CN108123688A - 用于功率放大器的提升电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于功率放大器的提升电路，其包含电压‑电压产生器、电压‑电流产生器，和差分电流产生器。电压‑电压产生器用来依据一参考电压以产生一转换电压，其中转换电压的波型上升边缘斜率的绝对值小于参考电压的波型上升边缘斜率的绝对值。电压‑电流产生器用来将转换电压转换为一第一电流，其中第一电流的波型对应于转换电压的波型。差分电流产生器用来产生相关于参考电压的波型的一第二电流，并输出一操作电流，其中该操作电流相关于第二电流和第一电流。
Description
技术领域
本发明相关于一种用于功率放大器的提升电路，尤指一种能缩短瞬时响应的偏压电路以用于功率放大器。
背景技术
放大器是电子装置中常有的组件，可用来放大电子装置的特性，像是增益、带宽、及线性度等。放大器的应用范围也相当广泛，例如应用在主动滤波器、缓冲器、模拟信号转数字信号的转换器、及射频收发器等。其中，在无线通信领域中，功率放大器(poweramplifier)是射频电路中一个重要的组件，通常都会被设计在天线放射器的前端，其主要的功能在于将输出信号放大至合理振幅，也是整个射频前端电路中最耗功耗的组件。
为了让功率放大器中的晶体管能在线性操作范围内运作以达到信号放大功能，通常会将偏压电路耦接至功率放大器以提供偏压电流或偏压电压给提供放大功能的晶体管。偏压电路包含一主要偏压电路和一增益校正区块。主要偏压电路可产生一偏压电流，增益校正区块可产生一校正电流以调整偏压电流的值，以在功率放大器从失能状态(disabledstate)切换至致能状态(enabled state)时补偿增益变化。举例来说，当功率放大器刚被启动时，因为温度效应，会使得功率效大器的增益会比稳态运作时增益为低，当这段瞬时响应结束后才达到理想的稳态运作状态。然而，透过增益校正区块可在功率放大器刚被启动时提供具提升效果的校正电流，使得功率放大器能够提供随着时间实质上平稳变化的增益曲线。功率放大器的瞬时响应越短，就能越快地达到理想的稳态运作状态。然而，现有技术偏压电路的增益校正区块通常使用电流镜(current mirror)来产生校正电流，但电流镜会造成较大的耗电量。因此，需要一种减少电流镜的使用且能缩短瞬时响应的偏压电路以用于功率放大器。
发明内容
本发明提供一种用于功率放大器的提升电路，其包含一输入端、一第一输出端、一参考端、一电压-电压产生器、一电压-电流产生器，以及一差分电流产生器。该输入端用来输入一参考电压，该第一输出端用来输出一操作电流，而该参考端耦接于一参考电位。该电压-电压产生器耦接于该输入端，用来依据该参考电压以产生一转换电压，其中该转换电压的波型上升边缘斜率的绝对值或下降边缘斜率的绝对值小于该参考电压的波型上升边缘斜率的绝对值或下降边缘斜率的绝对值。该电压-电流产生器耦接于该电压-电压产生器，用来将该转换电压转换为一第一电流，其中该第一电流的波型对应于该转换电压的波型。该差分电流产生器耦接于该输入端和该电压-电流产生器之间，用来产生相关于该参考电压的波型的一第二电流，并输出一操作电流，其中该操作电流相关于该第二电流和该第一电流。
本发明更提供一种用于功率放大器的提升电路，其包含一输入端、一第一输出端、一参考端、一电压-电压产生器、一电压-电流产生器，以及一差分电流产生器。该输入端用来输入一参考电压，其中该参考电压可在一周期内由第一电压改变为第二电压并维持一预定时间；该第一输出端用来输出一操作电流，而该参考端耦接于一参考电位。该电压-电压产生器耦接于该输入端，用来依据该参考电压以产生一转换电压，该转换电压的值在该预定时间内随着时间逐渐接近该第二电压的值。该电压-电流产生器耦接于该电压-电压产生器，用来将该转换电压转换为一第一电流，其中该第一电流的波型对应于该转换电压的波型。该差分电流产生器耦接于该输入端和该电压-电流产生器之间，用来产生相关于该参考电压的波型的一第二电流，并输出一操作电流，其中该操作电流相关于该第二电流和该第一电流。
