CN107968062A - 硅片清洗制绒装置 - Google Patents

硅片清洗制绒装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107968062A
CN107968062A CN201711204186.2A CN201711204186A CN107968062A CN 107968062 A CN107968062 A CN 107968062A CN 201711204186 A CN201711204186 A CN 201711204186A CN 107968062 A CN107968062 A CN 107968062A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon chip
groove body
chip cleaning
agitating
adapter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711204186.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107968062B (zh
Inventor
陈五奎
刘强
徐文州
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Leshan Topraycell Co Ltd
Original Assignee
Leshan Topraycell Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Leshan Topraycell Co Ltd filed Critical Leshan Topraycell Co Ltd
Priority to CN201711204186.2A priority Critical patent/CN107968062B/zh
Publication of CN107968062A publication Critical patent/CN107968062A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107968062B publication Critical patent/CN107968062B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/08—Etching
    • C30B33/10—Etching in solutions or melts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种能够保便于制绒温度控制，同时保证硅片在进行硅片清洗、制绒过程中硅片始终处于湿润状态的硅片清洗制绒装置。该硅片清洗制绒装置，包括硅片制绒槽、硅片转运装置以及硅片清洗装置；所述硅片转运装置设置在硅片制绒槽与硅片清洗装置之间；采用该硅片清洗制绒装置制绒温度控精度高，整个工艺槽内化学反应稳定，可控，能够实现有效控制溶液的反应速度和挥发量，便于工艺调整；同时硅片在转运过程中经过喷淋可以保证硅片在运转过程中始终保持湿润状态，从而有效避免出现“边缘花片”的情况，保证产品的质量。

Description

硅片清洗制绒装置
技术领域
本发明涉及硅片的制绒，尤其是一种硅片清洗制绒装置。
背景技术
众所周知的：硅片在经过一系列的加工程序之后需要进行清洗，清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各类污染物，并制作能够减少表面太阳光反射的绒面结构，且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。制绒是制造晶硅电池的第一道工艺，又称“表面织构化”。有效的绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折射，增加了光的吸收，降低了反射率，有助于提高电池的性能。
考虑到制绒工艺段对整个生产线的重要作用，针对影响制绒反应的因素，对设备工艺段的设计进行更加精细的调整：
制绒作为化学反应，首先应考虑反应的条件，即化学液的温度及各组分的浓度等。现在的工业生产对制绒工艺温度控制提出了较高的要求，为了保证反应条件的一致性，温控精度要在±1℃内，整个工艺槽内化学反应才能更稳定和可控，实现有效控制溶液的反应速度和挥发量，便于工艺调整。现有的制绒槽对溶液温度的控制不够稳定，无法保证制绒对溶液温度的要求。
同时现有技术中，虽然有实现硅片清洗和制绒连续进行的装置，但是在硅片由清洗溶液转运到制绒槽的过程中，硅片由于暴露在空气中因此容易出现水纹印，从而使得硅片质量受到影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够保便于制绒温度控制，同时保证硅片在进行硅片清洗、制绒过程中硅片始终处于湿润状态的硅片清洗制绒装置。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：硅片清洗制绒装置，包括硅片制绒槽、硅片转运装置以及硅片清洗装置；所述硅片转运装置设置在硅片制绒槽与硅片清洗装置之间；
所述硅片制绒槽包括槽体、加热控制器；所述槽体的一端设置有入水槽，另一端设置有出水槽；
所述入水槽一端通过第一匀流板与槽体连通，另一端的上方设置有与入水槽连通的入水箱；所述入水箱具有入水口，所述入水槽内由入水槽的一端向另一端依次设置有横向加热电阻、竖向加热电阻以及搅拌装置；所述横向加热电阻位于入水箱的下方；且在竖直方向上均匀分布；所述竖向加热电阻沿水平方向上均匀分布；所述搅拌装置位于第一匀流板的一侧；
所述出水槽的一端通过第二匀流板与槽体连通，另一端设置有出水口；所述槽体的底部设置有保温加热电阻，所述槽体内设置有温度传感器，所述温度传感器、横向加热电阻、竖向加热电阻以及保温加热电阻均与加热控制器电连接；
所述硅片转运装置包括安装座，所述安装座上设置有转盘，所述转盘上安装有竖向滑柱，所述竖向滑柱上设置有滑台，所述滑台上设置有第一伸缩装置，所述第一伸缩装置一端与滑台固定连接，另一端设置有支撑臂，所述支撑臂一端与伸缩装置通过转动关节连接；所述支撑臂的另一端的下方设置有第二转盘，所述第二转盘上设置有第二伸缩装置，所述第二伸缩装置的下端设置有夹爪；
所述夹爪包括固定板、固定夹爪和动夹爪，所述固定夹爪固定安装在固定板上，所述动夹爪沿固定板的长度方向滑动安装在固定板上；所述固定板上设置有驱动动夹爪沿固定板的长度方向滑动的滑动驱动装置；所述固定夹爪和动夹爪之间形成抓夹区间，所述固定板下表面设置有喷头，所述支撑臂上设置有增压泵；所述喷头与增压泵连通，所述喷头位于抓夹区间内。
进一步的，所述槽体具有的开槽口的上端上设置有保温加热装置。
进一步的，所述竖向加热电阻端延伸到槽体内，另一端设置有固定安装板，所述竖向加热电阻穿过固定安装板且与固定安装板螺纹配合。
进一步的，所述搅拌装置包括驱动电机、搅拌轴；所述搅拌轴竖直插入到槽体内，所述搅拌轴上设置有搅拌叶片，所述搅拌轴通过驱动电机驱动转动。
进一步的，所述搅拌叶片在搅拌轴上沿轴线方向均匀分布，且沿搅拌轴的圆周方向均匀分布。
进一步的，所述搅拌轴的轴线方向上同一高度的搅拌叶片为搅拌叶片组；每组搅拌叶片组至少包括三片搅拌叶片。
进一步的，在搅拌轴上至少具有三组搅拌叶片组。
进一步的，所述第一伸缩装置以及第二伸缩装置均采用液压缸。
进一步的，所述固定夹爪的内壁上设置有嵌入内壁的喷头。
进一步的，所述转动关节包括第一转接头和第二转接头，所述第一转接头内设置有转动驱动电机，所述第二转接头上设置有环形凸台，所述第一转接头上设置有与环形凸台匹配的凹槽；所述环形凸台的内圈与凹槽之间设置有轴承；所述转动驱动电机具有的转动轴与第二转接头连接，所述第一转接头与第一伸缩装置连接，所述第二转接头与支撑臂连接。
本发明的有益效果是：本发明所述的硅片清洗制绒装置由于包括硅片制绒槽以及硅片转运装置，所述硅片制绒槽在工艺槽的一端设置有入水槽，并且在入水槽内设置竖向均匀分布的横向加热电阻，在横向设置均匀分布的竖向加热电阻，并且通过搅拌装置对循环的溶液加热后进行搅拌，然后通过匀流板进入到槽体内，从而保证了循环溶液的加热温度均匀，保证了制绒的温度。所述硅片转运装置，在夹爪上安装了可根据工艺要求设置的喷头，当夹爪将料篮从溶液中提出后，喷头启动，水以雾状方式喷射，保证了硅片各个角度都可以喷淋到，尤其是硅片与料篮接触的部分。
因此，本发明所述的硅片清洗制绒装置具有以下优点：
1、温度控精度高，整个工艺槽内化学反应稳定，可控，能够实现有效控制溶液的反应速度和挥发量，便于工艺调整。
2、硅片在转运过程中经过喷淋可以保证硅片在运转过程中始终保持湿润状态，从而有效避免出现“边缘花片”的情况，保证产品的质量。
附图说明
图1为本发明实施例中硅片清洗制绒装置的结构示意图；
图2为本发明实施例中硅片制绒槽的立体图；
图3为本发明实施例中硅片制绒槽的俯视图；
图4为本发明实施例中硅片制绒槽的侧视图；
