CN107994120B - Sn2Nb2O7光阳极材料及Sn2Nb2O7光电极薄膜 - Google Patents
Sn2Nb2O7光阳极材料及Sn2Nb2O7光电极薄膜 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了Sn2Nb2O7光阳极材料及Sn2Nb2O7光电极薄膜。以SnO和Nb2O5为原料,利用固相反应法制备Sn2Nb2O7粉体,将此粉体作为原材料,利用电泳沉积法将此材料制备成薄膜电极。并将Sn2Nb2O7光电极薄膜焙烧,得到结晶性较好的电极薄膜。Sn2Nb2O7是一种多元金属氧化物,其能带位置横跨水的导带与价带的位置,适合进行水的分解,其在水溶液中性质稳定,具有良好的光化学特性,并且制备方法简单。对于Sn2Nb2O7的探究,为水的分解提供新的催化材料,有益于可再生能源的研究,缓解当今环境能源紧张的严峻形势。
Description
技术领域
本发明属于光电化学技术领域,具体涉及一种新的光阳极材料Sn2Nb2O7及其应用。
背景技术
光电化学分解水制氢将太阳能转换成可储存的化学能,是21世纪解决环境和能源问题的主要手段。光阳极材料的开发是实现光电化学分解水大规模应用的关键。作为理想的光阳极半导体材料必须同时具备合适的带隙、导带价带能级、有效的载流子传输、稳定性好和成本低等特点。然而,迄今为止还没有发现能同时满足上述要求的光阳极材料。因此,改善现有半导体材料的性能,同时发展新的具有应用前景的光阳极新材料势在必行。
Sn2Nb2O7是一种多元金属氧化物,其能带位置横跨水的导带与价带的位置,适合进行水的分解,其在水溶液中性质稳定,并且具有良好的光化学特性,在光催化降解污染物领域有着良好的效果。迄今为止,对于Sn2Nb2O7半导体材料的研究很少,对于其作为光阳极材料的光电化学性能的研究几乎没有。因此,有必要对其潜在的性能进行研究。
发明内容
本发明的目的是提供一种新的光阳极材料Sn2Nb2O7的制备方法,本发明制备方法简单、操作方便、条件温和、有利于大规模制备。
本发明采用的技术方案为:一种Sn2Nb2O7光阳极材料,制备方法包括如下步骤:将SnO和Nb2O5混合于乙醇中,采用球磨法,将混合物料分散均匀,乙醇清洗,烘干,高温退火处理后,冷却至室温,研磨,得Sn2Nb2O7光阳极材料。
上述的一种Sn2Nb2O7光阳极材料,按摩尔比,SnO:Nb2O5=1:(0.5-0.7)。
上述的一种Sn2Nb2O7光阳极材料,SnO和Nb2O5混合物与乙醇的固液比为1:2。
上述的一种Sn2Nb2O7光阳极材料,所述的球磨法中,转速为200r/min,研磨14h。
上述的一种Sn2Nb2O7光阳极材料,所述的高温退火处理是:退火温度为900℃,时间4h。
一种Sn2Nb2O7光电极薄膜,制备方法包括如下步骤:将适量Sn2Nb2O7光阳极材料分散于含I2的丙酮水溶液中,在超声波的震荡下,获得悬浮液,将两个面积相等的透明导电玻璃 (FTO)面对面相互平行浸入悬浮液中,并在两电极间施加直流电压,沉积1-5min,切断电流,将透明导电玻璃从悬浮液中取出,在室温下晾干后,于管式炉中,氮气环境下焙烧,得到Sn2Nb2O7光电极薄膜。
上述的一种Sn2Nb2O7光电极薄膜,所述的含I2的丙酮水溶液中,按体积比,丙酮:水=25:1,每1ml丙酮水溶液中含有0.4mg的I2。
上述的一种Sn2Nb2O7光电极薄膜,按质量比,Sn2Nb2O7∶I2=10∶1。
上述的一种Sn2Nb2O7光电极薄膜,直流电压为20V。
上述的一种Sn2Nb2O7光电极薄膜,于管式炉中焙烧温度为400-500℃,焙烧90min。
本发明的有益效果是:Sn2Nb2O7是一种非金属N型半导体,由于具有良好的光学特性,可以吸收波长小于520nm的可见光,使其在光催化领域引起人们的关注,其禁带宽度为2.8eV,导带与价带位置横跨水的导带价带位置,具有分解水的潜在价值,并且本发明的制备方法简单、方便操作。为水的分解提供新的催化材料,缓解当今的环境能源紧张的局势。
附图说明
图1为实施例1中球磨焙烧得到的Sn2Nb2O7粉末的XRD图。
图2为实施例2中不同焙烧温度的Sn2Nb2O7薄膜的XRD图。
图3为实施例2中不同焙烧温度下得到的Sn2Nb2O7薄膜的SEM图;
其中,a:Sn2Nb2O7-400;b:Sn2Nb2O7-450;c:Sn2Nb2O7-500。
图4为实施例3中不同焙烧温度下得到的Sn2Nb2O7薄膜的光电流的对比图。
图5为实施例3中不同焙烧温度下得到的Sn2Nb2O7薄膜的阻抗图谱的对比图。
图6为实施例3中Sn2Nb2O7薄膜的量子效率图。
具体实施方式
实施例1 Sn2Nb2O7光阳极材料
(一)制备方法
按SnO和Nb2O5混和物与乙醇的固液比1g:2ml,取7.5mmol的SnO和5mmol的 Nb2O5混合于乙醇中,至于球磨罐中,罐中研磨球为265g;启动球磨机,设置转速为200 r/min,研磨14h,关闭电源,用乙醇清洗后并烘干,将烘干后的粉体在马弗炉中900℃退火处理4h,冷却至室温,得到Sn2Nb2O7粉末。
(二)检测
将得到的Sn2Nb2O7粉末进行XRD测试,结果如图1所示,由图1可见,Sn2Nb2O7具有良好的结晶性。
实施例2 Sn2Nb2O7光电极薄膜
(一)Sn2Nb2O7光电极薄膜Sn2Nb2O7-400制备
1)取10mg I2置于25ml丙酮水溶液中(水与丙酮的体积比为1∶25),密封超声60min至溶液分散均匀,得含有I2的丙酮水溶液。
2)取0.1g实施例1制备的Sn2Nb2O7粉末分散于含有I2的丙酮水溶液中,密封超声90min,得到电泳沉积悬浮液。
3)将两个面积相等的透明导电玻璃(FTO)面对面相互平行浸入电泳沉积悬浮液中,并在两电极间施加20V的直流电压,沉积1min。
4)切断电流,将透明导电玻璃(FTO)从悬浮液中取出,在室温条件下晾干,并在管式炉氮气环境中,于400℃焙烧90min,得到Sn2Nb2O7光电极薄膜,标记为Sn2Nb2O7-400。
(二)Sn2Nb2O7光电极薄膜Sn2Nb2O7-450制备
方法同(一),改变步骤4)的焙烧温度为450℃,得到Sn2Nb2O7光电极薄膜,标记为Sn2Nb2O7-450。
(三)Sn2Nb2O7光电极薄膜Sn2Nb2O7-500制备
方法同(一),改变步骤4)的焙烧温度为500℃,得到Sn2Nb2O7光电极薄膜,标记为Sn2Nb2O7-500。
(四)检测
将得到的Sn2Nb2O7-400、Sn2Nb2O7-450和Sn2Nb2O7-500三个样品进行XRD测试,结果如图2所示,由图2可见,随着焙烧温度的增高,样品的结晶度增强;再将样品进行SEM 测试,结果如图3所示,由图3可见,随着温度的增高,薄膜表面孔隙率变低,薄膜更致密。
实施例3 Sn2Nb2O7光电极薄膜的应用
分别将实施例2制备的Sn2Nb2O7-400、Sn2Nb2O7-450和Sn2Nb2O7-500光电极薄膜进行光电流、阻抗、以及量子效率等的光电化学性能测试。
所有电化学实验测试过程都在三电极体系的电化学工作站(Princeton AppliedResearch 2273)中进行。样品薄膜作为工作电极,铂片为对电极,Ag/AgCl为参比电极,电解液为 0.5M硫酸钠,样品光照射面积为1cm2。
光电流测试:光源为300W氙灯,偏压为1.18V vs.VRHE,测得结果如图4所示,结果显示,焙烧温度对光电流的影响,随着温度的升高,光电流也随之增大。
电化学阻抗谱(EIS)测试:固定的电压为0V vs.Voc,频率范围是0.1~105Hz。测得结果如图5所示,焙烧温度越高,阻抗越小;
量子效率(IPCE)测试:选取多个波长(365nm,380nm,390nm,410nm,420nm,430nm,450nm,460nm,490nm,520nm)的单色光照射样品,测得其在偏压为1.18V vs.VRHE时的光电流。利用公式:
其中,I为光电流密度(单位:mA),λ为入射单色光波长(nm),P为入射光强(单位:mW)。通过计算得出量子效率的值,结果如图6所示,在波长为390nm单色光照射下的量子效率最高。
Claims (4)
1.一种Sn2Nb2O7光电极薄膜,其特征在于:所述Sn2Nb2O7光电极薄膜用于分解水,制备方法包括如下步骤:将适量Sn2Nb2O7光阳极材料分散于含I2的丙酮水溶液中,在超声波的震荡下,获得悬浮液,将两个面积相等的透明导电玻璃(FTO)面对面相互平行浸入悬浮液中,并在两电极间施加直流电压,沉积1-5min,切断电流,将透明导电玻璃从悬浮液中取出,在室温下晾干后,于管式炉中,氮气环境下,400-500℃,焙烧90min,得到Sn2Nb2O7光电极薄膜;
所述Sn2Nb2O7光阳极材料制备方法包括如下步骤:将SnO和Nb2O5混合于乙醇中,采用球磨法,将混合物料分散均匀,乙醇清洗,烘干后,900℃高温退火处理4h,冷却至室温,研磨,得Sn2Nb2O7光阳极材料;
按摩尔比,SnO : Nb2O5=1 :(0.5-0.7);
SnO和Nb2O5混合物与乙醇的固液比为1:2;
所述的球磨法中,转速为200 r/min,研磨14h。
2.根据权利要求1所述的一种Sn2Nb2O7光电极薄膜,其特征在于:所述的含I2的丙酮水溶液中,按体积比,丙酮:水=25:1,每1ml丙酮水溶液中含有0.4 mg的I2。
3.根据权利要求1所述的一种Sn2Nb2O7光电极薄膜,其特征在于:按质量比,Sn2Nb2O7: I2=10:1。
4.根据权利要求1所述的一种Sn2Nb2O7光电极薄膜,其特征在于:直流电压为20V。
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