CN108072683A - 感测元件及其形成方法 - Google Patents

感测元件及其形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108072683A
CN108072683A CN201610988314.6A CN201610988314A CN108072683A CN 108072683 A CN108072683 A CN 108072683A CN 201610988314 A CN201610988314 A CN 201610988314A CN 108072683 A CN108072683 A CN 108072683A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive layer
conducting nanostructures
conducting
nanostructures
sensing element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610988314.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108072683B (zh
Inventor
冉晓雯
蔡娟娟
张柏懿
刘洪铨
周宜霆
陈蔚宗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
E Ink Holdings Inc
Prime View International Co Ltd
Original Assignee
Prime View International Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Prime View International Co Ltd filed Critical Prime View International Co Ltd
Priority to CN201610988314.6A priority Critical patent/CN108072683B/zh
Priority to US15/702,747 priority patent/US11391685B2/en
Publication of CN108072683A publication Critical patent/CN108072683A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108072683B publication Critical patent/CN108072683B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
    • G01N27/127—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer comprising nanoparticles
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/28—Electrolytic cell components
    • G01N27/30—Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
    • G01N27/327—Biochemical electrodes, e.g. electrical or mechanical details for in vitro measurements
    • G01N27/3275—Sensing specific biomolecules, e.g. nucleic acid strands, based on an electrode surface reaction
    • G01N27/3278—Sensing specific biomolecules, e.g. nucleic acid strands, based on an electrode surface reaction involving nanosized elements, e.g. nanogaps or nanoparticles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

本发明公开了一种感测元件及其形成方法，其中感测元件包含多个第一导电纳米结构、导电层以及至少一个电极。导电层覆盖这些第一导电纳米结构。导电层的材料熔点高于这些第一导电纳米结构的材料熔点。导电层与这些第一导电纳米结构的其中至少一个是对气体敏感的。电极电性连接这些第一导电纳米结构与导电层的其中至少一个。当导电纳米结构与导电层经过加热处理时，导电层可保护导电纳米材料免于因为加热处理而熔化，也可助于满足气体感测器的高温操作需求。

Description

感测元件及其形成方法
技术领域
本发明是关于一种感测元件及其形成方法。
背景技术
气体感测器可利用气敏元件来吸附气体。当气敏元件吸附气体后，会产生物理或化学性质的变化(如电阻值变化)，而气体感测器便是利用此性质变化来感测气体。随着材料科技的进步，纳米级的导电材料已在许多领域中被广泛的使用，由于纳米级导电材料具有良好的导电性，故部分的气体感测器中，也包含纳米级导电材料做为感测元件。然而，在利用纳米级导电材料制作气体感测器时，仍有一些困难尚待克服。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够有效地利用纳米级导电材料做为气体感测器的感测元件及其形成方法。
在本发明的部分实施方式中，一种感测元件包含多个第一导电纳米结构、导电层以及至少一个电极。导电层覆盖这些第一导电纳米结构。导电层的材料熔点高于这些第一导电纳米结构的材料熔点。导电层与这些第一导电纳米结构的其中至少一个对气体敏感的。电极电性连接这些第一导电纳米结构与导电层的其中至少一个。
在部分实施方式中，导电层之材料包含金属氧化物。
在部分实施方式中，第一导电纳米结构之材料包含银。
在部分实施方式中，第一导电纳米结构为银纳米线。
在部分实施方式中，感测元件还包含基底以及多个第二导电纳米结构。第二导电纳米结构与第一导电纳米结构分别分布于基底的不同区域。第二导电纳米结构不被导电层覆盖。
在部分实施方式中，第一导电纳米结构与第二导电纳米结构由相同材料所形成的。
在部分实施方式中，第一导电纳米结构为被导电层所包覆的多个银纳米线，第二导电纳米结构为位于导电层外的多个银纳米线。
在部分实施方式中，导电层的材料熔点高于第二导电纳米结构的材料熔点。
在本发明的部分实施方式中，一种感测元件的形成方法包含在一基材上形成多个导电纳米结构；在部分的导电纳米结构上覆盖导电层，并露出另一部分的导电纳米结构，导电纳米结构与导电层的其中至少一个对气体敏感的；对导电层与导电纳米结构进行加热处理，其中露出的导电纳米结构被加热处理熔化，而被覆盖的导电纳米结构不会被加热处理熔化；以及形成至少一个电极以电性连接导电层与被覆盖的导电纳米结构的其中至少一个。
在部分实施方式中，在部分导电纳米结构上覆盖导电层包含在导电纳米结构上形成金属氧化物层，以及图案化金属氧化物层。
在上述实施方式中，由于覆盖导电纳米结构的导电层的材料熔点高于导电纳米结构的材料熔点，故当导电纳米结构与导电层经过加热处理时，导电层可保护导电纳米材料免于因为加热处理而熔化，甚至断裂。故本发明的实施方式能够有效地利用导电纳米材料来形成气体感测器的感测元件，也可助于满足气体感测器的高温操作需求。
以上所述仅是用以阐述本发明所欲解决的问题、解决问题的技术手段、及其产生的功效等等，本发明的具体细节将在下文的实施方式及相关附图中详细介绍。
附图说明
为让本发明的上述和其它的、特征、优点与实施例能更明显易懂，结合附图说明如下：
图1是绘示依据本发明一实施方式的感测元件的俯视图；
图2是绘示图1的气体感测装置沿着2-2线的剖面图；
图3至图6是绘示依据本发明一实施方式的感测元件的形成方法。
具体实施方式
以下将以附图公开本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，熟悉本领域的技术人员应当了解到，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节并非必要的，因此不应用以限制本发明。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示之。
图1绘示依据本发明一实施方式的感测元件的俯视图，图2绘示图1的感测元件沿着2-2线的剖面图。如图1及图2所示，感测元件可包含多个第一导电纳米结构100、导电层200以及电极300。导电层200设置于第一导电纳米结构100上。也就是说，第一导电纳米结构100被导电层200所覆盖。电极300电性连接第一导电纳米结构100与导电层200的其中至少一个。换句话说，在一些实施方式中，电极300可电性连接第一导电纳米结构100，但不连接导电层200；在一些实施方式中，电极300可电性连接导电层200，但不连接第一导电纳米结构100；在一些其它实施方式中，电极300可电性连接第一导电纳米结构100与导电层200。
第一导电纳米结构100与导电层200的其中至少一个对气体敏感的。本文所述的“对气体敏感”的元件代表当此元件吸附气体时，其电阻值或其它电性特征可产生变化。也就是说，在一些实施方式中，第一导电纳米结构100对气体敏感的，而可在吸附气体时，产生电阻值或其它电性特征的变化；在一些实施方式中，导电层200对气体敏感的，而可在吸附气体时，产生电阻值或其它电性特征的变化；在一些实施方式中，第一导电纳米结构100与导电层200对气体敏感时，故这两者的电阻值或其它电性特征会因为吸附气体而产生变化。基于这样的特性，气体感测装置能够通过电极300来感测第一导电纳米结构100、导电层200或这两者的电阻值或其它电性特征的变化量，从而实现气体感测的功能。因此，第一导电纳米结构100、导电层200与电极300可共同做为气体感测装置的感测元件。
由于这些第一导电纳米结构100的尺寸为纳米级，故其比表面积(SpecificSurface Area)可大于尺寸较大的导电结构(例如：尺寸为微米级甚至毫米级的导电结构)，而有助于吸附气体，以利气体感测。此外，第一导电纳米结构100的高比表面积也可助于提高导电率。在一些实施方式中，第一导电纳米结构100可为导电纳米线或导电纳米柱，但本发明并不以此为限。
由于第一导电纳米结构100的尺寸为纳米级，故在高温的环境下，第一导电纳米结构100容易因为熔化而断裂。因此，在一些实施方式中，导电层200的材料熔点可高于第一导电纳米结构100的材料熔点。由于导电层200覆盖第一导电纳米结构100，且具有比第一导电纳米结构100更高的材料熔点，故导电层200可保护第一导电纳米结构100免于因为高温而熔化。因此，当第一导电纳米结构100与导电层200同处于高温环境下时，导电层200可防止其下方的第一导电纳米结构100熔化。如此一来，感测元件可在高温下操作，而助于满足气体感测器的高温操作需求。此外，由于导电层200可帮助第一导电纳米结构100抗高温，故当感测元件的形成步骤包含高温处理(如退火处理)时，导电层200可保护第一导电纳米结构100。
在一些实施方式中，第一导电纳米结构100的材料可包含银，亦即，第一导电纳米结构100可为银纳米线。在一些实施方式中，导电层200的材料可包含金属氧化物，此金属氧化物可为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铝铟(AIO)、氧化铟(InO)、氧化镓(GaO)或上述任意组合，但本发明并不以此为限。由于金属氧化物的熔点高于银纳米线，故可防止其下方的银纳米线因为高温而熔化。如此一来，金属氧化物与银纳米线能够有效地在高温下操作，而不会因为高温影响气体感测的能力。此外，上述金属氧化物可对气体敏感，故能够在吸附气体时，产生电阻值或其它电性特征的变化。进一步来说，即使银纳米线被金属氧化物覆盖而难以吸附气体于其表面，但感测元件仍能够利用金属氧化物来吸附气体，并利用金属氧化物的气敏性质来实现气体感测的效果。
在一些实施方式中，第一导电纳米结构100可包覆于导电层200中。也就是说，第一导电纳米结构100的表面可接触导电层200，并被导电层200所围绕。因此，高熔点的导电层200能够更周全地保护低熔点的第一导电纳米结构100，以免低熔点的第一导电纳米结构100因为高温而熔化。
在一些实施方式中，感测元件还可包含基底400。基底400可承载第一导电纳米结构100。也就是说，第一导电纳米结构100设置于基底400上，并被导电层200覆盖。换句话说，第一导电纳米结构100位于基底400与导电层200之间。在一些实施方式中，感测元件还可包含多个第二导电纳米结构500。第一导电纳米结构100与第二导电纳米结构500分布于基底400的不同区域，且第二导电纳米结构500不被导电层200所覆盖。换句话说，在感测元件的形成过程中，第二导电纳米结构500不会受到导电层200的保护，故当感测元件的形成步骤包含加热处理(如退火处理)时，第二导电纳米结构500可能会因为高温而熔化，甚至断裂。举例来说，导电层200的材料熔点可高于第二导电纳米结构500的材料熔点，且感测元件的形成步骤所包含的高温处理的温度介于导电层200的材料熔点与第二导电纳米结构500的材料熔点之间。如此一来，在此加热处理时，导电层200与其所覆盖的第一导电纳米结构100不会熔化，而第二导电纳米结构500会熔化。
在一些实施方式中，第二导电纳米结构500与第一导电纳米结构100由相同材料所形成的。举例来说，第一导电纳米结构100与第二导电纳米结构500为银纳米线，且第一导电纳米结构100为被导电层200所包覆的银纳米线，而第二导电纳米结构500为位于导电层200外的银纳米线。由于银纳米线的熔点低于导电层200的材料熔点，故在加热处理时，被导电层200所包覆的第一导电纳米结构100不会熔化，而位于导电层200外的第二导电纳米结构500会熔化。因此，第二导电纳米结构500的气体感测能力会劣于第一导电纳米结构100的气体感测能力，而可称为失效的气体感测结构；相反地，第一导电纳米结构100的气体感测能力会优于第二导电纳米结构500的气体感测能力，而可称为有效的气体感测结构。由于有效气体感测结构与失效气体感测结构分别位于导电层200的内侧与外侧，故导电层200可隔开有效气体感测结构与失效气体感测结构。因此，可利用通过导电层200的图案化工艺，来定义有效气体感测结构的位置。
在一些实施方式中，感测元件可包含两个电极300。此两个电极300分别位于导电层200的相对两端，以电性连接第一导电纳米结构100、导电层200、或两者。如此一来，气体感测装置可通过此两个电极300得到第一导电纳米结构100、导电层200、或两者的电阻值或其它电性特征的变化量，而助于气体感测。在一些实施方式中，电极300的材料可包含铝或铜，但本发明并不以此为限。
图3至图6绘示依据本发明一实施方式的感测元件的形成方法。如图3所示，可在基底400上形成多个导电纳米结构600。举例来说，可将含有银纳米线的溶液涂布于基底400上，以在基底400上形成多个导电纳米结构600。
接着，如图4所示，可在部分的导电纳米结构600上覆盖导电层200，且此导电层200可露出另一部分的导电纳米结构600。举例来说，在一些实施方式中，可在所有导电纳米结构600上形成金属氧化物层，接着，再图案化此金属氧化物层，以露出部分导电纳米结构600。在一些实施方式中，金属氧化物层的形成方式可包含物理气相沉积或化学气相沉积等沉积工艺。在其它实施方式中，金属氧化物层也可通过将含有金属氧化物的液体涂布于基底400上所形成。在一些实施方式中，金属氧化物层的图案化工艺可包含曝光显影与蚀刻工艺。
接着，如图5所示，可提供热H给导电层200与前述的导电纳米结构600以进行加热处理。由于导电层200的材料熔点高于导电纳米结构600的材料熔点，故露出于导电层200外的导电纳米结构600会被此加热处理熔化，而可形成前文所述的第二导电纳米结构500；相对地，被导电层200所覆盖的导电纳米结构600不会被此加热处理熔化，而可形成前文所述的第一导电纳米结构100。在一些实施方式中，此加热处理的温度高于导电纳米结构600的材料熔点并低于导电层200的材料熔点，以利在导电层200不会熔化的情况下，使得露出于导电层200外的导电纳米结构600熔化。
由于第一导电纳米结构100会受导电层200的保护而不会熔化，第二导电纳米结构500不受导电层200的保护而会熔化，故在加热处理后，第一导电纳米结构100的气体感测能力可优于第二导电纳米结构500。因此，未熔化的第一导电纳米结构100可称为有效的气体感测结构，而熔化的第二导电纳米结构500可称为失效的气体感测结构。由于导电层200可隔开有效气体感测结构与失效气体感测结构，故可利用导电层200的前述图案化工艺来定义有效气体感测结构的位置。也就是说，可利用导电层200的位置、形状及尺寸，来定义有效气体感测结构在基底400所占据之区域的位置、形状及尺寸。在一些实施方式中，第二导电纳米结构500也可从基底400上移除。也就是说，失效气体感测结构可被移除，而留下有效气体感测与导电层200于基底400上。
在一些实施方式中，图5中所进行的加热处理可为退火(Anneal)处理，其至少可用来消除第一导电纳米结构100与导电层200的导电材料中，因缺陷(如晶粒边界(GrainBoundary)、差排(Dislocation)或点缺陷(Point Defects))所累积的内应力，使得导电材料内的原子有能力进行晶格位置的重排，以降低导电材料的缺陷密度(Defect Density)。当第一导电纳米结构100与导电层200的缺陷密度降低时，可助于提升气体感测能力。也就是说，退火处理可助于提升第一导电纳米结构100与导电层200的气体感测能力，而导电层200还可防止第一导电纳米结构100因为退火处理受损，故本发明的实施方式能够有效地利用纳米级导电材料制作出气体感测能力佳的感测元件。
接着，如图6所示，可形成电极300以电性连接导电层200与被导电层200覆盖的第一导电纳米结构100的其中至少一个。举例来说，可形成两个电极300于导电层200的相对两端，并使这两个电极300接触导电层200的相对两端。在一些实施方式中，电极300的形成可为物理气相沉积或化学气相沉积，但本发明并不以此为限。举例来说，可通过蒸镀的方式将金属材料形成于导电层200的相对两端，以形成电极300。
虽然本发明已以实施方式公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属领域中的一般技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。

Claims (10)

1.一种感测元件，其特征在于，包含：
多个第一导电纳米结构；
导电层，覆盖所述多个第一导电纳米结构，所述导电层的材料熔点高于所述多个第一导电纳米结构的材料熔点，所述导电层与所述多个第一导电纳米结构的其中至少一个是对气体敏感的；以及
至少一个电极，电性连接所述多个第一导电纳米结构与所述导电层的其中至少一个。
2.如权利要求1所述的感测元件，其特征在于，所述导电层的材料包含金属氧化物。
3.如权利要求1所述的感测元件，其特征在于，所述多个第一导电纳米结构的材料包含银。
4.如权利要求1所述的感测元件，其特征在于，所述多个第一导电纳米结构为多个银纳米线。
5.如权利要求1所述的感测元件，其特征在于，还包含：
基底；以及
多个第二导电纳米结构，与所述多个第一导电纳米结构分别分布于所述基底的不同区域，所述多个第二导电纳米结构不被所述导电层覆盖。
6.如权利要求5所述的感测元件，其特征在于，所述多个第一导电纳米结构与所述多个第二导电纳米结构由相同材料所形成的。
7.如权利要求5所述的感测元件，其特征在于，所述多个第一导电纳米结构为被所述导电层所包覆的多个银纳米线，所述多个第二导电纳米结构为位于所述导电层外的多个银纳米线。
8.如权利要求5所述的感测元件，其特征在于，所述导电层的材料熔点高于所述多个第二导电纳米结构的材料熔点。
9.一种感测元件的形成方法，其特征在于，包含：
在基材上形成多个导电纳米结构；
在部分的所述多个导电纳米结构上覆盖导电层，并露出另一部分的所述多个导电纳米结构，所述多个导电纳米结构与所述导电层的其中至少一个是对气体敏感的；
对所述导电层与所述多个导电纳米结构进行加热处理，其中所述多个露出的导电纳米结构被所述加热处理熔化，而所述多个被覆盖的导电纳米结构不会被所述加热处理熔化；以及
形成至少一个电极以电性连接所述导电层与所述多个被覆盖的导电纳米结构的其中至少一个。
10.如权利要求9所述的感测元件的形成方法，其特征在于，在部分所述多个导电纳米结构上覆盖所述导电层包含在所述多个导电纳米结构上形成金属氧化物层，以及图案化所述金属氧化物层。
CN201610988314.6A 2016-11-10 2016-11-10 感测元件及其形成方法 Active CN108072683B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610988314.6A CN108072683B (zh) 2016-11-10 2016-11-10 感测元件及其形成方法
US15/702,747 US11391685B2 (en) 2016-11-10 2017-09-12 Sensitive device and method of forming the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610988314.6A CN108072683B (zh) 2016-11-10 2016-11-10 感测元件及其形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108072683A true CN108072683A (zh) 2018-05-25
CN108072683B CN108072683B (zh) 2021-04-23

Family

ID=62066031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610988314.6A Active CN108072683B (zh) 2016-11-10 2016-11-10 感测元件及其形成方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11391685B2 (zh)
CN (1) CN108072683B (zh)

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005017141A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Shimadzu Corp 赤外線ガス分析計用検出素子
JP2005191526A (ja) * 2003-08-26 2005-07-14 Sony Internatl Europ Gmbh 有機材料又は有機材料と無機材料を組み合わせた材料をパターニングする方法
JP2007035298A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気化学電極およびその製造方法
CN101512754A (zh) * 2006-07-28 2009-08-19 奈米系统股份有限公司 用来形成纳米结构单层的方法和器件，以及包括该单层的器件
KR20120131483A (ko) * 2011-05-25 2012-12-05 연세대학교 산학협력단 공중부유형 탄소나노튜브를 이용하는 가스센서 제작방법, 그 방법으로 제작된 탄소나노튜브 나노구조체 및 가스센서
CN103733311A (zh) * 2011-08-08 2014-04-16 应用材料公司 具有用于激光图案化的集成光热阻挡层的薄膜结构和装置
CN103760749A (zh) * 2014-01-14 2014-04-30 北京京东方显示技术有限公司 薄膜图案的制造方法、显示基板
CN104112544A (zh) * 2014-05-14 2014-10-22 中国科学院合肥物质科学研究院 一种防硫化氢气体腐蚀的银纳米线透明导电薄膜的制备方法
CN104228208A (zh) * 2014-09-26 2014-12-24 中国科学院合肥物质科学研究院 银纳米线-m相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法
CN104614401A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 气体传感器及其形成方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6705152B2 (en) * 2000-10-24 2004-03-16 Nanoproducts Corporation Nanostructured ceramic platform for micromachined devices and device arrays
US7955559B2 (en) * 2005-11-15 2011-06-07 Nanomix, Inc. Nanoelectronic electrochemical test device
US20110039690A1 (en) * 2004-02-02 2011-02-17 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US8052932B2 (en) * 2006-12-22 2011-11-08 Research Triangle Institute Polymer nanofiber-based electronic nose
EP2050319A4 (en) * 2006-07-21 2010-12-08 Valtion Teknillinen METHOD FOR THE PRODUCTION OF LADDERS AND SEMICONDUCTORS
TWI426531B (zh) 2006-10-12 2014-02-11 Cambrios Technologies Corp 以奈米線為主之透明導體及其應用
JP2008124188A (ja) * 2006-11-10 2008-05-29 Sony Corp 電極構造体及びその製造方法、並びに電子デバイス
KR101027074B1 (ko) * 2008-10-23 2011-04-05 서울대학교산학협력단 금속산화물층을 갖는 나노구조물 가스센서, 나노구조물 가스센서 어레이 및 그 제조 방법
JP2011060686A (ja) 2009-09-14 2011-03-24 Konica Minolta Holdings Inc パターン電極の製造方法及びパターン電極
IT1402406B1 (it) 2010-10-22 2013-09-04 St Microelectronics Srl Metodo di fabbricazione di un dispositivo sensore di una sostanza gassosa di interesse.
CN104849317B (zh) * 2014-02-18 2018-09-18 元太科技工业股份有限公司 半导体感测装置及制作方法
US9219240B1 (en) 2014-06-27 2015-12-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Protective layer(s) in organic image sensors
KR101887281B1 (ko) * 2016-12-02 2018-08-09 한국과학기술원 ２차원 다공성 금속산화물 나노시트 가스 감지 물질 및 그 제조 방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005017141A (ja) * 2003-06-26 2005-01-20 Shimadzu Corp 赤外線ガス分析計用検出素子
JP2005191526A (ja) * 2003-08-26 2005-07-14 Sony Internatl Europ Gmbh 有機材料又は有機材料と無機材料を組み合わせた材料をパターニングする方法
JP2007035298A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気化学電極およびその製造方法
CN101512754A (zh) * 2006-07-28 2009-08-19 奈米系统股份有限公司 用来形成纳米结构单层的方法和器件，以及包括该单层的器件
KR20120131483A (ko) * 2011-05-25 2012-12-05 연세대학교 산학협력단 공중부유형 탄소나노튜브를 이용하는 가스센서 제작방법, 그 방법으로 제작된 탄소나노튜브 나노구조체 및 가스센서
CN103733311A (zh) * 2011-08-08 2014-04-16 应用材料公司 具有用于激光图案化的集成光热阻挡层的薄膜结构和装置
CN104614401A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 气体传感器及其形成方法
CN103760749A (zh) * 2014-01-14 2014-04-30 北京京东方显示技术有限公司 薄膜图案的制造方法、显示基板
CN104112544A (zh) * 2014-05-14 2014-10-22 中国科学院合肥物质科学研究院 一种防硫化氢气体腐蚀的银纳米线透明导电薄膜的制备方法
CN104228208A (zh) * 2014-09-26 2014-12-24 中国科学院合肥物质科学研究院 银纳米线-m相二氧化钒纳米颗粒复合薄膜及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20180128762A1 (en) 2018-05-10
CN108072683B (zh) 2021-04-23
US11391685B2 (en) 2022-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Singh et al. Silver nanowires binding with sputtered ZnO to fabricate highly conductive and thermally stable transparent electrode for solar cell applications
US10236398B2 (en) Method for manufacturing transparent electrode
US8497499B2 (en) Method to modify the conductivity of graphene
US9178032B2 (en) Gas sensor and manufacturing method thereof
US20140260545A1 (en) Sensor and sensing method
TW201503243A (zh) 導電結構及其製造方法和以導電結構作爲電極的元件
TW201101430A (en) Integrated circuit device and fuse structure
JP2013004636A5 (zh)
JP2012182129A5 (zh)
JP2016526789A5 (zh)
WO2014088403A1 (en) A resistive gas sensor device
JP2006128666A5 (zh)
TW201250968A (en) Semiconductor device apply to copper plating process
Yu et al. Use of solution-processed zinc oxide to prevent the breakdown in silver nanowire networks
CN107055455A (zh) 用于mems 传感器的加热装置
CN108072683A (zh) 感测元件及其形成方法
Park et al. Characterization of silver nanowire flexible transparent electrode with grid pattern formed via thermocompression
TW201227110A (en) Array substrates and methods for manufacturing the same
Oh et al. Efficient metallic nanowire welding using the Eddy current method
KR20100032237A (ko) 발열 판재 및 그 제조방법
JP2009302261A (ja) 半導体装置
CN105097476B (zh) 用于处理半导体器件的方法和半导体器件
JP2005159326A5 (zh)
TW201818069A (zh) 感測元件及其形成方法
CN109791840A (zh) 电子部件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant