CN107968141A - 发光装置及其制作方法 - Google Patents

Abstract

一种发光装置，包括：至少一发光单元、波长转换胶层以及反射保护件。发光单元具有彼此相对的上表面与下表面。发光单元包括二电极垫，且二电极垫位于下表面。波长转换胶层设置于上表面。波长转换胶层包括低浓度荧光胶层以及高浓度荧光胶层。高浓度荧光胶层位于低浓度荧光胶层与发光单元之间。反射保护件包覆发光单元以及部分波长转换胶层，且至少暴露出发光单元的二电极垫及低浓度荧光胶层。高浓度荧光胶层的宽度为W_H。低浓度荧光胶层的宽度为W_L。发光单元的宽度为W_E。发光装置更满足以下的不等式。W_E<W_L,W_H<W_L以及0.8<W_H/W_E≦1.2。另，一种发光装置的制作方法亦被提供。

Description

发光装置及其制作方法

技术领域

本发明是有关于一种发光装置及其制作方法，且特别是有关于一种以发光二极管作为光源的发光装置及其制作方法。

背景技术

于一般白光发光二极管结构中，蓝光发光二极管芯片上会覆盖一层黄光荧光粉。白光发光二极管结构发出白光的机制为透过蓝光发光二极管芯片发出蓝光，部分蓝光通过于其上的黄光荧光粉后而转换成黄光，而黄光与其他部分的蓝光进而结合以达到发出白光的效果。由于蓝光发光二极管芯片所发出的蓝光具有高程度的指向性，使得大角度偏离光轴的蓝光较弱，而较靠近光轴的蓝光较强。因此，当不同强度的蓝光照射到荧光粉时，较靠近光轴处对应发出的白光的色温较高(即蓝光比例高)，较远离光轴处对应发出白光的色温较低(即蓝光比例低)。上述的现象亦被称为黄圈现象，而此现象造成白光发光二极管结构的出光色温不均。

发明内容

本发明提供一种发光装置，其发出的光色温均匀。

本发明提供一种发光装置的制造方法，其制造出的发光装置发出的光色温均匀。

本发明的实施例提供一种发光装置，包括至少一发光单元、波长转换胶层以及反射保护件。发光单元具有彼此相对的上表面与下表面。发光单元包括二电极垫，且二电极垫位于发光单元的下表面。波长转换胶层设置于发光单元的上表面。波长转换胶层包括低浓度荧光胶层以及高浓度荧光胶层，且高浓度荧光胶层位于低浓度荧光胶层与发光单元之间。反射保护件包覆发光单元以及部分波长转换胶层，且至少暴露出发光单元的二电极垫及低浓度荧光胶层。高浓度荧光胶层的宽度为W_H。低浓度荧光胶层的宽度为W_L。发光单元的宽度为W_E。发光装置更满足以下的不等式：W_E<W_L,W_H<W_L以及0.8<W_H/W_E≦1.2。

在本发明的一实施例中，上述的波长转换胶层更包括第一平台部与多个第二平台部。第一平台部包括高浓度荧光胶层以及低浓度荧光胶层的第一部分，且各第二平台部包括低浓度荧光胶层的第二部分，且低浓度荧光胶层的第一部分与低浓度荧光胶层的第二部分相连。

在本发明的一实施例中，上述的反射保护件具有凹面，凹面往波长转换胶层的方向凹陷。

在本发明的一实施例中，上述的发光装置更包括透光胶层。发光单元更包括连接于上表面与下表面的侧表面。透光胶层设置于低浓度荧光胶层上且延伸至发光单元的侧表面。

在本发明的一实施例中，上述的反射保护件包覆波长转换胶层而暴露出波长转换胶层的部分侧面。

在本发明的一实施例中，上述的反射保护件具有反射面，反射面与发光单元接触。

在本发明的一实施例中，上述的反射面的第一侧与发光单元接触，而反射面的第二侧朝向波长转换胶层且往远离发光单元的方向延伸。

在本发明的一实施例中，上述的反射面为曲面。

本发明的实施例提供一种发光装置的制作方法，包括：形成波长转换胶层，波长转换胶层包括低浓度荧光胶层以及高浓度荧光胶层。提供多个发光单元。在波长转换胶层中形成多个沟槽，以在这些沟槽之间定义出多个接合区域，且在接合区域中的高浓度荧光胶层的宽度为W_H，低浓度荧光胶层的宽度为W_L，发光单元的宽度为W_E，此步骤更满足以下的不等式：W_E<W_L,W_H<W_L以及0.8<W_H/W_E≦1.2。将这些发光单元分别接合于这些接合区域中的这些高浓度荧光胶层。形成反射保护件于波长转换胶层上以及这些发光单元之间并填满这些沟槽，其中反射保护件暴露出这些发光单元的这些电极垫。沿着这些沟槽进行切割程序，以形成多个发光装置。

在本发明的一实施例中，在上述的在波长转换胶层中形成这些沟槽的步骤中，更包括：移除局部的高浓度荧光胶层以及局部的低浓度荧光胶层，以形成多个第一子沟槽。这些第一子沟槽在这些接合区域中分别形成多个第一平台部，其中各第一平台部更包括高浓度荧光胶层的第一部分以及低浓度荧光胶层的第一部分。移除局部的低浓度荧光胶层，以在这些第一子沟槽中形成多个第二子沟槽，这些第二子沟槽在这些接合区域中分别形成多个第二平台部，其中各第二平台部更包括低浓度荧光胶层的第二部分，且低浓度荧光胶层的第一部分与低浓度荧光胶层的第二部分相连。一沟槽包括一第一子沟槽以及一第二子沟槽。

在本发明的一实施例中，在上述的在这些发光单元分别接合于这些接合区域中的这些高浓度荧光胶层的步骤之前，更包括：分别形成多个透光胶层于这些接合区域中的这些高浓度荧光胶层上。

在本发明的一实施例中，在上述的在这些发光单元分别接合于这些接合区域中的这些高浓度荧光胶层的步骤中，这些发光单元分别透过这些透光胶层接合于这些高浓度荧光胶层。

在本发明的一实施例中，在上述的在形成反射保护件于波长转换胶层上以及这些发光单元之间并填满这些沟槽的步骤后，更包括：静置反射保护件，以使反射保护件形成往波长转换胶层的方向凹陷的凹面，以及固化反射保护件。

基于上述，在本发明实施例的发光装置中，高浓度荧光胶层的宽度为W_H，低浓度荧光胶层的宽度为W_L，发光单元的宽度为W_E。发光装置更满足以下的不等式：W_E<W_L,W_H<W_L以及0.8<W_H/W_E≦1.2。透过满足上述不等式的设计，本发明实施例的发光装置所发出的色光在不同角度下所呈现的色温较为一致。由于本发明实施例的发光装置的制作方法的其中一个步骤符合上述的不等式，因此以上述制作方法制作而成的发光装置所发出的色光在不同角度下所呈现的色温较为一致。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1绘示为本发明的一实施例的一种发光装置的示意图。

图2绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。

图3绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。

图4绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。

图5绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。

图6绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。

图7绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。

图8绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。

图9绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。

图10A至图10D绘示为本发明的一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。

图11A至图11C绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的局部步骤的剖面示意图。

图12A至图12E绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。

图13A至图13D绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的局部步骤的剖面示意图。

图14A至图14E绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。

图15A至图15E绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。

图16A至图16C绘示为本发明的多个实施例的发光装置的剖面示意图。

图17A至图17E绘示为本发明的一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。

图18A与图18B绘示为本发明的二实施例的二种发光装置的剖面示意图。

图19A至图19E绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。

图20A绘示为图19E的发光装置的立体示意图。

图20B绘示为沿图20A的线X-X的剖面示意图。

图21A绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的立体示意图。

图21B与图21C分别绘示为沿图21A的线X’-X’以及线Y’-Y’的剖面示意图。

图22A至22J绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。

图23绘示为图22J的实施例的发光装置与习知技术中发光装置在不同角度下量测色温的比较图。

符号说明

10：基板

10a：双面胶膜

20：另一基板

20a：UV胶膜

30：第一离型膜

40：第二离型膜

100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100m、100n、100p、100q、200a、200b、200c、200d：发光装置

101：单元

110a、110b、110c、110c’、110e、220：发光单元

112a、112b、112c、112e、222：上表面

113、113’、223：第一电极垫

113a：第一底面

113b：第一侧表面

114a、114b、114c、114e、224：下表面

115、115’、225：第二电极垫

115a：第二底面

115b：第二侧表面

116a、116b、116c、116e：侧表面

120、120’、120c、120d、120m、120n、120p、240、240a、240b：反射保护件

121：边缘

122、122c、122d：顶面

124、124m、124n：底面

130d、130c：第一延伸电极

140d、140c：第二延伸电极

150：封装胶层

150c、150c’、230a、230b、230c：透光胶层

160、160’：透光层

170、170’、170a、170b、210、210’：波长转换胶层

171、171a：侧边缘

172、172a、172b、214、214’：高浓度荧光胶层

172b1、174b1：第一部分

173：顶面

173a：边缘

174、174a、174b、212、212’、212”：低浓度荧光胶层

174b2：第二部分

212a、212a’、212a”：平板部

212b：突出部

212b’：突出子部

226：侧表面

232：内凹表面

234：外凸表面

236：倾斜表面

242、242a、242b：反射面

A：单元

BA：接合区域

C、C”：沟槽

C1、C1’：沟槽

C1”：第一子沟槽

C2’：第二沟槽

C2”：第二子沟槽

CS：凹面

D：深度

E：延伸电极层

G：间距

H：高度差

L：切割线

L1、L2：光束

L1’、L2’：转换光束

M1：第一金属层

M2：第二金属层

P1：第一平台部

P2：第二平台部

RS：反射面

S：间隙

T：厚度

T1：第一厚度

T2：第二厚度

W、W_E、W_L、W_H：宽度

X-X、X’-X’、Y-Y、Y’-Y’：线

具体实施方式

图1绘示为本发明的一实施例的一种发光装置的示意图。请先参考图1，在本实施例中，发光装置100a包括一发光单元110a以及一反射保护件120。发光单元110a具有彼此相对的一上表面112a与一下表面114a、一连接上表面112a与下表面114a的侧表面116a以及位于下表面114a上且彼此分离的一第一电极垫113与一第二电极垫115。反射保护件120包覆发光单元110a的侧表面116a且暴露出至少部分上表面112a及暴露出第一电极垫113的至少部分一第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分一第二底面115a。

更具体来说，如图1所示，本实施例的发光单元110a的上表面112a与反射保护件120的一顶面122切齐，反射保护件120的一底面124与第一电极垫113的一第一底面113a以及第二电极垫115的一第二底面115a切齐，且反射保护件120可覆盖或曝露出发光单元110a位于第一电极垫113与一第二电极垫115之间的下表面114a。在本实施例中，发光单元110a的侧表面116a垂直于上表面112a与下表面114a，但并不以此为限，而发光单元110a例如是发光二极管，发光二极管的发光波长(包括但不限于)介于315纳米至780纳米之间，发光二极管包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光二极管。

反射保护件120的反射率至少大于90％，也就是说，本实施例的反射保护件120具有高反射率的特性，其中反射保护件120的材质为包括一掺有高反射粒子的高分子材料，高反射粒子例如但不限于是二氧化钛(TiO₂)粉末，而高分子材料例如不限于是环氧树脂或硅树脂。此外，本实施例的发光单元110a的第一电极垫113与第二电极垫115的材质为一金属材料或金属合金，例如是金、铝、锡、银、铋、铟或其组合，但不以此为限。

在本实施例中，反射保护件120包覆发光单元110a的侧表面116a，且曝露出发光单元110a的第一电极垫113的第一底面113a以及第二电极垫115的第二底面115a，发光装置100a不需要使用习知的承载支架来支撑及固定发光单元110a，而可有效减少封装厚度以及制作成本，同时，亦可透过具有高反射率的反射保护件120来有效提高发光单元110a的正向出光效率。

在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，相同技术内容的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图2绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图1与图2，本实施例的发光装置100b与图1中的发光装置100a的主要差异之处在于：本实施例的发光单元110b的侧表面116b并非垂直于上表面112b与下表面114b，本实施例中发光单元100b的上表面112b的表面积大于下表面114b的表面积，侧表面116b与下表面114b的夹角例如是介于95度到150度之间。本实施例的发光单元110b的上表面112b、侧表面116b及下表面114b所界定的外型轮廓呈现倒梯形，因此可减少发光单元110b侧向出光，且高反射率的反射保护件120可更进一步地有效提高发光单元110b的正向出光效率。

图3绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图1与图3，本实施例的发光装置100c与图1中的发光装置100a的主要差异之处在于：本实施例的发光装置100c更包括一第一延伸电极130c以及一第二延伸电极140c。第一延伸电极130c配置于反射保护件120的底面124上，且与第一电极垫113电性连接。第二延伸电极140c配置于反射保护件120的底面124上，且与第二电极垫115电性连接。第一延伸电极130c与第二延伸电极140c彼此分离且覆盖反射保护件120的至少部分底面124。

如图3所示，本实施例的第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的设置完全重叠于第一电极垫113与第二电极垫115，且朝着反射保护件120的边缘延伸。当然，于其他未绘示的实施例中，第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的设置亦可部分重叠于第一电极垫113与第二电极垫115，只要第一延伸电极130c与第二延伸电极140c电性连接至第一电极垫113与第二电极垫115的设置即为本实施例所欲保护的范围。此外，本实施例的第一延伸电极130c与第二延伸电极140c暴露出反射保护件120的部分底面124。

在本实施例中，第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的材质可分别相同或不同于发光单元110a的第一电极垫113与第二电极垫115。当第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的材质分别相同于发光单元110a的第一电极垫113与第二电极垫115时，第一延伸电极130c与第一电极垫113之间可为无接缝连接，即为一体成型的结构，第二延伸电极140c与第二电极垫115之间可为无接缝连接，即为一体成型的结构。当第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的材质分别不同于发光单元110a的第一电极垫113与第二电极垫115时，第一延伸电极130c与第二延伸电极140c的材质可例如是银、金、铋、锡、铟或上述材料组合的合金。

由于本实施例的发光装置100c具有与发光单元110a的第一电极垫113与第二电极垫115分别电性连接的第一延伸电极130c与第二延伸电极140c，因此可有效增加发光装置100c的电极接触面积，以利于后续将此发光装置100c与其他外部电路进行组装，可有效提高对位精准度及组装效率。举例来说，第一延伸电极130c的面积大于第一电极垫113的面积，第二延伸电极140c的面积大于第二电极垫115的面积。

图4绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图3与图4，本实施例的发光装置100d与图3中的发光装置100c的主要差异之处在于：本实施例的第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于反射保护件120的边缘。

图5绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图1与图5，本实施例的发光装置100e与图1中的发光装置100a的主要差异之处在于：本实施例的发光装置100e更包括一封装胶层150，其中封装胶层150配置于发光单元110a的上表面112a上，以增加光取出率及改善光型。封装胶层150也可以延伸至反射保护件120的至少部分上表面122上，封装胶层150的边缘也可以切齐于反射保护件120的边缘。另外，封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料，波长转换材料是用以将发光单元110a所发出的至少部分光线的波长转换成其他波长，且波长转换材料的材质包括荧光材料、磷光材料、染料、量子点材料及其组合，其中波长转换材料的粒径例如是介于3微米到50微米之间。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(TiO₂)或二氧化硅(SiO₂)，以增加出光效率。

在本发明一实施例中，发光单元包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光单元，而波长转换材料包括但不限于红色、橘色、橘黄色、黄色、黄绿色或绿色的波长转换材料或其组合，用以将发光单元所发出的光的部分或全部进行波长转换。波长转换的光与波长未转换的光进行混光后，使得发光装置发出主波长(dominant wavelength)在一特定范围的光，其光色例如包括但不限于红色、橘色、橘黄色、琥珀色、黄色、黄绿色或绿色，或是发出具有特定相对色温的白光，相对色温的范围例如是介于2500K至7000K之间，但不以此为限。

图6绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图6与图4，本实施例的发光装置100f与图4中的发光装置100d的主要差异之处在于：本实施例的发光装置100f更包括一封装胶层150，其中封装胶层150配置于发光单元110a的上表面112a上，以增加光取出率及改善光型。封装胶层150也可以延伸至反射保护件120的至少部分上表面122上，封装胶层150的边缘也可以切齐于反射保护件120的边缘，另外，封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料，波长转换材料是用以将发光单元110a所发出的至少部分光线的波长转换成其他波长，且波长转换材料的材质包括荧光材料、磷光材料、染料、量子点材料及其组合，其中波长转换材料的粒径例如是介于3微米到50微米之间。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(TiO₂)或二氧化硅(SiO₂)，以增加出光效率。

须说明的是，在图4及图6的实施例中，第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于反射保护件120的边缘，这样的设计不但可以扩大电极的接触面积，且在制程中，反射保护件120可以同时封装多个相间隔的发光单元110a，之后形成图案化金属层以分别形成第一延伸电极130d与第二延伸电极140d，之后再进行切割，使每一发光装置100f的第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于反射保护件120的边缘，如此可有效节省制程时间。

图7绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图7与图5，本实施例的发光装置100g与图5中的发光装置100e的主要差异之处在于：本实施例的发光装置100g更包括一透光层160，配置于封装胶层150上，其中透光层160的透光率，例如是大于50％。在本实施例中，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光单元110a所产生的光导引至外界，可有效增加发光装置100g的光通量及光取出率，且亦可有效保护发光单元110a以避免受到外界水气与氧气的侵袭。

图8绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图8与图7，本实施例的发光装置100h与图7中的发光装置100g的主要差异之处在于：本实施例的发光装置100h的透光层160’是配置于发光单元110a的上表面110a与封装胶层150之间。

图9绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的示意图。请同时参考图9与图6，本实施例的发光装置100i与图6中的发光装置100f的主要差异之处在于：本实施例的发光装置100i更包括一透光层160，配置于封装胶层150上，其中透光层160的透光率，例如是大于50％。在本实施例中，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光单元110a所产生的光导引至外界，可有效增加发光装置100i的光通量及光取出率，且亦可有效保护发光单元110a以避免受到外界水气与氧气的侵袭。

以下将以图1、图7、图4及图9中的发光装置100a、100g、100d、100i为例，并分别配合10A至图10D、图11A至图11C、图12A至图12E以及图13A至图13D对本发明的发光装置的制作方法进行详细的说明。

图10A至图10D绘示为本发明的一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。首先，请参考图10A，将多个发光单元110a配置于一基板10上，其中每一发光单元110a具有彼此相对的上表面112a与下表面114a、连接上表面112a与下表面114a的侧表面116a以及位于下表面114a上且彼此分离的第一电极垫113与第二电极垫115。每一发光单元110a的第一电极垫113与第二电极垫115设置在基板10上。也就是说，发光单元110a的发光面，即上表面112a是相对远离基板10。在本实施例中，基板10的材质例如是不锈钢、陶瓷或其他不导电的材质。发光单元110a例如是发光二极管，发光二极管的发光波长(包括但不限于)介于315纳米至780纳米之间，发光二极管包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光二极管。

接着，请参考图10B，形成一反射保护件120’于基板10上，其中反射保护件120’包覆每一发光单元110a。也就是说，反射保护件120’完全且直接覆盖发光单元110a的上表面112a、下表面114a以及侧表面116a，且填满第一电极垫113与第二电极垫115之间的空隙。此处，反射保护件120’的反射率至少大于90％，也就是说，本实施例的反射保护件120’可具有高反射率的特性，其中反射保护件120’的材质包括一掺杂高反射粒子的高分子材料，高反射粒子例如但不限于是二氧化钛(TiO₂)粉末，而高分子材料例如不限于是环氧树脂或硅树脂。

接着，请参考图10C，移除部分反射保护件120’，而形成反射保护件120，其中反射保护件120暴露出每一发光单元110a的至少部分上表面112a。此时，每一发光单元110a的上表面112a可能切齐于反射保护件120的顶面122。此处，移除部分反射保护件120’的方法包括例如是研磨法或抛光法。

之后，请参考图10D，进行一切割程序，以沿着切割线L切割反射保护件120，而形成多个彼此分离的发光装置100a，其中每一发光装置100a分别具有至少一个发光单元110a以及反射保护件120，反射保护件120包覆发光单元110a的侧表面116a且暴露出其至少部分上表面112a。

最后，请再参考图10D，移除基板10，以暴露每一发光装置100a的反射保护件120的底面124，并曝露出每一发光装置100a的第一电极垫113的至少部分第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分第二底面115a。

图11A至图11C绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的发光装置的制作方法与上述图10A至图10D中的发光装置的制作方法的主要差异之处在于：于图10C与图10D的步骤之间，意即于移除部分反射保护件120’之后，且于进行切割程序之前，请参考图11A，形成封装胶层150于发光单元110a与反射保护件120上，以增加光取出率及改善光型。此处，封装胶层150覆盖发光单元110a的上表面112a与反射保护件120的顶面122，且封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料。波长转换材料的说明请参考前述实施例。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(TiO₂)或二氧化硅(SiO₂)，以增加出光效率。

接着，请参考图11B，形成一透光层160于发光单元110a与反射保护件120上，其中透光层160位于封装胶层150上，且覆盖封装胶层150。举例来说，透光层160的透光率大于50％。在此实施例中，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光单元110a所产生的光导引至外界，可有效增加后续所形成的发光单元封光结构100g的光通量及光取出率，且亦可有效保护发光单元110a以避免受到外界水气与氧气的侵袭。

之后，请参考图11C，进行一切割程序，以沿着切割线L切割透光层160、封装胶层150以及反射保护件120，而形成多个彼此分离的发光装置100g。最后，请再参考图11C，移除基板10，以暴露每一发光装置100g的反射保护件120的底面124，其中每一发光装置100g的反射保护件120的底面124曝露出第一电极垫113的至少部分第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分第二底面115a。在本发明另一实施例中，亦可先移除基板10再进行一切割程序。

图12A至图12E绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。请先参考图12A，本实施例的发光装置的制作方法与上述图10A至图10D中的发光装置的制作方法的主要差异之处在于：请参考图12A，本实施例的发光单元110a并不是由第一电极垫113与第二电极垫115接触基板10，而是由其上表面112a接触基板10。

接着，请参考图12B，形成一反射保护件120’于基板上，其中反射保护件包覆每一发光单元110a。

接着，请参考图12C，移除部分反射保护件120’，以形成反射保护件120，其中反射保护件120暴露出每一发光单元110a的第一电极垫113的至少部分第一底面113a以及第二电极垫115的至少部分第二底面115a。

接着，请参考图12D，形成一图案化金属层作为延伸电极层E，位于每一发光单元110a的第一电极垫113的第一底面113a上以及第二电极垫115的第二底面115a上。此处，形成图案化金属层的方法例如是蒸镀法、溅镀法、电镀法或化学镀法以及光罩蚀刻法。

接着，请参考图12E，进行一切割程序，以沿着切割线切割延伸电极层E与反射保护件120，而形成多个彼此分离的发光装置100d。每一发光装置100d分别具有至少一个发光单元110a、至少包覆发光单元110a的侧表面116a的反射保护件120、直接接触第一电极垫113的第一延伸电极130d以及直接接触第二电极垫115的第二延伸电极140d。第一延伸电极130d与第二延伸电极140d彼此分离且暴露出反射保护件120的至少部分底面124。此时，第一延伸电极130d的面积可大于第一电极垫113的面积，而第二延伸电极140d的面积可大于第二电极垫115的面积。第一延伸电极130d的边缘与第二延伸电极140d的边缘切齐于反射保护件120的边缘。

最后，请再参考图12E，移除基板10，以暴露每一发光装置100d的反射保护件120的顶面122与发光单元110a的上表面112a，其中每一发光装置100g的反射保护件120的顶面122切齐于发光单元110a的上表面112a。在本发明另一实施例中，亦可先移除基板10再进行一切割程序。

图13A至图13D绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的局部步骤的剖面示意图。本实施例的发光装置的制作方法与上述图12A至图12E中的发光装置的制作方法的主要差异之处在于：于图12D与图12E的步骤之间，意即于形成延伸电极层E之后，且于进行切割制程之前，请参考图13A，提供一另一基板20，并设置在延伸电极层E上。此处，另一基板20的材质例如是不锈钢、陶瓷或其他不导电的材质。接着，请再参考图13A，于提供另一基板20之后，移除基板10，以暴露反射保护件120的顶面122以及发光单元110a的上表面112a，其中每一发光单元110a的上表面112a切齐于反射保护件120的顶面122。

接着，请参考图13B，形成封装胶层150于发光单元110a与反射保护件120上，以增加光取出率及改善光型。此处，封装胶层150覆盖发光单元110a的上表面112a与反射保护件120的顶面122，且封装胶层150内也可以掺杂有至少一种波长转换材料。波长转换材料的说明请参考前述实施例。另外，封装胶层150内也可以掺杂具有高散射能力的氧化物，例如是二氧化钛(TiO₂)或二氧化硅(SiO₂)，以增加出光效率。

接着，请参考图13C，形成一透光层160于发光单元110a与反射保护件120上，其中透光层160位于封装胶层150上，且覆盖封装胶层150。举例来说，透光层160的透光率大于50％。此处，透光层160的材质例如是玻璃、陶瓷、树脂、压克力或硅胶等，其目的在于可发光单元110a所产生的光导引至外界，可有效增加后续所形成的发光单元封光结构100i的光通量及光取出率，且亦可有效保护发光单元110a以避免受到外界水气与氧气的侵袭。

之后，请参考图13D，进行一切割程序，以沿着切割线L切割透光层160、封装胶层150、反射保护件120及延伸电极层E，而形成多个彼此分离的发光装置100i。最后，请再参考图13D，移除另一基板20，以暴露每一发光装置100i的第一延伸电极130d与第二延伸电极140d。在本发明另一实施例中，亦可先移除基板20再进行一切割程序。

图14A至图14E绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。请先参考图14A，提供一波长转换胶层170，其中波长转换胶层170包括一低浓度荧光胶层174以及一位于低浓度荧光胶层174上的高浓度荧光胶层172。此处，形成波长转换胶层170的步骤例如是先透过掺质与胶体混合的方式(即是将液态或熔融态胶体与波长转换材料均匀混合，波长转换材料例如是荧光粉但不以此为限)，以形成波长转换胶层170，之后静置波长转换胶层170一段时间，如24小时的沉降之后，即形成上下层分离的高浓度荧光胶层172与低浓度荧光胶层174。也就是说，本实施例的波长转换层170是以两层胶层作为举例说明。当然，于其他实施例中，请参考图14A’，提供一波长转换胶层170’，其中波长转换胶层170’为单一胶层，此仍属于本发明所欲保护的范围。

接着，请参考图14B，将多个间隔排列的发光单元110c配置于波长转换胶层170上，其中每一发光单元110c具有彼此相对的一上表面112c与一下表面114c、一连接上表面112c与下表面114c的侧表面116c以及位于下表面114c上且彼此分离的一第一电极垫113与一第二电极垫115，而发光单元110c的上表面112c位于波长转换胶层170的高浓度荧光胶层172上。接着，再分别形成多个材料包含透光胶体的透光胶层150c于波长转换胶层170上且延伸至发光单元110c的侧表面116c上，其中透光胶层150c并没有完全覆盖发光单元110c的侧表面116c，而是如图14B所示，透光胶层150c是具有曲率斜面，且越靠近发光单元110c的上表面112c，即靠近波长转换胶层170，透光胶层150c的厚度越厚。此处，透光胶层150c的目的在于固定发光单元110c的位置。

须说明的是，于其他实施例中，请参考图14B’，亦可在将间隔排列的发光单元110c配置于波长转换胶层170上之前，形成一未固化且材料包含透光胶体的透光胶层150c’于波长转换胶层170上。而将发光单元110c间隔排列地配置于波长转换胶层170上之后，透光胶层150c’可延伸配置于发光单元110c与高浓度荧光胶层172之间。

接着，请同时参考图14B与图14C，在透光层150c’固化后，进行一第一切割程序，以切割波长转换胶层170，而形成多个彼此分离的单元101，其中每一单元101分别具有至少一个发光单元110c以及配置于发光单元110c的上表面112c的波长转换胶层170，且每一单元101的波长转换胶层170的两侧边缘171延伸至发光单元110c的侧表面116c之外。紧接着，请再参考图14C，将间隔排列的单元101配置于一基板10上。在本实施例中，基板10的材质例如是不锈钢、陶瓷或其他不导电的材质，于此并不加以限制。

之后，请参考图14D，形成一反射保护件120c于基板10上且包覆每一单元101的发光单元110c的侧表面116c以及波长转换胶层170的边缘171。此处，反射保护件120c的形成方式例如是透过点胶的方式所形成，其中反射保护件120c直接覆盖透光胶层150c且沿着透光胶层150c延伸覆盖于波长转换胶层170的边缘171。发光单元110c的第一电极垫113与第二电极垫115于基板10上的正投影不重叠于反射保护件120c于基板10上的正投影。此处，反射保护件120c例如是一白胶层。

最后，请同时参考图14D与图14E，进行一第二切割程序，以切割反射保护件120c，并且移除基板10，而形成多个彼此分离的发光装置100j。每一发光装置100j分别具有至少一个发光单元101以及包覆发光单元110c的侧表面116c与波长转换胶层170的边缘171的反射保护件120c。于移除基板10之后，暴露每一发光装置100j的反射保护件120c的一顶面122c与波长转换胶层170的一顶面173。在本发明另一实施例中，亦可先移除基板10再进行一切割程序。至此，已完成发光装置100j的制作。

在结构上，请再参考图14E，本实施例的发光装置100j包括发光单元110c、反射保护件120c、透光胶层150c以及波长转换胶层170。波长转换胶层170配置于发光单元110c的上表面112c上，其中波长转换胶层170包括低浓度荧光胶层174以及高浓度荧光胶层172，而高浓度荧光胶层172位于低浓度荧光胶层174与发光单元110c之间，且波长转换胶层170的边缘171延伸至发光单元110c的侧表面116c之外。此处，低浓度荧光胶层174可用来做为透光保护层，以增加水气传递路径，有效防止水气渗入。透光胶层150c配置于发光单元110c的侧表面116c与反射保护件120c之间，用以固定发光单元110c的位置。本实施例的反射保护件120c是沿着覆盖发光单元110c的侧表面116c的透光胶层150c而更包覆于波长转换胶层170的边缘171，因此本实施例的发光装置100j不需要使用习知的承载支架来支撑及固定发光单元110c，而可有效减少封装厚度以及制作成本。同时，亦可透过具有高反射率的反射保护件120c来有效提高发光单元110c的正向出光效率。此处，反射保护件120c的顶面122c具体化是切齐于波长转换胶层170的顶面173。

图15A至图15E绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。请先参考图15A，提供一第一离型膜30，接着，提供一波长转换胶层170a于第一离型膜30上，波长转换胶层170a可以是单一层胶层，或是多层胶层，在本实施例中，波长转换胶层170a是包括一低浓度荧光胶层174a以及一位于低浓度荧光胶层174a上的高浓度荧光胶层172a。此处，形成波长转换胶层170a的步骤例如是先透过掺质与胶体混合的方式形成波长转换胶层170a，之后静置波长转换胶层170a一段时间，如24小时后，即形成分离的低浓度荧光胶层172a与高浓度荧光胶层174a。此处，第一离型膜30例如是双面胶膜。

接着，请再参考图15A，将多个间隔排列的发光单元110c配置于波长转换胶层170A上，其中每一发光单元110c具有彼此相对的一上表面112c与一下表面114c、一连接上表面112c与下表面114c的侧表面116c以及位于下表面114c上且彼此分离的一第一电极垫113与一第二电极垫115，而发光单元110c的上表面112c位于波长转换胶层170a的高浓度荧光胶层172a上。此处，相邻两发光单元110c具有一间距G，且此间距G例如是700微米。接着，再分别形成多个透光胶层150c于发光单元110c的侧表面116c上，其中透光胶层150c并没有完全覆盖发光单元110c的侧表面116c，而是如图15B所示，透光胶层150c是具有曲率斜面，且越靠近发光单元110c的上表面112c，透光胶层150c的厚度越厚。此处，透光胶层150c的目的在于固定发光单元110c的位置。

接着，请参考图15B，进行一第一切割程序，以切割高浓度荧光胶层172a以及部分低浓度荧光胶层174a，而形成多个沟槽C。如图15B所示，第一次切割程序并没有完全切断波长转换胶层170a，而是只有切断高浓度荧光胶层172a以及切割部分低浓度荧光胶层174a。此处，沟槽C的宽度W例如是400微米，且沟槽C的深度D例如是波长转换胶层170a的厚度T的一半。波长转换胶层170a的厚度T例如是140微米，而沟槽C的深度D例如是70微米。此时，沟槽C的位置与的封装胶层150c的位置并没有相互干涉。

之后，请参考图15C，形成一反射保护件120d于低浓度荧光胶层174a上且包覆发光单元110c的侧表面116c，其中反射保护件120d填满沟槽C且暴露出发光单元110c的第一电极垫113以及第二电极垫115。此处，反射保护件120d例如是一白胶层。

最后，请同时参考图15D与图15E，移除第一离型层30，并提供一第二离型层40，使发光单元110c的第一电极垫113与第二电极垫115接触第二离型膜40。此处，第二离型层40例如是UV胶或双面胶。接着，进行一第二切割程序，以沿着沟槽C的延伸方向(即图式15D中切割线L的延伸方向)而切割反射保护件120d与低浓度荧光胶层174a，而形成多个彼此分离的发光装置100k。每一发光装置100k分别具有至少一个发光单元110c、配置于发光单元110c的上表面112c的波长转换胶层170a以及包覆发光单元110c的侧表面116c的反射保护件120d。本实施例中，波长转换胶层170a是包含高浓度荧光胶层172a与低浓度荧光胶层174a，此处，波长转换胶层170a的低浓度荧光胶层174a的边缘171a切齐于反射保护件120d的边缘121，且反射保护件120d更包覆高浓度荧光胶层172a的边缘173a。移除第二离形层40，而完成发光装置100k的制作。

在结构上，请再参考图15E，本实施例的发光装置100k包括发光单元110c、反射保护件120d、透光胶层150c以及波长转换胶层170a。波长转换胶层170a配置于发光单元110c的上表面112c上，其中波长转换胶层170a包括低浓度荧光胶层174a以及高浓度荧光胶层172a，而高浓度荧光胶层172a位于低浓度荧光胶层174a与发光单元110c之间，且波长转换胶层170a的边缘171a延伸至发光单元110c的侧表面116c之外。此处，低浓度荧光胶层174可用来做为透光保护层，以增加水气传递路径，有效防止水气渗入。透光胶层150c配置于发光单元110c的侧表面116c与反射保护件120d之间，用以固定发光单元110c的位置。本实施例的反射保护件120d是沿着覆盖发光单元110c的侧表面116c的透光胶层150c而更包覆于波长转换胶层170a的高浓度荧光胶层172a的两侧边缘173a，因此本实施例的发光装置100k不需要使用习知的承载支架来支撑及固定发光单元110c，而可有效减少封装厚度以及制作成本。同时，亦可透过具有高反射率的反射保护件120d来有效提高发光单元110c的正向出光效率。此外，本实施例的波长转换胶层170a的低浓度荧光胶层174a覆盖反射保护件120d的一顶面122d。也就是说，本实施例的波长转换胶层170a的高浓度荧光胶层172a的边缘173a与低浓度荧光胶层174a的边缘171a的并没有切齐。

于其他实施例中，请参考图16A，本实施例的发光装置100m与图14E中的发光装置100j相似，差异之处在于：本实施例的反射保护件120m完全填满第一电极垫113与第二电极垫114之间的间隙S且完全覆盖第一电极垫113的一第一侧表面113b与第二电极垫115的一第二侧表面115b，而反射保护件120m的一底面124m切齐于第一电极垫113的第一底面113a与第二电极垫115的第二底面115a。如此一来，可以避免发光装置100m的底部产生漏光的情况。此外，反射保护件120m则完全包覆于波长转换胶层170a的两侧边缘。再者，由于反射保护件120m的包覆性佳且具有较佳的结构性强度，因此本实施例的发光装置100m不需要使用习知的承载支架来支撑及固定发光单元110c，而可有效减少封装厚度以及制作成本。

或者是，请参考图16B，本实施例的发光装置100n与图16A中的发光装置100k相似，差异之处在于：本实施例的反射保护件120n填充于第一电极垫113与第二电极垫114之间的间隙S但并未完全填满，且反射保护件120n仅覆盖第一电极垫113的部分第一侧表面113b与第二电极垫115的部分第二侧表面115b。换言之，反射保护件120n的一底面124n与第一电极垫113的第一底面113a及第二电极垫115的第二底面115a之间具有一高度差H。或者是，请参考图16C，本实施例的发光装置100p与图16B中的发光装置100n相似，差异之处在于：本实施例中第一电极垫113’与第二电极垫115’具体化为多层金属层，如有第一金属层M1及第二金属层M2所组成，但并不以此为限。反射保护件120p完全覆盖第一电极垫113’与第二电极垫115的第一金属层M1的侧表面，但并未完全覆盖第一电极垫113’与第二电极垫115’的第二金属层M2的侧表面。简言之，发光装置100m、100n、100p的发光单元110c、110c’的第一电极垫113、113’与第二电极垫115、115’可为单一金属层或多层金属层，与此并不加以限制。

图17A至图17E绘示为本发明的一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。关于本实施例的发光装置的制作方法，首先，请参考图17A，提供一波长转换胶层210，波长转换胶层210可为单一层胶层或是多层胶层，本实施例中的波长转换胶层210包括一低浓度荧光胶层212以及一位于低浓度荧光胶层212上的高浓度荧光胶层214。此处，形成波长转换胶层210的步骤例如是先透过掺质与胶体混合的方式将由荧光粉(未绘示)与硅胶(未绘示)加以均匀混合后所形成的波长转换胶材料层(未绘示)铺设于一离型膜(未绘示)上，之后静置波长转换胶材料层一段时间，如24小时后，因为荧光粉跟硅胶的密度差异而形成具有分离的一低浓度荧光胶层212与一高浓度荧光胶层214的波长转换胶层210，其中高浓度荧光胶层214会沉淀于低浓度荧光胶层212的下方，而高浓度荧光胶层214例如是黄色，低浓度荧光胶层212例如是透明的，低浓度荧光胶层212的厚度较佳是大于高浓度荧光胶层214的厚度，在一实施例中，厚度的比值可介于1至200间，但并不以此为限。

接着，请再参考图17A，提供一双面胶膜10a，波长转换胶层210的低浓度荧光胶层212配置于双面胶膜10a上，以透过双面胶膜10a来固定波长转换胶层210的位置。接着，进行一第一切割程序，以从高浓度荧光胶层214切割至部分低浓度荧光胶层212，而形成多个沟槽C1。此处，每一沟槽C1的深度至少为波长转换胶层210的厚度的一半。举例来说，如波长转换胶层210的厚度为240微米，而沟槽C1的深度则例如为200微米。此时，沟槽C1可将波长转换胶层210的低浓度荧光胶层212区分为一平板部212a以及一位于平板部212a上的突出部212b，而高浓度荧光胶层214则位于突出部212b上。

接着，请参考图17B，将多个间隔排列的发光单元220配置于波长转换胶层210上，其中每一发光单元220具有彼此相对的一上表面222与一下表面224、一连接上表面222与下表面224的侧表面226以及位于下表面224上且彼此分离的一第一电极垫223与一第二电极垫225。发光单元220的上表面222位于波长转换胶层210的高浓度荧光胶层214上，以增加光取出率及改善光型。沟槽C1将发光单元220区分为多个单元A，在本实施例中每一单元A中至少包括二个发光单元220(图17B中示意地绘示两个发光单元220)。每一发光单元220例如是为发光波长介于315纳米至780纳米之间的发光二极管芯片，而发光二极管芯片包括但不限于紫外光、蓝光、绿光、黄光、橘光或红光发光二极管芯片。

接着，请再参考图17B，形成一透光胶层230a于波长转换胶层210上且延伸配置于发光单元220的侧表面226上。如图17B所示，透光胶层230a由每一发光单元220的下表面224往上表面222逐渐增厚，且透光胶层230a相对于发光单元220的侧表面226具有一内凹表面232，但并不以此为限。此处，透光胶层230a的目的除了在于固定发光单元220的位置之外，因透光胶层230a为一透光材质且折射率大于1，因此亦可增加芯片侧面的光取出效果。

接着，请参考图17C，形成一反射保护件240于发光单元220之间并填满沟槽C1，其中反射保护件240形成于波长转换胶层210上且包覆每一单元A并填满沟槽C1。反射保护件240暴露出每一发光单元220的下表面224、第一电极垫223以及第二电极垫225。此处，反射保护件240的反射率至少大于90％，而反射保护件240例如是一白胶层。反射保护件240的形成方式例如是透过点胶的方式，其中反射保护件240直接覆盖透光胶层230a且沿着透光胶层230a延伸覆盖于高浓度荧光胶层214的边缘上且填满沟槽C1。此时，发光单元220的第一电极垫223与第二电极垫225于双面胶膜10a上的正投影不重叠于反射保护件240于双面胶膜10a上的正投影。

接着，请再参考图17C，进行一第二切割程序，以从反射保护件240沿着沟槽C1而贯穿低浓度荧光胶层212，而形成多个彼此分离的发光装置200a。此时，如图17C所示，每一单元A中的二个发光单元220所接触的波长转换胶层210是连续的，意即这些发光单元220具有同一发光面，因此发光单元220所发出的光可透过透明的低浓度荧光胶层212来进行导光，可使得本实施例的发光装置200a具有较佳的发光均匀性。

之后，请同时参考图17C与图17D，进行第二切割程序之后，需进行一翻膜程序。首先，先提供一UV胶膜20a于发光单元220的第一电极垫223与第二电极垫225上，以先固定这些发光装置200a的相对位置。接着，移除双面胶膜10a而暴露出波长转换胶层210的低浓度荧光胶层212。最后，请参考图17E，移除UV胶膜20a而暴露出发光单元220的第一电极垫223与第二电极垫225。至此，已完成发光装置200a的制作。需说明的是，为了方便说明起见，图17E仅示意地绘示一个发光装置200a。

在结构上，请再参考图17E，发光装置200a包括多个发光单元220(图17E中示意地绘示二个发光单元220)、一波长转换胶层210以及一反射保护件240。每一发光单元220具有彼此相对的一上表面222与一下表面224、一连接上表面222与下表面224的侧表面226以及位于下表面224上且彼此分离的一第一电极垫223与一第二电极垫225。波长转换胶层210配置于发光单元220的上表面222上，且波长转换胶层210包括一低浓度荧光胶层212以及一高浓度荧光胶层214。低浓度荧光胶层212具有一平板部212a以及一位于平板部212a上的突出部212b。高浓度荧光胶层214配置于上表面222与突出部212b之间，其中高浓度荧光胶层214覆盖突出部212b且接触发光单元220的上表面222。发光单元220间隔排列且暴露出部分波长转换胶层210。反射保护件240包覆每一发光单元220的侧表面226且覆盖发光单元220所暴露出的波长转换胶层210。反射保护件240暴露出每一发光单元220的下表面224、第一电极垫223以及第二电极垫225。反射保护件240的边缘切齐于低浓度荧光胶层212的平板部212a的边缘。

由于本实施例的发光装置200a中的这些发光单元220仅与一个波长转换胶层210相接触，意即这些发光单元220具有同一发光面，且低浓度荧光胶层212的边缘与反射保护件240的边缘切齐。因此，发光单元220所发出的光透过低浓度荧光胶层212的导引，可使得本实施例的发光装置200a可具有较大的发光面积与较佳的发光均匀性。此外，反射保护件240包覆发光单元220的侧表面226，且反射保护件240曝露出发光单元220的第一电极垫223以及第二电极垫225。因此，本实施例的发光装置200a不需要使用习知的承载支架来支撑及固定发光单元220，可有效较少封装厚度以及制作成本，同时，亦可有效提高发光单元220的正向出光效率。

值得一提的是，本实施例并不限定透光胶层230a的结构型态，虽然图17E所绘示的透光胶层230a具体化为相对于发光单元220的侧表面226具有内凹表面232。换言之，反射保护件240更包含一与发光单元220接触的反射面242，而此反射面242具体化为曲面。但，于其他实施例中，请参考图18A，本实施例的发光装置200b与图17E中的发光装置200a相似，差异之处在于：透光胶层230b相对于每一发光单元220的侧表面226具有一外凸表面234，可有效增加发光单元220的侧向出光，且透过配合波长转换胶层210的配置，亦可增加发光装置200b的出光面积。换言之，反射保护件240a的反射面242a具体化为曲面。或者是，请参考图18B，本实施例的发光装置200c与图17E中的发光装置200a相似，差异之处在于：透光胶层230c相对于每一发光单元220的侧表面226具有一倾斜表面236。换言之，反射保护件240b的反射面242b具体化为平面。

在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，相同技术内容的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图19A至图19E绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。本实施例的发光装置200d的制作方法与上述图17A至图17E中的发光装置200a的制作方法的主要差异之处在于：请参考图19A，于进行第一切割程序时，更形成多个从高浓度荧光胶层214’切割至部分低浓度荧光胶层212’的第二沟槽C2’。如图19A所示，沟槽C1’与第二沟槽C2’的位置呈交错排列，其中每一沟槽C1’的深度至少为波长转换胶层210’的厚度的一半，且每一第二沟槽C2’的深度与每一沟槽C1’的深度相同。举例来说，如波长转换胶层210’的厚度为240微米，而沟槽C1’的深度以及第二沟槽C2’的深度则例如为200微米，但并不以此为限。此时，低浓度荧光胶层212’的平板部212a’具有一厚度T，较佳地，厚度T例如是介于20微米至50微米之间。第二沟槽C2’将波长转换胶层210’中的低浓度荧光胶层212’的突出部区分为二突出子部212b’，而高浓度荧光胶层214’位于这些突出子部212b’上。

接着，请参考图19B，将间隔排列的发光单元220配置于波长转换胶层210’上，其中第二沟槽C2’位于每一发光单元单元A中的二个发光单元220之间，而发光单元220分别配置于突出子部212b’上，且发光单元220的上表面222直接接触高浓度荧光胶层214’。较佳地，每一突出子部212b’的长度与对应的发光单元220的长度的比值为大于1且小于1.35，也就是说，低浓度荧光胶层212’的突出子部212b’的边缘在发光单元220的边缘外，且高浓度荧光胶层214’的边缘亦延伸至发光单元220的边缘外，可有效增加发光单元220的发光面积。接着，分别形成一透光胶层230a于发光单元220的侧表面226上，其中透光胶层226仅配置于发光单元220的侧表面226上且延伸至波长转换胶层210’的高浓度荧光胶层214’上，其并未延伸配置于低浓度荧光胶层212’上。

接着，同上述图17C、图17D与图17E的步骤，请先考图19C，即形成反射保护件240于波长转换胶层210’上且包覆每一单元A并填满沟槽C1’与第二沟槽C2’，接着，进行一第二切割程序，以从反射保护件240沿着沟槽C1’而贯穿低浓度荧光胶层212’，而形成多个彼此分离的发光装置200d。接着，请同时参考图19C与图19D，进行第二切割程序之后，需进行一翻膜程序。首先，先提供UV胶膜20a于发光单元220的第一电极垫223与第二电极垫225上，以先固定这些发光装置200a的相对位置。接着，移除双面胶膜10a而暴露出波长转换胶层210’的低浓度荧光胶层212’。最后，请参考图19E，移除UV胶膜20a而暴露出发光单元220的第一电极垫223与第二电极垫225上。至此，已完成发光装置200d的制作。需说明的是，为了方便说明起见，图19E仅示意地绘示一个发光装置200d。

请同时参考图19E、图20A与图20B，其中需说明的是，图19E所绘示的是沿着图20A中的线Y-Y所绘示的剖面示意图。本实施例的发光装置200d与图17E中的发光装置200a相似，差异之处在于：二个发光单元220之间所暴露出的波长转换胶层210’更具有第二沟槽C2’，其中第二沟槽C2’从高浓度荧光胶层214’延伸至部分低浓度荧光胶层212’。也就是说，二个发光单元220是配置于一个连续的波长转换胶层210’上，因此发光单元220具有同一个发光面，且低浓度荧光胶层212’的边缘与反射保护件240的边缘切齐。因此，发光单元220所发出的光透过低浓度荧光胶层212’的导引，可使得本实施例的发光装置200d可具有较大的发光面积与较佳的发光均匀性。

特别是，进行第一次切割程序时，于图20A中线X-X的方向以及线Y-Y的方向所切割的深度实质上相同。也就是说，请参考图20B，在线X-X方向的剖面图上，低浓度荧光胶层212’的平板部212a’具有一厚度T，请参考图19E，而在线Y-Y方向的剖面图上，低浓度荧光胶层212’的平板部212a’同样具有厚度T。较佳地，厚度T例如是介于20微米至50微米之间。

当然，于其他实施例中，于进行第一次切割程序时，于不同方向的切割时，低浓度荧光胶层212’的平板部212a’亦可有不同的厚度。图21A绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的立体示意图。图21B与图21C分别绘示为沿图21A的线X’-X’以及线Y’-Y’的剖面示意图。请同时参考图21A、图21B与图21C，进行第一次切割程序时，于图21A中线X’-X’的方向与线Y’-Y’的方向所切割的深度不同，而导致波长转换胶层210’更包括未被该反射保护件240包覆的一第一暴露侧部与一第二暴露侧部，第一暴露侧部与第二暴露侧部不平行，且波长转换胶层210’于第一暴露侧部处的厚度不同于波长转换胶层210’于第二暴露侧部处的厚度。详细来说，低浓度荧光胶层212”的平板部212a”于线X’-X’的方向上具有一第一厚度T1，而低浓度荧光胶层212”的平板部212a”于Y’-Y’的方向D2上具有一第二厚度T2，而第一厚度T1不同于第二厚度T2。较佳地，第一厚度T1例如是介于50微米至200微米之间，而第二厚度T2例如是介于20微米至50微米之间。

由于本实施例的低浓度荧光胶层212”的平板部212a”于X’-X’的方向上与Y’-Y’的方向上分别具有不同的第一厚度T1与第二厚度T2，因此可有效降低相邻两发光单元220之间因暗带而产生亮度降低的情况，进而可提高发光装置200e的发光均匀性。此外，值得一提的是，以线Y’-Y’的方向来举例说明，当低浓度荧光胶层212”’的平板部212a”的厚度T2例如由0.04公厘(mm)提高至0.2公厘(mm)时，发光单元220的出光角度亦可由原来的120度增加至130度，意即发光单元220的出光角度可增加10度。简言之，低浓度荧光胶层212”’的平板部212a”的厚度大小与发光单元220的出光角度成正相关。

图22A至22J绘示为本发明的另一实施例的一种发光装置的制作方法的剖面示意图。图23绘示为图22J的实施例的发光装置与习知技术中的发光二极管结构在不同角度下量测色温的比较图。

请参照图22A，提供一第一离型膜30。第一离型膜30例如是双面胶膜。接着，提供一波长转换胶层170b于第一离型膜30上，波长转换胶层170b可以是单一层胶层，或是多层胶层，在本实施例中，波长转换胶层170b是包括一低浓度荧光胶层174b以及一位于低浓度荧光胶层174b上的高浓度荧光胶层172b。此处，形成波长转换胶层170b的步骤例如是先透过掺质与胶体混合的方式形成波长转换胶层170b，之后静置波长转换胶层170b一段时间，如24小时后，即形成分离的低浓度荧光胶层174b与高浓度荧光胶层172b。并且，再透过加热烘烤波长转换胶层170b，以使低浓度荧光胶层174b与高浓度荧光胶层172b硬化定型。

请参照图22B，提供多个发光单元110e(以三个为例，但不以此为限制)，每一发光单元110e具有彼此相对的一上表面112e与一下表面114e、一连接上表面112e与下表面114e的侧表面116e以及位于下表面114e上且彼此分离的一第一电极垫113与一第二电极垫115。每一发光单元110e的宽度为W_E。发光单元110e例如是发光二极管结构。

请参照图22C以及图22D，在波长转换胶层170b中形成多个沟槽C”，以在这些沟槽C”之间定义出多个接合区域BA。请先参照图22C，首先，移除波长转换胶层170b中局部的高浓度荧光胶层172b以及局部的低浓度荧光胶层174b，以形成多个第一子沟槽C1”。这些第一子沟槽C1”在这些接合区域BA中分别形成多个第一平台部P1。各第一平台部P1更包括高浓度荧光胶层172b的第一部分172b1以及低浓度荧光胶层174b的第一部分174b1。高浓度荧光胶层172b的第一部分172b1设置于低浓度荧光胶层174b的第一部分174b1上。接着，请参照图22D，移除局部的低浓度荧光胶层174b，以在这些第一子沟槽C1”中形成多个第二子沟槽C2”。这些第二子沟槽C2”在这些接合区域BA中分别形成多个第二平台部P2。各第二平台部P2更包括低浓度荧光胶层174的第二部分174b2，且低浓度荧光胶层174b的第一部分174b1与低浓度荧光胶层174b的第二部分174b2相连。一沟槽C”包括一第一子沟槽C1”以及一第二子沟槽C2”。在接合区域BA中的高浓度荧光胶层172b1的宽度为W_H，低浓度荧光胶层174b的宽度为W_L，发光单元110e的宽度为W_E，上述步骤更满足以下的不等式：W_E<W_L,W_H<W_L以及0.8<W_H/W_E≦1.2。

请参照图22E，分别形成多个透光胶层150e于这些接合区域BA中的这些高浓度荧光胶层172b上。透光胶层150e例如是硅胶(Silicone)。

请参照图22F，将这些发光单元110e以上表面112e并透过这些透光胶层150e分别接合于这些接合区域BA中的这些高浓度荧光胶层172b。由于毛细现象的关系，透光胶层150e具有一曲率的斜面，且越靠近发光单元110e的上表面112e，透光胶层150e的厚度越厚。此处，透光胶层150e的目的在于固定发光单元110e的位置。

请参照图22G，形成反射保护件120e于波长转换胶层170b上以及这些发光单元110e之间并填满这些沟槽C”。反射保护件120e暴露出这些发光单元110e的这些电极垫113、115。此处，反射保护件120e例如是一白胶层。

请参照图22H，静置反射保护件120e，以使反射保护件120e形成往波长转换胶层170b的方向凹陷的凹面CS。接着，固化反射保护件120e，以使反射保护件120e的形状固定。

最后，请同时参照图22I以及图22J，进行切割程序，以沿着沟槽C”的延伸方向而切割反射保护件120e与低浓度荧光胶层174b，而形成多个彼此分离的发光装置100q。并移除第一离型层30。至此，完成发光装置100q的制作。

请再参考图22J，在结构上，本实施例的发光装置100q包括发光单元110e、反射保护件120e、透光胶层150e以及波长转换胶层170b。于以下段落中会详细说明各元件之间的配置关系。

波长转换胶层170b设置于发光单元110e的上表面112e上。波长转换胶层170b包括低浓度荧光胶层174b以及高浓度荧光胶层172b，而高浓度荧光胶层172b位于低浓度荧光胶层174b与发光单元110e之间。更详细来说，波长转换胶层170b更包括第一平台部P1以及多个第二平台部P2。这些第二平台部P2位于第一平台部P1的相对两侧。第一平台部P1包括高浓度荧光胶层172b以及低浓度荧光胶层174b的第一部分174b1。第二平台部P2包括低浓度荧光胶层174b的第二部分174b2。低浓度荧光胶层174b的第一部分174b1与低浓度荧光胶层174b的第二部分174b2相连。

反射保护件120e包覆发光单元110e以及部分波长转换胶层170b，且至少暴露出发光单元110e的二电极垫113、115以及低浓度荧光胶层174b。反射保护件120e具有反射面RS，且此反射面RS与发光单元110e接触。更具体来说，反射面RS为曲面，且反射面RS的第一侧与发光单元110e接触，反射面RS的第二侧朝向波长转换胶层170b且往远离发光单元110e的方向延伸。反射保护件120e具有凹面CS。此凹面CS往波长转换胶层170b方向凹陷，且朝向外界。当本实施例的发光装置100q与外接基板(例如是显示面板中的背板、印刷电路板或其他种类的基板)进行连接时，透过反射保护件120e为暴露于外界的表面为凹面CS的设计，可以避免反射保护件120e与外接基板之间因反射保护件120e凸出而使发光装置100q与外界基板之间间隔出间隙，此间隙的产生会导致发光单元110e的电极垫113、115无法良好地接合于外接基板。

透光胶层150e设置于低浓度荧光胶层174b上且延伸至发光单元110e的侧表面116e。透光胶层150e并覆盖发光单元110e的侧表面116e、高浓度荧光胶层172b以及局部的低浓度荧光胶层174b。

请参照图22J以及图23，在本实施例的发光装置100q中，高浓度荧光胶层172b的宽度为W_H，低浓度荧光胶层174b的宽度为W_L，发光单元110e的宽度为W_E。发光装置100q更满足以下的不等式：W_E<W_L,W_H<W_L以及0.8<W_H/W_E≦1.2。本实施例的发光装置100q透过满足上述不等式的设计，发光单元110e靠近光轴处所对应发出的光束L1(光束强度较强)则会依序穿透靠近于光轴处的高浓度荧光胶层172b以及低浓度荧光胶层174b，而发光单元110e远离光轴处(光束强度较弱)所对应发出的光束L2则穿透远离光轴处的透光胶层150e以及低浓度荧光胶层174b。因此，靠近于光轴处的高浓度荧光胶层172b以及低浓度荧光胶层174b被光束L1激发出来的转换光束L1’的光强度强于远离于光轴处的低浓度荧光胶层174b被光束L2激发出来的转换光束L2’的光强度。光束L1与转换光束L1’两者之间的光强度比例与光束L2与转换光束L2’两者之间的光强度比例较为一致。如图23所示，相较于习知技术中的发光二极管结构所发出的色光，本实施例的发光装置100q在不同角度下所发出的色光的色温较为一致。

值得一提的是，在本实施例的发光装置100q中，可以透过调整波长转换胶层170b中位于不同位置的高浓度荧光胶层172b2以及低浓度荧光胶层174b的厚度以及宽度等变量，以进一步调整发光装置100q在不同角度下所发出的色光的色温。

综上所述，在本发明实施例的发光装置中，高浓度荧光胶层的宽度为W_H，低浓度荧光胶层的宽度为W_L，发光单元的宽度为W_E。发光装置更满足以下的不等式：W_E<W_L,W_H<W_L以及0.8<W_H/W_E≦1.2。透过满足上述不等式的设计，发光单元靠近光轴处所对应发出的光束(光束强度较强)的光路经过发光装置中的浓度较高的荧光胶层，而发光单元远离光轴处所对应发出的光束(光束强度较弱)的光路经过发光装置中的浓度较低的荧光胶层。因此，本发明实施例的发光装置所发出的色光在不同角度下所呈现的色温较为一致。由于本发明实施例的发光装置的制作方法的其中一个步骤符合上述的不等式，因此以上述制作方法制作而成的发光装置所发出的色光在不同角度下所呈现的色温较为一致。

虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定者为准。

Claims (10)

1.一种发光装置，包括：

至少一发光单元，该发光单元具有彼此相对的一上表面与一下表面，该发光单元包括二电极垫，且该二电极垫位于该发光单元的该下表面；

一波长转换胶层，设置于该发光单元的该上表面，该波长转换胶层包括一低浓度荧光胶层以及一高浓度荧光胶层，且该高浓度荧光胶层位于该低浓度荧光胶层与该发光单元之间；以及

一反射保护件，包覆该发光单元以及部分该波长转换胶层，且至少暴露出该发光单元的该二电极垫及该低浓度荧光胶层，

其中，该高浓度荧光胶层的宽度为W_H，该低浓度荧光胶层的宽度为W_L，该发光单元的宽度为W_E，该发光装置更满足以下的不等式：

W_E<W_L,W_H<W_L；以及

0.8<W_H/W_E≦1.2。

2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该波长转换胶层更包括一第一平台部与多个第二平台部，该第一平台部包括该高浓度荧光胶层以及该低浓度荧光胶层的一第一部分，且各该第二平台部包括该低浓度荧光胶层的一第二部分，且该低浓度荧光胶层的该第一部分与该低浓度荧光胶层的该第二部分相连。

3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该反射保护件具有一凹面，该凹面往该波长转换胶层的方向凹陷。

4.如权利要求1所述的发光装置，更包括一透光胶层，该发光单元更包括一连接于该上表面与该下表面的侧表面，其中该透光胶层设置于该低浓度荧光胶层上且延伸至该发光单元的该侧表面。

5.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该反射保护件包覆该波长转换胶层而暴露出该波长转换胶层的部分侧面。

6.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该反射保护件具有一反射面，该反射面与该发光单元接触。

7.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，该反射面的一第一侧与该发光单元接触，而该反射面的一第二侧朝向该波长转换胶层且往远离该发光单元的方向延伸。

8.如权利要求6所述的发光装置，其特征在于，该反射面为曲面。

9.一种发光装置的制作方法，包括：

形成一波长转换胶层，该波长转换胶层包括一低浓度荧光胶层以及一高浓度荧光胶层；

提供多个发光单元；

在该波长转换胶层中形成多个沟槽，以在该些沟槽之间定义出多个接合区域，且在该接合区域中的该高浓度荧光胶层的宽度为W_H，该低浓度荧光胶层的宽度为W_L，该发光单元的宽度为W_E，此步骤更满足以下的不等式：W_E<W_L,W_H<W_L以及0.8<W_H/W_E≦1.2；

将该些发光单元分别接合于该些接合区域中的该些高浓度荧光胶层；

形成一反射保护件于该波长转换胶层上以及该些发光单元之间并填满该些沟槽，其中该反射保护件暴露出该些发光单元的该些电极垫；以及

沿着该些沟槽进行一切割程序，以形成多个发光装置。

10.如权利要求9所述的发光装置的制造方法，其特征在于，在该波长转换胶层中形成该些沟槽的步骤中，更包括：

移除局部的该高浓度荧光胶层以及局部的该低浓度荧光胶层，以形成多个第一子沟槽，该些第一子沟槽在该些接合区域中分别形成多个第一平台部，其中各该第一平台部更包括该高浓度荧光胶层的一第一部分以及该低浓度荧光胶层的一第一部分；以及

移除局部的该低浓度荧光胶层，以在该些第一子沟槽中形成多个第二子沟槽，该些第二子沟槽在该些接合区域中分别形成多个第二平台部，其中各该第二平台部更包括该低浓度荧光胶层的一第二部分，且该低浓度荧光胶层的该第一部分与该低浓度荧光胶层的该第二部分相连，

其中一该沟槽包括一该第一子沟槽以及一该第二子沟槽。