CN108054222A - 一种hit太阳能电池的电极制作方法 - Google Patents
一种hit太阳能电池的电极制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108054222A CN108054222A CN201711401478.5A CN201711401478A CN108054222A CN 108054222 A CN108054222 A CN 108054222A CN 201711401478 A CN201711401478 A CN 201711401478A CN 108054222 A CN108054222 A CN 108054222A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- slurry
- silicon chip
- making
- solar cells
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 53
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000003854 Surface Print Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
- H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
- H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种HIT太阳能电池的电极制作方法，包括用于制作太阳能电池的硅片，所述的硅片的表面沉积一层透明导电氧化膜，具体的制作过程为：首先在制作电极硅片的背面的主栅和细栅的区域印刷点状的浆料A；然后在浆料A的上方印刷浆料B；之后在硅片的正面重复S1和S2的步骤；最后将硅片放入100‑200℃固化炉中固化20‑40min。通过本发明方法能大大的节约制作电极是所需的金属浆料，同时能提高电极的焊接拉力。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池制造领域，具体涉及一种HIT太阳能电池的电极制作方法。
背景技术
现有的HIT太阳能电池的结构，由于HIT太阳能电池的电极上直接沉积在硅片的平坦化的导电性的透明导电氧化膜的表面，因此相比于其它的太阳能电池片，HIT太阳能电池的电极由于突出在硅片的表面，且未受到保护，因此相比来说更容易发生断裂或者损伤。
由于HIT电池的低温工艺条件，HIT电极浆料无法使用玻璃体贯穿形成欧姆接触，只能使用有机粘合剂来增加附着力，HIT浆料为了满足组件拉力要求，里面增加了一定量的有机粘合剂。但是由于过量的粘合剂会导致电流收集能力变差，接触电阻高，所以常规的HIT浆料的有机粘合剂含量比较低，HIT电池的拉力低于常规电池30％-50％。且低有机粘合剂含量的浆料由于粘度比较低，塑形性差，制备的电极的线宽较常规电池高10-20μm，导致单面湿重较常规电池高20％-60％左右。
发明内容
针对上述问题，本发明提出一种HIT太阳能电池的电极制作方法。
实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：
一种HIT太阳能电池的电极制作方法，包括用于制作太阳能电池的硅片，所述的硅片的表面沉积一层TCO膜，包括以下步骤：
S1：在制作电极硅片的背面的主栅和细栅的区域印刷点状的浆料A；
S2：在浆料A的上方印刷浆料B；
S3：在硅片的正面重复S1和S2的步骤；
S4：将硅片放入150-250℃固化炉中固化烧结10-40min。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S1具体为将硅片的背面放在电极制作工作台上，通过上方的CCD相机定位后在需要制作电极的主栅极和细栅极的区域同时印刷点状的浆料A，之后将电池片烘干处理5-15min，烘干的温度为150-250℃。
作为本发明的进一步改进，所述的主栅极的宽度为0.1-2mm，细栅极的宽度为10-100um。
作为本发明的进一步改进，所印刷的点状的浆料A的大小为10-100um，按线状或者矩阵阵列均布在主栅极或者细栅极的区域内，所述的点状的浆料A为圆形、三角形、方形或者多边形。
作为本发明的进一步改进，所述步骤S2具体为将硅片放在电极制作工作台上，通过上方的CCD相机定位后，在正对着浆料A印刷区域的上方印刷浆料B，之后将硅片放入100-200℃温度中烘干5-15min。
作为本发明的进一步改进，所述的电极制作方法包括丝网印刷术、电镀技术、喷墨打印技术、蒸镀技术、激光技术的一种或几种的组合。
作为本发明的进一步改进，所述的浆料A为高导电性银浆，所述的浆料B为高拉力型银浆。
本发明的有益效果：本发明中的HIT太阳能电池采用先在电极的表面印刷一层具有一定高度点状高固含量、低粘合剂量的浆料A，可以有效的收集透明导电氧化膜上的电流，再在浆料A的上面覆盖一层一定固含量、高粘合剂量的浆料B。本发明不仅能使得电极与硅片充分接触，大大的节约制作电极是所需的金属浆料，同时由于所使用的浆料B具有较高含量的有机粘合剂，固化后能够提高焊接拉力。
附图说明
图1为本发明的太阳能电池的立体结构示意图；
图2为本发明的太阳能电池的平面结构示意图；
其中：1-硅片基体，2-透明导电氧化膜，3-电极，301-浆料A，302-浆料B。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
下面结合附图对本发明的应用原理作详细的描述。
如图所示的本发明的HIT太阳能电池的结构图，所需硅片的基底的表面沉积了一层透明导电氧化膜，所制作的金属电极直接制在透明导电氧化膜上，在电极的主栅极和细栅极的区域从下至上依次沉积了浆料A和浆料B。
其中所述的浆料A为高金属固含量的浆料，减小电极与硅片上的透明导电氧化膜之间欧姆电阻，利用电流的导出，所述的浆料A为固含量为＞95％的银浆。所述的浆料B采用的固含量＞60％的银浆，具有良好的拉力性能和塑形性能的浆料，固化后可以提高焊接拉力。为了使所制备的电极与透明导电氧化膜充分接触，所述的浆料A和浆料B中还添加了不同量的有机高分子粘结剂。
本发明中的一种HIT太阳能电池的电极制作方法，包括以下步骤：
S1：在制作电极硅片的背面的主栅和细栅的区域印刷点状的浆料A；
具体的步骤为：将硅片的背面放在电极制作工作台上，通过上方的CCD相机定位后在需要制作电极的主栅极和细栅极的区域印刷点状的浆料A，之后将电池片烘干处理5-15min，烘干的温度为150-250℃。
S2：在浆料A的上方印刷浆料B；
具体的步骤为：所述步骤S2具体为将硅片放在电极制作工作台上，通过上方的CCD相机定位后，在正对着浆料A印刷区域的上方印刷浆料B，之后将硅片放入150-250℃温度中烘干150-250℃。
S3：在硅片的正面重复S1和S2的步骤，制作硅片正面的电极。
S4：将硅片放入150-250℃固化炉中固化10-40min。
本发明中所制作的主栅极的宽度为0.1-2mm，细栅极的宽度为10-100um，其中所印刷的点状的浆料A的大小为10-100um，根据栅极线的宽度和浆料A的大小，所述的浆料A按线状或者矩阵阵列均布在主栅极或者细栅极的区域内。
所述的点状的浆料A为圆形、三角形、方形或者多边形，密集的印刷在栅极底部，不会影响导电性能，通过电极上方的浆料B将电流传输出去，通过本发明所制作的可节省浆料20-50mg。
以上所述的电极制作方法可以采用丝网印刷术制备，也可以采用电镀技术、喷墨打印技术、蒸镀技术、激光技术的一种或几种的组合方法制备。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (7)
1.一种HIT太阳能电池的电极制作方法，包括用于制作太阳能电池的硅片，所述的硅片的表面沉积一层TCO膜，包括以下步骤：
S1：在制作电极硅片的背面的主栅和细栅的区域印刷点状的浆料A；
S2：在浆料A的上方印刷浆料B；
S3：在硅片的正面重复S1和S2的步骤；
S4：将硅片放入150-250℃固化炉中固化烧结10-40min。
2.根据权利要求1所述的一种HIT太阳能电池的电极制作方法，其特征在于：所述步骤S1具体为将硅片的背面放在电极制作工作台上，通过上方的CCD相机定位后在需要制作电极的主栅极和细栅极的区域同时印刷点状的浆料A，之后将电池片烘干处理5-15min，烘干的温度为150-250℃。
3.根据权利要求1所述的一种HIT太阳能电池的电极制作方法，其特征在于：所述的主栅极的宽度为0.1-2mm，细栅极的宽度为10-100um。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种HIT太阳能电池的电极制作方法，其特征在于：所印刷的点状的浆料A的大小为10-100um，按线状或者矩阵阵列均布在主栅极或者细栅极的区域内，所述的点状的浆料A为圆形、三角形、方形或者多边形。
5.根据权利要求1所述的一种HIT太阳能电池的电极制作方法，其特征在于：所述步骤S2具体为将硅片放在电极制作工作台上，通过上方的CCD相机定位后，在正对着浆料A印刷区域的上方印刷浆料B，之后将硅片放入100-200℃温度中烘干5-15min。
6.根据权利要求1所述的一种HIT太阳能电池的电极制作方法，其特征在于：所述的电极制作方法包括丝网印刷术、电镀技术、喷墨打印技术、蒸镀技术、激光技术的一种或几种的组合。
7.根据权利要求1所述的一种HIT太阳能电池的电极制作方法，其特征在于：所述的浆料A为高导电性银浆，所述的浆料B为高拉力型银浆。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711401478.5A CN108054222A (zh) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 一种hit太阳能电池的电极制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711401478.5A CN108054222A (zh) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 一种hit太阳能电池的电极制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108054222A true CN108054222A (zh) | 2018-05-18 |
Family
ID=62131385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711401478.5A Pending CN108054222A (zh) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | 一种hit太阳能电池的电极制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108054222A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109585573A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-04-05 | 武汉三工智能装备制造有限公司 | Hit电池及其金属栅线印刷方法 |
| CN110421968A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-08 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 太阳能电池电极浆料的打印装置及电极制备系统 |
| CN113809185A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-12-17 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池 |
| CN113871495A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-12-31 | 东方日升新能源股份有限公司 | 异质结电池片及其加工方法以及电池组件 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101656276A (zh) * | 2009-09-17 | 2010-02-24 | 中电电气（南京）光伏有限公司 | 一种利用套印方式制备晶体硅太阳能电池电极的方法 |
| CN102738302A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-17 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 一种hit太阳能电池电极的形成方法 |
| CN105599431A (zh) * | 2016-01-08 | 2016-05-25 | 上海艾力克新能源有限公司 | 一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极套印网版图形结构 |
| WO2016180446A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Applied Materials Italia S.R.L. | Method for screen printing on a substrate for the production of a solar cell, screen used in screen printing on a substrate for the production of a solar cell, and apparatus for screen printing on a substrate for the production of a solar cell |
-
2017
- 2017-12-22 CN CN201711401478.5A patent/CN108054222A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101656276A (zh) * | 2009-09-17 | 2010-02-24 | 中电电气（南京）光伏有限公司 | 一种利用套印方式制备晶体硅太阳能电池电极的方法 |
| CN102738302A (zh) * | 2012-06-15 | 2012-10-17 | 上海中智光纤通讯有限公司 | 一种hit太阳能电池电极的形成方法 |
| WO2016180446A1 (en) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | Applied Materials Italia S.R.L. | Method for screen printing on a substrate for the production of a solar cell, screen used in screen printing on a substrate for the production of a solar cell, and apparatus for screen printing on a substrate for the production of a solar cell |
| CN105599431A (zh) * | 2016-01-08 | 2016-05-25 | 上海艾力克新能源有限公司 | 一种晶硅太阳电池二次印刷正面电极套印网版图形结构 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109585573A (zh) * | 2018-11-05 | 2019-04-05 | 武汉三工智能装备制造有限公司 | Hit电池及其金属栅线印刷方法 |
| CN110421968A (zh) * | 2019-08-09 | 2019-11-08 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 太阳能电池电极浆料的打印装置及电极制备系统 |
| CN110421968B (zh) * | 2019-08-09 | 2020-12-08 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 太阳能电池电极浆料的打印装置及电极制备系统 |
| CN113871495A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-12-31 | 东方日升新能源股份有限公司 | 异质结电池片及其加工方法以及电池组件 |
| CN113809185A (zh) * | 2021-08-25 | 2021-12-17 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种太阳能电池的制备方法以及太阳能电池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108054222A (zh) | 一种hit太阳能电池的电极制作方法 | |
| JP5497043B2 (ja) | 電力損失を最少に抑えた太陽電池用前面電極及びそれを含む太陽電池 | |
| CN102800712B (zh) | 一种太阳能电池片正面电极结构及其制作方法 | |
| JP4986945B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| CN103594533A (zh) | 一种背结-背接触太阳能电池三维电极及其制备方法 | |
| CN106409956A (zh) | 一种n型晶体硅双面太阳能电池结构及其制备方法 | |
| CN107910445A (zh) | 一种双层电极的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| US20170054043A1 (en) | Solar cell superfine electrode transfer thin film, manufacturing method and application method thereof | |
| JP2011508946A (ja) | 色素増感太陽電池用導電性ガラスおよびその製造方法 | |
| CN103325875A (zh) | 一种新型太阳能电池片的电流汇集装置及其制备工艺 | |
| CN102214729A (zh) | 一种太阳电池正面电极结构及其制作方法 | |
| JP2002076398A (ja) | 光起電力素子 | |
| CN105140398A (zh) | 一种背接触钙钛矿太阳电池 | |
| CN102800763B (zh) | 太阳能电池及其栅线电极的制作方法 | |
| WO2018006449A1 (zh) | 高效晶体硅太阳能电池局域背场铝浆及在perc电池中的应用 | |
| CN101681942A (zh) | 糊组合物及太阳能电池元件 | |
| EP2999005B1 (en) | Solar cell, manufacturing method therefor, solar-cell module, and manufacturing method therefor | |
| JP6065419B2 (ja) | 薄膜太陽電池用積層体、及びこれを用いる薄膜太陽電池の製造方法 | |
| CN110350054A (zh) | 一种太阳能晶硅电池片的印刷方法 | |
| JP2003282905A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| CN103346172A (zh) | 异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN205970344U (zh) | 一种印刷无主栅电池片正面电极的双网网版设备 | |
| CN105070771A (zh) | 一种晶体硅异质结太阳电池进光面用的金属电极及其制备方法 | |
| CN108179392A (zh) | 一种金属纳米网络柔性玻璃的加工方法 | |
| CN203312310U (zh) | 太阳能电池片 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20180518 |