图5为图3中A-A剖视图
图6为图3中的B-B剖视图；
图7为图3中的C-C剖视图；
图8为本发明实施例中硅片制绒转运装置的立体图；
图9为本发明实施例中转动关节的结构示意图；
图中标示：1-硅片制绒槽，11-槽体，12-入水槽，13-出水槽，14-入水箱，15-竖向加热电阻，16-搅拌装置，17-第一匀流板，18-第二匀流板，19-横向加热电阻，110-保温加热电阻，111-保温加热装置，2-硅片转运装置，21-安装座，22-滑台，23-第一伸缩装置，24-转动关节，25-支撑臂，26-第二转盘，27-第二伸缩装置，28-夹爪，29-喷头，210-增压泵，3-硅片清洗装置。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
如图1至图6所示，本发明所述的硅片清洗制绒装置，包括硅片制绒槽1、硅片转运装置2以及硅片清洗装置3；所述硅片转运装置2设置在硅片制绒槽1与硅片清洗装置3之间；
所述硅片制绒槽1包括槽体11、加热控制器19；所述槽体11的一端设置有入水槽12，另一端设置有出水槽13；
所述入水槽12一端通过第一匀流板17与槽体11连通，另一端的上方设置有与入水槽12连通的入水箱14；所述入水箱14具有入水口141，所述入水槽12内由入水槽12的一端向另一端依次设置有横向加热电阻19、竖向加热电阻15以及搅拌装置16；所述横向加热电阻19位于入水箱14的下方；且在竖直方向上均匀分布；所述竖向加热电阻15沿水平方向上均匀分布；所述搅拌装置16位于第一匀流板17的一侧；
所述出水槽13的一端通过第二匀流板18与槽体11连通，另一端设置有出水口131；所述槽体11的底部设置有保温加热电阻110，所述槽体11内设置有温度传感器，所述温度传感器、横向加热电阻19、竖向加热电阻15以及保温加热电阻110均与加热控制器19电连接；
所述硅片转运装置2包括安装座211，所述安装座211上设置有转盘，所述转盘上安装有竖向滑柱21，所述竖向滑柱21上设置有滑台22，所述滑台22上设置有第一伸缩装置23，所述第一伸缩装置23一端与滑台22固定连接，另一端设置有支撑臂25，所述支撑臂25一端与伸缩装置23通过转动关节24连接；所述支撑臂25的另一端的下方设置有第二转盘26，所述第二转盘26上设置有第二伸缩装置27，所述第二伸缩装置27的下端设置有夹爪28；
所述夹爪28包括固定板、固定夹爪281和动夹爪282，所述固定夹爪281固定安装在固定板上，所述动夹爪282沿固定板的长度方向滑动安装在固定板上；所述固定板上设置有驱动动夹爪282沿固定板的长度方向滑动的滑动驱动装置；所述固定夹爪281和动夹爪282之间形成抓夹区间，所述固定板下表面设置有喷头9，所述支撑臂5上设置有增压泵210；所述喷头29与增压泵210连通，所述喷头29位于抓夹区间内。
在工作过程中：
首先硅片通过硅片清洗装置3进行脱胶清洗后，进入到硅片清洗装置3的水槽内，然后通过硅片转运装置2将硅片从水槽中转运到硅片制绒槽3内。在转运的过程中，首先通过第一伸缩装置23的伸缩调节支撑臂25的长度，通过滑台22的上下滑动以及第二伸缩装置27的伸缩调节夹爪28的高度，通过转动关节24的转动以及转盘26的转动，调节夹爪28的角度；从而使得夹爪从溶液中夹紧花篮，然后将花篮从溶液中提起，此时启动增压泵10，增压泵210将水输送到喷头29，通过喷头29向花篮喷出水雾；从而保证硅片转运过程中始终保持湿润。
通过硅片转运装置2将硅片转运到硅片制绒槽3内后，在槽体11内溶液通过入水箱14进入到入水槽12内，在入水箱14的下方进过横向加热电阻19进行加热，然后再经过竖向加热电阻15的加热，由于所述横向加热电阻19位于入水箱14的下方；且在竖直方向上均匀分布；所述竖向加热电阻15沿水平方向上均匀分布；因此保证了对溶液加热的均匀性，保证溶液各个部位的温度一直；同时通过搅拌装置的搅拌使得溶液内部各个部位的温度一致；然后通过匀流板17进入到槽体11内在槽体11内实现对硅片的制绒。并且在槽体11的底部设置有均匀分布的保温加热电阻110，能够避免溶液在槽体11内温度较低，包装槽内11内溶液的温度。在槽体11内设置有温度传感器，通过温度传感器实时监测槽体11内的温度，然后通过加热控制器19对竖向加热电阻15、横向加热电阻19以及保温加热电阻110进行控制，包装槽体内溶液的温度符合工艺要求。
综上所述，本发明所述的硅片清洗制绒装置由于包括硅片制绒槽以及硅片转运装置，所述硅片制绒槽在工艺槽的一端设置有入水槽，并且在入水槽内设置竖向均匀分布的横向加热电阻，在横向设置均匀分布的竖向加热电阻，并且通过搅拌装置对循环的溶液加热后进行搅拌，然后通过匀流板进入到槽体内，从而保证了循环溶液的加热温度均匀，保证了制绒的温度。所述硅片转运装置，在夹爪上安装了可根据工艺要求设置的喷头，当夹爪将料篮从溶液中提出后，喷头启动，水以雾状方式喷射，保证了硅片各个角度都可以喷淋到，尤其是硅片与料篮接触的部分。
因此，本发明所述的硅片清洗制绒装置具有以下优点：
1、温度控精度高，整个工艺槽内化学反应稳定，可控，能够实现有效控制溶液的反应速度和挥发量，便于工艺调整。
2、硅片在转运过程中经过喷淋可以保证硅片在运转过程中始终保持湿润状态，从而有效避免出现“边缘花片”的情况，保证产品的质量。
为了保证槽体11内的温度保持稳定，进一步的，所述槽体11具有的开槽口的上端上设置有保温加热装置111。具体的，保温加热装置111可以采用加热电阻，且嵌入到槽体1的内壁内；由于槽体11内溶液的温度从槽体11的开槽口散发，因此槽体11具有的开槽口的上端上设置有保温加热装置111从而能够补充散失掉的热量，包装槽体11内溶液的温度。
为了便于竖向加热电阻15的维护和更换，进一步的，所述竖向加热电阻15端延伸到槽体11内，另一端设置有固定安装板，所述竖向加热电阻15穿过固定安装板且与固定安装板螺纹配合。
具体的，所述搅拌装置16包括驱动电机、搅拌轴；所述搅拌轴竖直插入到槽体11内，所述搅拌轴上设置有搅拌叶片，所述搅拌轴通过驱动电机驱动转动。
为了能够使得加热后的溶液被充分进行搅拌，包装溶液内部温度的一致性，进一步的，所述搅拌叶片在搅拌轴上沿轴线方向均匀分布，且沿搅拌轴的圆周方向均匀分布。更进一步的，所述搅拌轴的轴线方向上同一高度的搅拌叶片为搅拌叶片组；每组搅拌叶片组至少包括三片搅拌叶片。更进一步的，在搅拌轴上至少具有三组搅拌叶片组。
为了便于控制，优选的，所述第一伸缩装置23以及第二伸缩装置27均采用液压缸。
为了避免装有硅片的花篮内所有的硅片都能被水充分的喷洒；进一步的，所述固定夹爪281的内壁上设置有嵌入内壁的喷头。
为了简化结构，同时便于控制，具体的，所述转动关节24包括第一转接头和第二转接头242，所述第一转接头241内设置有转动驱动电机243，所述第二转接头242上设置有环形凸台245，所述第一转接头241上设置有与环形凸台242匹配的凹槽；所述环形凸台242的内圈与凹槽之间设置有轴承246；所述转动驱动电机243具有的转动轴244与第二转接头242连接，所述第一转接头241与第一伸缩装置23连接，所述第二转接头242与支撑臂25连接。
为了保证结构的稳定性，优选的，所述轴承246采用滚子轴承。
为了便于安装拆卸和维护，进一步的，所述第一转接头241通过法兰与第一伸缩装置23连接，所述第二转接头242通过法兰与支撑臂25连接。

Claims (10)

1.硅片清洗制绒装置，其特征在于：包括硅片制绒槽(1)、硅片转运装置(2)以及硅片清洗装置(3)；所述硅片转运装置(2)设置在硅片制绒槽(1)与硅片清洗装置(3)之间；
所述硅片制绒槽(1)包括槽体(11)、加热控制器(19)；所述槽体(11)的一端设置有入水槽(12)，另一端设置有出水槽(13)；
所述入水槽(12)一端通过第一匀流板(17)与槽体(11)连通，另一端的上方设置有与入水槽(12)连通的入水箱(14)；所述入水箱(14)具有入水口(141)，所述入水槽(12)内由入水槽(12)的一端向另一端依次设置有横向加热电阻(19)、竖向加热电阻(15)以及搅拌装置(16)；所述横向加热电阻(19)位于入水箱(14)的下方；且在竖直方向上均匀分布；所述竖向加热电阻(15)沿水平方向上均匀分布；所述搅拌装置(16)位于第一匀流板(17)的一侧；
所述出水槽(13)的一端通过第二匀流板(18)与槽体(11)连通，另一端设置有出水口(131)；所述槽体(11)的底部设置有保温加热电阻(110)，所述槽体(11)内设置有温度传感器，所述温度传感器、横向加热电阻(19)、竖向加热电阻(15)以及保温加热电阻(110)均与加热控制器(19)电连接；
所述硅片转运装置(2)包括安装座(211)，所述安装座(211)上设置有转盘，所述转盘上安装有竖向滑柱(21)，所述竖向滑柱(21)上设置有滑台(22)，所述滑台(22)上设置有第一伸缩装置(23)，所述第一伸缩装置(23)一端与滑台(22)固定连接，另一端设置有支撑臂(25)，所述支撑臂(25)一端与伸缩装置(23)通过转动关节(24)连接；所述支撑臂(25)的另一端的下方设置有第二转盘(26)，所述第二转盘(26)上设置有第二伸缩装置(27)，所述第二伸缩装置(27)的下端设置有夹爪(28)；
所述夹爪(28)包括固定板、固定夹爪(281)和动夹爪(282)，所述固定夹爪(281)固定安装在固定板上，所述动夹爪(282)沿固定板的长度方向滑动安装在固定板上；所述固定板上设置有驱动动夹爪(282)沿固定板的长度方向滑动的滑动驱动装置；所述固定夹爪(281)和动夹爪(282)之间形成抓夹区间，所述固定板下表面设置有喷头(9)，所述支撑臂(5)上设置有增压泵(210)；所述喷头(29)与增压泵(210)连通，所述喷头(29)位于抓夹区间内。
2.如权利要求1所述的硅片清洗制绒装置，其特征在于：所述槽体(11)具有的开槽口的上端上设置有保温加热装置(111)。
3.如权利要求2所述的硅片清洗制绒装置，其特征在于：所述竖向加热电阻(15)端延伸到槽体(11)内，另一端设置有固定安装板，所述竖向加热电阻(15)穿过固定安装板且与固定安装板螺纹配合。
4.如权利要求3所述的硅片清洗制绒装置，其特征在于：所述搅拌装置(16)包括驱动电机、搅拌轴；所述搅拌轴竖直插入到槽体(11)内，所述搅拌轴上设置有搅拌叶片，所述搅拌轴通过驱动电机驱动转动。
5.如权利要求4所述的硅片清洗制绒装置，其特征在于：所述搅拌叶片在搅拌轴上沿轴线方向均匀分布，且沿搅拌轴的圆周方向均匀分布。
6.如权利要求5所述的硅片清洗制绒装置，其特征在于：所述搅拌轴的轴线方向上同一高度的搅拌叶片为搅拌叶片组；每组搅拌叶片组至少包括三片搅拌叶片。
7.如权利要求6所述的硅片清洗制绒装置，其特征在于：在搅拌轴上至少具有三组搅拌叶片组。
8.如权利要求1所述的硅片清洗制绒装置，其特征在于：所述第一伸缩装置(23)以及第二伸缩装置(27)均采用液压缸。
9.如权利要求8所述的硅片清洗制绒装置，其特征在于：所述固定夹爪(281)的内壁上设置有嵌入内壁的喷头。
10.如权利要求9所述的硅片清洗制绒装置，其特征在于：所述转动关节(24)包括第一转接头和第二转接头(242)，所述第一转接头(241)内设置有转动驱动电机(243)，所述第二转接头(242)上设置有环形凸台(245)，所述第一转接头(241)上设置有与环形凸台(242)匹配的凹槽；所述环形凸台(242)的内圈与凹槽之间设置有轴承(246)；所述转动驱动电机(243)具有的转动轴(244)与第二转接头(242)连接，所述第一转接头(241)与第一伸缩装置(23)连接，所述第二转接头(242)与支撑臂(25)连接。
CN201711204186.2A 2017-11-27 2017-11-27 硅片清洗制绒装置 Active CN107968062B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711204186.2A CN107968062B (zh) 2017-11-27 2017-11-27 硅片清洗制绒装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711204186.2A CN107968062B (zh) 2017-11-27 2017-11-27 硅片清洗制绒装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107968062A true CN107968062A (zh) 2018-04-27
CN107968062B CN107968062B (zh) 2019-09-13

Family

ID=61998057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711204186.2A Active CN107968062B (zh) 2017-11-27 2017-11-27 硅片清洗制绒装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107968062B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111318500A (zh) * 2020-02-03 2020-06-23 徐州鑫晶半导体科技有限公司 切割后硅棒的脱胶装置和方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014053484A1 (en) * 2012-10-01 2014-04-10 Ultra High Vacuum Solutions Ltd. T/A Nines Engineering Combined etch and passivation of silicon solar cells
