CN108110089B - 一种mwt电池堵孔不良品的处理方法 - Google Patents
一种mwt电池堵孔不良品的处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108110089B CN108110089B CN201711453552.8A CN201711453552A CN108110089B CN 108110089 B CN108110089 B CN 108110089B CN 201711453552 A CN201711453552 A CN 201711453552A CN 108110089 B CN108110089 B CN 108110089B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mwt
- battery
- plugging
- holes
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 230000002950 deficient Effects 0.000 title claims abstract description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 title description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000012797 qualification Methods 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
本发明公开了一种MWT电池堵孔不良品的处理方法，包括：挑选出MWT堵孔不良的电池片，对堵孔不良的位置及数量进行统计，分类放置；将分类后的堵孔不良电池片，采用激光打孔方式对堵孔不良的孔洞进行重新打孔；采用丝网印刷的方式，对重新打孔的孔洞印刷导电胶进行重新填孔；烘干固化导电胶；对导电胶固化后的MWT返工电池片重新进行测试分选。本发明采用目前量产的MWT电池生产设备及工艺，提出一种高效、低成本的MWT电池堵孔不良返工方法，提高了MWT电池合格率。
Description
技术领域
本发明涉及硅太阳能电池工艺技术领域，尤其涉及一种MWT电池堵孔不良品的处理方法。
背景技术
晶体硅太阳能技术包括异质结太阳能电池(HIT)，背电极接触硅太阳能电池(IBC)，发射极环绕穿通硅太阳能电池(EWT)，激光刻槽埋栅电池，倾斜蒸发金属接触硅太阳能电池(OECO)及金属穿孔卷绕硅太阳能电池(MWT)等，其中MWT电池因其效率高，遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。MWT硅太阳能电池是通过激光钻孔将正面收集的能量穿过电池转移至电池背面，以减少遮光面积来达到提高转换效率的目的，图1示出了MWT太阳能电池的结构，包括正面(即受光面)具有扩散层2的硅片1，覆于扩散层2上的减反膜3，设于减反膜3上的正面栅线电极(或称正电极)4，设于硅片背面的铝背场5，电极孔6贯穿硅片、减反膜和铝背场，用导电浆料填充电极孔与正电极相连通并形成背面电极的负极7，负极7呈6×6矩阵分布，硅片的背面设有背面电极的正极8，正极呈5×5矩阵分布，每行正极处于两行负极之间，铝背场5覆于硅片背面并避让背面电极。。
对于MWT电池的整个制程，如何有效将正面收集的电流引导到背面是关键和核心。目前，量产的MWT电池采用激光制孔外加丝网印刷银浆堵孔的制程方式来实现。由于，MWT电池的堵孔效果显著影响MWT电池的光电转换效率及合格率，同时堵孔不良电池还会影响MWT电池组件的可靠性等缘故，对MWT电池堵孔不良电池片的检测、分选以及堵孔不良的处理办法将是亟待解决的问题。
对于MWT电池堵孔不良品的返工方案及流程，目前还未见相关报告及研究。
发明内容
发明目的：为解决现有技术中的问题，本发明提供了一种高效、低成本的MWT电池堵孔不良品的处理方法。
技术方案：本发明所述MWT电池堵孔不良品的处理方法，包括：
(1)挑选出MWT堵孔不良的电池片，对堵孔不良的位置及数量进行统计，分类放置；
(2)将分类后的堵孔不良电池片，采用激光打孔方式对堵孔不良的孔洞进行重新打孔；
(3)采用丝网印刷的方式，对重新打孔的孔洞印刷导电胶进行重新填孔；
(4)烘干固化导电胶；
(5)对导电胶固化后的MWT返工电池片重新进行测试分选。
步骤(2)中，电池片非镀膜面朝上进行打孔，避免打孔时损伤镀膜层。
步骤(2)中，根据不良品的统计分类结果设定激光打孔图案，进行重新打孔；步骤(3)中，根据设定的激光打孔图案，定制相应相应激光打孔方案规格的网版进行丝网印刷。堵孔不良的位置和数量决定了需要激光重新开孔以及后续导电胶重新堵孔的位置和数量，从而决定了成本，对堵孔不良的位置和数量进行分选及统计，制定合理的图案，提高返工合格率，降低返工成本。
目前，电池片的电极孔呈6×6矩阵排布，其中一种较好的分类方式：激光打孔图案分为如下三种：
(1)由第1、6行和第1、6列电极孔围绕形成的图案；
(2)处于中心位置的四个电极孔组成的图案；
(3)除(1)和(2)外的剩余电极孔形成的图案。
另一种较好的分类方式，激光打孔图案分为如下四种：
(1)由第1列或第6列的电极孔形成的图案；
(2)由第1行和第1列的电极孔形成的直角形图案；
(3)由第1行和第1、6列的电极孔形成的门形图案；
(4)除(1)～(3)外的剩余电极孔形成的图案。
所述的导电胶为贺利氏SOL570。
所述填孔时非镀膜面朝上进行印刷堵孔，同时印刷电池背面负极。
步骤(4)中，烘干固化的温度为100-200℃，时间为1-10min。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明采用目前量产的MWT电池生产设备及工艺，提出一种高效、低成本的MWT电池堵孔不良返工方法，提高了MWT电池合格率。
附图说明
图1为MWT电池截面图；
图2为MWT电池6×6正面电极图案；
图3为MWT电池的6×6常规激光打孔图案；
图4为MWT电池堵孔不良位置第一种分类规格；
图5为MWT电池堵孔不良位置第一种分类规格；
