CN108092634A - 一种宽频带、大功率水声d类功率放大器 - Google Patents

一种宽频带、大功率水声d类功率放大器 Download PDF

Info

Publication number
CN108092634A
CN108092634A CN201810026743.4A CN201810026743A CN108092634A CN 108092634 A CN108092634 A CN 108092634A CN 201810026743 A CN201810026743 A CN 201810026743A CN 108092634 A CN108092634 A CN 108092634A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
output terminal
oxide
semiconductor
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810026743.4A
Other languages
English (en)
Inventor
吴宜荣
吴志聪
黄奇家
姜守明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujian Xinghai Communication Technology Co Ltd
Original Assignee
Fujian Xinghai Communication Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujian Xinghai Communication Technology Co Ltd filed Critical Fujian Xinghai Communication Technology Co Ltd
Priority to CN201810026743.4A priority Critical patent/CN108092634A/zh
Publication of CN108092634A publication Critical patent/CN108092634A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/21Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/217Class D power amplifiers; Switching amplifiers
    • H03F3/2178Class D power amplifiers; Switching amplifiers using more than one switch or switching amplifier in parallel or in series
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • H03F1/523Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种宽频带、大功率水声D类功率放大器,所述功率放大器包括功率放大电路,所述功率放大电路包括PWM信号发生电路和PWM信号放大电路,所述PWM信号放大电路包括死区时间控制电路、上MOS管开关电路和下MOS管开关电路,所述死区时间控制电路的输出端与所述上MOS管开关电路的输入端相连,所述死区时间控制电路的输出端与所述下MOS管开关电路的输入端相连;所述上MOS管开关电路的输入端与一反相缓冲器相连;所述上MOS管开关电路与下MOS管开关电路并联后和所述功率放大器的输出端相连。与现有技术相比,本发明结构的功率放大器具有体积小、失真度低及效率高等优点。

Description

一种宽频带、大功率水声D类功率放大器
技术领域
本发明涉及水下通信设备领域,具体涉及一种宽频带、大功率水声D类功率放大器。
背景技术
功率放大器,简称功放,是指在给定失真率条件下,能产生最大功率输出以驱动某一负载的放大器。随着电子技术的发展,功率放大器受到越来越广泛的应用。由于水下通信设备通常需要长时间工作,还要同时保证通信的质量,因此,不仅对效率有很高的要求,而且对带内平坦度也有很高要求。传统线性功率放大器大多是针对窄带信号进行设计的,由于传统线性功率放大器的输出阻抗具有起伏变化大、体积大、效率低等缺点,导致后级匹配困难、功率放大电路发热量大、占用空间大等,因此,传统的线性功率放大器设计在水声宽带大功率的要求下很难适用。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种宽频带、大功率水声D类功率放大器,尤其适用于水下通信设备。
为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:一种宽频带、大功率水声D类功率放大器,所述功率放大器包括功率放大电路,所述功率放大电路包括脉宽调制(PulseWidth Modulation,PWM)信号发生电路和PWM信号放大电路,所述PWM信号放大电路包括死区时间控制电路、上金属-氧化物-半导体(metal oxide semiconductor,MOS)管开关电路和下MOS管开关电路,所述死区时间控制电路的输出端与所述上MOS管开关电路的输入端相连,所述死区时间控制电路的输出端与所述下MOS管开关电路的输入端相连;所述上MOS管开关电路的输入端与一反相缓冲器相连;所述上MOS管开关电路与下MOS管开关电路并联后和所述功率放大器的输出端相连。
本发明的有益效果在于:D类功率放大电路也被称作数字功率放大电路,理论上效率可以达到100%。本发明结构的D类功率放大器的带内平坦度小,具有效率高、体积小、频带宽、失真度低等特点,可以很好的满足水下通信设备的需要。设置死区时间控制电路,保护后级大功率MOS管正常工作,防止上下两个MOS管同时导通,电流过大而烧毁MOS管,经过死区时间设置后的PWM信号分别控制两个MOS管,上路MOS管控制电平经过反相缓冲器进行电平转换,极性与下路MOS管控制电平相反;上下两路MOS管分别导通,最终输出经过放大的PWM信号。
附图说明
图1为本发明实施例1~2的功率放大器的功率放大电路的结构示意图;
图2为本发明实施例1~2的PWM信号发生电路的波形图;
图3为本发明实施例1的外围设备的输出声源级;
图4为本发明实施例1的通信测试星座图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图予以说明。
一种宽频带、大功率水声D类功率放大器,所述功率放大器包括功率放大电路,所述功率放大电路包括脉宽调制(Pulse Width Modulation,PWM)信号发生电路和PWM信号放大电路,所述PWM信号放大电路包括死区时间控制电路、上金属-氧化物-半导体(metaloxide semiconductor,MOS)管开关电路和下MOS管开关电路,所述死区时间控制电路的输出端与所述上MOS管开关电路的输入端相连,所述死区时间控制电路的输出端与所述下MOS管开关电路的输入端相连;所述上MOS管开关电路的输入端与一反相缓冲器相连;所述上MOS管开关电路与下MOS管开关电路并联后和所述功率放大器的输出端相连。
从上述描述可知,本发明的有益效果在于:D类功率放大电路也被称作数字功率放大电路,理论上效率可以达到100%。本发明结构的D类功率放大器的带内平坦度小,具有效率高、体积小、频带宽、失真度低等特点,可以很好的满足水下通信设备的需要。设置死区时间控制电路,保护后级大功率MOS管正常工作,防止上下两个MOS管同时导通,电流过大而烧毁MOS管,经过死区时间设置后的PWM信号分别控制两个MOS管,上路MOS管控制电平经过反相缓冲器进行电平转换,极性与下路MOS管控制电平相反;上下两路MOS管分别导通,最终输出经过放大的PWM信号。
进一步地,所述PWM发生电路包括正弦波电路、运算放大器、三角波发生器和比较器,所述正弦波电路的输出端与所述运算放大器的输入端相连,所述运算放大器的输出端和三角波发生器的输出端均与所述比较器的输入端相连,所述比较器的输出端与所述死区时间控制电路相连。
从上述描述可知,本发明的有益效果在于:正弦波输入经运放放大后与三角波发生器产生的三角波信号经过比较器生成PWM信号。
进一步地,所述运算放大器的输入端与接地电源相连。
进一步地,所述功率放大器的输出端与外设匹配网络电路的输入端相连。
从上述描述可知,本发明的有益效果在于:配合匹配网络的使用,可使得与本发明功率放大器相连的外围设备的声源级SL可达到195dB,且带内平坦度在1.7dB内。
进一步地,所述匹配网络电路包括LC振荡电路,所述LC振荡电路包括电感和电容器,所述功率放大器的输出端与所述电感的输入端相连,所述电感的输出端与所述匹配网络电路的输出端相连,所述电感的输出端通过电容器接地。
进一步地,所述匹配网络电路的输出端与外设换能器相连。
请参照图1~3所示,本发明的实施例一为:一种宽频带、大功率水声D类功率放大器,所述功率放大器包括功率放大电路,所述功率放大电路包括PWM信号发生电路和PWM信号放大电路,所述PWM信号放大电路包括死区时间控制电路、上MOS管开关电路和下MOS管开关电路,所述死区时间控制电路的输出端与所述上MOS管开关电路的输入端相连,所述死区时间控制电路的输出端与所述下MOS管开关电路的输入端相连;所述上MOS管开关电路的输入端与一反相缓冲器相连;所述上MOS管开关电路与下MOS管开关电路并联后和所述功率放大器的输出端相连。所述PWM发生电路包括正弦波电路、运算放大器、三角波发生器和比较器,所述正弦波电路的输出端与所述运算放大器的输入端相连,所述运算放大器的输出端和三角波发生器的输出端均与所述比较器的输入端相连,所述比较器的输出端与所述死区时间控制电路相连。所述运算放大器的输入端与接地电源相连。所述功率放大器的输出端与外设匹配网络电路的输入端相连。所述匹配网络电路包括LC振荡电路,所述LC振荡电路包括电感和电容器,所述功率放大器的输出端与所述电感的输入端相连,所述电感的输出端与所述匹配网络电路的输出端相连,所述电感的输出端通过电容器接地。所述匹配网络电路的输出端与一换能器相连。
本实施例结构装置的工作原理如下:如图2所示,正弦波输入经运放放大后与三角波发生器产生的三角波信号经过比较器生成PWM信号,所述PWM经过死区时间控制电路的保护和MOS管开关电路的放大后输出,输出的信号配合匹配网络的使用,声源级SL可达到195dB,且带内平坦度在1.7dB内,如图3所示。对本申请D类功率放大器的输出信号失真度及效率进行测试,测得的结果如表1所示。
表1 测试数据表
从表1可以看出,本发明结构的D类功率放大器,其失真度在0.6%以下,效率在77%以上,具有效率高、失真度低等优点。
对本发明结构的功率放大器用于通信测试,测得的信号绘制成星座图,如图4所示。从图4中可以看出,本发明结构的功率放大器能够准确的判断出信号,失真度低。
本发明的实施例二为:一种宽频带、大功率水声D类功率放大器,所述功率放大器包括功率放大电路,所述功率放大电路包括PWM信号发生电路和PWM信号放大电路,所述PWM信号放大电路包括死区时间控制电路、上MOS管开关电路和下MOS管开关电路,所述死区时间控制电路的输出端与所述上MOS管开关电路的输入端相连,所述死区时间控制电路的输出端与所述下MOS管开关电路的输入端相连;所述上MOS管开关电路的输入端与一反相缓冲器相连;所述上MOS管开关电路与下MOS管开关电路并联后和所述功率放大器的输出端相连。所述PWM发生电路包括正弦波电路、运算放大器、三角波发生器和比较器,所述正弦波电路的输出端与所述运算放大器的输入端相连,所述运算放大器的输出端和三角波发生器的输出端均与所述比较器的输入端相连,所述比较器的输出端与所述死区时间控制电路相连。所述运算放大器的输入端与接地电源相连。所述功率放大器的输出端与外设匹配网络电路的输入端相连。所述匹配网络电路包括LC振荡电路,所述LC振荡电路包括电感和电容器,所述功率放大器的输出端与所述电感的输入端相连,所述电感的输出端与所述匹配网络电路的输出端相连,所述电感的输出端通过电容器接地。
综上所述,本发明提供的一种宽频带、大功率水声D类功率放大器,该放大器具有失真度低且效率高等优点。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (6)

1.一种宽频带、大功率水声D类功率放大器,其特征在于:所述功率放大器包括功率放大电路,所述功率放大电路包括PWM信号发生电路和PWM信号放大电路,所述PWM信号放大电路包括死区时间控制电路、上MOS管开关电路和下MOS管开关电路,所述死区时间控制电路的输出端与所述上MOS管开关电路的输入端相连,所述死区时间控制电路的输出端与所述下MOS管开关电路的输入端相连;所述上MOS管开关电路的输入端与一反相缓冲器相连;所述上MOS管开关电路与下MOS管开关电路并联后和所述功率放大器的输出端相连。
2.根据权利要求1所述的宽频带、大功率水声D类功率放大器,其特征在于:所述PWM发生电路包括正弦波电路、运算放大器、三角波发生器和比较器,所述正弦波电路的输出端与所述运算放大器的输入端相连,所述运算放大器的输出端和三角波发生器的输出端均与所述比较器的输入端相连,所述比较器的输出端与所述死区时间控制电路相连。
3.根据权利要求2所述的宽频带、大功率水声D类功率放大器,其特征在于:所述运算放大器的输入端与接地电源相连。
4.根据权利要求1所述的宽频带、大功率水声D类功率放大器,其特征在于:所述功率放大器的输出端与外设匹配网络电路的输入端相连。
5.根据权利要求4所述的宽频带、大功率水声D类功率放大器,其特征在于:所述匹配网络电路包括LC振荡电路,所述LC振荡电路包括电感和电容器,所述功率放大器的输出端与所述电感的输入端相连,所述电感的输出端与所述匹配网络电路的输出端相连,所述电感的输出端通过电容器接地。
6.根据权利要求4所述的宽频带、大功率水声D类功率放大器,其特征在于:所述匹配网络电路的输出端与外设换能器相连。
CN201810026743.4A 2018-01-11 2018-01-11 一种宽频带、大功率水声d类功率放大器 Pending CN108092634A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810026743.4A CN108092634A (zh) 2018-01-11 2018-01-11 一种宽频带、大功率水声d类功率放大器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810026743.4A CN108092634A (zh) 2018-01-11 2018-01-11 一种宽频带、大功率水声d类功率放大器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108092634A true CN108092634A (zh) 2018-05-29

Family

ID=62182055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810026743.4A Pending CN108092634A (zh) 2018-01-11 2018-01-11 一种宽频带、大功率水声d类功率放大器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108092634A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109120170A (zh) * 2018-10-19 2019-01-01 连云港杰瑞电子有限公司 一种小功率电压频率可调逆变正弦波信号源

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0503843A1 (en) * 1991-03-15 1992-09-16 Nec Corporation Amplifying circuit
US6232833B1 (en) * 1998-11-18 2001-05-15 Intersil Corporation Low noise low distortion class D amplifier
US6288605B1 (en) * 1999-01-19 2001-09-11 Stmicroelectronics S.R.L. Power switching output stage with dead zone minimization and possibility of parallel synchronous connection
US6294957B1 (en) * 2000-01-21 2001-09-25 Harris Corporation RF power amplifier having synchronous RF drive
CN101167244A (zh) * 2005-04-05 2008-04-23 国际整流器公司 用于使用适应dv/dt控制的d类音频放大器的栅极驱动器
CN101217262A (zh) * 2008-01-21 2008-07-09 四川虹微技术有限公司 D类功率放大器及其输入信号调制方法
CN101350600A (zh) * 2007-07-20 2009-01-21 恩益禧电子股份有限公司 D级放大器
CN101465619A (zh) * 2007-12-20 2009-06-24 杭州茂力半导体技术有限公司 D类功放噪声抑制方法和装置及抑制噪声的d类功放
CN101527546A (zh) * 2008-03-07 2009-09-09 成都芯源系统有限公司 一种d类功率放大器
CN101710824A (zh) * 2009-12-17 2010-05-19 智原科技股份有限公司 D级放大器
CN101771384A (zh) * 2009-12-31 2010-07-07 成都成电硅海科技股份有限公司 无死区时间的功率放大器输出级电路
CN101847968A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 杭州中科微电子有限公司 高阶多路反馈结构的高性能d类音频功率放大器
KR100993788B1 (ko) * 2010-03-10 2010-11-11 가락전자 주식회사 디지털 오디오 증폭회로
CN102594750A (zh) * 2012-02-15 2012-07-18 福建星海通信科技有限公司 产生中波段调制信号的方法
CN204408277U (zh) * 2015-03-02 2015-06-17 成都宝通天宇电子科技有限公司 功率放大器
CN104796098A (zh) * 2015-04-27 2015-07-22 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种GaN功率器件漏极调制电路
CN106603029A (zh) * 2015-10-15 2017-04-26 杭州硅星科技有限公司 D类放大器及其无损驱动方法
CN106817110A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 成都德善能科技有限公司 一种基于硬件死区调整电路的低噪声功率放大器
CN106954123A (zh) * 2017-02-24 2017-07-14 昂宝电子(上海)有限公司 功率管驱动系统和方法

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0503843A1 (en) * 1991-03-15 1992-09-16 Nec Corporation Amplifying circuit
US6232833B1 (en) * 1998-11-18 2001-05-15 Intersil Corporation Low noise low distortion class D amplifier
US6288605B1 (en) * 1999-01-19 2001-09-11 Stmicroelectronics S.R.L. Power switching output stage with dead zone minimization and possibility of parallel synchronous connection
US6294957B1 (en) * 2000-01-21 2001-09-25 Harris Corporation RF power amplifier having synchronous RF drive
CN101167244A (zh) * 2005-04-05 2008-04-23 国际整流器公司 用于使用适应dv/dt控制的d类音频放大器的栅极驱动器
CN101350600A (zh) * 2007-07-20 2009-01-21 恩益禧电子股份有限公司 D级放大器
CN101465619A (zh) * 2007-12-20 2009-06-24 杭州茂力半导体技术有限公司 D类功放噪声抑制方法和装置及抑制噪声的d类功放
CN101217262A (zh) * 2008-01-21 2008-07-09 四川虹微技术有限公司 D类功率放大器及其输入信号调制方法
CN101527546A (zh) * 2008-03-07 2009-09-09 成都芯源系统有限公司 一种d类功率放大器
CN101847968A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 杭州中科微电子有限公司 高阶多路反馈结构的高性能d类音频功率放大器
CN101710824A (zh) * 2009-12-17 2010-05-19 智原科技股份有限公司 D级放大器
CN101771384A (zh) * 2009-12-31 2010-07-07 成都成电硅海科技股份有限公司 无死区时间的功率放大器输出级电路
KR100993788B1 (ko) * 2010-03-10 2010-11-11 가락전자 주식회사 디지털 오디오 증폭회로
CN102594750A (zh) * 2012-02-15 2012-07-18 福建星海通信科技有限公司 产生中波段调制信号的方法
CN204408277U (zh) * 2015-03-02 2015-06-17 成都宝通天宇电子科技有限公司 功率放大器
CN104796098A (zh) * 2015-04-27 2015-07-22 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种GaN功率器件漏极调制电路
CN106603029A (zh) * 2015-10-15 2017-04-26 杭州硅星科技有限公司 D类放大器及其无损驱动方法
CN106817110A (zh) * 2015-11-30 2017-06-09 成都德善能科技有限公司 一种基于硬件死区调整电路的低噪声功率放大器
CN106954123A (zh) * 2017-02-24 2017-07-14 昂宝电子(上海)有限公司 功率管驱动系统和方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
C. PASCUAL 等: "High-fidelity PWM inverter for digital audio amplification: Spectral analysis, real-time DSP implementation, and results", 《IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS》 *
武振宇 等: "10-WD类音频功放输出级电路的设计", 《微电子学与计算机》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109120170A (zh) * 2018-10-19 2019-01-01 连云港杰瑞电子有限公司 一种小功率电压频率可调逆变正弦波信号源
CN109120170B (zh) * 2018-10-19 2020-09-01 连云港杰瑞电子有限公司 一种小功率电压频率可调逆变正弦波信号源

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2016201897A1 (zh) 一种双级逆d类功率放大电路及射频功率放大器
US12040701B2 (en) Cascaded active electro-magnetic interference filter
CN103296568B (zh) 一种脉冲光纤激光器声光调制器驱动电源
US9686628B2 (en) Audio channel control circuit
CN101557202B (zh) 大功率d类功率放大器
Yeh et al. An electromagnetic interference (EMI) reduced high-efficiency switching power amplifier
TWI473419B (zh) 倍頻器
CN206878780U (zh) 音频功率放大电路
CN108092634A (zh) 一种宽频带、大功率水声d类功率放大器
CN206180830U (zh) 基于电流镜调制的脉冲频率调节控制电路
CN108768303B (zh) 二硫化钼在制作奇次谐波微波倍频器中的应用
CN103107795A (zh) 一种浮地有源电感
CN113075431B (zh) 用于交流阻抗测试的信号源发生电路及信号源发生方法
WO2016041575A1 (en) A power efficient frequency multiplier
CN107277471A (zh) 一种八输出微波变频电路及八输出微波变频器
CN2360203Y (zh) 具有高压脉冲引弧功能的氩弧焊机
CN107171580B (zh) 一种用于ac-dc转换器的线网补偿电路
Jettanasen et al. Performance and electromagnetic compatibility of a photovoltaic power converter
CN110957928A (zh) 基于阻抗补偿方法的交流大电流源电路及其阻抗补偿方法
CN103825590B (zh) 预设调制度的调幅波双边pwm信号产生电路
CN111262536B (zh) 超声导波宽带线性功率放大装置
CN217787677U (zh) 一种电源测试的瞬态负载生成电路
CN216313051U (zh) 一种单通道双输出音频功率放大器
CN208128232U (zh) 一种宽频带接收装置
CN206313739U (zh) 一种用于便携式音频产品的d类音频功率放大器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180529