CN107993829A - 一种电子元件的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子元件的制作方法,包括:a、提供烧结后的磁体;b、对烧结后的磁体进行冷热交替处理;其中,所述冷热交替处理的初始是进行冷处理;c、在经过冷热交替处理后的磁体上形成端电极;d、对形成端电极的磁体进行冷热交替处理。a至d四个步骤中,b和d可以只包括其中一个,也可同时包括两个。即该制作方法由步骤a、b和c构成,或由步骤a、c和d构成,或由步骤a至d构成。本发明提供的前述制作方法,基于不同材料之间热膨胀系数的差异,对产品进行反复交替的冷热处理,使得不同材料的两相界面脱离从而释放内部残留应力,使得产品在使用前处于稳定状态。

Description

一种电子元件的制作方法
技术领域
本发明涉及电子元件的制作方法,尤其是铁氧体电子元件的制作方法。
背景技术
近年来,随着电子元器件的广泛应用,在注重元件性能的同时,更加关注元件的可靠性,尤其是寿命可靠性。汽车和航天航空等军工应用领域由于电子元件应用环境更为苛刻、安全性要求高,从而对可靠性要求就更高。
然而,电子元件往往由两种以上材料组成,不同种类的材料往往显示出各自不同的热膨胀系数,彼此之间差别很大,尤其是铁氧体材料与金属材料银之间。因此,由于烧结造成的叠层体各种材料之间热膨胀和收缩的差别,使得在烧结之后的冷却过程中叠层烧结体内部产生残余内应力,由于内应力的产生,一方面会影响到电子元件的电性能的提升,更为关键的是在使用过程和长期的寿命试验中残留的内应力会逐步释放,从而导致电子元件电性能的改变,可能导致电子元件失效,进一步会影响到复合叠层型电子部件的可靠性。其中比较典型的是叠层铁氧体电感和磁珠。这使得如何释放电子元件内部残留内应力改善电子元件可靠性变得十分迫切。
以上背景技术内容的公开仅用于辅助理解本发明的发明构思及技术方案,其并不必然属于本专利申请的现有技术,在没有明确的证据表明上述内容在本专利申请的申请日前已经公开的情况下,上述背景技术不应当用于评价本申请的新颖性和创造性。
发明内容
本发明提出一种电子元件的制作方法,利用冷热交替处理的方式来释放电子元件内由于共烧的两种或多种材料之间热膨胀系数不同所产生的内应力,使得电子元件在出厂使用前提前释放材料和工艺产生的不稳定因素,达到提升相应电子元件的感值或阻抗,以及提升使用过程中的可靠性,延长使用寿命的目的。
为达上述目的,本发明其中一实施方式提出了以下技术方案:
一种电子元件的制作方法,包括:
提供烧结后的磁体;
对烧结后的磁体进行冷热交替处理;其中,所述冷热交替处理的初始是进行冷处理;
将经过冷热交替处理后的磁体放至常温,然后在磁体上形成端电极。
优选地,所述制作方法还包括对形成端电极的磁体进行冷热交替处理。
优选地,所述冷热交替处理具体包括:
A、将磁体置于液氮中5~15min,以进行所述冷处理;
B、将从液氮中取出的磁体放入一保温装置中保温5~15min,保温的温度为100~200℃,以进行热处理;
A和B交替进行预定次数。
优选地,所述预定次数不超过3次。
优选地,将带有内电极图案的铁氧体基片依次进行层叠、切割和烧结后得到所述烧结后的磁体。
为达前述目的,本发明另一实施方式提出了以下技术方案:
一种电子元件的制作方法,包括:
提供烧结后的磁体;
在烧结后的磁体上形成端电极;
对形成端电极的磁体进行冷热交替处理;其中,所述冷热交替处理的初始是进行冷处理。
本发明提供的前述制作方法,基于不同材料之间热膨胀系数的差异,对产品进行反复交替的冷热处理,使得不同材料的两相界面脱离从而释放内部残留应力,使得产品在使用前处于稳定状态。例如,磁体的铁氧体与内电极金属银之间的热膨胀系数具有差异性,利用交替冷热处理的方式,可以释放在烧结过程中由于热膨胀系数不同产生的内应力,以在产品出厂前消除不稳定因素,提高电子元件的使用寿命和使用稳定性。
附图说明
图1是本发明其中一种实施例提供的电子元件制作方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施方式对本发明作进一步说明。
本发明的具体实施方式提供了一种电子元件的制作方法,可用于制作例如叠层片式铁氧体电感或铁氧体磁珠等电子元件,该制作方法通过对磁体在形成端电极之前和/或形成端电极之后进行反复的冷热交替处理,来释放磁体内部和/或磁体与端电极之间的内应力,使得电子元件在出厂使用前提前释放材料和工艺产生的不稳定因素,达到提升相应电子元件的感值或阻抗,以及提升使用过程中的可靠性,延长使用寿命的目的。
如图1所示,所述制作方法包括:
a、提供烧结后的磁体;
b、对烧结后的磁体进行冷热交替处理;其中,所述冷热交替处理的初始是进行冷处理;
c、将经过冷热交替处理后的磁体放至常温,然后在磁体上形成端电极;
d、对形成端电极的磁体进行冷热交替处理。
需要说明的是,本实施方式提供的制作方法的上述四个步骤a~d中,对磁体进行冷热交替处理的两个步骤b和d可以只包括其中任一个,也就是可以只对烧结后、形成端电极之前的磁体进行冷热交替处理,也可以只对形成端电极之后的磁体进行冷热交替处理;优选地同时包括b和d,还可以是烧结后、形成端电极之前就进行冷热交替处理,在形成端电极之后又再次进行冷热交替处理。即,所述制作方法可以是由步骤a、b、和c构成,也可以是由a、c和d构成,还可以是由步骤a、b、c和d构成。
所述冷热交替处理过程的冷处理例如可以是将磁体置于液氮中一段时间,例如5~15min;热处理例如可以是将刚经过冷处理的磁体立即放入一保温装置中,以100~200℃热处理5~15min。这样冷热交替进行多次,优选地不超过3次。例如,烧结后的磁体放入液氮中冷却10min,取出来立即放入150℃的烘烤箱中热处理10min,又取出来立即放入液氮中冷却……,如此反复地进行高低温冲击来消除由于材料热膨胀系数不同所产生的内应力。
本发明的具体实施方式中,在步骤a所提供的磁体是将带有内电极图案的铁氧体基片依次进行层叠、切割和烧结后得到的。
接下来以一具体的实施例来对本发明的制作方法进行更详细的阐述。
步骤a、提供磁体,具体如下:
a1、制备Fe2O3、CuO、ZnO与NiO的粉末混合物,按总重量为1计,所述粉末混合物优选包含62wt%Fe2O3、6wt%CuO、16wt%ZnO以及16wt%NiO;
a2、对所述粉末混合物进行700℃的预烧,预烧后细化成平均粒径0.5~1um的粉体备用;
a3、将a2得到的混合粉末与异丁醇的酯类溶液搅拌混合,并加入有机粘合剂和分散剂,采用球磨机搅拌,持续10小时形成铁氧体浆料,然后通过涂布工艺,形成铁氧体基片;
a4、在铁氧体基片上印刷上预设电极图案,形成内电极;
a5、将得到的铁氧体基片相互层叠,形成铁氧体巴块,接着将其切割成预定大小的铁氧体元件主体;
a6、将a5得到的铁氧体元件主体在900℃空气氛围中进行烧结,从而形成所述烧结后的磁体。
步骤b、反复的冷热交替处理,具体如下:
b1、将a6烧结得到的磁体放入密闭的液氮环境中进行冷处理,大约持续5~15min,再取出;
b2、冷处理后取出的磁体立即放入已经设定好温度的一烤箱中进行100~200℃的烘烤,即热处理;
经过b2热处理的磁体取出后立即又放入液氮中,以开始第二轮的冷热交替工序,如此交替,3次为优。当然,次数再多几次,效果会稍微好一些,内应力的去除会稍微充分一些。
经过上述最后一轮的热处理之后,待磁体冷却至常温,准备进行步骤c。
步骤c、为磁体端电极工序,具体包括:在一平整的金属基板上形成具有一定厚度的银膜,接着将已经固定好的经过步骤b处理的元件磁体插入银膜,从而在磁体上形成端电极,得到叠层片式铁氧体电感或磁珠。
步骤d、对已经形成端电极的磁体,再次进行步骤b所述的冷热交替处理。最终得到经过了高低温冲击处理的电子元件例如叠层片式铁氧体电感或磁珠。
为了说明本发明的制作方法对所得到的电子元件的性能提升效果,本发明与未进行高低温冲击(冷热交替处理)但其它制作步骤基本相同的电子元件进行比较,分别测定100MHz下的叠层片式铁氧体磁珠产品的阻抗Z以及高温负载可靠性,以进行比对。
其中,上述测定过程可在如下条件下进行:
1)100MHz下的叠层片式铁氧体磁珠产品阻抗Z的测定条件:用Agilent设备E4991+16192测试夹具测试叠层片式铁氧体磁珠的阻抗Z。
2)高温负载可靠性实验条件:实验温度125℃,接通电流情况下,实验2000小时,电流大小由磁珠额定电流决定;测试磁珠产品在高温负载实验前的阻抗Z1和实验后阻抗Z2,看高温处理对磁珠的阻抗值所产生的变化,用(Z2-Z1)/Z1*100%来衡量。产品失效率按照阻抗变化率超过±20%进行统计。从而得到如下的数据对比表1:
表1
从上述对比实验的结果可以看出,本发明实施例所制作出的磁珠产品,由于经过所述冷热交替处理,释放了产品内应力,消除了由于产品材料所带来的产品不稳定因素,使得磁珠的阻抗得以提高,高温稳定性得以保证,验证了本发明的效果。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干等同替代或明显变型,而且性能或用途相同,都应当视为属于本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种电子元件的制作方法,包括:
提供烧结后的磁体;
对烧结后的磁体进行冷热交替处理;其中,所述冷热交替处理的初始是进行冷处理;
将经过冷热交替处理后的磁体放至常温,然后在磁体上形成端电极。
2.如权利要求1所述的电子元件的制作方法,其特征在于:还包括对形成端电极的磁体进行所述冷热交替处理。
3.如权利要求1或2所述的电子元件的制作方法,其特征在于:所述冷热交替处理具体包括:
A、将磁体置于液氮中5~15min,以进行所述冷处理;
B、将从液氮中取出的磁体放入一保温装置中保温5~15min,保温的温度为100~200℃,以进行热处理;
A和B交替进行预定次数。
4.如权利要求3所述的电子元件的制作方法,其特征在于:所述预定次数不超过3次。
5.如权利要求1所述的电子元件的制作方法,其特征在于:将带有内电极图案的铁氧体基片依次进行层叠、切割和烧结后得到所述烧结后的磁体。
6.一种电子元件的制作方法,包括:
提供烧结后的磁体;
在烧结后的磁体上形成端电极;
对形成端电极的磁体进行冷热交替处理;其中,所述冷热交替处理的初始是进行冷处理。
7.如权利要求6所述的电子元件的制作方法,其特征在于:所述冷热交替处理具体包括:
A、将磁体置于液氮中5~15min,以进行所述冷处理;
B、将从液氮中取出的磁体放入一保温装置中保温5~15min,保温的温度为100~200℃,以进行热处理;
A和B交替进行预定次数。
8.如权利要求7所述的电子元件的制作方法,其特征在于:所述预定次数不超过3次。
9.如权利要求6所述的电子元件的制作方法,其特征在于:将带有内电极图案的铁氧体基片依次进行层叠、切割和烧结后得到所述烧结后的磁体。
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