CN108132234A - 硅晶材检测方法及其检测装置 - Google Patents
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Abstract
一种硅晶材检测方法，包含准备步骤及检测步骤。所述准备步骤是准备检测装置，所述检测装置包括载台、激光光源，及光接收器，将待检测的硅晶材设置于所述载台上。所述检测步骤是将所述激光光源以预定波长沿所述硅晶材的至少一预定路径照射所述硅晶材的表面，使所述硅晶材沿所述预定路径产生多个被所述激光光源激发的光致萤光，所述光接收器可接收所述光致萤光并产生多个对应的光致萤光讯号。以所述激光光源沿所述硅晶材的所述预定路径照射，产生多个光致萤光，并得到多个对应所述预定路径的光致萤光光谱，从而可以用来回推得知所述硅晶材的萤光强度分布，能快速得知所述硅晶材的质量。此外，本发明还提供一种硅晶材检测装置。
Description
技术领域
本发明涉及一种硅晶材检测方法及装置，特别是涉及一种以点光源沿预定路径照射硅晶材的表面的检测方法及其检测装置。
背景技术
现有检测多晶硅晶圆的方法，主要是通过分光技术将一高功率的激光光源均匀的照射在一整片的待测晶圆上，使该待测晶圆产生被该激光光源激发的萤光，再通过设置在该待测晶圆上的一相机装置，来接收整片该待测晶圆所产生的萤光，以得知该待测晶圆的强度分布，从而判断该待测晶圆的质量。
前述检测方法需让该激光光源具有很高的光功率，使该激光光源能均匀且保持强度一致的照射于整片的该待测晶圆上，以确保整片的该待测晶圆被该激光光源激发产生的萤光是以相同条件被激发。然而，提高该激光光源的光功率，耗能且提高成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种硅晶材检测方法。
本发明硅晶材检测方法包含准备步骤及检测步骤。所述准备步骤是准备检测装置，所述检测装置包括载台、激光光源，及光接收器，将待检测的硅晶材设置于所述载台上。所述检测步骤是将所述激光光源以预定波长沿所述硅晶材的至少一预定路径照射所述硅晶材的表面，使所述硅晶材沿该至少一预定路径产生多个被所述激光光源激发的光致萤光，所述光接收器可接收所述光致萤光并产生多个对应的光致萤光讯号。
在本发明的一实施例中，本发明硅晶材检测方法，所述激光光源为单点光源，所述硅晶材为单晶晶圆，所述检测步骤的该至少一预定路径是利用所述激光光源沿所述单晶晶圆的径向照射所述单晶晶圆的表面。
在本发明的一实施例中，本发明硅晶材检测方法，所述激光光源为单点光源，所述硅晶材为多晶晶锭，所述检测步骤的该至少一预定路径是利用所述激光光源沿所述多晶晶锭的轴向照射所述多晶晶锭的表面。
在本发明的一实施例中，本发明硅晶材检测方法，所述激光光源为单点光源，所述硅晶材为多晶晶圆，所述检测步骤是将所述激光光源沿所述多晶晶圆的多条预定路径照射所述多晶晶圆的表面。
本发明硅晶材检测方法，所述光接收器为光谱仪。
本发明硅晶材检测方法，所述转换步骤包括强度转换次步骤，所述强度转换次步骤是撷取各光致萤光讯号于特定波段的光致萤光强度，以转换成对应所述硅晶材的光致萤光强度分布。
本发明硅晶材检测方法，还包含实施于所述检测步骤后的转换步骤，其中，所述转换步骤包括峰值转换次步骤，所述峰值转换次步骤是撷取各光致萤光讯号的峰值，以转换成多个对应所述硅晶材的光致萤光讯号峰值。
在本发明的一实施例中，本发明硅晶材检测方法，还包含实施于所述峰值转换次步骤之后的计算步骤，计算所述硅晶材的载子掺杂浓度，并将至少一所述光致萤光讯号峰值除以对应的所述载子掺杂浓度，以计算得到所述硅晶材的载子的生命周期。
本发明硅晶材检测方法，所述载台能相对所述激光光源沿所述硅晶材的所述径向移动。
本发明硅晶材检测方法，所述载台能沿所述硅晶材的所述轴向移动。
本发明硅晶材检测方法，所述光接收器为光强度接收器。
本发明硅晶材检测方法，所述激光光源对应位于所述硅晶材上方，所述载台能以所述硅晶材的中心自转，所述检测步骤是将所述激光光源以所述预定波长照射所述硅晶材的表面，而于对应所述硅晶材的所述表面的至少一环状区域产生多个被所述激光光源激发的光致萤光，而得到多个对应所述环状区域的光致萤光讯号。
本发明硅晶材检测方法，还包含实施于所述检测步骤后且包括强度转换次步骤的转换步骤，所述强度转换次步骤是撷取各光致萤光的光致萤光讯号于特定波段的光致萤光强度，以转换成对应所述硅晶材的所述环状区域的光致萤光强度分布。
本发明硅晶材检测方法，所述光致萤光讯号的光谱的波长范围介于850nm至1350nm。
本发明的另一目的，便在提供一种硅晶材检测装置。
本发明硅晶材检测装置包含载台、激光器，及光接收器。所述载台用于承载所述硅晶材，且能沿所述硅晶材的至少一预定路径移动。所述激光器可发出预定波长的激光光源，且能沿该至少一预定路径单点多次地照射所述硅晶材的表面，使所述硅晶材沿该至少一预定路径产生多个被所述激光光源激发的光致萤光。所述光接收器可接收所述光致萤光并产生多个对应的光致萤光讯号。
本发明硅晶材检测装置，所述载台通过滑轨或转盘的带动而沿所述硅晶材的该至少一预定路径移动。
较佳地，本发明硅晶材检测装置，所述载台为移动件。
本发明硅晶材检测装置，所述激光器的瓦数介于0.5W至10W。
本发明硅晶材检测装置，所述光接收器为光谱仪或光强度接收器。
本发明的有益效果在于：以该激光光源沿该硅晶材的该预定路径照射，产生多个光致萤光，并得到多个对应该预定路径的光致萤光讯号，从而可以用来回推得知该硅晶材的萤光强度分布，能快速得知该硅晶材的质量。
附图说明
图1是一流程示意图，说明本发明硅晶材检测方法的一第一实施例的检测流程；
图2是一示意图，说明本发明硅晶材检测方法的一第一实施例的一检测装置；
图3是一局部侧视示意图，说明本发明硅晶材检测方法的一第三实施例的一检测装置；
图4是一俯视示意图，辅助说明图3的该第三实施例的该检测装置；
图5是一局部侧视示意图，说明本发明硅晶材检测方法的一第四实施例的一检测装置；
图6是一萤光光谱图，说明本发明硅晶材检测方法的一具体例1与一具体例2的一单点光致萤光光谱；
图7是一强度对径向位置关系图，说明本发明该具体例1的一径向光致萤光强度分布；
图8是一强度对径向位置关系图，说明本发明该具体例2的一径向光致萤光强度分布；
图9是一萤光光谱图，说明一单晶晶圆于相同径向位置具有强度相当的萤光光谱；及
图10是一萤光强度对位置关系图，说明本发明该具体例3的一光致萤光强度。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
参阅图1，本发明硅晶材检测方法的一第一实施例，包含一准备步骤201、一检测步骤202、一转换步骤203，及一计算步骤206。
配合参阅图2，首先进行该准备步骤201，准备一检测装置2，并将一待检测的硅晶材设置于该检测装置2上。
具体地说，该检测装置2包括一设置于一滑轨20上且能沿该硅晶材的一预定路径移动的载台21、一能发出一激光光源220的激光器22、一具有一光接收件230的光接收器23，及一运算显示器24。详细地说，该硅晶材可为多晶硅锭、单晶硅锭、多晶晶圆，或单晶晶圆，于本实施例中，该硅晶材是以一单晶晶圆W为例做说明，该单晶晶圆W设置于该载台21上，该载台21可通过该滑轨20的带动而沿该单晶晶圆W的一径向移动，但并不限于此，该载台21也可以直接是一例如传送带的移动件，而省去该滑轨20的设置。该激光器22设置于该单晶晶圆W上方，使其发出的该激光光源220能垂直行进至该单晶晶圆W的表面30，较佳地，适用于本实施例的该激光器22所发出的该激光光源220的能量大于该硅晶材的能隙，且瓦数范围介于0.5W至10W，更佳地，瓦数范围介于0.5W至3W。该光接收器23的该光接收件230对应该激光光源220设置于该单晶晶圆W上方。该运算显示器24连接该光接收器23，用于处理并显示该光接收器23后续所接收产生的讯号。
接着，进行该检测步骤202，让该激光器22发出具有一预定波长且为点光源形式的该激光光源220，同时利用该滑轨20让该载台21相对该激光光源220沿该单晶晶圆W的径向移动，使该激光光源220能沿该单晶晶圆W的径向照射该单晶晶圆W的表面30，从而让该单晶晶圆W沿该径向位置产生多个被该激光光源220激发的光致萤光(photoluminescence)L，并利用该光接收件230接收所述光致萤光L以传递至该光接收器23，从而产生多个对应所述光致萤光L的光致萤光讯号，通过运算显示器24将所述光致萤光讯号处理并可显示出多个对应该单晶晶圆W的径向上的所述光致萤光L的光致萤光光谱。
详细地说，前述每一个该光致萤光L是表示该激光光源220单点照射该单晶晶圆W所激发的萤光，而每一个该光致萤光讯号则代表所对应的该光致萤光L的光谱讯号。因此，将各该光致萤光讯号的光谱讯号进行处理，便得到多个对应该单晶晶圆W的径向上被该激光光源220激发的所述光致萤光L的光致萤光光谱。
在完成该检测步骤202之后，进一步进行该转换步骤203，其中，该转换步骤203包括一可检测该单晶晶圆W的质量的强度转换次步骤204，及一能计算得知该单晶晶圆W的相关参数的峰值转换次步骤205的至少其中一种。
该强度转换次步骤204是将光致萤光光谱转换成强度分布。详细地说，该强度转换次步骤204是撷取各量测位置的光致萤光讯号于一特定波段的一光致萤光强度，以转换成一对应该单晶晶圆W的径向光致萤光强度分布。
由于该单晶晶圆W具有圆对称的特性，因此，本发明的硅晶材检测方法于量测该单晶晶圆W时，可利用此特性仅量测数个对应该单晶晶圆W径向上的所述光致萤光L的光致萤光光谱，并通过该强度转换次步骤204将其转换成相对应的该径向光致萤光强度分布，便可回推得知整片的该单晶晶圆W的光致萤光强度分布，从而得知整片的该单晶晶圆W的质量。值得一提的是，由于本发明该激光光源220单点照射于该单晶晶圆W的表面30的单位面积光强度可轻易的大于现有检测方法的将激光光源均匀照射整片待测晶圆的单位面积光强度，因此，本发明以该激光光源220单点检测的方式能有效提高检测时的讯杂比。
该峰值转换次步骤205是撷取各量测位置的光致萤光讯号的峰值，以转换成多个对应该单晶晶圆W的径向上的所述光致萤光L的光致萤光讯号峰值I。
当该转换步骤203是执行该峰值转换次步骤205时，则可进一步执行该计算步骤206，以计算得到该单晶晶圆W的载子的生命周期(lifetime)τ。由于该单晶晶圆W的一载子掺杂浓度N与该单晶晶圆W的阻值有相对关系，因此，可通过该单晶晶圆W的阻值进而计算得知载子浓度N，而单晶晶圆W上的单点的生命周期τ与单点的载子掺杂浓度N的乘积与单点光致萤光讯号峰值I成正比，所以可利用所述各点光致萤光讯号峰值I与载子浓度N，计算得到该单晶晶圆W内的各点的生命周期τ，也就是各点内的所有载子的平均生命周期。
详细的说，该计算步骤206是通过量测该单晶晶圆W的各点电阻值来计算得知该单晶晶圆的各点的载子掺杂浓度N，再将该峰值转换次步骤205所求得的所述光致萤光讯号峰值I除以对应的各该载子掺杂浓度N，从而计算得到该单晶晶圆上的各点的生命周期τ(也就是，τ∝I/N)。应可以理解的是，在其他实施例中，也可以将该强度转换次步骤204所求得的所述光致萤光强度除以对应的各该载子掺杂浓度N，从而计算得到该单晶晶圆上的各点的生命周期τ。
本发明硅晶材检测方法的一第二实施例，其实施步骤与该第一实施例大致相同，其不同处在于，该第二实施例不包括该转换步骤203与该计算步骤206。详细地说，于该第二实施例中，该准备步骤201所准备的该光接收器23是一例如光二极体的光强度接收器，而能于该检测步骤202中，通过该光强度接收器直接接收该单晶晶圆W的径向上各点的光致萤光强度的总合，并产生多个对应的光致萤光讯号以及得到对应该单晶晶圆W的径向的径向光致萤光强度分布。
配合参阅图3与图4，本发明硅晶材检测方法的一第三实施例，其实施步骤与该第一实施例大致相同，其不同处在于，该第三实施例是沿该单晶晶圆W的一环向照射该单晶晶圆W的表面30，且无执行该峰值转换次步骤205及该计算步骤206。详细地说，于该第三实施例中，该准备步骤201是将该载台21设置于一转盘25上，通过该转盘25带动该载台21使该单晶晶圆W以其一中心自转。接着，执行该检测步骤202，将该激光光源220以该预定波长照射该单晶晶圆W的表面30，而于对应该单晶晶圆W的该表面30的至少一环状区域31产生多个被该激光光源220激发的光致萤光L，该光接收器23(见图2)可接收所述光致萤光L，并产生出多个对应所述光致萤光L的光致萤光讯号，再利用所述光致萤光讯号计算出多个对应该环状区域31上的所述光致萤光L的光致萤光光谱。最后，通过该强度转换次步骤204撷取对应该环状区域31的各量测位置的光致萤光光谱于一特定波段的一光致萤光强度，以转换成一对应该单晶晶圆W的该环状区域31的环向光致萤光强度分布，从而可得知该单晶晶圆W的圆周的萤光强度分布，以判断该单晶晶圆W的边缘是否具有滑移(slip)的缺陷。
配合参阅图5，本发明硅晶材检测方法的一第四实施例，其实施步骤与该第一实施例大致相同，其不同处在于，该硅晶材是一多晶晶锭B，该检测步骤202是通过该滑轨20带动该载台21而沿该多晶晶锭B的一轴向X移动，使该激光光源220沿该轴向X照射该多晶晶锭B的表面。详细地说，该多晶晶锭B具有一于生产时邻近一坩埚(图未示)的底面41、一相反于该底面41的顶面42，及一连接该底面41与该顶面42的周面43，于本实施例中，该检测步骤202的该激光光源220是沿该轴向X照射该多晶晶锭B该周面43。由于该多晶晶锭B于生产时，邻近该坩埚的该底面41会具有较多杂质，而远离该坩埚的该顶面42于冷却时也易质量不佳，因此，本实施例较佳是以激光光源220沿该轴向X多次来回地照射该多晶晶锭B该周面43以得到多条沿该轴向X的光致萤光强度分布，从而精确得知于邻近该底面41与该顶面42的质量不佳的区域。值得一提的是，在其他实施例中，也可只沿该轴向X单次单向地照射该多晶晶锭B的该周面43，如此同样可得知该多晶晶锭B的质量不佳的区域，又或可多次来回照射以得到更佳的效果。
本发明硅晶材检测方法的一第五实施例，其实施步骤与该第一实施例大致相同，其不同处在于，该硅晶材是一多晶晶圆，该检测步骤202是将该激光光源220沿该多晶晶圆的多条预定路径照射该多晶晶圆的表面。具体地说，由于该多晶晶圆没有对称特性，因此，需以多条路径照射该多晶晶圆的表面，以获知其表面的光致萤光强度，且可视情况的设置两组或多组激光光源220与光接收器23加快检测速度。详细地说，其多晶晶圆的整个表面的光致萤光强度可进一步的区分出多晶晶圆中的晶粒(grain)萤光强度及相邻晶粒之间的晶界(grain boundary)萤光强度。因此，于本实施例中，其决定该多晶晶圆的质量好坏，可通过先得知一质量较佳的多晶晶圆的晶界萤光强度的总和除以晶粒萤光强度的总和作为一基准值，于量测待测的多晶晶圆的萤光强度的总和除以晶粒萤光强度的总和若小于该基准值时，则判定为质量不佳。
为了更清楚的说明本发明硅晶材检测方法如何检测得知该单晶晶圆W的质量，以下以3个具体例进行说明，所述具体例1至3是根据上述实施方式配合以下流程实施。
<具体例1>
本发明硅晶材检测方法的一具体例1是以该第一实施例的硅晶材检测方法，而执行至该转换步骤203的该强度转换次步骤204。
配合参阅图1与图2，将一片单晶晶圆片W1(图未示)设置在该载台21上，并使用波长为接近硅的能隙(band gap)的808nm且瓦数为1W的激光光源220，以沿径向(例如单晶晶圆片的对角线，但不限于此，在其它实施例中也可以是对角线的一半)单点多次地照射于该单晶晶圆片W1的表面上，使其产生多个光致萤光L。接着，以光谱仪(spectrometer)作为该光接收器23来接收所述光致萤光L，而产生多个对应所述光致萤光L的光致萤光讯号，再以电脑装置作为该运算显示器24，处理所述光致萤光讯号，以获得多个对应该单晶晶圆片W1的该径向且波长范围介于850nm至1350nm的光致萤光光谱。最后，通过电脑装置中的软件来撷取各光致萤光光谱于一特定波段的光致萤光强度，将所得的各个光致萤光强度转换成一对应该单晶晶圆的径向的径向光致萤光强度分布。
<具体例2>
本发明硅晶材检测方法的一具体例2的实施条件大致上是相同于该具体例1，其不同处在于，该具体例2是检测另一片与该具体例1不同的单晶晶圆片W2(图未示)。
<具体例3>
本发明硅晶材检测方法的一具体例3的实施条件大致上是相同于该具体例1，其不同处在于，该具体例3是检测部分的该多晶晶锭B，并让该激光光源220沿该轴向X照射该多晶晶锭B该周面43(见图5)。
<数据分析>
参阅图6，图6显示有该具体例1与该具体例2分别对应该单晶晶圆片W1、W2于其径向上分别取一位置相对应的单点的单点光致萤光光谱。根据一般量测晶圆片的萤光光谱而言，由图6显示的结果可知，该具体例1的单点光致萤光光谱强度相对高于该具体例2的单点光致萤光光谱强度，因此，若是该单晶晶圆片W1大部分的量测点的强度大于该单晶晶圆片W2的对应量测点的强度，或是该单晶晶圆片W1所有量测点的强度平均值大于该单晶晶圆片W2所有量测点的强度平均值，可以得到该具体例1的该单晶晶圆片W1的质量是优于该具体例2的该单晶晶圆片W2的质量的结论。
参阅图7与图8，图7显示该具体例1对应该单晶晶圆片W1的径向光致萤光强度分布；图8显示该具体例2对应该单晶晶圆片W2的径向光致萤光强度分布。而进一步的针对图7与图8的强度计算其标准差(standard deviation，SD)后得知，图7的径向光致萤光强度分布的标准差为3.23，图8的径向光致萤光强度分布的标准差为6.61，此表示该具体例1的该单晶晶圆片W1相较于该具体例2的该单晶晶圆片W2具有较均匀的强度分布，因此，该具体例1的该单晶晶圆片W1的质量是优于该具体例2的该单晶晶圆片W2的质量。
参阅图9，图9显示对同一片单晶晶圆的两个不同的同心圆(第一同心圆C1与第二同心圆C2)，分别取两点量测其萤光光谱。详细的说，于该第一同心圆C1上取两点D1、D1’(也就是该两点至单晶晶圆的中心具有相同距离)并量测其光谱图；再于该第二同心圆C2上取两点D2、D2’并量测其光谱图。由图9结果可知，于相同的同心圆上具有相同的径向距离的所量测而得的萤光光谱的强度相当。据此，确实可通过单晶晶圆的萤光光谱具有圆对称的特性，通过本发明的硅晶材检测方法，量测径向光致萤光光谱而推知整片单晶晶圆的萤光强度分布，以快速判断单晶晶圆的质量。
此处要补充说明的是，为了清楚的说明该第一实施例确实可通过光致萤光讯号峰值I来得知该单晶晶圆W的生命周期τ，以下以实际量测一单晶晶圆A1及一单晶晶圆A2的相关数据为例做说明，并将相关实验数据汇整于表1中；其中，τ代表载子的生命周期；N代表载子掺杂浓度；I则如上所述代表光致萤光讯号峰值；Iratio及(τ×N)ratio是以该单晶晶圆A1的量测值设定为1，以与该单晶晶圆A2做比较。
表1
| τ(μs) | N(cm-3) | Iratio | (τ×N)ratio | |
| 单晶晶圆A1 | 10,054 | 3.48×1014 | 1 | 1 |
| 单晶晶圆A2 | 6,047 | 8.82×1014 | 1.4 | 1.5 |
要说明的是，该单晶晶圆A1与该单晶晶圆A2的生命周期τ及载子掺杂浓度N均是以现有的量测设备直接量测而得。因此，由表1的结果可知，通过该第一实施例的该峰值转换次步骤205所计算得到该单晶晶圆A1与该单晶晶圆A2的光致萤光讯号峰值比例Iratio确实与(τ×N)ratio的值相当，且误差小于10％。由此可知，确实可通过径向光致萤光讯号峰值I及载子浓度N来得知单晶晶圆的载子生命周期τ。
参阅图10，显示以该具体例3的方式量测部分的该多晶晶锭B的周面43沿轴向X的光致萤光强度，及以现有微波光电导衰减(μ-PCD)技术量测相同的部分的该多晶晶锭B的光致萤光强度。由图10的量测结果可知，以本发明硅晶材检测方法量测多晶晶锭B的量测结果与现有μ-PCD技术量测结果相当，而能有效得知质量不佳的区域(也就是图10左右两量测点之外(62、60.47589；366、368.47066)的光致萤光强度相对弱的区域)。
综上所述，本发明硅晶材检测方法，通过该单晶晶圆W具有圆对称的特性，以该激光光源220沿该单晶晶圆W的径向照射，以产生多个光致萤光，借此得到多个光致萤光光谱，再通过该强度转换次步骤204转换成径向光致萤光强度分布，从而可以用来回推得知整片的该单晶晶圆W的萤光强度分布，能快速得知该单晶晶圆的质量，此外，还可通过峰值转换次步骤205转换得到多个光致萤光讯号峰值I并搭配计算该单晶晶圆W的载子掺杂浓度N，以得知该单晶晶圆W的载子生命周期τ；还可通过该激光光源220沿该单晶晶圆W的环向照射，以检测出该单晶晶圆W的边缘是否具有滑移(slip)的缺陷，更可以此检测方法进一步检测多晶晶锭与多晶晶圆的质量，所以确实能达成本发明的目的。
Claims (19)
1.一种硅晶材检测方法，包含：准备步骤，及检测步骤；其特征在于：
所述准备步骤是准备检测装置，所述检测装置包括载台、激光光源，及光接收器，将待检测的硅晶材设置于所述载台上；及
所述检测步骤是将所述激光光源以预定波长沿所述硅晶材的至少一预定路径照射所述硅晶材的表面，使所述硅晶材沿该至少一预定路径产生多个被所述激光光源激发的光致萤光，所述光接收器可接收所述光致萤光并产生多个对应的光致萤光讯号。
2.根据权利要求1所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述激光光源为单点光源，所述硅晶材为单晶晶圆，所述检测步骤的该至少一预定路径是利用所述激光光源沿所述单晶晶圆的径向照射所述单晶晶圆的表面。
3.根据权利要求1所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述激光光源为单点光源，所述硅晶材为多晶晶锭，所述检测步骤的该至少一预定路径是利用所述激光光源沿所述多晶晶锭的轴向照射所述多晶晶锭的表面。
4.根据权利要求1所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述激光光源为单点光源，所述硅晶材为多晶晶圆，所述检测步骤是将所述激光光源沿所述多晶晶圆的多条预定路径照射所述多晶晶圆的表面。
5.根据权利要求1至4中任一所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述光接收器为光谱仪。
6.根据权利要求1至4中任一所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述硅晶材检测方法还包含实施于所述检测步骤后的转换步骤，其中，所述转换步骤包括强度转换次步骤，所述强度转换次步骤是撷取各光致萤光讯号于特定波段的光致萤光强度，以转换成对应所述硅晶材的光致萤光强度分布。
7.根据权利要求1至4中任一所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述硅晶材检测方法还包含实施于所述检测步骤后的转换步骤，其中，所述转换步骤包括峰值转换次步骤，所述峰值转换次步骤是撷取各光致萤光讯号的峰值，以转换成多个对应所述硅晶材的光致萤光讯号峰值。
8.根据权利要求7所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述硅晶材检测方法还包含实施于所述峰值转换次步骤之后的计算步骤，计算所述硅晶材的载子掺杂浓度，并将至少一所述光致萤光讯号峰值除以对应的所述载子掺杂浓度，以计算得到所述硅晶材的载子的生命周期。
9.根据权利要求2所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述载台能相对所述激光光源沿所述硅晶材的所述径向移动。
10.根据权利要求3所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述载台能沿所述硅晶材的所述轴向移动。
11.根据权利要求1所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述光接收器为光强度接收器。
12.根据权利要求1所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述激光光源对应位于所述硅晶材上方，该载台能以所述硅晶材的中心自转，所述检测步骤是将所述激光光源以所述预定波长照射所述硅晶材的表面，而于对应所述硅晶材的所述表面的至少一环状区域产生多个被所述激光光源激发的光致萤光，而得到多个对应所述环状区域的光致萤光讯号。
13.根据权利要求12所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述硅晶材检测方法还包含实施于所述检测步骤后且包括强度转换次步骤的转换步骤，所述强度转换次步骤是撷取各光致萤光的光致萤光讯号于特定波段的光致萤光强度，以转换成对应所述硅晶材的所述环状区域的光致萤光强度分布。
14.根据权利要求5所述的硅晶材检测方法，其特征在于：所述光致萤光讯号的光谱的波长范围介于850nm至1350nm。
15.一种硅晶材检测装置，用于检测硅晶材，所述硅晶材检测装置包含:载台、激光器，及光接收器；其特征在于：
所述载台用于承载所述硅晶材，且能沿所述硅晶材的至少一预定路径移动；
所述激光器可发出预定波长的激光光源，且能沿该至少一预定路径单点多次地照射所述硅晶材的表面，使所述硅晶材沿该至少一预定路径产生多个被所述激光光源激发的光致萤光；及
所述光接收器可接收所述光致萤光并产生多个对应的光致萤光讯号。
16.根据权利要求15所述的硅晶材检测装置，其特征在于：所述载台通过滑轨或转盘的带动而沿所述硅晶材的该至少一预定路径移动。
17.根据权利要求15所述的硅晶材检测装置，其特征在于：所述载台为移动件。
18.根据权利要求15所述的硅晶材检测装置，其特征在于：所述激光器的瓦数介于0.5W至10W。
19.根据权利要求15所述的硅晶材检测装置，其特征在于：所述光接收器为光谱仪或光强度接收器。
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