CN108092498A - 过温保护装置、方法和开关电源 - Google Patents

Abstract

本公开提出一种过温保护装置、方法和开关电源，涉及电子电路技术领域。本公开的一种过温保护装置包括：温控电压输出电路，被配置为根据温度变化输出温控电压，其中，温控电压在温度大于预定保护值时随温度的变化而变化；测量比较电路，被配置为比较温控电压和被控电路上采样电压值；驱动电路，被配置为限制被控电路上的电流大小以使采样电压值不大于温控电压。这样的温控限流装置能够在温度高于预定保护值时根据温度的变化调节温控电压，进而根据被控电路上的采样电压与温控电压确定被控电路的通断，从而实现根据温度高低控制电流大小，增加被控设备的可用时长。

Description

过温保护装置、方法和开关电源

技术领域

本公开涉及电子电路技术领域，特别是一种过温保护装置、方法和开关电源。

背景技术

在开关电源产品中，温度是一个非常关键的性能指标。过高的温度将会导致对温度敏感的半导体器件(如MOS(Metal-Oxid-Semiconductor，金属氧化物半导体)管、三极管)、电容等元器件的失效。当温度超过一定值时，失效率呈指数规律增加。有统计资料表明，电子元器件温度每升高2℃，可靠性会下降10％；而温度升高50℃时的寿命只有温度升高25℃时寿命的1/6。除了电应力之外,温度是影响开关电源元器件可靠性和稳定性的最重要的因素，尤其在环境温度较高时，再加上开关电源本身的发热量，很容易使电子元器件工作于高温情况，加速电源老化。因此在开关电源电路中必须使用过温保护电路，使开关电源元器件的工作温度控制在允许的范围之内，以保证它的可靠性和稳定性。

发明内容

发明人发现，在相关技术中，模拟电路中使用到的过温保护电路都是通过采集环境温度或功率模块的温度来判断是否触发保护，当环境温度或功率模块温度超过保护值时，触发保护动作，封锁脉冲，电源停止工作，防止电源工作在高温环境下。这样的过温保护电路只是在温度高于保护值时通过逻辑与门封锁脉冲，使电源停止工作，电源只有工作和不工作两种状态，缩短了开关电源的可用时长，限制了开关电源的使用范围。

本公开的一个目的在于增加被控电路的可用时长。

根据本公开的一个方面，提出一种过温保护装置，包括：温控电压输出电路，被配置为根据温度变化输出温控电压，其中，温控电压在温度大于预定保护值时随温度的变化而变化；测量比较电路，被配置为比较温控电压和被控电路上的采样电压值；驱动电路，被配置为限制被控电路上的电流大小以使采样电压值不大于温控电压。

可选地，温控电压在温度大于预定保护值时随温度的变化而变化包括：温控电压在温度小于等于预定保护值时不变，在温度大于预定保护值后随温度升高而降低。

可选地，温控电压输出电路包括：过温判断子电路，被配置为根据温度变化输出初始温控电压，初始温控电压在温度小于等于预定保护值时不变，在温度大于预定保护值后随温度升高而升高；减法子电路，被配置为根据初始温控电压输出温控电压，其中，温控电压随初始温控电压的升高而降低。

可选地，过温判断子电路包括：第一供电电路和第二供电电路；当温度小于等于预定保护值时，通过第一供电电路输出恒定的初始温控电压；当温度大于预定保护值时，切换至第二供电电路输出随温度升高而升高的初始温控电压。

可选地，第一供电电路包括第一基准电压源和第一二极管，第一二极管的输入端连接第一基准电压源，输出端与过温判断子电路的输出端连接；第二供电电路包括第二基准电压源、负温度系数的热敏电阻和接地电阻，热敏电阻的第一端与第二基准电压连接，第二端通过接地电阻接地；第二二极管的输入端与热敏电阻的第二端连接，输出端与过温判断子电路的输出端连接；当温度等于预定保护值时，第二基准电压在接地电阻上的分压与第一基准电压的电压值相等。

可选地，测量比较电路包括比较器；比较器的正向输入端与被控电路上采样电压的输出端连接，反向输入端与温控电压输出电路的输出端连接，输出端为测量比较电路的输出端。

可选地，驱动电路包括锁存器和晶体管；锁存器的信号输入端与测量比较电路的输出端连接，输出端与晶体管的栅极连接；晶体管被配置为通过栅极的信号控制被控电路的通断。

可选地，当锁存器的信号输入端输入低电平，且时钟信号输入端输入高电平时，锁存器的信号输出端的输出信号使晶体管控制被控电路导通；当锁存器的信号输入端输入高电平，且时钟信号输入端输入低电平时，锁存器的信号输出端的输出信号使晶体管控制被控电路断路；当锁存器的信号输入端输入低电平，且时钟信号输入端输入低电平时，锁存器的信号输出端输出电压保持不变。

可选地，晶体管为NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属-氧化物-半导体)管；当锁存器的信号输入端输入低电平，且时钟信号输入端输入高电平时，锁存器的信号输出端向NMOS管的栅极输出高电平；当锁存器的信号输入端输入高电平，且时钟信号输入端输入低电平时，锁存器的信号输出端向NMOS管的栅极输出低电平。

可选地，晶体管为PMOS(Positive Channel Metal Oxide Semiconductor，P型金属-氧化物-半导体)管；当锁存器的信号输入端输入低电平，且时钟信号输入端输入高电平时，锁存器的信号输出端向PMOS管的栅极输出低电平；当锁存器的信号输入端输入高电平，且时钟信号输入端输入低电平时，锁存器的信号输出端向PMOS管的栅极输出高电平。

这样的过温保护装置能够在温度高于预定保护值时根据温度的变化调节温控电压，进而根据被控电路上的采样电压与温控电压确定被控电路的通断，从而实现根据温度高低控制电流大小，增加被控电路的可用时长，扩展被控设备的使用范围。

根据本公开的另一个方面，提出一种开关电源，包括：开关电源主电路；和，上文中提到的任意一种过温保护装置，被配置为对开关电源主电路进行过温保护。

这样的开关电源能够在温度高于预定保护值时根据温度的变化调节温控电压，进而根据开关电源主电路上的采样电压与温控电压确定开关电源主电路的通断，从而实现根据温度高低控制电流大小，增加开关电源的可用时长，扩展开关电源的使用范围。

根据本公开的又一个方面，提出一种过温保护方法，包括：根据温度变化输出温控电压，其中，温控电压在温度大于预定保护值时随温度的变化而变化；比较温控电压和被控电路上的采样电压值；限制被控电路上的电流大小以使采样电压值不大于温控电压。

可选地，温控电压在温度小于等于预定保护值时不变，在温度大于预定保护值后随温度升高而降低。

可选地，根据温度变化输出温控电压包括：根据温度变化输出初始温控电压，初始温控电压在温度小于等于预定保护值时不变，在温度大于预定保护值后随温度升高而升高；根据初始温控电压输出温控电压，其中，温控电压随初始温控电压的升高而降低。

可选地，根据温度变化输出初始温控电压包括：当温度小于等于预定保护值时，通过第一供电电路输出恒定的初始温控电压；当温度大于预定保护值时，切换至第二供电电路输出随温度升高而升高的初始温控电压。

可选地，比较温控电压和被控电路上采样电压值包括：当采样电压大于温控电压时，输出高电平；当采样电压小于温控电压时，输出低电平。

可选地，通过控制采样电压值不大于温控电压来限制被控电路上的电流大小包括：通过将比较器的输出端与锁存器的信号输入端连接控制锁存器的输出端电平；通过与晶体管的栅极连接的锁存器的信号输出端控制晶体管源极漏极之间的通断，其中，晶体管控制被控电路的通断。

可选地，当锁存器的信号输入端输入低电平，且时钟信号输入端输入高电平时，锁存器的信号输出端的输出信号使晶体管控制被控电路导通；当锁存器的信号输入端输入高电平，且时钟信号输入端输入低电平时，锁存器的信号输出端的输出信号使晶体管控制被控电路断路；当锁存器的信号输入端输入低电平，且时钟信号输入端输入低电平时，锁存器的信号输出端输出电压保持不变。

