CN107946475A - 有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构及其制备方法 - Google Patents
有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107946475A CN107946475A CN201711166446.1A CN201711166446A CN107946475A CN 107946475 A CN107946475 A CN 107946475A CN 201711166446 A CN201711166446 A CN 201711166446A CN 107946475 A CN107946475 A CN 107946475A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- emitting polymer
- conjugate light
- silicon nitride
- organic conjugate
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 60
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 42
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 5
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 3
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Phenylene ethylene Chemical group 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Natural products C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000010358 mechanical oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及一种有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构，包括氮化硅层、有机共轭发光聚合物层和衬底，其中有机共轭发光聚合物层设置在衬底上，氮化硅层设置在有机共轭发光聚合物层上。
Description
技术领域
本发明涉及有机/无机混合集成材料领域，更具体地，涉及一种有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构及其制备方法。
背景技术
有机发光材料是一种性能优秀的发光材料，具有高荧光效率、宽发光谱、可调谐性、成本低廉的优势。有机发光材料包含一个重要的分支——有机共轭发光聚合物，有机共轭发光聚合物具有更加优秀的材料特性。有机共轭发光聚合物不仅仅具备有机发光材料的发光特性，而且可以溶解在多种有机溶剂中，兼容旋涂和喷墨打印等工艺流程，具有良好的工艺兼容性。另外，有机共轭聚合物的结构稳定，其发光性能具有良好的温度稳定性。聚对苯撑乙烯及其衍生物作为一种常用的有机共轭发光聚合物，已经被广泛应用在照明，激光和显示等领域。
有机共轭发光聚合物的优秀特性使得其在集成光学领域的应用需求不断地提高，然而，有机发光聚合物不具备直接应用在集成光学器件中的潜力。为了解决这一问题，将有机共轭发光聚合物与无机材料集成获得混合材料是一个重要的思路。
目前，氮化硅是一种得到广泛应用的集成光学材料。一方面，氮化硅材料具有从可见光波段到中红外波段的良好透光性能，不影响有机共轭发光聚合物的发光特性；另一方面，氮化硅材料具有优秀的理化特性，可以作为绝缘材料保护有机共轭发光材料。另外，随着近年以来氮化硅材料制备工艺的发展，氮化硅低温沉积工艺日臻完善，这为直接在有机共轭发光聚合物上沉积氮化硅提供了条件。
发明内容
本发明为解决有机发光聚合物不能直接应用在集成光学器件中的技术缺陷，提供了一种有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构，该结构在有机共轭发光聚合物层上沉积氮化硅层，使得有机共轭发光聚合物层能够与空气隔绝，不会因暴露在空气中而导致发生降解进而逐步丧失发光性能。该结构可用于制作有源集成光器件。
为实现以上发明目的，采用的技术方案是：
有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构，包括氮化硅层、有机共轭发光聚合物层和衬底，其中有机共轭发光聚合物层设置在衬底上，氮化硅层设置在有机共轭发光聚合物层上。
优选地，所述有机共轭发光聚合物层为BEHP-PPV薄膜层。聚对苯撑乙烯（BEHP-PPV）及其衍生物作为一种常用的有机共轭发光聚合物，已经被广泛应用在照明，激光和显示等领域。
优选地，所述氮化硅层的厚度为50~350 nm。
优选地，所述的氮化硅层的面积为1~4 cm2。
优选地，所述BEHP-PPV薄膜层的厚度为80~120 nm。
优选地，所述BEHP-PPV薄膜层的面积为1~4 cm2。
优选地，所述衬底的厚度为500~550 μm。
同时，本发明还提供了一种以上结构的制备方法，其具体的方案如下：
S1.取有机共轭发光聚合物粉末按照一定的浓度完全溶解于有机溶剂中，获得有机共轭发光聚合物溶液；
S2.对衬底的表面进行清洗，清洗完毕后使衬底的表面保持干燥；
S3.对衬底的表面进行改性处理，得到具有表面疏水性的衬底；
S4.将步骤S2得到的有机溶液在衬底的表面进行旋涂，得到有机共轭发光聚合物层；
S5.对步骤S4得到的有机共轭发光聚合物层进行固化；
S6.在有机共轭发光聚合物层上利用低温沉积技术沉积氮化硅层。
优选地，所述有机共轭发光聚合物粉末为BEHP-PPV粉末。
优选地，所述步骤S5对有机共轭发光聚合物层进行固化的具体过程如下：将衬底及有机共轭发光聚合物层构成的结构放置在氮气环境中，保持环境温度90 ℃超过180min，形成完全固化的有机共轭发光聚合物层。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明提供的混合集成材料结构在有机共轭发光聚合物层上沉积氮化硅层，使得有机共轭发光聚合物层能够与空气隔绝，不会因暴露在空气中而导致发生降解进而逐步丧失发光性能。通过实验结果分析，有机共轭发光聚合物层在工艺前后的发光特性保持稳定，有机共轭发光聚合物层的增益系数可达22 cm-1，可用于制作有源集成光器件。
附图说明
图1为混合集成材料结构的三维示意图。
图2为混合集成材料结构的截面SEM图。
图3为混合集成材料结构的制作流程图。
图4为混合集成材料结构中的有机共轭发光聚合物BEHP-PPV在氮化硅沉积前后的荧光光谱。
图5 为混合集成材料结构激发光谱图。
图6 为混合集成材料结构的增益系数图。
具体实施方式
附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；
以下结合附图和实施例对本发明做进一步的阐述。
实施例1
如图1所示，有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构包括氮化硅层1、BEHP-PPV薄膜层2和石英衬底3；其中氮化硅层1的厚度约为320 nm，利用化学气相沉积工艺直接沉积在BEHP-PPV薄膜层2上；BEHP-PPV薄膜层2的厚度约为85 nm，通过在石英衬底3上旋涂BEHP-PPV的甲苯溶液和退火固化工艺获得。图2为本实施例中结构的截面SEM图，表明BEHP-PPV薄膜层2与氮化硅层1紧密结合。
结构完成后，BEHP-PPV薄膜层2存在于氮化硅层1和石英衬底3之间，一方面，得益于氮化硅层1，BEHP-PPV薄膜层2与空气隔绝；另一方面，在制备工艺完成后，BEHP-PPV薄膜层2的光学特性保持稳定。当使用处于BEHP-PPV材料吸收波段的光激发该结构，BEHP-PPV吸收激发光，材料由基态跃迁至激发态，当材料由激发态跃迁至基态的过程中，释放的能量以光子的形式发射，发出荧光或产生增益。
如图3所示，本实施例还提供了一种以上结构的制备方法，其具体的方案如下：
1）按照一定的配比取BEHP-PPV粉末于甲苯溶剂中，经过充分机械振荡或超声振荡，获得充分溶解的BEHP-PPV的甲苯溶液；
2）依次使用浓硫酸、双氧水洗液、丙酮、乙醇、异丙醇、超纯水清洗石英衬底，然后使用热板干燥石英衬底；
3）使用六甲基二硅氮烷（HMDS）对步骤（2）获得的石英衬底表面进行改性处理，得到具有表面疏水性的石英衬底；
4）将在所述步骤（1）获得的BEHP-PPV的甲苯溶液旋涂于步骤（3）获得的石英衬底上，通过旋涂甩胶的方法在石英衬底上获得均匀的BEHP-PPV薄膜层；
5）将在所述步骤（4）获得的在石英衬底上的BEHP-PPV薄膜层放置在氮气环境中，保持环境温度90 ℃超过180 min，形成完全固化的BEHP-PPV薄膜层。
6）在步骤（5）所述的完全固化的BEHP-PPV薄膜层表面利用化学气相沉积在75 ℃的环境中生成一层氮化硅层，获得BEHP-PPV与氮化硅的混合集成材料结构。
图3中步骤（a）（b）（c）得到BEHP-PPV薄膜层，使用波长为405 nm的紫光激发BEHP-PPV薄膜层时，获得的BEHP-PPV材料的荧光光谱图如图4所示。从图4中可以看到，BEHP-PPV有两个激发峰，分别位于489 nm和520 nm 处。另外，在氮化硅层沉积前后，BEHP-PPV薄膜层的荧光光谱没有发生变化，说明实施例中BEHP-PPV薄膜层的光学特性在制备流程中保持稳定。
本实施例中获得的混合集成材料结构在波长为420 nm的纳秒级脉冲激光的激发下采集到的激发光谱如图5所示。从图5中可以看到，BEHP-PPV薄膜层的激发峰位于518 nm附近，且当激发光的激发能量密度逐渐提高时，激发峰的强度迅速提高并且半高宽减小，表现出放大的自发辐射现象，表明该混合集成材料结构中BEHP-PPV依然保持有增益能力。
本实施例中获得的混合集成材料结构的增益系数测量结果如图6所示。通过改变激发光的光斑长度，可以得到不同光斑长度激发下的激发光谱激发峰的强度的变化规律，从而计算出增益系数。从图6中可以看出，当逐步增大激发光的能量密度时，该结构的增益系数逐步增大最后饱和于22 cm-1左右，表明该结构具有良好的增益能力。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构，其特征在于：包括氮化硅层、有机共轭发光聚合物层和衬底，其中有机共轭发光聚合物层设置在衬底上，氮化硅层设置在有机共轭发光聚合物层上。
2.根据权利要求1所述的有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构，其特征在于：所述有机共轭发光聚合物层为BEHP-PPV薄膜层。
3.根据权利要求2所述的有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构，其特征在于：所述氮化硅层的厚度为50~350 nm。
4.根据权利要求3所述的有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构，其特征在于：所述的氮化硅层的面积为1~4 cm2。
5.根据权利要求2所述的有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构，其特征在于：所述BEHP-PPV薄膜层的厚度为80~120 nm。
6.根据权利要求5所述的有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构，其特征在于：所述BEHP-PPV薄膜层的面积为1~4 cm2。
7.根据权利要求2所述的有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构，其特征在于：所述衬底的厚度为500~550 μm。
