系统
CN101728747B (zh) 探针与芯片插座的清洁方法
CN106367218A (zh) 一种电子产品清洁剂
CN113560231A (zh) 微小封装电子元件的pcba板的清洗方法
CN109755106B (zh) 一种晶圆清洗方法
JP2016519441A (ja) ヘイズ除去および残渣除去用の水蒸気を含むプロセス
CN101332462B (zh) 一种静电吸盘的清洗方法
CN104681212A (zh) 输电线绝缘护套内屏蔽层加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180608