与现有技术相比较，本发明所提供的技术方案，能够减少电流镜的使用且能缩短偏压电路的瞬时响应以用于功率放大器。
附图说明
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。
图1为本发明所提供的一实施例中一种用于功率放大器的偏压电路的示意图；
图2为本发明所提供的电压-电压产生器运作时相关电压和电流的示意图；
图3为本发明所提供的电压-电流产生器和差分电流产生器运作时相关电压和电流的示意图；
图4为本发明所提供的偏压电路所产生操作信号的示意图；
图5为本发明所提供的另一实施例中一种用于功率放大器的偏压电路的示意图；
图6为本发明所提供的另一实施例中一种用于功率放大器的偏压电路的示意图；
图7为本发明所提供的实施例偏压电路应用至功率放大器时的功能方块图。
主要图示说明：
12、22 电压-电压产生器
14、24 电压-电流产生器
16 差分电流产生器
100、200、300 偏压电路
110、210、310 提升电路
120 转换电路
C1 电容
D1 开关组件
N1 输入端
N2 输出端
N3 参考端
Q1～Q7 晶体管
R1～R7 电阻
具体实施方式
图1为本发明所提供的实施例中一种用于功率放大器的偏压电路100的示意图。偏压电路100包含一提升电路110和一转换电路120。提升电路110包含一输入端N1、一输出端N2、一参考端N3、一电压-电压产生器12、一电压-电流产生器14，以及一差分电流产生器16。输入端N1耦接于一参考电压VREF，输出端N2用来输出一操作电流IOUT，而参考端N3耦接于一参考电位GND。
电压-电压产生器12耦接于输入端N1和参考端N3，可依据参考电压VREF来产生相对应的转换电压VC；在参考电压VREF的变化值为正的情况下，使得转换电压VC的波型上升边缘斜率的绝对值小于参考电压VREF的波型上升边缘斜率的绝对值；而在参考电压VREF的变化值为负的情况下，使得转换电压VC的波型下降边缘斜率的绝对值小于参考电压VREF的波型下降边缘斜率的绝对值。亦即，电压-电压产生器12的作用如同一慢速升压产生器(slow rampgenerator)。以下将以参考电压VREF的变化值为正的情况举例说明。
在另一实施例中，该参考电压VREF在一周期内由第一电压改变为第二电压并维持一预定时间，电压-电压产生器12可在该周期内依据参考电压VREF来产生相对应的转换电压VC，使得转换电压VC的值在该预定时间内随着时间逐渐接近该第二电压的值。
在图1所示的实施例中，电压-电压产生器12包含一双载子接面晶体管(bipolarjunction transistor，BJT)Q1、一电容C1，一开关组件D1，以及电阻R1和R2。双载子接面晶体管Q1包含一集极(collector)、一射极(emitter)和一基极(base)，其中一集极电流IC流经该集极，一射极电流IE流经该射极，且一基极电流IB流经该基极。电容C1耦接于输入端N1和双载子接面晶体管Q1的基极之间，用来感应参考电压VREF的变化以产生相对应的基极电流IB。电阻R1耦接于输入端N1和双载子接面晶体管Q1的集极之间，用来产生相关于参考电压VREF的波型和集极电流IC的波形的转换电压VC。电阻R2耦接于双载子接面晶体管Q1的射极和参考端N3之间，用来调整射极电流IE的电阻电容时间常数(RC constant)。在本发明其它实施例中，电阻R2亦可耦接于双载子接面晶体管Q1的基极和电容C1之间以调整射极电流IE的电阻电容时间常数。
在图1所示的实施例中，电容C1耦接于输入端N1和双载子接面晶体管Q1的基极之间，而电阻R2耦接于双载子接面晶体管Q1的射极和参考端N3之间。在本发明其它实施例中，电容C1和电阻R2的设置可互换，亦即电阻R2耦接于输入端N1和双载子接面晶体管Q1的基极之间，而电容C1耦接于双载子接面晶体管Q1的射极和参考端N3之间。
图2为本发明所提供的电压-电压产生器12运作时相关电压和电流的示意图。波形2A～2E的纵轴分别代表参考电压VREF、基极电流IB、基极电压VB、射极电压VE，以及转换电压VC的准位，横轴则代表时间。为了说明目的，以参考电压VREF的一完整周期来说明，其中时间点T1和T2之间为正极性周期，而时间点T2和T3之间为负极性周期。另一方面，图2中所有电压和电流的值仅为例示，并不限定本发明的范畴。
如波形2A所示，在时间点T1～T2和T2～T3之间参考电压VREF为稳态，亦即其值维持在固定值；在时间点T1、T2、T3时参考电压VREF发生瞬时变化，亦即由最小值升至最大值或由最大值降至最小值。
如波形2B和2C所示，当参考电压VREF的值维持稳态的最小值时，开关D1可将基极电压VB的值拉近至参考电压VREF的最小值。如此一来，在参考电压VREF的波形上升边缘(时间点T1、T3)和波形下降边缘(时间点T2)，电容C1可感应参考电压VREF的变化，进而产生相对应的基极电流IB。基极电流IB的值如下列公式(1)所示，其中dVREF/dt代表参考电压VREF的随着时间的变化。
IB＝C1*dVREF/dt…(1)
如波形2D所示，当双载子接面晶体管Q1在一主动区(active region)内运作时会提供一电流增益β，其中IE＝(β+1)IB，而IC＝βIB。换句话说，运作在主动区内的双载子接面晶体管Q1相当于电容C1的放大器，等效上相当于挂了(β+1)倍的电容C1至参考电压VREF。射极电压VE的值如下列公式(2)所示，其中VE(t)代表射极电压在一时间点t的值，VE0代表射极电压的初始值，RE代表双载子接面晶体管Q1中射极端的等效电阻：
VE(t)＝VE0*exp(-t/(C1(β+1)*RE)…(2)
如波形2E所示，由于双载子接面晶体管Q1的电流增益β其值介于数十到数百，因此在主动区内运作时集极电流IC约莫和射极电流IE相等。转换电压VC(双载子接面晶体管Q1的射极电压)的值如下列公式(3)所示，其中VC(t)代表转换电压在时间点t的值，VREF(t)代表该参考电压在时间点t的值，RE代表双载子接面晶体管Q1中射极端的等效电阻，而RC代表双载子接面晶体管Q1中集极端的等效电阻:
VC(t)＝VREF(t)-VE(t)/RE*RC…(3)
如波形2A和2E所示，本发明电压-电压产生器12能将脉冲波形的参考电压VREF转换成缓慢上升的转换电压VC，亦即该转换电压VC的波型上升/下降边缘斜率的绝对值小于参考电压VREF的波型上升/下降边缘斜率的绝对值。
另一方面，当参考电压VREF的值维持稳态的最小值时，开关D1可将基极电压VB的值拉近至参考电压VREF的最小值。如此一来，在参考电压VREF的波形上升/下降边缘，电容C1可感应参考电压VREF的随着时间的变化率dVREF/dt，进而产生相对应的基极电流IB，其中IB＝C1*dVREF/dt。在本发明实施例中，开关D1可为一二极管或其它具类似功能的组件。然而，开关D1的实施方式并不限定本发明的范畴。
在图1所示的偏压电路100中，电压-电流产生器14可实作成可具备高输入阻抗的一跨导放大器(transconductance amplifier)，例如一达灵顿对(Darlington pair)，其可包含双载子接面晶体管Q3～Q4和电阻R5。双载子接面晶体管Q3的基极耦接于电压-电压产生器12中双载子接面晶体管Q1的集极以接收转换电压VC。双载子接面晶体管Q4的基极耦接于双载子接面晶体管Q3的射极，而双载子接面晶体管Q4的集极耦接于双载子接面晶体管Q3的集极。电阻R5耦接于双载子接面晶体管Q4的射极和参考端N3之间。电压-电流产生器14可将转换电压VC转换为一第一电流I1。第一电流I1的值如下列公式(4)所示，其中VC(t)代表转换电压在时间点t的值，VT3代表双载子接面晶体管Q3的临界电压(threshold voltage)，而VT4代表双载子接面晶体管Q4的临界电压：
I1(t)＝(VC(t)-VT3-VT4)/R5…(4)
在图1所示的偏压电路100中，差分电流产生器16可包含一电阻R6，用来感应参考电压VREF以产生相对应的第二电流I2，并依据第二电流I2和第一电流I1的差值产生操作电流IOUT。第二电流I2和操作电流IOUT的值分别如下列公式(5)和公式(6)所示，其中IOUT(t)代表操作电流在时间点t之值，I1(t)代表第一电流在时间点t的值，I2(t)代表第二电流在时间点t的值，VT5代表双载子接面晶体管Q5的临界电压，而VT6代表双载子接面晶体管Q6的临界电压：
I2(t)＝(VREF(t)-VT5-VT6)/R6…(5)
IOUT(t)＝I2(t)-I1(t)…(6)
图3为本发明所提供的电压-电流产生器14和差分电流产生器16运作时相关电压和电流的示意图。波形3A～3C的纵轴分别代表第二电流I2、第一电流I1和操作电流IOUT的准位，横轴则代表时间。为了说明目的，以参考电压VREF的一完整周期来说明，其中时间点T1和T2之间为正极性周期。另一方面，图3中所有电流的值仅为例示，并不限定本发明的范畴。
如前所述，参考电压VREF为脉冲方波，而第二电流I2的值相关于参考电压VREF的值。因此，第二电流I2会近似脉冲方波，如波形3A所示。
电压-电压产生器12产生的转换电压VC的值呈现缓慢上升/下降的波形，而第一电流I1的值相关于转换电压VC，因此第一电流I1的值也对应呈现缓慢上升/下降的波形，如波形3B所示。
由于操作电流IOUT的值相关于第二电流I2和第一电流I1的差值，因此操作电流IOUT的值会在参考电压VREF的波形上升/下降边缘呈现突波波形，如波形3C所示。
在图1所示的偏压电路100中，转换电路120可包含双载子接面晶体管Q5～Q7和一电阻R7。双载子接面晶体管Q5的基极、双载子接面晶体管Q5的集极和双载子接面晶体管Q7的基极皆耦接于差分电流产生器16以接收操作电流IOUT。双载子接面晶体管Q6的基极和集极皆耦接于和双载子接面晶体管Q5的射极，而双载子接面晶体管Q6的射极耦接于端点N3。转换电路120可将操作电流IOUT转换为一操作信号SOUT，其中操作信号SOUT可为电压信号或电流信号。双载子接面晶体管Q7为一射极随耦缓冲器(emitter follower buffer)，藉由双载子接面晶体管Q7的射极电流来提供大量基极电流给功率放大器中的双载子接面晶体管(未显示)。如果用定电压来偏压双载子接面晶体管Q7的基极，高温时双载子接面晶体管Q7以及功率放大器中的双载子接面晶体管会输出太大的电流。然而，双载子接面晶体管Q5和Q6具有温度补偿的功能，因为双载子接面晶体管Q5和Q6在高温时电位差会下降，所以功率放大器中的双载子接面晶体管在高温时的电流不会增加过多。
图4为本发明所提供的偏压电路100所产生操作信号SOUT的示意图。波形4A代表当偏压电路未包含提升电路110(现有技术)时操作信号SOUT的波形，而波形4B～4C代表提升电路110在不同设定时操作信号SOUT的波形。为了说明目的，图4显示了操作信号SOUT为电流信号的实施例，且所有电流值仅为例示，并不限定本发明的范畴。
如波形4A所示，现有技术的偏压电路所产生的操作信号SOUT其波形为接近参考电压VREF的脉冲方波，因此并不会缩短功率放大器的瞬时响应。
如波形4B～4C所示，透过提升电路110，本发明偏压电路所产生的操作信号SOUT其波形在上升/下降边缘会呈现突波波形。如此一来，本发明偏压电路能在功率放大器起始时提供较大的操作信号SOUT，进而缩短功率放大器的瞬时响应。
另一方面，本发明可透过改变提升电路110的设定来调整操作信号SOUT的突波高度。在图4上方所示的实施例中，本发明可调整电压-电压产生器12中电阻R1的值，其中波形4C为电阻R1的值较大时的结果，而波形4B为电阻R1的值较小时的结果。在图4中央所示的实施例中，本发明可调整电压-电压产生器12中电阻R2的值，其中波形4C为电阻R2的值较大时的结果，而波形4B为电阻R2的值较小时的结果。在图4下方所示的实施例中，本发明可调整电压-电压产生器12中电容C1的值，其中波形4C为电容C1的值较大时的结果，而波形4B为电容C1的值较小时的结果。在其它实施例中，本发明亦可调整电压-电压产生器12中电阻R1、电阻R2和电容C1中任意组合的值，进而调整操作信号SOUT的突波高度。
图5为本发明所提供的另一实施例中一种用于功率放大器的偏压电路200的示意图。偏压电路包含一提升电路210和转换电路120。提升电路210包含一输入端N1、一输出端N2、一参考端N3、一电压-电压产生器22、一电压-电流产生器24，以及差分电流产生器16。输入端N1耦接于一参考电压VREF，输出端N2用来输出一操作电流IOUT，而参考端N3耦接于一参考电位GND。
在图5所示的实施例中，电压-电压产生器22包含双载子接面晶体管Q1～Q2，一电容C1，以及电阻R1～R4。电阻R3和R4组成的分压电路提供双载子接面晶体管Q1的基极电压(VREF*R4/(R3+R4))，使得双载子接面晶体管Q1不会进入逆向饱和区，而电阻R1为限流电阻。当输入参考电压VREF后，双载子接面晶体管Q1会被导通，进而将双载子接面晶体管Q1的集极电压拉至接地电位。换句话说，双载子接面晶体管Q1和电阻R1、R3和R4作用相当于反相器。
另一方面，电压-电压产生器22中双载子接面晶体管Q2的基极耦接于双载子接面晶体管Q1的集极，因此当双载子接面晶体管Q1的集极电压为接地电位时，双载子接面晶体管Q2呈关闭，此时参考电压VREF会透过电阻R2来对电容C1进行充电。电压-电压产生器22所产生转换电压VC的波形亦可由图2中波形2E来表示。
在图5所示的实施例中，电压-电流产生器24可实作成具备高输入阻抗的一跨导放大器(transconductance amplifier)，例如可包含双载子接面晶体管Q3～Q4和电阻R5。双载子接面晶体管Q3的基极耦接于电压-电压产生器22中双载子接面晶体管Q2的集极以接收转换电压VC。双载子接面晶体管Q4的基极耦接于双载子接面晶体管Q4的集极，而双载子接面晶体管Q4的射极耦接于参考端N3。电阻R5耦接于双载子接面晶体管Q3的射极和双载子接面晶体管Q4的集极之间。电压-电流产生器24可将转换电压VC转换为一第一电流I1，其值如下列公式(7)所示，其中VC(t)代表转换电压在时间点t的值，VT3代表双载子接面晶体管Q3的临界电压，而VT4代表双载子接面晶体管Q4的临界电压：
I1(t)＝(VC(t)-VT3-VT4)/R5…(7)
在图5所示的偏压电路200中，差分电流产生器16和转换电路120和在图1所示的偏压电路100相同。因此，提升电路210在不同设定时操作信号SOUT的波形亦可由图4所示。
图6为本发明所提供的另一实施例中一种用于功率放大器的偏压电路300的示意图。偏压电路300包含一提升电路310和转换电路120。提升电路310包含一输入端N1、一输出端N2、一参考端N3、一电压-电压产生器12、一电压-电流产生器24，以及差分电流产生器16。输入端N1耦接于一参考电压VREF，输出端N2用来输出一操作电流IOUT，而参考端N3耦接于一参考电位GND。
在图6所示的偏压电路300中，电压-电压产生器12的结构和运作和在图1所示的偏压电路100中的电压-电压产生器12相同，电压-电流产生器24的结构和运作和在图5所示的偏压电路200中的电压-电流产生器24相同，而差分电流产生器16和转换电路120的结构和运作和在图1所示的偏压电路100相同，因此在此不另加赘述。
图7为本发明所提供的实施例偏压电路应用至功率放大器时的功能方块图。本发明的偏压电路包含一提升电路，使得转换电路所产生的操作信号SOUT其波形在上升/下降边缘会呈现突波波形。如此一来，本发明偏压电路能在功率放大器起始时提供较大的操作信号SOUT，进而缩短功率放大器的瞬时响应。
如无特别说明，本文中出现的类似于“第一”、“第二”的限定语并非是指对时间顺序、数量、或者重要性的限定，而仅仅是为了将本技术方案中的一个技术特征与另一个技术特征相区分。同样地，本文中出现的类似于“一”的限定语并非是指对数量的限定，而是描述在前文中未曾出现的技术特征。同样地，本文中在数词前出现的类似于“大约”、“近似地”的修饰语通常包含本数，并且其具体的含义应当结合上下文意理解。同样地，除非是有特定的数量量词修饰的名词，否则在本文中应当视作即包含单数形式又包含复数形式，在该技术方案中即可以包括单数个该技术特征，也可以包括复数个该技术特征。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (19)
1.一种用于功率放大器的提升电路，其特征在于，所述用于功率放大器的提升电路包含：
一输入端，用来输入一参考电压；
一第一输出端，用来输出一操作电流；
一参考端，耦接于一参考电位；
一电压-电压产生器，耦接于该输入端，用来依据该参考电压以产生一转换电压，其中该转换电压的波型上升边缘斜率的绝对值或下降边缘斜率的绝对值小于该参考电压的波型上升边缘斜率的绝对值或下降边缘斜率的绝对值；
一电压-电流产生器，耦接于该电压-电压产生器，用来将该转换电压转换为一第一电流，其中该第一电流的波型对应于该转换电压的波型；以及
一差分电流产生器，耦接于该输入端和该电压-电流产生器之间，用来产生相关于该参考电压的波型的一第二电流，并输出一操作电流，其中该操作电流相关于该第二电流和该第一电流。
2.一种用于功率放大器的提升电路，其特征在于，所述用于功率放大器的提升电路包含：一输入端，用来输入一参考电压，该参考电压可在一周期内由第一电压改变为第二电压并维持一预定时间；
一第一输出端，用来输出一操作电流；
一参考端，耦接于一参考电位；
一电压-电压产生器，耦接于该输入端，用来依据该参考电压以产生一转换电压，该转换电压的值在该预定时间内随着时间逐渐接近该第二电压的值；
一电压-电流产生器，耦接于该电压-电压产生器，用来将该转换电压转换为一第一电流，其中该第一电流的波型对应于该转换电压的波型；以及
一差分电流产生器，耦接于该输入端和该电压-电流产生器之间，用来产生相关于该参考电压的波型的一第二电流，并输出一操作电流，其中该操作电流相关于该第二电流和该第一电流。
3.如权利要求1或2所述的提升电路，其特征在于，该电压-电压产生器包含：
一第一双载子接面晶体管，其包含一集极、一射极和一基极，其中一集极电流流经该集极，
一射极电流流经该射极，且一基极电流流经该基极；
一第一电容，用来感应该参考电压的变化以产生相对应的该基极电流；
一第一电阻，耦接于该输入端和该第一双载子接面晶体管的该集极之间，用来产生相关于该参考电压的波型和该集极电流的波型的该转换电压；以及
一第二电阻，用来调整该射极电流的时间参数。
4.如权利要求3所述的提升电路，其特征在于，其中该第二电阻是耦接于该参考端和该第一双载子接面晶体管的该射极之间，或是耦接于该第一电容和该第一双载子接面晶体管的该基极之间。
5.如权利要求3所述的提升电路，其特征在于，所述用于功率放大器的提升电路另包含一开关组件，该开关组件的一第一端耦接于该第一电容和该第一双载子接面晶体管的该基极，而该开关组件的一第二端耦接于该参考端。
6.如权利要求5所述的提升电路，其特征在于，其中该开关组件为一二极管，该二极管的一阴极耦接于该第一电容和该第一双载子接面晶体管的该基极，而该二极管的一阳极耦接于该参考端。
7.如权利要求3所述的提升电路，其特征在于，其中该电压-电流产生器包含：
一第二双载子接面晶体管，其包含：
一基极，耦接于该第一电阻和该第一双载子接面晶体管的该集极之间；
一射极；以及
一集极；
一第三双载子接面晶体管，其包含：
一基极，耦接于该第二双载子接面晶体管的该射极；
一射极；以及
一集极，耦接于该第二双载子接面晶体管的该集极；以及
一第三电阻，耦接于该第三双载子接面晶体管的该射极和该参考端之间。
8.如权利要求3所述的提升电路，其特征在于，其中该电压-电流产生器包含：
一第二双载子接面晶体管，其包含：
一基极，耦接于该第一电阻和该第一双载子接面晶体管的该集极之间；
一射极；以及
一集极；
一第三双载子接面晶体管，其包含：
一基极；
一射极，耦接于该参考端；以及
一集极，耦接于该第三双载子接面晶体管的该基极；以及
一第三电阻，耦接于该第二双载子接面晶体管的该射极和该第三双载子接面晶体管的该集极之间。
9.如权利要求1或2所述的提升电路，其特征在于，其中该电压-电压产生器包含：
一第一电阻；
一第二电阻；
一第三电阻；
一第四电阻；
一第一双载子接面晶体管，其包含：
一基极，耦接于该第三电阻和该第四电阻之间；
一射极，耦接于该参考端；以及
一集极，其透过该第一电阻耦接于该输入端；
一第二双载子接面晶体管，其包含：
一基极，耦接于该第一电阻和该第一双载子接面晶体管的该集极之间；
一射极，耦接于该参考端；以及
一集极，其透过该第二电阻耦接于该输入端；以及
一第一电容，耦接于该第二双载子接面晶体管的该集极和该参考端之间。
10.如权利要求9所述的提升电路，其特征在于，其中该电压-电流产生器包含：
一第三双载子接面晶体管，其包含：
一基极，耦接于该第二电阻和该第一双载子接面晶体管的该集极之间；
一射极；以及
一集极；
一第四双载子接面晶体管，其包含：
一基极，耦接于该第三双载子接面晶体管的该射极；
一射极；以及
一集极，耦接于该第三双载子接面晶体管的该集极；以及
一第五电阻，耦接于该第四双载子接面晶体管的该射极和该参考端之间。
11.如权利要求9所述的提升电路，其特征在于，其中该电压-电流产生器包含：
一第三双载子接面晶体管，其包含：
一基极，耦接于该第二电阻和该第二双载子接面晶体管的该集极之间；
一射极；以及
一集极；
一第四双载子接面晶体管，其包含：
一基极；
一射极，耦接于该参考端；以及
一集极，耦接于该第四双载子接面晶体管的该基极；以及
一第五电阻，耦接于该第三双载子接面晶体管的该射极和该第四双载子接面晶体管的该集极之间。
12.如权利要求1或2所述的提升电路，其特征在于，其中该差分电流产生器包含一电阻，该电阻的第一端耦接于该输入端，且该电阻的第二端耦接于该电压-电流产生器与该第一输出端。
13.如权利要求1所述的提升电路，其特征在于，其中在一周期内，该参考电压由第一电压改变为第二电压并维持一预定时间，且该转换电压的值在该预定时间内随着时间逐渐接近该第二电压的值。
14.如权利要求2或13所述的提升电路，其特征在于，其中该电压-电压产生器为慢速升压产生器，用来在该周期内随时间逐渐增加或减少该转换电压的波型斜率。
15.如权利要求1或2所述的提升电路，其特征在于，其中该第一输出端耦接至一转换电路，该转换电路依据该操作电流于一第二输出端产生一操作信号。
16.如权利要求15所述的提升电路，其特征在于，其中该转换电路包含：
一第五双载子接面晶体管，其包含：
一基极；
一射极；以及
一集极，耦接于该第五双载子接面晶体管的该基极；
一第六双载子接面晶体管，其包含：
一基极，耦接于该第五双载子接面晶体管的该射极；
一射极，耦接于该参考端；以及
一集极，耦接于该第六双载子接面晶体管的该基极；
一第七双载子接面晶体管，其包含：
一基极，耦接于该第五双载子接面晶体管的该集极；
一射极，耦接于该第二输出端；以及
一集极；以及
一第六电阻，耦接于该输入端和该第五双载子接面晶体管的该集极之间。
17.如权利要求1或2所述的提升电路，其特征在于，其中该电压-电压产生器包含一跨导放大器。
18.如权利要求1或2所述的提升电路，其特征在于，其中该操作电流的值为该第二电流和该第一电流的差值。
19.如权利要求1或2所述的提升电路，其特征在于，其中该参考电位为一接地端。
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|---|---|---|---|---|
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1740937A (zh) * | 2004-07-27 | 2006-03-01 | 罗姆股份有限公司 | 带有电压变动检测功能的调节器电路 |
| CN101515786A (zh) * | 2008-02-21 | 2009-08-26 | 夏普株式会社 | 功率放大器 |
| CN101727124A (zh) * | 2008-10-22 | 2010-06-09 | 登丰微电子股份有限公司 | 软启动电路 |
| CN103715998A (zh) * | 2012-09-28 | 2014-04-09 | 联咏科技股份有限公司 | 运算放大器模块及提高运算放大器电路的回转率的方法 |
| US20160072444A1 (en) * | 2014-09-10 | 2016-03-10 | Rfaxis, Inc. | Complementary metal oxide semiconductor radio frequency power amplifiers with high linearity across a wide range of burst signals in wifi applications |
-
2016
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1740937A (zh) * | 2004-07-27 | 2006-03-01 | 罗姆股份有限公司 | 带有电压变动检测功能的调节器电路 |
| CN101515786A (zh) * | 2008-02-21 | 2009-08-26 | 夏普株式会社 | 功率放大器 |
| CN101727124A (zh) * | 2008-10-22 | 2010-06-09 | 登丰微电子股份有限公司 | 软启动电路 |
| CN103715998A (zh) * | 2012-09-28 | 2014-04-09 | 联咏科技股份有限公司 | 运算放大器模块及提高运算放大器电路的回转率的方法 |
| US20160072444A1 (en) * | 2014-09-10 | 2016-03-10 | Rfaxis, Inc. | Complementary metal oxide semiconductor radio frequency power amplifiers with high linearity across a wide range of burst signals in wifi applications |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| T. Y. MAN, P. K. T. MOK AND M. CHAN,: "A High Slew-Rate Push–Pull Output Amplifier for Low-Quiescent Current Low-Dropout Regulators With Transient-Response Improvement", 《IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS II: EXPRESS BRIEFS 》 * |
| 黄勇: "声光Q驱动器高效E类射频功放设计与实现", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110611489A (zh) * | 2018-06-15 | 2019-12-24 | 立积电子股份有限公司 | 偏压电路 |
| CN110611489B (zh) * | 2018-06-15 | 2023-04-07 | 立积电子股份有限公司 | 偏压电路 |
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