图6为MWT电池堵孔不良位置第二种分类规格；
图7为MWT电池堵孔不良位置第三种分类规格；
图8为MWT电池堵孔不良位置第四种分类规格；
图9为MWT电池堵孔不良位置第五种分类规格；
图10为MWT电池堵孔不良位置第六种分类规格。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
实施例1
以目前量产的6×6激光打孔图案(图2、图3)为例，MWT电池堵孔不良品的处理方法包括如下步骤：
1.将经测试确认堵孔不良的MWT电池片，以图3-图6的分类规格(分为外围区、中心区及处于外围区及中心区的中间区；外围区如图3，由第1、6行和第1、6列围绕形成；中心区如图5所示，由处于中心位置的四个电极孔组成，其余的为中间区，如图4所示)，将堵孔不良电池片进行分类。
2.设定图3-图6的激光打孔图案，分别将对应堵孔不良的电池片进行重新打孔，打孔时非镀膜面朝上(避免打孔时损伤镀膜层)进行打孔返工(打孔返工工艺与初次生产工艺基本一致，无需调整。因电池片弯曲度问题，需加强打孔精度的检测确认)。
3.定制图3-图6图案规格的网版，采用丝网印刷的方式，对返工后的孔洞印刷导电胶(具体可以为贺利氏SOL570)填孔，填孔时非镀膜面朝上进行印刷堵孔，同时印刷背面负极，一次印刷，降低制程工序及成本。
4.采用烘箱在100-200℃下，烘干1-10min进行导电胶固化。
5.将导电胶固化后的MWT返工电池片重新进行IV测试分选。
实施例2
以目前量产的6×6激光打孔图案(图2、图3)为例：
1.将经测试确认堵孔不良的MWT电池片，以图3、图7-图10的分类规格(分为外围区、中心区；外围区如图7-9，分为第1列；第1行和第1列形成的直角形；第1行和第1、6列形成的门形；其余的为中心区，如图10所示)，将堵孔不良电池片进行分类。
2.设定图3、图7-图10的激光打孔图案，分别将对应堵孔不良的电池片进行重新打孔，打孔时非镀膜面朝上进行打孔返工。
3.定制图3、图7-图10图案规格的网版，采用丝网印刷的方式，对返工后的孔洞印刷导电胶(具体可以为贺利氏SOL570)填孔，填空时非镀膜面朝进行印刷堵孔。
4.采用烘箱在100-200℃下，烘干1-10min进行导电胶固化。
5.将导电胶固化后的MWT返工电池片重新进行IV测试分选。
Claims (5)
1.一种MWT电池堵孔不良品的处理方法，其特征在于，包括：
(1)挑选出MWT堵孔不良的电池片，对堵孔不良的位置及数量进行统计，分类放置；
(2)将分类后的堵孔不良电池片，采用激光打孔方式对堵孔不良的孔洞进行重新打孔；
(3)采用丝网印刷的方式，对重新打孔的孔洞印刷导电胶进行重新填孔；
(4)烘干固化导电胶；
(5)对导电胶固化后的MWT返工电池片重新进行测试分选；
步骤(2)中，根据不良品的统计分类结果设定激光打孔图案，进行重新打孔；步骤(3)中，根据设定的激光打孔图案，定制相应激光打孔图案规格的网版进行丝网印刷；
电池片的电极孔呈6×6矩阵排布，激光打孔图案分为如下三种：
(1)由第1、6行和第1、6列电极孔围绕形成的图案；
(2)处于中心位置的四个电极孔组成的图案；
(3)除(1)和(2)外的剩余电极孔形成的图案；
或者，激光打孔图案分为如下四种：
(1)由第1列或第6列的电极孔形成的图案；
(2)由第1行和第1列的电极孔形成的直角形图案；
(3)由第1行和第1、6列的电极孔形成的门形图案；
(4)除(1)～(3)外的剩余电极孔形成的图案。
2.根据权利要求1所述的MWT电池堵孔不良品的处理方法，其特征在于，步骤(2)中，电池片非镀膜面朝上进行打孔。
3.根据权利要求1所述的MWT电池堵孔不良品的处理方法，其特征在于，导电胶为贺利氏SOL570。
4.根据权利要求1所述的MWT电池堵孔不良品的处理方法，其特征在于，填孔时非镀膜面朝上进行印刷堵孔，同时印刷电池背面负极。
5.根据权利要求1所述的MWT电池堵孔不良品的处理方法，其特征在于，步骤(4)中，烘干固化的温度为100-200℃，时间为1-10min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711453552.8A CN108110089B (zh) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 一种mwt电池堵孔不良品的处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711453552.8A CN108110089B (zh) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 一种mwt电池堵孔不良品的处理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108110089A CN108110089A (zh) | 2018-06-01 |
| CN108110089B true CN108110089B (zh) | 2020-03-10 |
Family
ID=62213866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711453552.8A Active CN108110089B (zh) | 2017-12-28 | 2017-12-28 | 一种mwt电池堵孔不良品的处理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108110089B (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104201244A (zh) * | 2014-09-11 | 2014-12-10 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片丝网印刷后次品返工方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103594529A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-02-19 | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 | Mwt与背钝化结合的晶硅太阳能电池及其制造方法 |
| CN104752560B (zh) * | 2015-03-03 | 2017-01-25 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种背接触太阳能电池组件的制作方法 |
| CN105140346A (zh) * | 2015-09-14 | 2015-12-09 | 山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司 | 一种薄膜太阳能电池透明导电玻璃基板回收再利用的方法 |
| CN105304730A (zh) * | 2015-09-23 | 2016-02-03 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种具有背钝化膜的mwt电池及其制备方法 |
-
2017
- 2017-12-28 CN CN201711453552.8A patent/CN108110089B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104201244A (zh) * | 2014-09-11 | 2014-12-10 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片丝网印刷后次品返工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108110089A (zh) | 2018-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6524237B2 (ja) | 無メイングリッド高効率のバックコンタクト太陽電池、アセンブリ及びその製造プロセス | |
| WO2010126571A3 (en) | Bifacial solar cells with overlaid back grid surface | |
| CN104064608B (zh) | 一种无主栅背接触太阳能电池组件及其制备方法 | |
| CN102938432B (zh) | 一种mwt太阳电池组件的制备方法 | |
| KR20170048460A (ko) | 메인 게이트가 없고 고효율의 후면 전극형 태양 전지 모듈, 어셈블리 및 그 제조공법 | |
| CN104769730B (zh) | 用于光伏板的自动装配的设备和方法 | |
| US20160093751A1 (en) | Silicon solar cell with front electrodes covered by thin film and process for manufacturing same | |
| US20150287851A1 (en) | Solar cell and solar cell module | |
| CN103646981A (zh) | 用于背接触太阳能电池组件的压花焊带及组件的制备方法 | |
| Cooper et al. | Understanding and use of IR belt furnace for rapid thermal firing of screen-printed contacts to Si solar cells | |
| CN102637773A (zh) | 一种晶硅太阳能mwt电池及制作方法 | |
| CN103066151A (zh) | 一种背接触太阳能电池串的制作方法 | |
| CN106409946B (zh) | 晶硅电池片及其制备方法 | |
| CN108110089B (zh) | 一种mwt电池堵孔不良品的处理方法 | |
| WO2011052875A3 (en) | Solar cell, method of manufacturing the same, and solar cell module | |
| WO2017051482A1 (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
| CN103500773A (zh) | 一种新型高效的背接触式太阳能发电组件及其制造方法 | |
| TWI542022B (zh) | 太陽能電池及其背面電極的製造方法 | |
| CN106206770B (zh) | 太阳能电池 | |
| CN115132861B (zh) | 一种太阳能电池栅线结构及其制作方法、太阳能电池 | |
| CN114975690B (zh) | Ibc电池片、ibc电池组件及其制备方法 | |
| CN202363460U (zh) | 弱光型薄膜太阳能电池 | |
| JP5336086B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| CN102427078A (zh) | 弱光型薄膜太阳能电池及其制造方法 | |
| CN103730521A (zh) | 一种mwt太阳能电池和mwt太阳能电池组件及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 214028 Xishi Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant after: Jiangsu Rituo Photovoltaic Technology Co., Ltd. Address before: 211800 No. 29 Buyue Road, Pukou Economic Development Zone, Nanjing City, Jiangsu Province Applicant before: Nanjing day care PV Polytron Technologies Inc |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |