CN117060224A - 一种激光器电流驱动控制电路及控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于光通信技术领域，涉及一种激光器电流驱动控制电路及控制方法，包括：VDAC放大模块和V_I转换模块，所述VDAC放大模块连接所述V_I转换模块，所述VDAC放大模块用于将第一分辨率的第一VDAC转换为第二分辨率的第二VDAC,并输出电压至所述V_I转换模块，所述V_I转换模块用于接收所述VDAC放大模块的输出电压，并输出电流实现在预设电流范围内的线性调节以用于调节激光器的电流源，通过构建加法器电路将低分辨率的VDAC转化为高分辨率的VDAC,通过V_I转换电路使IDAC的电流可调节范围增大以满足激光器的使用需求，减小了批量生产的成本。
Description
技术领域
本发明属于光通信技术领域，更具体地，涉及一种激光器电流驱动控制电路及控制方法。
背景技术
TOSA(Transmitter Optical Subassembly，光发射组件)激光器电流精度要求高，调节范围大，当前市面绝大部分中小型MCU(Microcontroller Unit，微控制单元)的配置为低精度VDAC(Voltage_to_Digital Analog Converter，电压到数字模拟转换器)，其中以12Bit和14Bit居多，根据要求的分辨率推算调节的电流范围为40.96mA，无法满足0～300mA的调节范围要求，根据推算15Bit及以上的VDAC可以满足300mA的电流需求。
当前市面上绝大部分中小型MCU自身没有高精度IDAC(Current Digital_to_Analog Converter，电流型数字模拟转换器)接口，其功能代替品IDAC编程电流器件如LTC2662等型号芯片为独家供应，价格虚高，官方售价接近20美金，严重影响光模块的批量应用。
有鉴于此，如何在不使用高端芯片节省成本的同时，能得到高分辨率的VDAC与在可调电流范围的IDAC是本领域亟待解决的重要技术问题。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是：在无需更换高端MCU带来成本和资源浪费的情况下，如何得到高分辨率的VDAC，并且实现IDAC在要求电流范围内的线性变换。
本发明是通过如下技术方案达到上述目的：
第一方面，提供了一种激光器电流驱动控制电路，包括：VDAC放大模块和V_I转换模块，所述VDAC放大模块连接所述V_I转换模块；
所述VDAC放大模块用于将第一分辨率的VDAC转换为第二分辨率的VDAC,并输出电压至所述V_I转换模块；
所述V_I转换模块用于接收所述VDAC放大模块的输出电压，并输出电流实现在预设电流范围内的线性调节以用于调节激光器的电流源。
优选的，所述VDAC放大模块包括控制单元和加法器电路，所述控制单元连接所述加法器电路；
所述控制单元包括第一VDAC和第二VDAC，所述加法器电路包括第一运算放大器、第一电阻和第二电阻；
所述第一运算放大器包括第一输入端，所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端并联在所述第一输入端；
所述第一VDAC连接所述第一电阻的另一端，所述第二VDAC连接所述第二电阻的另一端。
优选的，所述加法器电路还包括第一电容、第三电阻和第四电阻，所述第一运算放大器还包括第二输入端和第一输出端；
所述第一电容的一端接地，所述第一电容的另一端连接所述第一输入端；
所述第三电阻的一端接地，所述第三电阻与所述第四电阻串联连接至所述第一输出端，在所述第三电阻和所述第四电阻之间设有第一分压点，所述第一分压点连接所述第二输入端。
优选的，所述V_I转换模块包括V_I转换电路，所述V_I转换电路包括第二运算放大器，所述第二运算放大器包括第三输入端、第四输入端和第二输出端；
所述第三输入端用于与所述VDAC放大模块连接以接收所述VDAC放大模块的输出电压，所述第四输入端与所述第二输出端之间设有第二电容。
优选的，所述V_I转换电路还包括第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第一MOS管；
所述第五电阻的一端连接所述第二输出端，所述第五电阻的另一端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管的源极与所述第四输入端之间连接所述第六电阻；
所述第七电阻的一端与所述第一MOS管的源极连接，所述第七电阻的另一端接地；
所述第八电阻的一端与所述第一MOS管的漏极连接，所述第八电阻的另一端接正向电压。
优选的，所述V_I转换电路还包括第三运算放大器，所述第三运算放大器包括第五输入端、第六输入端和第三输出端；
所述第八电阻与所述第一MOS管的漏极之间设有第二分压点，所述第二分压点连接所述第五输入端；
在所述第六输入端与所述第三输出端之间设有第三电容。
优选的，所述V_I转换电路还包括第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻和第二MOS管；
所述第九电阻的一端连接所述第二输出端，所述第九电阻的另一端连接所述第二MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极与所述第六输入端之间连接所述第十电阻；
所述第十一电阻的一端与所述第二MOS管的源极连接，所述第十一电阻的另一端接正向电压；
所述第十二电阻的一端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第十二电阻的另一端接地；
在所述第二MOS管的漏极与所述第十二电阻之间的电流作为所述V_I转换电路的输出电流。
第二方面，提供了一种控制方法，包括：
构建VDAC放大模块和V_I转换模块；
所述VDAC放大模块将第一分辨率的VDAC转换为第二分辨率的VDAC,并输出电压至所述V_I转换模块；
所述V_I转换模块接收所述VDAC放大模块的输出电压，并实现在预设电流范围内的线性调节用于调节激光器的电流源。
优选的，所述VDAC放大模块将第一分辨率的VDAC转换为第二分辨率的VDAC,并输出电压至所述V_I转换模块，具体为：
所述VDAC放大模块通过所述加法器电路，将所述控制单元中第一分辨率的第一VDAC叠加到第一分辨率的第二VDAC，将所述第二VDAC的分辨率从所述第一分辨率转换为第二分辨率；
分辨率为第二分辨率的第二VDAC输出电压至所述V_I转换模块。
优选的，所述V_I转换模块接收所述VDAC放大模块的输出电压，并实现在预设电流范围内的线性调节用于调节激光器的电流源，具体为：
所述V_I转换模块中的V_I转换电路接收所述第二分辨率的第二VDAC的输出电压；
所述输出电压通过所述V_I转换电路，实现规定范围内的线性调节，以得到在预设电流范围进行线性调节的IDAC，用以激光器电流源的调节。
本发明的有益效果是：通过构建加法器电路将低分辨率的VDAC转化为高分辨率的VDAC,输出电压至V_I转换电路，通过V_I转换电路使IDAC的电流可调节范围增大以满足激光器的使用需求，减小了批量生产的成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：
图1是本发明实施例提供的一种激光器电流驱动控制电路结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种激光器电流驱动控制电路中VDAC结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种激光器电流驱动控制电路中加法器电路结构示意图；
图4是本发明实施例提供的一种激光器电流驱动控制电路中V_I转换电路结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种激光器电流驱动控制电路具体的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种控制方法的流程示意图；
图7是本发明实施例提供的一种激光器电流驱动控制电路及控制方法中V_I转换电路的仿真结构示意图；
图8是本发明实施例提供的一种激光器电流驱动控制电路及控制方法中V_I转换电路的仿真结果示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。下面就参考附图和实施例结合来详细说明本发明。
还需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
实施例1
光通信领域中光模块的光源TOSA是核心组件，主要作用是将电信号转化成光信号，其特点为精度高，且对响应时间有较高要求，其中的电流驱动控制电路是我们开发光模块产品中经常需要研究的对象之一。
其中：IPH/IBM/IFM的电流要求10uA的分辨率，IGN/ISOA的规格要求满足300mA的最大电流需求，但是当前市面绝大部分中小型MCU的配置为低精度VDAC(12Bit/14Bit居多)，根据前面要求的分辨率推算调节的电流范围为40.96mA，无法满足0～300mA的调节范围要求，根据推算15Bit的可调电流范围为0～327.68mA，可以满足0～300mA的电流需求。
当前市面上绝大部分中小型MCU自身没有高精度IDAC接口，其功能代替品IDAC编程电流器件譬如LTC2662等芯片型号为独家供应价格虚高，官方售价接近20美金，严重影响光模块的批量应用。
实施例2
根据实施例1所提出的问题，在本实施例中，提供了一种激光器电流驱动控制电路，如图1所示，包括：VDAC放大模块和V_I转换模块，所述VDAC放大模块连接所述V_I转换模块，所述VDAC放大模块用于将第一分辨率的VDAC转换为第二分辨率的VDAC,并输出电压至所述V_I转换模块，所述V_I转换模块用于接收所述VDAC放大模块的输出电压，并输出电流实现在预设电流范围内的线性调节以用于调节激光器的电流源。
其中，由于目前市面上主流MCU仅支持12Bit或14Bit的VDAC，因此，在本实施例中，选用带有分辨率为12BitVDAC的MCU，根据以下公式：
10uA*(2^12)＝40.96mA
uA和mA为电流单位，*代表做乘法运算，(2^12)表示2的12次方。
可以推算出分辨率为12BitVDAC无法满足0～300mA的调节范围要求,但是根据以下公式：
10uA*(2^15)＝327.68mA
uA和mA为电流单位，*代表做乘法运算，(2^15)表示2的15次方。
可以推算出分辨率为15Bit及以上的VDAC可以满足0～300mA的调节范围要求，因此，所述第一分辨率为12Bit，所述第二分辨率为15Bit，所述预设电流范围为0～300mA。
在优选的实施例中，如图2所示，所述VDAC放大模块包括控制单元和加法器电路，所述控制单元连接所述加法器电路，所述控制单元包括第一VDAC(VDAC1)和第二VDAC(VDAC2)，进一步参照图3，所述加法器电路包括第一运算放大器、第一电阻和第二电阻，所述第一运算放大器包括第一输入端，所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端并联在所述第一输入端，所述第一VDAC连接所述第一电阻的另一端，所述第二VDAC连接所述第二电阻的另一端。
具体为，在图3中，所述第一运算放大器A1，将所述第一电阻R1的阻值设置为2KΩ，第二电阻R2的阻值为30KΩ，所述第一输入端为所述第一运算放大器A1的同向输入端。
在优选的实施例中，进一步参照图3，所述加法器电路还包括第一电容、第三电阻和第四电阻，所述第一运算放大器还包括第二输入端和第一输出端，所述第一电容的一端接地，所述第一电容的另一端连接所述第一输入端，所述第三电阻的一端接地，所述第三电阻与所述第四电阻串联连接至所述第一输出端，在所述第三电阻和所述第四电阻之间设有第一分压点，所述第一分压点连接所述第二输入端。
具体为，继续参照图3，将所述第一电容C1的容值设置为1000pF，所述第三电阻R3的阻值为10KΩ，所述第四电阻R4的阻值为10KΩ，所述第二输入端为所述第一运算放大器A1的反向输入端。
在优选的实施例中，如图4所示，所述V_I转换模块包括V_I转换电路，所述V_I转换电路包括第二运算放大器，所述第二运算放大器包括第三输入端、第四输入端和第二输出端，所述第三输入端用于与所述VDAC放大模块连接以接收所述VDAC放大模块的输出电压，所述第四输入端与所述第二输出端之间设有第二电容。
具体为，继续参照图4，所述第二电容C2，所述第二运算放大器A2，所述第三输入端为所述第二运算放大器A2的正向输入端，所述第四输入端为所述第二运算放大器A2的反向输入端，所述第二运算放大器A2的正向输入端接收来自所述VDAC放大模块的输出电压。
在优选的实施例中，继续参照图4，所述V_I转换电路还包括第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第一MOS管，所述第五电阻的一端连接所述第二输出端，所述第五电阻的另一端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管的源极与所述第四输入端之间连接所述第六电阻，所述第七电阻的一端与所述第一MOS管的源极连接，所述第七电阻的另一端接地，所述第八电阻的一端与所述第一MOS管的漏极连接，所述第八电阻的另一端接正向电压。
具体为，继续参照图4，所述第五电阻R5的阻值设置为200Ω，所述第六电阻R6的阻值设置为10KΩ，所述第七电阻R7和第八电阻R8的阻值可根据需要再进行调节，其具体调节的数值将在下文介绍。
其中，所述第一MOS管Q1为N型MOS管(N_MOSFET)是一种金属氧化物半导体场效应晶体管的类型之一，它由沟道、栅极、源极和漏极构成，在N型MOS管中，沟道是由N型半导体材料构成的，栅极位于沟道上方，由金属或多晶硅构成，通过栅极与沟道之间的电场控制沟道区域的导电性，漏极位于沟道的一端，源极位于另一端。
在工作原理上，当在所述第二输出端经过所述第五电阻R5在栅极上施加正电压时，栅极和沟道之间的电场会吸引N型半导体中的电子，使其在沟道区域形成导电通道，电子流从源极流向漏极，形成电流通路，因此，N型MOS管在栅极正电压下可以导通，允许电流通过。
N型MOS管的主要特点包括：
低输入电流：N型MOS管的栅极电流非常低，可以实现高电阻和高输入阻抗。
高开关速度：由于N型MOS管的导电控制是通过电场效应实现的，所以可以实现较快的开关速度，适用于高频应用。
低功耗：N型MOS管在导通状态时，漏极和源极之间的电压很低，因此功耗相对较低。
适用于低电压操作：N型MOS管可以在低电压下工作，并且具有较低的阈值电压。
在优选的实施例中，参照图4，所述V_I转换电路还包括第三运算放大器，所述第三运算放大器包括第五输入端、第六输入端和第三输出端，所述第八电阻与所述第一MOS管的漏极之间设有第二分压点，所述第二分压点连接所述第五输入端，在所述第六输入端与所述第三输出端之间设有第三电容。
具体为，继续参照图4，所述第三电容C3，所述第三运算放大器A3，所述第五输入端为所述第三运算放大器A3的正向输入端，所述第六输入端为所述第三运算放大器A3的反向输入端。
在优选的实施例中，参照图4，所述V_I转换电路还包括第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻和第二MOS管，所述第九电阻的一端连接所述第二输出端，所述第九电阻的另一端连接所述第二MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极与所述第六输入端之间连接所述第十电阻，所述第十一电阻的一端与所述第二MOS管的源极连接，所述第十一电阻的另一端接正向电压，所述第十二电阻的一端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第十二电阻的另一端接地，在所述第二MOS管的漏极与所述第十二电阻之间的电流作为所述V_I转换电路的输出电流。
具体为，继续参照图4，所述第九电阻R9的阻值设置为330Ω，所述第十电阻R10的阻值设置为10KΩ，所述第十一电阻R11和第十二电阻R12的阻值可根据需要再进行调节，其具体调节的数值将在下文介绍。
所述第二MOS管Q2为P型MOS管(P_MOSFET)是一种金属氧化物半导体场效应晶体管的类型之一，与N型MOS管相比，P型MOS管的结构和工作原理有些许不同，P型MOS管由沟道、栅极和漏极组成，沟道是由P型半导体材料构成的，栅极位于沟道上方，通过栅极与沟道之间的电场控制沟道区域的导电性，漏极位于沟道的一端，源极位于另一端。
在P型MOS管中，当在栅极上施加负电压时，栅极和沟道之间的电场会吸引P型半导体中的空穴，形成导电通道，因此，P型MOS管在栅极负电压下可以导通，允许电流通过。
P型MOS管用于与N型MOS管构建CMOS(Complementary Metal_Oxide_Semiconductor，互补金属氧化物半导体)逻辑电路。
根据以上所述的加法器电路与V_I转换电路，构成本实施例的整体电路如图5所示，其中，所述V_I转换电路的第二运算放大器A2的补偿组件是所述第五电阻R5、第六电阻R6和第二电容C2，所述第三运算放大器A3的补偿组件是所述第九电阻R9、第十电阻R10和第三电容C3，以保证设计稳定性，所述第二运算放大器A2与所述第一MOS管之间的电阻R5、所述第三运算放大器A3与所述第二MOS管之间的电阻R9有助于所述第二运算放大器与所述第三运算放大器分别与所述第一MOS管和所述第二MOS管栅级的电容负载隔离，反馈电容第二电容C2与第三电容C3用于去除高频杂波，通过反馈电阻第六电阻R6和第十电阻R10分别取代所述第一MOS管和所述第二MOS管漏极的直流反馈。
在本实施例中，通过构建加法器电路将低分辨率的VDAC转化为高分辨率的VDAC,通过V_I转换电路使IDAC的电流可调节范围增大以满足激光器驱动电流的使用需求，减小了批量生产的成本。
实施例3
在实施例2中提出了一种激光器电流驱动控制电路，在本实施例中提出一种控制方法，用于所述激光器电流驱动控制电路中，如图6所示，包括：
步骤101：构建VDAC放大模块和V_I转换模块。
根据实施例2所述激光器电流驱动控制电路来构建出VDAC放大模块和V_I转换模块。
步骤102：所述VDAC放大模块将第一分辨率的VDAC转换为第二分辨率的VDAC,并输出电压至所述V_I转换模块。
所述VDAC放大模块通过所述加法器电路，将所述控制单元中第一分辨率的第一VDAC叠加到第一分辨率的第二VDAC，将所述第二VDAC的分辨率从所述第一分辨率转换为第二分辨率，分辨率为第二分辨率的第二VDAC输出电压至所述V_I转换模块。
步骤103：所述V_I转换模块接收所述VDAC放大模块的输出电压，并实现在预设电流范围内的线性调节用于调节激光器的电流源。
所述V_I转换模块中的V_I转换电路接收所述第二分辨率的第二VDAC的输出电压，所述输出电压通过所述V_I转换电路，实现规定范围内的线性调节，以得到在预设电流范围进行线性调节的IDAC，用以激光器电流源的调节。
其中，由于目前市面上主流MCU仅支持12Bit或14Bit的VDAC，因此，在本实施例中，选用带有分辨率为12BitVDAC的MCU，根据以下公式：
10uA*(2^12)＝40.96mA
uA和mA为电流单位，*代表做乘法运算，(2^12)表示2的12次方。
可以推算出分辨率为12BitVDAC无法满足0～300mA的调节范围要求,但是根据以下公式：
10uA*(2^15)＝327.68mA
uA和mA为电流单位，*代表做乘法运算，(2^15)表示2的15次方。
可以推算出15Bit以上的VDAC可以满足0～300mA的调节范围要求，因此，所述第一分辨率为12Bit，所述第二分辨率为15Bit，所述预设电流范围为0～300mA。
其中，所述激光器电流驱动控制电路的具体结构在实施例2中已经做了说明，在本实施例中就不再赘述。
实施例4
在实施例2中提出了一种激光器电流驱动控制电路，在实施例3中提出了一种控制方法，所述控制方法用于所述激光器电流驱动控制电路中，在本实施例中就提出一个实例来进一步说明实施例2和实施例3。
对于所述激光器电流驱动控制电路中VDAC放大模块的加法器电路结构参照图3，由运算放大器的虚短虚断：虚短，即在理想的运算法大器中，输入端(即非反相输入和反相输入)是无电流输入的，即虽然两输入端之间电压相等(理想状态下，电压差为0)，但是并不会有电流从一个输入端流向另一个输入端，这就是运放的虚短特性，它表明，在理想情况下，虽然输入端的电压相等，但是不会有电流通过，就好像它们之间是短路一样，但实际上并无实质的电流流过。
虚断，即在理想的运算放大器中，输入端的阻抗是无穷大，即无论输出电压是多少，输入电流总是为0，这就好像输入端是断开的一样，也就是说，从外部电路来看，运放的输入端就像是断开的，因此称为虚断，这也是一个理想化的假设，实际的运放输入阻抗并非无穷大，但通常是非常大的，可以近似为无穷。
推知：
(0-Vn)/R3＝(Vn-Vout)/R4
代入相关数值，可得：
Vout＝2Vn＝2Vp (式1)
其中，/表示除法，Vn表示所述第一运算放大器A1的反向输入端的输入电压，Vout表示所述加法器电路的输出电压。
然后根据叠加定理：在线性电路中，当有两个或两个以上的独立电源作用时，任意支路的电流或电压，均可以认为是每个电源单独作用其它电源不作用时，在该支路中产生的各电流分量或电压分量的代数合。
可得：
Vp＝(VDAC1*R1)/(R1+R2)+(VDAC2*R2)/(R1+R2)
代入相关数值解得：Vp＝VDAC1/16+15VDAC2/16(式2)
联立式1和式2可得：
Vout＝VDAC1/8+15VDAC2/8
其中，*表示乘法，/表示除法，VDAC1表示第一VDAC，VDAC2表示第二VDAC(下同)。
由结果可得所述第一VDAC信号变成了原来的1/8倍，相当于2的三次方分量，叠加到所述第二VDAC上面，将原来信号分辨率提高了3Bit，从原12Bit提升至15Bit分辨率，从而达到提升分辨率的目的。
对于所述激光器电流驱动控制电路中V_I转换模块的V_I转换电路结构参照图4，将Vout设置为2.5V,在所述V_I转换电路的电路前级：首先不给负载供电，第一级功耗应该为满量程输出的1％以内，将Iout按300mA的满量值设计，将经过所述第七电阻R7的电流I7设置为3mA，经过所述第八电阻R8的电流为I8，得到：
R7＝Vout/I7＝0.8kΩ，I8＝I7＝3mA
在所述V_I转换电路的电路后级：产生驱动负载的输出电流源，驱动这一级的是所述第三运算放大器A3，由施加在其正向输入端的第八电阻R8的电压V8的压降控制，设定经过所述第十一电阻R11的电压V11满量程时产生600mV压降，4.4V的电流源足以让激光器正常工作，得到：
R8＝V11/I8＝200Ω，R11＝V11/I11＝2Ω
代入：
Iout＝(Vout*R8)/(R7*R11)＝Vout/8
其中，/表示除法，*表示乘法。
如图7所示所述V_I转换电路的仿真图，经过电路仿真验证，如图8所示为仿真结果，结果表明符合预期，即通过0～2.5V的VDAC可实现0～300mA的线性电流调节。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种激光器电流驱动控制电路，其特征在于，包括：VDAC放大模块和V_I转换模块，所述VDAC放大模块连接所述V_I转换模块；
所述VDAC放大模块用于将第一分辨率的VDAC转换为第二分辨率的VDAC,并输出电压至所述V_I转换模块；
所述V_I转换模块用于接收所述输出电压，并输出驱动电流实现在预设电流范围内的线性调节以用于调节激光器的电流源。
2.根据权利要求1所述的激光器电流驱动控制电路，其特征在于，所述VDAC放大模块包括控制单元和加法器电路，所述控制单元连接所述加法器电路；
所述控制单元包括第一VDAC和第二VDAC，所述加法器电路包括第一运算放大器、第一电阻和第二电阻；
所述第一运算放大器包括第一输入端，所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端并联在所述第一输入端；
所述第一VDAC连接所述第一电阻的另一端，所述第二VDAC连接所述第二电阻的另一端。
3.根据权利要求2所述的激光器电流驱动控制电路，其特征在于，所述加法器电路还包括第一电容、第三电阻和第四电阻，所述第一运算放大器还包括第二输入端和第一输出端；
所述第一电容的一端接地，所述第一电容的另一端连接所述第一输入端；
所述第三电阻的一端接地，所述第三电阻与所述第四电阻串联连接至所述第一输出端，在所述第三电阻和所述第四电阻之间设有第一分压点，所述第一分压点连接所述第二输入端。
4.根据权利要求1所述的激光器电流驱动控制电路，其特征在于，所述V_I转换模块包括V_I转换电路，所述V_I转换电路包括第二运算放大器，所述第二运算放大器包括第三输入端、第四输入端和第二输出端；
所述第三输入端用于与所述VDAC放大模块连接以接收所述VDAC放大模块的输出电压，所述第四输入端与所述第二输出端之间设有第二电容。
5.根据权利要求4所述的激光器电流驱动控制电路，其特征在于，所述V_I转换电路还包括第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻和第一MOS管；
所述第五电阻的一端连接所述第二输出端，所述第五电阻的另一端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管的源极与所述第四输入端之间连接所述第六电阻；
所述第七电阻的一端与所述第一MOS管的源极连接，所述第七电阻的另一端接地；
所述第八电阻的一端与所述第一MOS管的漏极连接，所述第八电阻的另一端接正向电压。
6.根据权利要求5所述的激光器电流驱动控制电路，其特征在于，所述V_I转换电路还包括第三运算放大器，所述第三运算放大器包括第五输入端、第六输入端和第三输出端；
所述第八电阻与所述第一MOS管的漏极之间设有第二分压点，所述第二分压点连接所述第五输入端；
在所述第六输入端与所述第三输出端之间设有第三电容。
7.根据权利要求6所述的激光器电流驱动控制电路，其特征在于，所述V_I转换电路还包括第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻和第二MOS管；
所述第九电阻的一端连接所述第二输出端，所述第九电阻的另一端连接所述第二MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极与所述第六输入端之间连接所述第十电阻；
所述第十一电阻的一端与所述第二MOS管的源极连接，所述第十一电阻的另一端接正向电压；
所述第十二电阻的一端与所述第二MOS管的漏极连接，所述第十二电阻的另一端接地；
在所述第二MOS管的漏极与所述第十二电阻之间的电流作为所述V_I转换电路的输出电流。
8.一种控制方法，其特征在于，所述方法适用于如权利要求1～7任一项权利要求所述的激光器电流驱动控制电路中，包括：
构建VDAC放大模块和V_I转换模块；
所述VDAC放大模块将第一分辨率的VDAC转换为第二分辨率的第VDAC,并输出电压至所述V_I转换模块；
所述V_I转换模块接收所述VDAC放大模块的输出电压，并实现在预设电流范围内的线性调节用于调节激光器的电流源。
9.根据权利要求8所述的激光器电流驱动控制方法，其特征在于，所述VDAC放大模块将第一分辨率的VDAC转换为第二分辨率的VDAC,并输出电压至所述V_I转换模块，具体为：
所述VDAC放大模块通过所述加法器电路，将所述控制单元中第一分辨率的第一VDAC叠加到第一分辨率的第二VDAC，将所述第二VDAC的分辨率从所述第一分辨率转换为第二分辨率；
分辨率为第二分辨率的第二VDAC输出电压至所述V_I转换模块。
10.根据权利要求9所述的激光器电流驱动控制方法，其特征在于，所述V_I转换模块接收所述VDAC放大模块的输出电压，并实现在预设电流范围内的线性调节用于调节激光器的电流源，具体为：
所述V_I转换模块中的V_I转换电路接收所述第二分辨率的第二VDAC的输出电压；
所述输出电压通过所述V_I转换电路，实现预定范围内的线性调节，以得到在能够在预设电流范围进行线性调节的IDAC，用以激光器电流源的调节。
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