8.一种根据权利要求1~7任一项所述结构的制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：
S1.取有机共轭发光聚合物粉末按照一定的浓度充分溶解于有机溶剂中，获得有机共轭发光聚合物溶液；
S2.对衬底的表面进行清洗，清洗完毕后使衬底的表面保持干燥；
S3.对衬底的表面进行改性处理，得到具有表面疏水性的衬底；
S4.将步骤S2得到的有机溶液在衬底的表面进行旋涂，得到有机共轭发光聚合物层；
S5.对步骤S4得到的有机共轭发光聚合物层进行固化；
S6.在有机共轭发光聚合物层上利用低温沉积技术沉积氮化硅层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于：所述有机共轭发光聚合物粉末为BEHP-PPV粉末。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述步骤S5对有机共轭发光聚合物层进行固化的具体过程如下：将衬底及有机共轭发光聚合物层构成的结构放置在氮气环境中，保持环境温度90 ℃超过180 min，形成完全固化的有机共轭发光聚合物层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711166446.1A CN107946475B (zh) | 2017-11-21 | 2017-11-21 | 有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711166446.1A CN107946475B (zh) | 2017-11-21 | 2017-11-21 | 有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107946475A true CN107946475A (zh) | 2018-04-20 |
| CN107946475B CN107946475B (zh) | 2019-11-12 |
Family
ID=61930400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711166446.1A Active CN107946475B (zh) | 2017-11-21 | 2017-11-21 | 有机共轭发光聚合物与氮化硅的混合集成材料结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107946475B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07221313A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ |
| CN101355835A (zh) * | 2007-07-27 | 2009-01-28 | 卡西欧计算机株式会社 | 发光器件及发光器件的制造方法 |
| CN102924402A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-02-13 | 中国科学院化学研究所 | 一种1,3,2-二噻唑自由基共轭分子材料及其制备方法与应用 |
| TW201523903A (zh) * | 2013-12-04 | 2015-06-16 | Nat Univ Chin Yi Technology | 主動層混摻石墨烯與ｐｍｍａ提升高分子太陽能電池光電轉換效率之結構 |
| CN104916774A (zh) * | 2015-04-20 | 2015-09-16 | 北京航空航天大学 | 一种基于金属掺杂的有机磁隧道结及制造方法 |
-
2017
- 2017-11-21 CN CN201711166446.1A patent/CN107946475B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07221313A (ja) * | 1994-02-03 | 1995-08-18 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ |
| CN101355835A (zh) * | 2007-07-27 | 2009-01-28 | 卡西欧计算机株式会社 | 发光器件及发光器件的制造方法 |
| CN102924402A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-02-13 | 中国科学院化学研究所 | 一种1,3,2-二噻唑自由基共轭分子材料及其制备方法与应用 |
| TW201523903A (zh) * | 2013-12-04 | 2015-06-16 | Nat Univ Chin Yi Technology | 主動層混摻石墨烯與ｐｍｍａ提升高分子太陽能電池光電轉換效率之結構 |
| CN104916774A (zh) * | 2015-04-20 | 2015-09-16 | 北京航空航天大学 | 一种基于金属掺杂的有机磁隧道结及制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107946475B (zh) | 2019-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Water‐soluble triazolium ionic‐liquid‐induced surface self‐assembly to enhance the stability and efficiency of perovskite solar cells | |
| Xu et al. | Suppressing defects‐induced nonradiative recombination for efficient perovskite solar cells through green antisolvent engineering | |
| Hou et al. | Aryl diammonium iodide passivation for efficient and stable hybrid organ‐inorganic perovskite solar cells | |
| JP6298177B2 (ja) | 有機電子素子及びその製造方法 | |
| US8754407B2 (en) | Gas barrier film, method of manufacturing gas barrier film, and organic photoelectric conversion element | |
| Li et al. | The solvent treatment effect of the PEDOT: PSS anode interlayer in inverted planar perovskite solar cells | |
| Xie et al. | Fluorene-based macromolecular nanostructures and nanomaterials for organic (opto) electronics | |
| EP2610013A1 (en) | Method for manufacturing gas barrier film, and organic photoelectric conversion element | |
| JP5761030B2 (ja) | バリアフィルムの製造方法 | |
| Horike et al. | Highly stable n-type thermoelectric materials fabricated via electron doping into inkjet-printed carbon nanotubes using oxygen-abundant simple polymers | |
| US10879670B2 (en) | Continuous-wave pumped polymer laser and preparation method thereof | |
| Cui et al. | Efficiency enhancement in organic solar cells by incorporating silica-coated gold nanorods at the buffer/active interface | |
| Chen et al. | Flexible and filter‐free color‐imaging sensors with multicomponent perovskites deposited using enhanced vapor technology | |
| Skinner et al. | Electrospinning for nano-to mesoscale photonic structures | |
| Ramos et al. | Nanocolumnar 1-dimensional TiO 2 photoanodes deposited by PVD-OAD for perovskite solar cell fabrication | |
| Kodalle et al. | Revealing the Transient Formation Dynamics and Optoelectronic Properties of 2D Ruddlesden‐Popper Phases on 3D Perovskites | |
| Wang et al. | Mesoporous silica hybrids as an antireflective coating to enhance light harvesting and achieve over 16% efficiency of organic solar cells | |
| JP2012000599A (ja) | バリアフィルム及びその製造方法、有機電子デバイス及びその製造方法 | |
| Zhao et al. | Laser‐Assisted Synthesis of Ag2S‐Quantum‐Dot‐in‐Perovskite Matrix and Its Application in Broadband Photodetectors | |
| Chen et al. | Overcoming the Outcoupling Limit of Perovskite Light‐Emitting Diodes with Artificially Formed Nanostructures | |
| JP2020505304A (ja) | 単層カーボンナノチューブ用途のための分解可能なｓ−テトラジン系ポリマー | |
| Li et al. | Surface plasmon-enhanced amplified spontaneous emission from organic single crystals by integrating graphene/copper nanoparticle hybrid nanostructures | |
| Sun et al. | Short‐Term Stability of Perovskite Solar Cells Affected by In Situ Interface Modification | |
| Liu et al. | Low-threshold amplified spontaneous emission and laser emission in a polyfluorene derivative | |
| JP2012527091A (ja) | 有機発光素子の改善された出力効率 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |