CN108011020A - 一种量子点膜片及背光源模组 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种量子点膜片，包括绿色量子点层，绿色量子点层包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面均依次层叠设置有阻隔层和PET层，第一表面的PET层远离阻隔层一侧的表面还设有KSF红色荧光粉层。本发明提供的量子点膜片，由于KSF红色荧光粉层中的KSF红色荧光粉对绿光几乎无吸收，因此本发明可在不增加绿色量子点的使用量的前提下达到同样的显示效果，极大地降低了量子点膜片的成本。而且由于量子点中主要含镉元素，不增加绿色量子点的使用量，也可进一步降低量子点膜片对人体的危害。另外由于KSF红色荧光粉层本身具有一定的粗糙度，因此可用KSF红色荧光粉层来代替传统的粗糙层，进一步降低量子点膜片的成本。

Description

一种量子点膜片及背光源模组
技术领域
本发明属于量子点光学膜技术领域，具体涉及一种量子点膜片及背光源模组。
背景技术
量子点由于发光峰窄，发光波长随尺寸可调，现已广泛应用于背光产品中。但量子点中红色量子点的吸收光谱较宽，具有很强的绿光吸收特性。进而当红色量子点和绿色量子点混合使用时，为达到良好的视觉效果，需增加绿色量子点的使用量。这不但提高了量子点膜片的成本，而且还由于量子点主要含镉元素，因此量子点用量的增加，会使镉元素超标，增加对人体的危害。
目前，有人将红色量子点和绿色量子点垂直于蓝光芯片且交替设置，以求降低红色量子点和绿色量子混合使用时所产生的不良影响。但这种方法无法从根本上解决红色量子点吸收绿光的问题，绿色量子点发出的绿光依然会有部分被红色量子点所吸收。
发明内容
鉴于此，为了解决上述问题，本发明提供了一种量子点膜片及背光源模组，从根本上解决了红色量子点和绿色量子混合使用时，红色量子点吸收绿光的问题。
本发明第一方面提供了一种量子点膜片，包括绿色量子点层，所述绿色量子点层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面上均依次层叠设置有阻隔层和PET层，所述第一表面的所述PET层上还设有KSF红色荧光粉层。
其中，所述第二表面上所述PET层远离所述阻隔层的一侧表面的粗糙度为10-100nm。
其中，所述KSF红色荧光粉层的表面粗糙度为5-30μm。
其中，所述KSF红色荧光粉层包括KSF红色荧光粉和荧光胶，所述KSF红色荧光粉的化学式为A2BF6:Mn4+，其中，A代表锂元素、钠元素、钾元素、铷元素或铯元素，B代表锗元素、硅元素、锡元素、钛元素或镐元素。
其中，所述KSF红色荧光粉的粒径为10-60μm。
其中，所述KSF红色荧光粉层的厚度为30-120μm。
其中，所述绿色量子点层包括绿色量子点和荧光胶，所述绿色量子点包括有机钙钛矿量子点、无机钙钛矿量子点和具有核壳结构的量子点中的一种或多种，所述具有核壳结构的量子点包括内核和形成于所述内核外部的外壳，所述内核的材质包括硒化镉、二硫化铟铜和磷化铟中的一种或多种，所述外壳的材质包括镉、硒、硫化镉、氧化锌、硫化锌和硒化锌中的一种或多种。
其中，所述绿色量子点的粒径为1-20nm。
其中，所述量子点膜片的厚度为70-400μm。
本发明第一方面提供的一种量子点膜片，首先，KSF红色荧光粉层中的KSF红色荧光粉是一种锰元素发光的荧光粉材料，KSF红色荧光粉在500-560nm的绿光波段几乎无吸收，且发光频谱很窄，在相同发光峰的条件下具有和红色量子点一样的色域表现。因此用KSF红色荧光粉层来代替传统的红色量子点层，可不增加绿色量子点的使用量而达到同样的显示效果，进而控制了量子点膜片的成本。而且由于量子点中主要含镉元素，不增加绿色量子点的使用量，也可进一步降低量子点膜片对人体的危害。
其次，由于KSF红色荧光粉层中的KSF红色荧光粉为颗粒状，因此KSF红色荧光粉层的表面不光滑，表面粗糙度较高。因此在本发明中，在所述第一表面的所述PET层远离所述阻隔层一侧的表面设置KSF红色荧光粉层，可替代传统的在所述第一表面的所述PET层远离所述阻隔层一侧的表面设置的粗糙层。这不仅可以降低量子点膜片的成本，还可以提高量子点膜片的显示性能，使量子点膜片发出的光线柔和，且纯度较高。
本发明第二方面提供了一种背光源模组，包括本发明第一方面提供的量子点膜片。
本发明第二方面提供的一种背光源模组，由于本发明使用了KSF红色荧光粉层来代替传统的红色量子点层，因此会极大地降低背光源模组的成本，同时提高背光源模组的显示性能，具有很强的实用性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对本发明实施例中所需要使用的附图进行说明。
图1为本发明实施例中量子点膜片的结构示意图。
具体实施方式
以下是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
请参考图1，本发明实施例提供的一种量子点膜片100，包括绿色量子点层1，所述绿色量子点层1包括相对设置的第一表面11和第二表面12，所述第一表面11和所述第二表面12上均依次层叠设置有阻隔层2和PET层3，所述第一表面11的所述PET层3远离所述阻隔层2一侧的表面还设有KSF红色荧光粉层4。
本发明实施例提供的一种量子点膜片100，首先，KSF红色荧光粉层4中的KSF红色荧光粉是一种锰元素发光的荧光粉材料，KSF红色荧光粉在500-560nm的绿光波段几乎无吸收，且发光频谱很窄，在相同发光峰的条件下具有和红色量子点一样的色域表现。因此用KSF红色荧光粉层4来代替传统的红色量子点层，可不增加绿色量子点的使用量而达到同样的显示效果，进而控制了量子点膜片100的成本。而且由于量子点中主要含镉元素，不增加绿色量子点的使用量，也可进一步降低量子点膜片100对人体的危害。
其次，由于KSF红色荧光粉层4中的KSF红色荧光粉为颗粒状，因此KSF红色荧光粉层4的表面不光滑，表面粗糙度较高。因此在本发明中，在所述第一表面11的所述PET层3远离所述阻隔层2一侧的表面设置KSF红色荧光粉层4，可替代传统的在所述第一表面11的所述PET层3远离所述阻隔层2一侧的表面设置的粗糙层。这不仅可以降低量子点膜片100的成本，还可以提高量子点膜片100的显示性能，使量子点膜片100发出的光线柔和，且纯度较高。
本发明实施方式中，所述第二表面12上所述PET层3远离所述阻隔层2的一侧表面的粗糙度为10-100nm。因为第二表面12的PET层3需要与导光板、扩散板等相连接，而PET层3与导光板、扩散板等需要有粗糙的表面来防止吸附现象的发生。而现有的导光板和扩散板的表面本身就比较粗糙。因此本发明所述第二表面12的所述PET层3远离所述阻隔层2的一侧为光滑表面即可避免PET层3与导光板或扩散板等发生吸附现象，且表面粗糙度为10-100nm。
本发明实施方式中，所述KSF红色荧光粉层4的表面粗糙度为5-30μm。因为本发明KSF红色荧光粉层4的表面粗糙度为5-30μm，KSF红色荧光粉层4的表面本身就很粗糙。因此可以用KSF红色荧光粉层4来代替所述第一表面11的所述PET层3远离所述阻隔层2一侧粗糙层。这样可以减少量子点膜片100的制备步骤、降低成本。优选地，所述KSF红色荧光粉层4的表面粗糙度为10-20μm。
本发明实施方式中，所述KSF红色荧光粉层4包括KSF红色荧光粉和荧光胶，所述KSF红色荧光粉的化学式为A2BF6:Mn4+，其中，A代表锂元素、钠元素、钾元素、铷元素或铯元素，B代表锗元素、硅元素、锡元素、钛元素或镐元素。荧光胶包括UV胶和硅胶中的一种或多种。优选地，本发明KSF红色荧光粉为K2SiF6:Mn4+，荧光胶为UV胶。
本发明实施方式中，所述KSF红色荧光粉的粒径为10-60μm。本发明实施方式中，所述KSF红色荧光粉层4的厚度为30-120μm。优选地，所述KSF红色荧光粉的粒径为20-50μm。优选地所述KSF红色荧光粉层4的厚度为50-100μm。
本发明实施方式中，所述绿色量子点层1包括绿色量子点和荧光胶，所述绿色量子点包括有机钙钛矿量子点、无机钙钛矿量子点和具有核壳结构的量子点中的一种或多种，所述具有核壳结构的量子点包括内核和形成于所述内核外部的外壳，所述内核的材质包括硒化镉、二硫化铟铜和磷化铟中的一种或多种，所述外壳的材质包括镉、硒、硫化镉、氧化锌、硫化锌和硒化锌中的一种或多种。优选地，本发明的绿色量子点为有机钙钛矿量子点、无机钙钛矿量子点、以硒化镉为内核，硫化镉为外壳的绿色量子点或磷化铟为内核，氧化锌为外壳的绿色量子点。
本发明实施方式中，所述绿色量子点的粒径为1-20nm。绿色量子点的粒径为1-20nm时，才能发出更佳的绿色光线。优选地，所述绿色量子点的粒径为5-10nm。
本发明实施方式中，所述量子点膜片100的厚度为70-400μm。本发明优选实施方式中，所述绿色量子点层1的厚度为20-150μm。优选地，所述量子点膜片100的厚度为100-300μm。优选地，所述绿色量子点层1的厚度为50-100μm。
本发明实施例提供的一种背光源模组，包括本发明实施例提供的量子点膜片100。
本发明实施例提供的一种背光源模组，由于本发明使用了KSF红色荧光粉层4来代替传统的红色量子点层，因此会极大地降低背光源模组的成本，同时提高背光源模组的显示性能，具有很强的实用性。
以上对本发明实施方式所提供的内容进行了详细介绍，本文对本发明的原理及实施方式进行了阐述与说明，以上说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种量子点膜片，其特征在于，包括绿色量子点层，所述绿色量子点层包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面上均依次层叠设置有阻隔层和PET层，所述第一表面的所述PET层上还设有KSF红色荧光粉层。
2.如权利要求1所述的量子点膜片，其特征在于，所述第二表面上所述PET层远离所述阻隔层的一侧表面的粗糙度为10-100nm。
3.如权利要求1所述的量子点膜片，其特征在于，所述KSF红色荧光粉层的表面粗糙度为5-30μm。
4.如权利要求1所述的量子点膜片，其特征在于，所述KSF红色荧光粉层包括KSF红色荧光粉和荧光胶，所述KSF红色荧光粉的化学式为A2BF6:Mn4+，其中，A代表锂元素、钠元素、钾元素、铷元素或铯元素，B代表锗元素、硅元素、锡元素、钛元素或镐元素。
5.如权利要求4所述的量子点膜片，其特征在于，所述KSF红色荧光粉的粒径为10-60μm。
6.如权利要求1所述的量子点膜片，其特征在于，所述KSF红色荧光粉层的厚度为30-120μm。
7.如权利要求1所述的量子点膜片，其特征在于，所述绿色量子点层包括绿色量子点和荧光胶，所述绿色量子点包括有机钙钛矿量子点、无机钙钛矿量子点和具有核壳结构的量子点中的一种或多种，所述具有核壳结构的量子点包括内核和形成于所述内核外部的外壳，所述内核的材质包括硒化镉、二硫化铟铜和磷化铟中的一种或多种，所述外壳的材质包括镉、硒、硫化镉、氧化锌、硫化锌和硒化锌中的一种或多种。
8.如权利要求7所述的量子点膜片，其特征在于，所述绿色量子点的粒径为1-20nm。
9.如权利要求1所述的量子点膜片，其特征在于，所述量子点膜片的厚度为70-400μm。
10.一种背光源模组，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的量子点膜片。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111849462A (zh) * 2020-07-02 2020-10-30 致晶科技（北京）有限公司 一种钙钛矿量子点光学复合膜及其应用
CN114002882A (zh) * 2021-11-26 2022-02-01 杭州英诺维科技有限公司 一种Mini LED背光源模组结构

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103343943A (zh) * 2013-05-08 2013-10-09 深圳市华星光电技术有限公司 显示装置的背光模组以及白光led
CN104777669A (zh) * 2015-04-24 2015-07-15 张家港康得新光电材料有限公司 量子点膜及背光模组
CN105449074A (zh) * 2014-09-24 2016-03-30 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN105793644A (zh) * 2014-10-16 2016-07-20 凸版印刷株式会社 量子点保护膜、使用了该量子点保护膜的量子点膜及背光单元
CN106206911A (zh) * 2015-05-26 2016-12-07 夏普株式会社 发光装置和图像显示装置
CN205919261U (zh) * 2016-05-13 2017-02-01 中强光电股份有限公司 色彩转换膜及应用此色彩转换膜的面光源
US20170125650A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-04 Nanoco Technologies Ltd. Display devices comprising green-emitting quantum dots and red KSF phosphor
CN106981562A (zh) * 2017-03-30 2017-07-25 深圳市华星光电技术有限公司 量子点led封装结构
CN107017325A (zh) * 2015-11-30 2017-08-04 隆达电子股份有限公司 量子点复合材料及其制造方法与应用
CN107123726A (zh) * 2017-03-20 2017-09-01 武汉保丽量彩科技有限公司 一种新型的高色域发光器件及其制备方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103343943A (zh) * 2013-05-08 2013-10-09 深圳市华星光电技术有限公司 显示装置的背光模组以及白光led
CN105449074A (zh) * 2014-09-24 2016-03-30 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN105793644A (zh) * 2014-10-16 2016-07-20 凸版印刷株式会社 量子点保护膜、使用了该量子点保护膜的量子点膜及背光单元
CN104777669A (zh) * 2015-04-24 2015-07-15 张家港康得新光电材料有限公司 量子点膜及背光模组
CN106206911A (zh) * 2015-05-26 2016-12-07 夏普株式会社 发光装置和图像显示装置
US20170125650A1 (en) * 2015-11-02 2017-05-04 Nanoco Technologies Ltd. Display devices comprising green-emitting quantum dots and red KSF phosphor
CN107017325A (zh) * 2015-11-30 2017-08-04 隆达电子股份有限公司 量子点复合材料及其制造方法与应用
CN205919261U (zh) * 2016-05-13 2017-02-01 中强光电股份有限公司 色彩转换膜及应用此色彩转换膜的面光源
CN107123726A (zh) * 2017-03-20 2017-09-01 武汉保丽量彩科技有限公司 一种新型的高色域发光器件及其制备方法
CN106981562A (zh) * 2017-03-30 2017-07-25 深圳市华星光电技术有限公司 量子点led封装结构

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111849462A (zh) * 2020-07-02 2020-10-30 致晶科技（北京）有限公司 一种钙钛矿量子点光学复合膜及其应用
CN111849462B (zh) * 2020-07-02 2024-02-20 致晶科技（北京）有限公司 一种钙钛矿量子点光学复合膜及其应用
CN114002882A (zh) * 2021-11-26 2022-02-01 杭州英诺维科技有限公司 一种Mini LED背光源模组结构
CN114002882B (zh) * 2021-11-26 2024-04-30 杭州英诺维科技有限公司 一种Mini LED背光源模组结构

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