CN108074533A - 显示模组及移动终端 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种显示模组及移动终端。该显示模组包括显示功能层，显示功能层包括衬底、第一TFT开关电路以及第二TFT开关电路；衬底由PI材料制成，衬底存在第一显示区及第二显示区；第一TFT开关电路在第一显示区内分布，第二TFT开关电路在第二显示区内分布，且第二TFT开关电路的单位面积分布密度低于第一TFT开关电路的单位面积分布密度；每个第二TFT开关电路的面积均低于单个第一TFT开关电路的面积。该移动终端包括光学器件以及显示模组，光学器件位于第二显示区的下方。本申请所提供的显示模组及移动终端能够大幅提高局部透过率，从而使设置在显示模组下方的光学器件正常使用。

Description

显示模组及移动终端

技术领域

本申请涉及电子设备的显示屏技术领域，尤其涉及一种显示模组及移动终端。

背景技术

随着全面屏移动终端，例如手机等产品的普及，在整机尺寸相同时，手机的显示屏幕尺寸却可以进一步加大。

虽然全面屏产品有诸多好处，但是随着屏幕尺寸的加大，也为手机设计带来了众多问题。其中最大矛盾在于屏占比的增加会减少手机的上下黑边区域，因此以前设置在手机上端黑边区域的诸如前置摄像头、红外光敏传感器等这些已成为手机上必需品的光学器件便没有了设置空间。

如果直接将这些光学器件设置在屏幕后方，由于这些光学器件需要获取光源，而现有的屏幕透过率又很低，因此这种设置方式无法保证这些光学器件的正常使用。

发明内容

本申请实施例提供一种显示模组及移动终端，以解决上述问题。

本申请实施例采用下述技术方案：

本申请实施例的第一方面提供了一种显示模组，包括显示功能层，所述显示功能层包括衬底、第一TFT(中文名称：薄膜晶体管，英文全称：Thin Film Transistor，简称：TFT)开关电路以及第二TFT开关电路；

所述衬底由PI(中文名称：聚酰亚胺，英文全称：Polyimide，简称：PI)材料制成，且所述衬底存在第一显示区以及第二显示区；

所述第一TFT开关电路在所述第一显示区内分布，所述第二TFT开关电路在所述第二显示区内分布，且所述第二TFT开关电路的单位面积分布密度低于所述第一TFT开关电路的单位面积分布密度；

每个所述第二TFT开关电路的面积均低于单个所述第一TFT开关电路的面积。

优选的，上述显示模组中，所述PI材料的透过率不低于0.8。

优选的，上述显示模组中，所述第二TFT开关电路的单位面积分布密度为所述第一TFT开关电路的单位面积分布密度的25％-75％。

优选的，上述显示模组中，所述第一TFT开关电路与所述第二TFT开关电路中均包括若干PMOS(中文名称：P型沟道金氧半场效晶体管，英文名称：Positive Channel MetalOxide Semiconductor，简称：PMOS)，且所述第二TFT开关电路中的PMOS的数量少于所述第一TFT开关电路中的PMOS的数量。

优选的，上述显示模组中，所述第二TFT开关电路中的PMOS的数量为所述第一TFT开关电路中的PMOS的数量的30％-70％。

优选的，上述显示模组中，所述第二显示区位于所述第一显示区的边缘。

优选的，上述显示模组中，所述第二显示区的数量为一个。

优选的，上述显示模组中，所述第二显示区的数量为多个，且多个所述第二显示区内部的第二TFT开关电路的单位面积分布密度之间相同或不同。

优选的，上述显示模组中，还包括保护层，

所述保护层覆盖所述第一显示区的下表面。

本申请实施例的第二方面提供了一种移动终端，包括光学器件以及所述的显示模组，

所述光学器件位于所述第二显示区的下方。

优选的，上述移动终端中，

所述光学器件的数量为一个；

或

所述光学器件的数量与所述第二显示区的数量均为多个，且二者一一对应。

本申请实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果：

本申请实施例公开的显示模组及移动终端，通过降低显示功能层局部的像素密度以及简化TFT开关电路的方式，大幅提高了该区域的透过率，具有该显示模组的移动终端能够保证设置在显示模组下方的光学器件正常使用。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请实施例公开的显示模组与光学器件的配合结构示意图；

图2为本申请实施例公开的显示功能层的结构示意图；

图3为本申请实施例公开的第一显示区内的器件分布示意图；

图4为本申请实施例公开的第二显示区内的器件分布示意图。

附图标记说明：

1-显示模组、10-显示功能层、100a-第一显示区、100b-第二显示区、102-第一TFT开关电路、104-第二TFT开关电路、106--数据线、108-电源线、11-盖板玻璃、12-顶部光学胶、13-偏光片、14-触控感应器件层、15-底部光学胶、16-保护层、17-双面胶、2-光学器件。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

以下结合附图，详细说明本申请各实施例提供的技术方案。

请参考图1，本申请实施例公开了一种移动终端，该移动终端可以为手机、平板电脑或其它可用于移动显示的设备。该移动终端包括显示模组1以及光学器件2。显示模组1为AMOLED(中文名称：有源矩阵有机发光二极体，英文全称：Active-Matrix Organic LightEmitting Diode，简称：AMOLED)显示模组，并尽量覆盖移动终端的一个主平面，从而使该移动终端具备全面屏属性。光学器件2位于显示模组1的下方，并能够正常使用，下面进行具体描述。

显示模组1主要包括显示功能层10，除此之外还包括盖板玻璃11、顶部光学胶12、偏光片13、触控感应器件层14、底部光学胶15等常规结构。

在显示模组1中，盖板玻璃11位于最表面，用于保护显示模组1内部的其它器件，偏光片13、顶部光学胶12、触控感应器件层14、底部光学胶15以及显示功能层10在盖板玻璃11之下并依次向下叠放排布。

光学胶是一种透明的双面胶，具备良好的透过率以及粘接性能。偏光片13的作用是防止外界的光线经由显示功能层10反射而影响显示效果。顶部光学胶12将盖板玻璃11与偏光片13牢牢粘接固定。触控感应器件层14用于实现触控感应，其通过底部光学胶15与显示功能层10粘接固定。

为了对显示功能层10底部进行保护，防止其被外界应力所伤，显示模组1通常还会在显示功能层10的下表面覆盖保护层16，一般是通过双面胶17贴合在显示功能层10的下表面，当然也不排除采用其它手段。

请参考图2至图4，下面将对显示功能层10进行详细描述。显示功能层10是显示模组1的核心结构，用于显示图像。具体地，显示功能层10包括衬底、第一TFT开关电路102、第二TFT开关电路104，除此之外还包括数据线106、电源线108等常规器件。

衬底为载体，其材质为PI材料，负责承载由第一TFT开关电路102、第二TFT开关电路104、电源线108以及数据线106组成像素阵列。在进行加工时，为了设置这些器件，一般会在衬底上经过蒸镀工艺沉积其它有机材料，这就要求衬底的材料可以耐高温。现有技术也通常采用PI作为衬底的材料，然而，由于现有技术中并不需要考虑屏幕的透过率，而是主要关注材料的耐高温性能，因此从节约成本的角度考虑，普遍会采用透过率较低的PI材料，这种PI材料的颜色有些偏黄，其中较好的PI材料，其透过率一般也不会超过0.6。

而本实施例中为了能够满足光学器件2的正常使用，需要大幅提高透过率，因此在衬底的材质方面最好能够选择具有更高透过率的材质，当PI材料的透过率在0.8以上时，衬底便能够具备较为良好的透光性能，而如果能够采用透过率在0.9以上的PI材料，例如韩国KOLON公司的高透过率PI材料，甚至能够使整个显示模组1的透过率提升至少90％。

衬底上至少存在两种显示区，即第一显示区100a以及第二显示区100b。第一显示区100a为常规显示区，其面积占衬底的绝大部分，而第二显示区100b则是一种高透过率、低像素密度的显示区。在移动终端中，光学器件2会被设置于第二显示区100b的下方(参见图1)，而第二显示区100b则在实现显示功能的同时确保下方的光学器件2能够正常使用。

需要注意的是，由于第二显示区100b的下方要设置光学器件2，因此在具有保护层16的情况下，保护层16只能覆盖第一显示区100a的下表面，并要为第二显示区100b预留出足够的空间，以供设置光学器件2。

下面对显示功能区10进行详细描述。具体地，第一TFT开关电路102在第一显示区100a内分布(参见图3)，第二TFT开关电路104在第二显示区100b内分布(参见图4)，电源线108和数据线106则负责为每个第一TFT开关电路102以及第二TFT开关电路104提供能源以及控制信号。

第二TFT开关电路104的单位面积分布密度要低于第一TFT开关电路102的单位面积分布密度，这样带来的结果就是使第二显示区100b的像素密度低于第一显示区100a的像素密度。

在显示功能层10中，TFT开关电路是不透明的，因此其密度越大，显示功能层10的透过率就越低。而通过将第一显示区100a与第二显示区100b的像素密度差异化，使得第二显示区100b内部的第二TFT开关电路104的密度更低，同时电源线108以及数据线106的数量也会相应减少，因此会带来透过率的大幅提升。

TFT开关电路的单位面积分布密度与显示屏的像素密度有着密切联系，显示屏的像素密度越高，所需要的TFT开关电路的数量也就越多，反之亦然。而在本实施例中，第二TFT开关电路104的单位面积分布密度低于第一TFT开关电路102的单位面积分布密度，这样带来的结果就是使第二显示区100b的像素密度低于第一显示区100a的像素密度。这里的像素密度可以采用行业通用的各种计量方式，例如较为普遍的PPI(中文名称：像素每英寸，英文全称：Pixels Per Inch，简称：PPI)表示方式。

由于第二显示区100b的像素密度较低，因此其显示效果也必然会相应降低，为了减小这种差异，可以通过UI(中文名称：用户界面，英文全称：UserInterface，简称：UI)界面的设计，在第二显示区100b设计单色图标等精细度要求不高的界面，从而减小用户的差异化感受。

由上述结果可以看出，第二显示区100b的像素密度越低，则透过率越高，同时显示效果也就越差，为了平衡这种冲突，便不能一味的降低第二显示区100b的像素密度。根据已有测试数据进行测算，第二TFT开关电路104的单位面积分布密度一般在第一TFT开关电路的单位面积分布密度102的25％-75％范围内，能够达到较为平衡的效果，而在50％左右(±5％)时，透过率的提升与显示效果的下降处于一个最优的效果。

除此之外，由于TFT开关电路是不透明的，因此其所占用的面积对于显示功能层10的透过率也有着至关重要的影响。因此，为了提高透过率，就需要尽量减小单个TFT开关电路的面积(请继续参见图3和图4)。在当前的技术环境下，减小TFT开关电路的途径主要有以下两条：

第一条途径是优化电路结构，然而在现有元器件的加工工艺条件下，想要通过优化电路结构的方式大幅降低TFT开关电路的面积是不太容易实现的，即使能够实现，也意味着研发和生产成本的大幅度提高，甚至还伴随着良品率的降低和生产时间的延长。

第二条途径是简化电路结构，也就是减少其中的元器件数量。而这样做也往往意味着显示效果的降低，但由于实现起来相对更为容易，并且成本较低，因此推荐采用。

考虑到显示模组1整体的显示效果以及成本，不太可能也不需要将所有的TFT开关电路均进行简化，本实施例中仅需要将第二显示区100b内的每个第二TFT开关电路104与第一显示区100a内的第一TFT开关电路102相区别，采用面积更小的TFT开关电路，以提升第二显示区100b的透过率。

具体地，当前的TFT开关电路设计中，均会存在若干PMOS(中文名称：瞬态二极管，英文全称：Transient Voltage Suppressor，简称：PMOS)，PMOS的数量越多，则效果越好，TFT开关电路的面积也越大。因此，相对于第一TFT开关电路102而言，可以通过减少第二TFT开关电路104中的PMOS的方式来简化第二TFT开关电路104的结构，从而达到降低第二TFT开关电路104面积的目的。

当然，正如前述所言，减少PMOS会造成显示效果的降低，但同时会提高透过率，这也是相冲突的，因此，显然也不能一味的减少第二TFT开关电路104中的PMOS的数量。根据测试，第二TFT开关电路104中的PMOS的数量为第一TFT开关电路102中的PMOS的数量的30％-70％时，能够达到较为平衡的效果。

例如，当前较为主流的TFT设计中，PMOS的数量一般为7个，基于此，第一TFT开关电路102可采用此种设计，而第二TFT开关电路104中的PMOS的数量可以适当减少为3个，此种搭配下，透过率的提升与显示效果的下降处于一个较优的效果。同样的，为了减小这种差异，可以通过UI界面的设计，在第二显示区100b设计单色图标等精细度要求不高的界面，从而减小用户的差异化感受。

第一显示区100a与第二显示区100b中的元器件的性能和布局带来了显示效果上的差异，即使通过UI界面的设计仍然无法完全消除，因此除了优化UI界面设计之外，还可以考虑通过优化布局设计，淡化用户使用时对该区域的关注度。例如可以将第二显示区100b设置在第一显示区100a的边缘，例如上方或拐角，远离用户的关注核心区域，从而降低用户的差异化感觉。并且，这样设计也更加便于第一显示区100a与第二显示区100b内部的元器件的衔接设计。

在本实施例中，第二显示区100b的数量可以为一个，也可以根据光学器件2的数量和布局需要设计多个。这些第二显示区100b可以根据光学器件2的位置需要分别设置在不同位置，并分别一一对应每个光学器件2。这些光学器件2可以包括但不限于前置摄像头、红外传感器、前置闪光灯、前置手电筒等。与此同时，由于每种光学器件2所需要的透过率均不同，因此考虑到工艺、成本以及显示效果，可以针对每种光学器件2设计不同的像素密度，甚至对应每个第二显示区100b也采用不同的第二TFT开关电路104。

本申请实施例所提供的显示功能层、显示模组及移动终端能够大幅提高局部透过率，从而使设置在显示模组下方的光学器件正常使用。

本申请上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (11)

1.一种显示模组，其特征在于，包括显示功能层，所述显示功能层包括衬底、第一薄膜晶体管TFT开关电路以及第二TFT开关电路；

所述衬底由聚酰亚胺PI材料制成，且所述衬底存在第一显示区以及第二显示区；

所述第一TFT开关电路在所述第一显示区内分布，所述第二TFT开关电路在所述第二显示区内分布，且所述第二TFT开关电路的单位面积分布密度低于所述第一TFT开关电路的单位面积分布密度；

每个所述第二TFT开关电路的面积均低于单个所述第一TFT开关电路的面积。

2.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述PI材料的透过率不低于0.8。

3.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述第二TFT开关电路的单位面积分布密度为所述第一TFT开关电路的单位面积分布密度的25％-75％。

4.根据权利要求1至3任一项所述的显示模组，其特征在于，所述第一TFT开关电路与所述第二TFT开关电路中均包括若干P型沟道金氧半场效晶体管PMOS，且所述第二TFT开关电路中的PMOS的数量少于所述第一TFT开关电路中的PMOS的数量。

5.根据权利要求4所述的显示模组，其特征在于，所述第二TFT开关电路中的PMOS的数量为所述第一TFT开关电路中的PMOS的数量的30％-70％。

6.根据权利要求1至3任一项所述的显示模组，其特征在于，所述第二显示区位于所述第一显示区的边缘。

7.根据权利要求1至3任一项所述的显示模组，其特征在于，所述第二显示区的数量为一个。

8.根据权利要求1至3任一项所述的显示模组，其特征在于，所述第二显示区的数量为多个，且多个所述第二显示区内部的第二TFT开关电路的单位面积分布密度之间相同或不同。

9.根据权利要求1至3任一项所述的显示模组，其特征在于，还包括保护层，

所述保护层覆盖所述第一显示区的下表面。

10.移动终端，其特征在于，包括光学器件以及权利要求1至9任一项所述的显示模组，

所述光学器件位于所述第二显示区的下方。

11.根据权利要求10所述的移动终端，其特征在于，

所述光学器件的数量为一个；

或

所述光学器件的数量与所述第二显示区的数量均为多个，且二者一一对应。