通过这样的方法，能够在温度高于预定保护值时根据温度的变化调节温控电压，进而根据被控电路上的采样电压与温控电压确定被控电路的通断，从而实现根据温度高低控制电流大小，增加被控电路的可用时长，扩展被控设备的使用范围。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本公开的进一步理解，构成本公开的一部分，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：

图1为本公开的过温保护装置的一个实施例的示意图。

图2为本公开的过温保护装置中温控电压输出电路一个实施例的示意图。

图3为本公开的过温保护装置中温控电压输出电路的另一个实施例的电路图。

图4为本公开的过温保护装置中测量比较电路和驱动电路的一个实施例的示意图。

图5为本公开的过温保护装置的另一个实施例的电路图。

图6为本公开的过温保护装置的一个实施例的使用效果图。

图7为本公开的开关电源的一个实施例的示意图。

图8为本公开的过温保护方法的一个实施例的流程图。

具体实施方式

下面通过附图和实施例，对本公开的技术方案做进一步的详细描述。

本公开的过温保护装置的一个实施例的示意图如图1所示。

温控电压输出电路11能够向测量比较电路输出温控电压。温控电压随当前被控电路的温度变化而变换。在一个实施例中，温控电压在温度小于等于预定保护值时不变，在温度大于预定保护值后随温度升高而降低。在一个实施例中，可以通过包括热敏电阻的电路实现对温控电压的调节。

测量比较电路能够比较温控电压和被控电路上的采样电压值，采样电压值可以是被控电路上采样电阻两端的压降，能够反映被控电路上的电流情况。采样电压值不局限于利用电阻采样获取，也可以通过电流传感器采样或其他采样方式获取。

驱动电路能够限制被控电路上的电流大小以使采样电压值不大于温控电压，在一个实施例中，由于随着温度的升高温控电压降低，则采样电压的最大值降低，从而使得被控电路上的电流最大值减小。

这样的过温保护装置能够在温度高于预定保护值时根据温度的变化调节温控电压，进而根据被控电路上的采样电压与温控电压确定被控电路的通断，从而实现根据温度高低控制电流大小，增加被控电路的可用时长，扩展被控设备的使用范围。

在一个实施例中，被控电路可以为各种形式的开关电源电路，从而增加开关电源的可用时长，扩展开关电源的使用范围。

本公开的过温保护装置中温控电压输出电路一个实施例的示意图如图2所示。温控电压输出电路可以包括过温判断子电路211和减法子电路212。

过温判断子电路211能够根据温度变化输出初始温控电压，初始温控电压在温度小于等于预定保护值时不变，在温度大于预定保护值后随温度升高而升高。在一个实施例中，如图2所示，过温判断子电路211包括第一供电电路2111和第二供电电路2112。第一供电电路2111能够输出恒定的电压，第二供电电路2112中包括热敏电阻，能够输出随温度升高而升高的电压。当温度小于等于预定保护值时，由第一供电电路2111输出电压；当温度大于预定保护值时，由第二供电电路2112输出电压。

减法子电路212能够根据初始温控电压输出温控电压，温控电压随初始温控电压的升高而降低。

这样的过温保护装置能够利用过温判断子电路和减法子电路实现输出温控电压，结构可靠且便于实现，有利于推广应用。

本公开的过温保护装置中温控电压输出电路的另一个实施例的电路图如图3所示。

第一供电电路3111包括第一基准电压源Vr1和第一二极管D1，第一二极管D1的输入端连接第一基准电压源Vr1，输出端与过温判断子电路的输出端连接。初始温控电压用Ve表示。

第二供电电路3112包括第二基准电压源Vr2、负温度系数的热敏电阻R1和接地电阻R2，热敏电阻R1的第一端与第二基准电压Vr2连接，第二端通过接地电阻R2接地；第二二极管D2的输入端与热敏电阻R1的第二端连接，输出端与过温判断子电路的输出端连接。

当温度小于预定保护值时，第二基准电压Vr2在接地电阻上的分压Vr2*R2/(R1+R2)小于Vr1，Ve＝Vr1。

当温度等于预定保护值时，第二基准电压在接地电阻上的分压Vr2*R2/(R1+R2)＝Vr1＝Ve。

当温度大于预定保护值时，第二基准电压Vr2在接地电阻上的分压Vr2*R2/(R1+R2)大于Vr1，第一供电电路3111截断，Ve＝Vr2*R2/(R1+R2)。

这样的过温判断子电路能够在温度低于预定保护值时采用第一供电电路3111提供初始温控电压，保证初始温控电压的稳定；当温度高于预定保护值时，采用第二供电电路3112提供初始温控电压，使初始温控电压随温度升高而升高，电路可靠且体积小，有利于集成应用。

在一个实施例中，如图3所示，减法子电路312可以通过运放实现。为了方便运算，可以设置R3＝R4＝R5＝R6，运放U1的输出的温控电压Ve’正比于Vr3-Ve，从而使Ve’随Ve的升高而降低，即随着温度的升高而降低，电路可靠且体积小，有利于集成应用。在一个实施例中，减法自电路312可以通过任意一种减法电路实现Ve’随Ve的升高而降低的功能。

本公开的过温保护装置中测量比较电路和驱动电路的一个实施例的示意图如图4所示。

测量比较电路包括比较器42，驱动电路可以为PWM(Pulse Width Modulation，脉冲宽度变调)驱动电路，包括锁存器431和晶体管433。比较器42的两个输入端分别与被控电路上采样电压的输出端和温控电压输出电路的输出端连接，输出端与驱动电路的输入端连接。比较器42输出信号给锁存器431的信号输入端。锁存器的信号输出端与晶体管432的栅极连接。晶体管432的源极和漏极串联于被控电路，通过锁存器的信号输出端的输出信号控制晶体管源极和漏极之间的通断，从而控制被控电路的通断。

这样的过温保护装置能够利用锁存器的输出信号控制被控电路的通断，而锁存器的输出信号与被控电路的电流和温度相关，从而实现根据温度限制电流，在避免设备过热的同时也能够通过降低电流的方式使设备正常使用，提高被控电路对温度的耐受能力，扩展被控设备的使用范围。

本公开的过温保护装置的另一个实施例的电路图如图5所示。比较器U2的正向输入端与被控电路上采样电压的输出端连接，反向输入端与温控电压输出电路的输出端连接。锁存器的输入端R与比较器U2的输出端连接，S端与时钟信号连接，输出端Q与晶体管Q1的栅极连接。Vd为被控电路电压源标识，晶体管Q1的源极和漏极位于被控电路。Rs为被控电路上的采样电阻，Vs为Rs两端的压降，即为采样电压。

在一个实施例中，Q1为NMOS管，则锁存器的状态变化情况可以如表1所示：

表1晶体管为NMOS管情况下锁存器的输出逻辑

在另一个实施例中，若Q1为PMOS管，则当S为1，R为0时，Q为0；当S为0，R为1时，Q为1。

过温保护装置的使用效果的一个实施例的效果图如图6所示。以Q1为NMOS管为例，若使晶体管的源漏极导通，需要栅极输入高电平，即需要R输入0，即Ve’＞Vs，从而能够保证开关电路中的电流Is＜Ve’/Rs。当温度低于预定保护值，则Ve’较高(如图6中Ve’虚线所示)；当温度超过预定保护值时，Ve’随着温度升高而降低，则Vs的最大值降低，Vs/Rs的最大值也减小，从而实现了根据温度控制电源电流大小，且电源电流大小随温度的升高而下降，在保证工作温度在允许范围内的同时，增长了设备可正常使用的时间。

本公开的开关电源的一个实施例的示意图如图7所示。开关电源70包括开关电源主电路71和过温保护装置72。开关电源主电路指的是开关电源中执行控制开关管通断功能的电路。过温保护装置72可以为上文中任意一种过温保护装置。过温保护装置72能够限制开关电源主电路的采样电压不大于过温保护装置72的温控电压，且当温度低于预定保护值时，温控电压不变，当温度高于预定保护值时，温控电压随温度升高而降低，使得开关电源主电路71的电流的最大值随温度升高而降低。

这样的开关电源能够在温度高于预定保护值时根据温度的变化调节温控电压，进而根据开关电源主电路上的采样电压与温控电压确定开关电源主电路的通断，从而实现根据温度高低控制电流大小，增加开关电源的可用时长，扩展开关电源的使用范围。

本公开的过温保护方法的一个实施例的流程图如图8所示。

在步骤801中，根据温度变化输出温控电压，其中，温控电压在温度小于等于预定保护值时不变，在温度大于预定保护值后随温度升高而降低。

在步骤802中，比较温控电压和被控电路上的采样电压值。

在步骤803中，限制被控电路上的电流大小以使采样电压值不大于温控电压。

通过这样的方法，能够在温度高于预定保护值时根据温度的变化调节温控电压，进而根据被控电路上的采样电压与温控电压确定被控电路的通断，从而实现根据温度高低控制电流大小，增加被控电路的可用时长，扩展被控设备的使用范围。

在一个实施例中，可以利用如图2所示的结构，先根据温度变化输出初始温控电压，初始温控电压在温度小于等于预定保护值时不变，在温度大于预定保护值后随温度升高而升高，再根据初始温控电压输出随初始温控电压的升高而降低的温控电压。在一个实施例中，可以采用如图3所示的电路结构输出温控电压。在一个实施例中，可以设置第一供电电路和第二供电电路输出初始温控电压，当温度小于等于预定保护值时通过第一供电电路输出恒定的初始温控电压；当温度大于预定保护值时，切换至第二供电电路输出随温度升高而升高的初始温控电压。通过这样的方法，能够便于在温度低于预定保护值时输出电压不变，在温度大于预定保护值输出电压随温度升高而升高，实现输出电压两段式的变换。

在一个实施例中，可以通过比较器比较温控电压和被控电路上的采样电压值，可以在采样电压大于温控电压时输出高电平；在采样电压小于温控电压时输出低电平，或者反之。将比较器的输出端与锁存器的信号输入端连接控制锁存器的输出端电平，通过与晶体管的栅极连接的锁存器的信号输出端控制晶体管源极漏极之间的通断，进而控制被控电路的通断。

通过这样的方法，能够利用锁存器的输出信号控制被控电路的通断，而锁存器的输出信号与被控电路的电流和温度相关，从而实现根据温度限制电流，在避免设备过热的同时也能够通过降低电流的方式使设备正常使用，提高被控电路对温度的耐受能力，扩展被控设备的使用范围。

最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本公开的技术方案而非对其限制；尽管参照较佳实施例对本公开进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本公开的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换；而不脱离本公开技术方案的精神，其均应涵盖在本公开请求保护的技术方案范围当中。

Claims (17)

1.一种过温保护装置，包括：

温控电压输出电路，被配置为根据温度变化输出温控电压，其中，所述温控电压在温度大于预定保护值时随温度的变化而变化；

测量比较电路，被配置为比较所述温控电压和被控电路上的采样电压值；

驱动电路，被配置为限制被控电路上的电流大小以使所述采样电压值不大于所述温控电压。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述温控电压在温度大于所述预定保护值时随温度的变化而变化包括：

所述温控电压在温度小于等于所述预定保护值时不变；

所述温控电压在温度大于所述预定保护值后随温度升高而降低。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述温控电压输出电路包括：

过温判断子电路，被配置为根据温度变化输出初始温控电压，所述初始温控电压在温度小于等于预定保护值时不变，在温度大于所述预定保护值后随温度升高而升高；

减法子电路，被配置为根据所述初始温控电压输出所述温控电压，其中，所述温控电压随所述初始温控电压的升高而降低。

4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述过温判断子电路包括：

第一供电电路和第二供电电路；

当温度小于等于所述预定保护值时，通过第一供电电路输出恒定的初始温控电压；

当温度大于所述预定保护值时，切换至第二供电电路输出随温度升高而升高的初始温控电压。

5.根据权利要求4所述的装置，其中，

所述第一供电电路包括第一基准电压源和第一二极管，所述第一二极管的输入端连接第一基准电压源，输出端与所述过温判断子电路的输出端连接；

所述第二供电电路包括第二基准电压源、负温度系数的热敏电阻和接地电阻，所述热敏电阻的第一端与第二基准电压连接，第二端通过接地电阻接地；所述第二二极管的输入端与所述热敏电阻的第二端连接，输出端与所述过温判断子电路的输出端连接；

当温度等于所述预定保护值时，所述第二基准电压在所述接地电阻上的分压与所述第一基准电压的电压值相等。

6.根据权利要求1～5任意一种装置，其中，所述测量比较电路包括比较器；

所述比较器的正向输入端与被控电路上采样电压的输出端连接，反向输入端与所述温控电压输出电路的输出端连接，输出端为所述测量比较电路的输出端。

7.根据权利要求1～5任意一种装置，其中，所述驱动电路包括锁存器和晶体管；

所述锁存器的信号输入端与所述测量比较电路的输出端连接，输出端与所述晶体管的栅极连接；

所述晶体管被配置为通过所述栅极的信号控制所述被控电路的通断。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，

当所述锁存器的信号输入端输入低电平，且时钟信号输入端输入高电平时，所述锁存器的信号输出端的输出信号使所述晶体管控制所述被控电路导通；

当所述锁存器的信号输入端输入高电平，且时钟信号输入端输入低电平时，所述锁存器的信号输出端的输出信号使所述晶体管控制所述被控电路断路；

当所述锁存器的信号输入端输入低电平，且时钟信号输入端输入低电平时，所述锁存器的信号输出端输出电压保持不变。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，

所述晶体管为N型金属-氧化物-半导体NMOS管；当所述锁存器的信号输入端输入低电平，且时钟信号输入端输入高电平时，所述锁存器的信号输出端向所述NMOS管的栅极输出高电平；当所述锁存器的信号输入端输入高电平，且时钟信号输入端输入低电平时，所述锁存器的信号输出端向所述NMOS管的栅极输出低电平；

或，

所述晶体管为P型金属-氧化物-半导体PMOS管；当所述锁存器的信号输入端输入低电平，且时钟信号输入端输入高电平时，所述锁存器的信号输出端向所述PMOS管的栅极输出低电平；当所述锁存器的信号输入端输入高电平，且时钟信号输入端输入低电平时，所述锁存器的信号输出端向所述PMOS管的栅极输出高电平。

10.一种开关电源，包括：

开关电源主电路；和，

权利要求1～9任意一项所述的过温保护装置，被配置为对所述开关电源主电路进行过温保护。

11.一种过温保护方法，包括：

根据温度变化输出温控电压，其中，所述温控电压在温度大于预定保护值时随温度的变化而变化；

比较所述温控电压和被控电路上的采样电压值；

限制被控电路上的电流大小以使所述采样电压值不大于所述温控电压。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述温控电压在温度小于等于所述预定保护值时不变，在温度大于所述预定保护值后随温度升高而降低。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述根据温度变化输出温控电压包括：

根据温度变化输出初始温控电压，所述初始温控电压在温度小于等于预定保护值时不变，在温度大于所述预定保护值后随温度升高而升高；

根据所述初始温控电压输出所述温控电压，其中，所述温控电压随所述初始温控电压的升高而降低。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述根据温度变化输出初始温控电压包括：

当温度小于等于所述预定保护值时，通过第一供电电路输出恒定的初始温控电压；

当温度大于所述预定保护值时，切换至第二供电电路输出随温度升高而升高的初始温控电压。

15.根据权利要求10、11或12所述的方法，其中，所述比较所述温控电压和被控电路上采样电压值包括：

当所述采样电压大于所述温控电压时，输出高电平；

当所述采样电压小于所述温控电压时，输出低电平。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述通过控制所述采样电压值不大于所述温控电压来限制被控电路上的电流大小包括：

通过将比较器的输出端与锁存器的信号输入端连接控制所述锁存器的输出端电平；

通过与晶体管的栅极连接的所述锁存器的信号输出端控制所述晶体管源极漏极之间的通断，其中，所述晶体管控制所述被控电路的通断。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，

当所述锁存器的信号输入端输入低电平，且时钟信号输入端输入高电平时，所述锁存器的信号输出端的输出信号使所述晶体管控制所述被控电路导通；

当所述锁存器的信号输入端输入高电平，且时钟信号输入端输入低电平时，所述锁存器的信号输出端的输出信号使所述晶体管控制所述被控电路断路；

当所述锁存器的信号输入端输入低电平，且时钟信号输入端输入低电平时，所述锁存器的信号输出端输出电压保持不变。