CN104157735A (zh) * 2014-08-14 2014-11-19 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种太阳能电池制绒工艺
CN105470170A (zh) * 2015-11-23 2016-04-06 百力达太阳能股份有限公司 使制绒槽化学槽液温度均匀的系统
CN206312916U (zh) * 2017-01-05 2017-07-07 浙江晶能光电有限公司 太阳能电池片的制绒装置
CN206441756U (zh) * 2017-02-16 2017-08-25 温州隆润科技有限公司 一种太阳能硅片清洗制绒装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014053484A1 (en) * 2012-10-01 2014-04-10 Ultra High Vacuum Solutions Ltd. T/A Nines Engineering Combined etch and passivation of silicon solar cells
CN104157735A (zh) * 2014-08-14 2014-11-19 山西潞安太阳能科技有限责任公司 一种太阳能电池制绒工艺
CN105470170A (zh) * 2015-11-23 2016-04-06 百力达太阳能股份有限公司 使制绒槽化学槽液温度均匀的系统
CN206312916U (zh) * 2017-01-05 2017-07-07 浙江晶能光电有限公司 太阳能电池片的制绒装置
CN206441756U (zh) * 2017-02-16 2017-08-25 温州隆润科技有限公司 一种太阳能硅片清洗制绒装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111318500A (zh) * 2020-02-03 2020-06-23 徐州鑫晶半导体科技有限公司 切割后硅棒的脱胶装置和方法
CN111318500B (zh) * 2020-02-03 2021-10-26 徐州鑫晶半导体科技有限公司 切割后硅棒的脱胶装置和方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107968062B (zh) 2019-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109909224B (zh) 一种旋转多工位托板升降式自动温控超声波清洗机
CN206215588U (zh) 一种cnc夹具自动清洗烘干一体机
CN207541491U (zh) 一种定日镜自动化生产线
CN110252542A (zh) 一种机械零件自动喷涂装置
CN107968062B (zh) 硅片清洗制绒装置
CN205993595U (zh) 一种水果清洗装置
CN107968130A (zh) 硅片清洗制绒工艺
CN210160148U (zh) 一种地质土壤修复处理装置
CN112509946A (zh) 一种多功能晶片腐蚀和清洗装置及使用方法
CN107968064A (zh) 硅片制绒转运装置
CN207641746U (zh) 一种黏胶喷涂装置
CN108514985B (zh) 一种面料涂层装置
CN208510054U (zh) 一种饲料油脂喷涂机
CN107305854A (zh) 一种集成电路基板清洗设备
CN213727277U (zh) 一种金属日用品喷涂装置
CN208507637U (zh) 晶片表面自动涂源设备
CN207929221U (zh) 一种固体颗粒催化剂真空浸渍装置
CN107988628A (zh) 硅片制绒槽
CN206838599U (zh) 一种清洗烘干机一体机
CN220071673U (zh) 一种催化剂负载浸渍机
CN217077694U (zh) 一种快速上下料的工艺刀剑加工用淬火装置
CN221766723U (zh) 一种芯片刻蚀清洗装置
CN220425689U (zh) 一种钢管喷漆装置
CN108499280A (zh) 一种用于工业快速降尘装置
CN218539853U (zh) 一种镀锌生产线用清洗机

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant