CN108070096A - 一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法 - Google Patents

一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108070096A
CN108070096A CN201611013954.1A CN201611013954A CN108070096A CN 108070096 A CN108070096 A CN 108070096A CN 201611013954 A CN201611013954 A CN 201611013954A CN 108070096 A CN108070096 A CN 108070096A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polyvinylidene fluoride
preparation
dielectric film
film
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201611013954.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108070096B (zh
Inventor
李义涛
张凌飞
邹智杰
程宗盛
黄连红
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dongguan Dongyang Guangke Research and Development Co Ltd
Original Assignee
Dongguan Dongyang Guangke Research and Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongguan Dongyang Guangke Research and Development Co Ltd filed Critical Dongguan Dongyang Guangke Research and Development Co Ltd
Priority to CN201611013954.1A priority Critical patent/CN108070096B/zh
Publication of CN108070096A publication Critical patent/CN108070096A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108070096B publication Critical patent/CN108070096B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L27/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L27/02—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08L27/12—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08L27/16—Homopolymers or copolymers or vinylidene fluoride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2327/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers
    • C08J2327/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • C08J2327/12—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a halogen; Derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment containing fluorine atoms
    • C08J2327/16—Homopolymers or copolymers of vinylidene fluoride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2201/00—Properties
    • C08L2201/08—Stabilised against heat, light or radiation or oxydation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/16—Applications used for films

Abstract

本发明公开了一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)铸膜液制备：将聚偏氟乙烯树脂加入到有机溶剂中，加热搅拌溶解，得到铸膜液；2)薄膜制备：铸膜液通过涂布机在基材上涂布，进入三段烘箱干燥，干燥后进入水槽淬火，剥离棍剥离，定向热拉伸后退火，收卷，得到薄膜产品。本发明的制备工艺选用表面处理过的铝箔、聚酯薄膜等柔性耐高温材料作为涂布基材，采用集熔融淬火、拉伸退火于一体的流程化处理方法，避免了单一方法带来的缺点，为聚偏氟乙烯介电薄膜的工业化生产提供重要参考。本发明得到的聚偏氟乙烯薄膜β相含量高，厚度薄且均一，具有介电常数高、击穿强度大等优异性能，有望应用于高储能电子器件的制作。

Description

一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及介电材料领域，具体涉及一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备。
技术背景
聚偏氟乙烯(PVDF)树脂具有介电常数高、力学性能优异、耐腐蚀性能和阻燃性能良好等优异的综合性能，成为目前介电材料的研究热点，是最有可能代替传统应用于膜电容器制作的聚酯(PET)薄膜和聚丙(PP)烯薄膜的有机介电材料之一。
目前研究中，多侧重于PVDF基复合介电材料的制备，主要包括两种类型：一种如专利CN102558718B，在聚合物中填充高介电常数的陶瓷颗粒，制备陶瓷/聚合物两相复合物，但为了获得高的介电常数，陶瓷的填充量很高，导致复合材料难于加工成厚度很薄的薄膜，厚度一般在几百微米左右，且击穿电压较低；另一种如专利CN1322052C、CN101423645B和CN102627781B，基于渗流效应，同时在聚合物中填充导电颗粒和陶瓷，制备导电颗粒/陶瓷/聚合物三相复合物，此类复合物具有更高的介电常数，但介电损耗也较大，且同样存在所成薄膜厚度大、击穿电压低的问题。这些缺陷的产生，主要是由于研究者一味追求超高的介电常数，添加大量的无机填料所致。
事实上，相对于传统的PET和PP介电薄膜，PVDF树脂本身已具有较高的介电常数，不添加其它填料，只要制备出厚度较小的高质量纯PVDF薄膜，便具有较高的实际应用价值。对于PVDF树脂，其介电常数的主要贡献相是β相，因此，只要制备出高β相含量的薄膜，便可获得高介电常数的PVDF薄膜。目前，介电材料领域有关β相PVDF薄膜制备的研究较少，且存在较多缺陷。如左舜贵等(PVDF及其电解质的结构和性能研究，中南大学硕士论文，2011:18～25)研究了不同衬底、退火时间、退火温度等因素对于PVDF薄膜结构的影响，采用载玻片、导电玻璃和单晶硅为衬底，通过溶液流延法制备薄膜，熔融退火后，考察了不同温度对于介电常数的影响。退火时间为30小时，得到的薄膜介电常数最高为17.5。但由于文章所用衬底均为刚性材料，无法卷曲，因此，难以实现规模化生产，且退火时间过长，工业生产中难以实现连续化生产。此外，惠迎雪等(PVDF铁电聚合物薄膜的溶液法制备，材料科学与工程学报，2008，26(3):331～333)也采用溶液流延法制备了β相聚偏氟乙烯薄膜，研究了不同热处理条件和不同溶剂对薄膜晶相结构的影响，基材采用单晶硅。但文章所述方法不能制备厚度较薄的PVDF薄膜，且未经熔融处理，薄膜缺陷较多，采用刚性基材，难以实现工业化生产。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种适合工业化生产的高β相含量PVDF介电薄膜的制备方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
本发明提供的聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法，包括以下步骤：
(1)铸膜液制备：将聚偏氟乙烯树脂加入到有机溶剂中，加热搅拌溶解，得到铸膜液；
(2)薄膜制备：铸膜液通过涂布机在基材上涂布，进入三段烘箱干燥，干燥后进入水槽淬火，剥离棍剥离，定向热拉伸后退火，收卷，得到薄膜产品。
本发明中，制备铸膜液所选用的PVDF树脂的分子量为30～100万；所用有机溶剂包括但不限于N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)和甲基吡咯烷酮(NMP)；铸膜液中PVDF树脂的质量含量为10～30％。
本发明中，步骤(2)中所述通过涂布机涂布的涂布方式为刮刀涂布、狭缝挤出或微凹涂布，对于厚度为5μm以下的薄膜，优选微凹涂布。
本发明中，薄膜干燥时采用三段烘箱干燥工艺：第一段温度最低，薄膜进行表干固化；第二段温度稍高，有利于溶剂快速挥发干净，薄膜进行彻底干燥；第三段温度的设置一般在PVDF树脂的熔点以上，能够实现熔融自流平，消除前两段溶剂挥发不均匀而导致的薄膜缺陷。在一些实施方式中，第一段温度为65～130℃，优选80～100℃；第二段温度100～180℃，优选120～160℃；第三段温度为175～200℃。
本发明中，薄膜干燥之后需要立即进入水槽进行淬火处理，该步骤是获得β相的关键，淬火温度的选择控制在20～50℃。在一些实施方式中，淬火温度为20℃；在一些实施方式中，淬火温度为30℃；在另一些实施方式中，淬火温度为40℃；还在一些实施方式中，淬火温度为50℃。
本发明中，薄膜制备过程还包括对剥离后的薄膜进行定向热拉伸处理，拉伸处理一方面可以进一步提高PVDF薄膜中β相的含量，另一方面可以提高PVDF的结晶度，有利于其机械性能的提升。其中，拉伸温度和拉伸比是两个需要严格控制的技术参数。本发明中，拉伸温度的范围控制在80～160℃，拉伸比为1.5～10倍。在一些实施方式中，拉伸温度为120℃，拉伸比为5:1；在另一些实施方式中，拉伸温度为100℃，拉伸比为3:1；还在一些实施方式中，拉伸温度为80℃，拉伸比为10:1。
为消除薄膜热拉伸时产生的应力缺陷，本发明中对热拉伸之后的薄膜进行退火处理，退火的温度范围为80～180℃。在一些实施方式中，退火的温度为120℃；在另一些实施方式中，退火的温度为80℃。
本发明中涂布时选用的基材为柔性耐高温基材。所谓“耐高温”是指能耐PVDF树脂熔点以上的温度，优选耐180℃以上的基材，这样的基材包括但不限于铝箔、铜箔、钢带、聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜等。
本发明所用基材均经过表面处理，使基材表面具有合适的表面张力，既有助于薄膜流平，又使薄膜具有合适的剥离强度。表面处理的具体操作，包括以下步骤：
Ⅰ、对基材表面进行清洁处理，用丙酮或乙醇清洁除油；
Ⅱ、刷涂或喷涂一定量的表面活性剂或离型剂分散液；
Ⅲ、烘干除溶剂。
所用表面活性剂包括但不限于十二烷基硫酸盐、全氟辛酸盐等；所用离型剂包括但不限于聚乙烯醇、硅油、硅脂、液体石蜡等。
本发明涂布过程中，涂布设备的运行速度控制在0.5～5m/s，优选0.5～3m/s。
在一些实施方式中，所述真空干燥是指在45～75℃干燥2～4小时。
除非明确地说明于此相反，否则，本发明引用的所有范围包括端值，例如，“温度为65～130℃”，表示温度范围为65℃≤T≤130℃。
本发明使用的术语“或”表示备选方案，如果合适的话，可以将它们组合，也就是说，术语“或”包括每个所列出的单独备选方案以及它们的组合。例如，“所述溶剂为四氢呋喃、丙酮、丁酮、N-甲基吡咯烷酮或N,N-二甲基甲酰胺”表示所述溶剂为四氢呋喃、丙酮、丁酮、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺中的一种，也可以是其一种以上的组合。
本发明的优点和优异效果在于：
(1)本发明采用集熔融淬火、拉伸退火于一体的流程化处理方法，避免了单一方法带来的缺点，且大大的缩短了热处理时间，为PVDF薄膜的工业化生产提供重要参考。
(2)该工艺中，薄膜在烘干阶段后期烘箱温度高于PVDF熔点，能够实现熔融自流平，消除薄膜缺陷，使薄膜具有较高的击穿强度。
(3)本发明采用铜箔、铝箔、聚酯薄膜等柔性耐高温基材，且对基材进行表面处理，使薄膜具有合适的剥离强度，可用涂布机实现连续化生产。
具体实施方式
以下所述的是本发明的具体实施方式，本发明所保护的不限于以下具体实施方式。应当指出，对于本领域的技术人员来说在此发明创造构思的基础上，做出的若干变形和改进，都属于本发明的保护范围。实施例中所用的原料均可以通过商业途径获得。
实施例1
称量100g PVDF(分子量40万)粉末，加入400g DMAc，50℃搅拌溶解过夜，得到澄清透明的铸膜液。选取用硅脂表面处理的铝箔为基材，通过涂布机进行微凹涂布后进入三段长度依次为2米、5米和3米的烘箱进行干燥，三段烘箱的温度依次为100℃、130℃和200℃；干燥之后进入温度为20℃、长度为4米的水槽进行淬火；剥离棍剥离后，在120℃下进行定向拉伸，拉伸比为5:1；然后进入长度为3米、温度为120℃的烘箱进行退火，收卷后既得PVDF膜产品。
对得到的膜，参照标准GB/T-13542.3-2006进行膜厚、击穿强度、介电损失和介电常数(23℃，100Hz)测试。测试结果见表1。
利用全反射红外光谱法测定PVDF薄膜的结晶构象，β相含量的测试，利用下述公式计算得到，
式中，F(β)是PVDF结晶相中β相的含量，Kα和Kβ是摩擦表面系数，分别是7.7×104cm2/mol和6.1×104cm2/mol，Aα为1185cm-1/处的红外吸收强度，Aβ为1085cm-1处的红外吸收强度。
实施例2
称量260g PVDF(分子量60万)粉末，加入1740g DMF，80℃搅拌溶解过夜，得到澄清透明的铸膜液。选取用十二烷基硫酸钠表面处理的聚酯薄膜为基材，通过涂布机进行狭缝挤出后进入三段长度依次为2米、5米和3米的烘箱进行干燥，三段烘箱的温度依次为80℃、150℃和190℃；干燥之后进入温度为30℃、长度为4米的水槽进行淬火；剥离棍剥离后，在100℃下进行定向拉伸，拉伸比为3:1；然后进入长度为3米、温度为80℃的烘箱进行退火，收卷后既得PVDF膜产品。
对得到的膜，参照标准GB/T-13542.3-2006进行膜厚、击穿强度、介电损失和介电常数(23℃，100Hz)测试，β相含量测试同实施例1，测试结果见表1。
实施例3
称量70g PVDF(分子量50万)粉末，加入400g NMP，50℃搅拌溶解过夜，得到澄清透明的铸膜液。选取用硅脂表面处理的铝箔为基材，通过涂布机进行逗号刮刀涂布后进入三段长度依次为2米、5米和3米的烘箱进行干燥，三段烘箱的温度依次为130℃、160℃和200℃；干燥之后进入温度为50℃、长度为4米的水槽进行淬火；剥离棍剥离后，在80℃下进行定向拉伸，拉伸比为10:1；然后进入长度为3米、温度为160℃的烘箱进行退火，收卷后既得PVDF膜产品。
对得到的膜，参照标准GB/T-13542.3-2006进行膜厚、击穿强度、介电损失和介电常数(23℃，100Hz)测试，β相含量测试同实施例1，测试结果见表1。
实施例4
称量120g PVDF(分子量35万)粉末，加入400g DMAc，80℃搅拌溶解过夜，得到澄清透明的铸膜液。选取用硅脂表面处理的铜箔为基材，通过涂布机进行逗号刮刀涂布后进入三段长度依次为2米、5米和3米的烘箱进行干燥，三段烘箱的温度依次为80℃、160℃和190℃；干燥之后进入温度为40℃、长度为4米的水槽进行淬火；剥离棍剥离后，在120℃下进行定向拉伸，拉伸比为1.5:1；然后进入长度为3米、温度为120℃的烘箱进行退火，收卷后既得PVDF膜产品。
对得到的膜，参照标准GB/T-13542.3-2006进行膜厚、击穿强度、介电损失和介电常数(23℃，100Hz)测试，β相含量测试同实施例1，测试结果见表1。
实施例5
称量60g PVDF(分子量65万)粉末，加入400g NMP，50℃搅拌溶解过夜，得到澄清透明的铸膜液。选取用硅脂表面处理的铝箔为基材，通过涂布机进行微凹涂布后进入三段长度依次为2米、5米和3米的烘箱进行干燥，三段烘箱的温度依次为100℃、150℃和200℃；干燥之后进入温度为25℃、长度为4米的水槽进行淬火；剥离棍剥离后，在120℃下进行定向拉伸，拉伸比为7:1；然后进入长度为3米、温度为130℃的烘箱进行退火，收卷后既得PVDF膜产品。
对得到的膜，参照标准GB/T-13542.3-2006进行膜厚、击穿强度、介电损失和介电常数(23℃，100Hz)测试，β相含量测试同实施例1，测试结果见表1。
对比例1
称量100g PVDF(分子量40万)粉末，加入400g DMAc，50℃搅拌溶解过夜，得到澄清透明的铸膜液。选取用硅脂表面处理的铝箔为基材，通过涂布机进行微凹涂布后进入三段长度依次为2米、5米和3米的烘箱进行干燥，三段烘箱的温度依次为100℃、130℃和160℃；干燥之后进入温度为20℃、长度为4米的水槽进行淬火；剥离棍剥离后，在120℃下进行定向拉伸，拉伸比为5:1；然后进入长度为3米、温度为120℃的烘箱进行退火，收卷后既得PVDF膜产品。
对得到的膜，参照标准GB/T-13542.3-2006进行膜厚、击穿强度、介电损失和介电常数(23℃，100Hz)测试，β相含量测试同实施例1，测试结果见表1。
对比例2
称量100g PVDF(分子量40万)粉末，加入400g DMAc，50℃搅拌溶解过夜，得到澄清透明的铸膜液。选取用硅脂表面处理的铝箔为基材，通过涂布机进行微凹涂布后进入三段长度依次为2米、5米和3米的烘箱进行干燥，三段烘箱温度依次为100℃、130℃和200℃；自然冷却后经剥离棍剥离，在120℃下进行定向拉伸，拉伸比为5:1；然后进入长度为3米、温度为120℃的烘箱进行退火，收卷后既得PVDF膜产品。
对得到的膜，参照标准GB/T-13542.3-2006进行膜厚、击穿强度、介电损失和介电常数(23℃，100Hz)测试，β相含量测试同实施例1，测试结果见表1。
对比例3
称量100g PVDF(分子量40万)粉末，加入400g DMAc，50℃搅拌溶解过夜，得到澄清透明的铸膜液。选取用硅脂表面处理的铝箔为基材，通过涂布机进行微凹涂布后进入三段长度依次为2米、5米和3米的烘箱进行干燥，三段烘箱的温度依次为100℃、130℃和200℃；干燥之后进入温度为20℃，长度为4米的水槽进行淬火；经剥离棍剥离，收卷后既得PVDF膜产品。
对得到的膜，参照标准GB/T-13542.3-2006进行膜厚、击穿强度、介电损失和介电常数(23℃，100Hz)测试，β相含量测试同实施例1，测试结果见表1。
表1：不同实施例及对比例配方制备的PVDF介电薄膜样品的性能
从表1可以看出，由本发明实施例技术方案得到的PVDF介电薄膜厚度小且质量均一，与对比例相比，β相含量高，具有较高的介电常数和击穿场强，综合性能优异。

Claims (10)

1.一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)铸膜液制备：将聚偏氟乙烯树脂加入到有机溶剂中，加热搅拌溶解，得到铸膜液；
(2)薄膜制备：铸膜液通过涂布机在基材上涂布，进入三段烘箱干燥，干燥后进入水槽淬火，剥离棍剥离，定向热拉伸后退火，收卷得到薄膜产品。
2.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述聚偏氟乙烯树脂的分子量为30～100万；所述铸膜液中聚偏氟乙烯树脂的质量含量为10～30％。
3.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述通过涂布机涂布的涂布方式为刮刀涂布、狭缝挤出或微凹涂布。
4.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述三段烘箱干燥中，第一段温度为65～130℃，第二段温度为100～180℃，第三段温度为175～200℃。
5.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述水槽淬火的淬火温度为20～50℃。
6.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述热拉伸温度为80～160℃，拉伸比为1.5～10倍。
7.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述退火温度为80～180℃。
8.根据权利要求1所述的聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述基材为柔性耐高温基材，包括铝箔、铜箔、钢带、聚酯薄膜和聚酰亚胺薄膜。
9.根据权利要求1或8所述的聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述基材为用表面活性剂或离型剂进行表面处理过的基材。
10.根据权利要求9所述的聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂为十二烷基硫酸盐或全氟辛酸盐；所述离型剂为聚乙烯醇、硅油、硅脂或液体石蜡。
CN201611013954.1A 2016-11-18 2016-11-18 一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法 Active CN108070096B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611013954.1A CN108070096B (zh) 2016-11-18 2016-11-18 一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611013954.1A CN108070096B (zh) 2016-11-18 2016-11-18 一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108070096A true CN108070096A (zh) 2018-05-25
CN108070096B CN108070096B (zh) 2022-04-29

Family

ID=62159857

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611013954.1A Active CN108070096B (zh) 2016-11-18 2016-11-18 一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108070096B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109537301A (zh) * 2018-11-26 2019-03-29 蚌埠星烁新材料科技有限公司 一种用溶液浇铸法后整理技术制备合成革功能性涂层的方法
CN110919948A (zh) * 2019-12-03 2020-03-27 西安交通大学 一种提高绝缘介质介电常数的热处理方法
CN111548515A (zh) * 2020-04-15 2020-08-18 哈尔滨理工大学 一种非氧化物陶瓷/聚偏氟乙烯复合薄膜的后处理工艺
CN111958999A (zh) * 2020-07-24 2020-11-20 武汉理工大学 高β相PVDF薄膜的制备方法及应用
WO2022017518A1 (zh) * 2020-07-24 2022-01-27 上海安翰医疗技术有限公司 制备聚离子薄膜的方法、聚离子薄膜以及检测试剂盒
CN114953537A (zh) * 2022-07-27 2022-08-30 三三智能科技(日照)有限公司 一种能够控制厚度的pvdf压电薄膜流延成型工艺
CN115615946A (zh) * 2022-09-09 2023-01-17 上海恩捷新材料科技有限公司 快速检测聚偏二氟乙烯的β相含量方法及其系统
CN116041758A (zh) * 2022-12-07 2023-05-02 四川大学 高储能、低损耗的聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合薄膜及其制备方法和应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102167836A (zh) * 2011-03-01 2011-08-31 宜兴市高拓高分子材料有限公司 一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法
CN104277386A (zh) * 2014-09-24 2015-01-14 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司 一种膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102167836A (zh) * 2011-03-01 2011-08-31 宜兴市高拓高分子材料有限公司 一种聚偏氟乙烯薄膜的制备方法
CN104277386A (zh) * 2014-09-24 2015-01-14 东莞市长安东阳光铝业研发有限公司 一种膜电容器用聚偏氟乙烯薄膜

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
左舜贵: ""PVDF及其电解质的结构和性能研究"", 《中国优秀硕士论文电子期刊网 基础科学辑》 *
惠迎雪等: "PVDF铁电聚合物薄膜的溶液法制备", 《材料科学与工程学报》 *
戚晓芳等: "拉伸法制备β型聚偏二氟乙烯薄膜工艺研究", 《机械工程材料》 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109537301A (zh) * 2018-11-26 2019-03-29 蚌埠星烁新材料科技有限公司 一种用溶液浇铸法后整理技术制备合成革功能性涂层的方法
CN110919948A (zh) * 2019-12-03 2020-03-27 西安交通大学 一种提高绝缘介质介电常数的热处理方法
CN111548515A (zh) * 2020-04-15 2020-08-18 哈尔滨理工大学 一种非氧化物陶瓷/聚偏氟乙烯复合薄膜的后处理工艺
CN111958999A (zh) * 2020-07-24 2020-11-20 武汉理工大学 高β相PVDF薄膜的制备方法及应用
WO2022017518A1 (zh) * 2020-07-24 2022-01-27 上海安翰医疗技术有限公司 制备聚离子薄膜的方法、聚离子薄膜以及检测试剂盒
CN111958999B (zh) * 2020-07-24 2022-03-25 武汉理工大学 高β相PVDF薄膜的制备方法及应用
CN114953537A (zh) * 2022-07-27 2022-08-30 三三智能科技(日照)有限公司 一种能够控制厚度的pvdf压电薄膜流延成型工艺
CN115615946A (zh) * 2022-09-09 2023-01-17 上海恩捷新材料科技有限公司 快速检测聚偏二氟乙烯的β相含量方法及其系统
CN116041758A (zh) * 2022-12-07 2023-05-02 四川大学 高储能、低损耗的聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合薄膜及其制备方法和应用
CN116041758B (zh) * 2022-12-07 2024-05-07 四川大学 高储能、低损耗的聚乙烯/聚偏二氟乙烯复合薄膜及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN108070096B (zh) 2022-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108070096A (zh) 一种聚偏氟乙烯介电薄膜的制备方法
Nakagawa et al. Annealing effects in poly (vinylidene fluoride) as revealed by specific volume measurements, differential scanning calorimetry, and electron microscopy
Hinrichsen Structural changes of drawn polyacrylonitrile during annealing
Silva et al. α-and γ-PVDF: Crystallization kinetics, microstructural variations and thermal behaviour
WO2013056496A1 (zh) 电工钢表面极厚绝缘涂层的生产方法
Pramod et al. Influence of solvent evaporation rate on crystallization of poly (vinylidene fluoride) thin films
CN109320743A (zh) 聚偏氟乙烯薄膜的制备方法
CN105504270B (zh) 交联聚亚苯基苯并二噁唑薄膜的制备方法
Zhao et al. The impact of solvents on properties of solution-cast poly (vinylidene fluoride) films for energy storage
EP3576171B1 (en) Piezoelectric film and method for producing same
CN112480576A (zh) 一种高压电性能pvdf薄膜的制备方法
Sánchez et al. Experimental characterization of the thermo-electro-mechanical properties of a shape memory composite during electric activation
Tong et al. Stress development in supported polymer films during thermal cycling
CN110284259A (zh) 一种复合热电薄膜材料及其制备方法
Xiu et al. Effect of different Al/Si ratios on the structure and energy storage properties of strontium barium niobate-based glass-ceramics
CN110116217B (zh) 构筑二维金纳米粒子图案的方法
Lin et al. Rigid amorphous fraction caused by isothermal crystallization in ATH filled silicone rubber
CN107151367A (zh) 直流输电用聚合晶硅绝缘子材料及其制备方法和应用
Jung et al. Temperature‐dependent transition of crystal phases in the electrospinning process of poly (vinylidene fluoride‐co‐hexafluoropropylene)
CN111205496A (zh) 一种聚偏氟乙烯γ型晶体的制备方法
Wang et al. Roles of Chain Architecture and Polymorphic Form in Tailoring the Properties of Surface‐Roughened Biaxially Oriented Polypropylene Films for Capacitors
Ning et al. The effects of cure temperature history on the stability of polyimide films
Constantino et al. The Investigation of/spl alpha//spl rArr//spl beta/phase transition in poly (vinylidene fluoride)(PVDF)
CN114685916B (zh) 一种聚合物压电材料及其制备方法
CN111944183B (zh) 一种在等规聚丙烯纳米薄膜中调控晶型的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant