CN107907748A - 无源uhf rfid标签反射散射强度测试方法 - Google Patents

无源uhf rfid标签反射散射强度测试方法 Download PDF

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冀京秋
余舒浩
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Abstract

本发明公开了一种无源UHF RFID标签反射散射强度测试方法，包括，根据测试项目定义复数个测试用例，并选取一测试用例，根据选取的所述测试用例设置所述RFID标签读写器参数，根据选取的所述测试用例设置所述射频信号分析装置参数，使所述射频信号分析装置工作于相应的信号分析模式，使所述RFID标签读写器以无线形式向一置于电波暗室内的待测试标签发送指令，使所述射频信号分析装置采集所述RFID标签读写器与所述待测试标签通信过程中的射频信号，分析采集到的所述射频信号，并记录所述待测试标签返回信号的反射强度，根据所述待测试标签返回信号的反射强度，计算所述待测试标签端的反向散射强度，选取下一测试用例，并重复上述步骤，直至所有所述测试用例测试完毕。本发明获得了以下有益效果：可对无源UHF RFID标签的反射散射强度进行测试。

Description

无源UHF RFID标签反射散射强度测试方法
技术领域
本发明涉及射频标签技术领域，尤其涉及一种无源UHF RFID标签反射散射强度测试方法。
背景技术
射频识别技术是二十世纪九十年代兴起的一种无线的、非接触方式的自动识别技术，是近几年发展起来的前沿科技项目。该技术主要是利用射频信号通过空间耦合实现无接触信息传递并通过所传递的信息达到识别目的。射频识别技术的显著优点在于非接触性，因此完成识别工作时无需人工干预，能够实现识别自动化且不易损坏；可识别高速运动的射频标签，也可同时识别多个射频标签，操作快捷方便；射频标签不怕油渍、灰尘污染等恶劣环境，且可以穿透非金属物体进行识别，抗干扰能力强。
现有的射频标签技术中，无源UHF RFID(特高频射频标签)被广泛的应用于物联网中，然而，由于目前缺少对无源UHF RFID的测试设备和测试方法，使得各种工作指标不统一的无源UHF RFID被混合使用，造成物联网或者相应的使用环境工作不稳定。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种无源UHF RFID标签反射散射强度测试方法。
为实现上述目的，本发明采用了如下的技术方案：
一种无源UHF RFID标签反射散射强度测试方法，其中，提供一RFID标签读写器及一射频信号分析装置，包括以下步骤：
步骤1，根据测试项目定义复数个测试用例，并选取一测试用例；
步骤2，根据选取的所述测试用例设置所述RFID标签读写器参数；
步骤3，根据选取的所述测试用例设置所述射频信号分析装置参数，使所述射频信号分析装置工作于相应的信号分析模式；
步骤4，使所述RFID标签读写器以无线形式向一置于电波暗室内的待测试标签发送指令；
步骤5，使所述射频信号分析装置采集所述RFID标签读写器与所述待测试标签通信过程中的射频信号；
步骤6，分析采集到的所述射频信号，并记录所述待测试标签返回信号的反射强度；
步骤7，根据所述待测试标签返回信号的反射强度，计算所述待测试标签端的反向散射强度；
步骤8，选取下一测试用例，并重复所述步骤2至所述步骤7，直至所有所述测试用例测试完毕。
本发明的另一方面，还包括天线及环形器，所述射频信号分析装置的输入接口连接所述环形器的第一端口，所述RFID标签读写器的射频接口连接所述环形器的第二端口，所述环形器的第三端口连接所述天线，所述天线设置于所述电波暗室内，所述待测试标签置于所述电波暗室内，并与所述天线具有预定距离。
本发明的另一方面，所述射频信号分析装置为矢量信号分析仪。
本发明的另一方面，所述RFID标签读写器的工作频率为840MHz～845MHz和/或920MHz～925MHz。
本发明的另一方面，所述电波暗室内径2.5米。
本发明的另一方面，所述预定距离为1米。
本发明的另一方面，所述步骤2中，所述RFID标签读写器发射功率设置为20dBm。
本发明的另一方面，所述步骤4中，所述指令为满足T2要求的启动查询命令。
本发明的另一方面，所述天线极化方式为线极化。
本发明的另一方面，所述天线增益为8.5dBi。
本发明获得了以下有益效果：
可对无源UHF RFID标签的反射散射强度进行测试。
附图说明
图1为本发明无源UHF RFID标签反射散射强度测试方法的流程框图；
图2为本发明无源UHF RFID标签反射散射强度测试装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
本发明提供一种无源UHF RFID标签反射散射强度测试方法，如图1、图2所示，其中，提供一RFID标签读写器2及一射频信号分析装置1，包括以下步骤：
步骤1，根据测试项目定义复数个测试用例，并选取一测试用例；
步骤2，根据选取的所述测试用例设置所述RFID标签读写器2的参数；
步骤3，根据选取的所述测试用例设置所述射频信号分析装置1的参数，使所述射频信号分析装置1工作于相应的信号分析模式；
步骤4，使所述RFID标签读写器2以无线形式向一置于电波暗室6内的待测试标签5发送指令；
步骤5，使所述射频信号分析装置1采集所述RFID标签读写器2与所述待测试标签5通信过程中的射频信号；
步骤6，分析采集到的所述射频信号，并记录所述待测试标签5返回信号的反射强度；
步骤7，根据所述待测试标签5返回信号的反射强度，计算所述待测试标签5端的反向散射强度；
步骤8，选取下一测试用例，并重复所述步骤2至所述步骤7，直至所有所述测试用例测试完毕。
本发明的另一方面，还包括天线4及环形器3，所述射频信号分析装置1的输入接口连接所述环形器3的第一端口，所述RFID标签读写器2的射频接口连接所述环形器3的第二端口，所述环形器3的第三端口连接所述天线4，所述天线4设置于所述电波暗室内6，所述待测试标签5置于所述电波暗室6内，并与所述天线4具有预定距离。
本发明的另一方面，所述射频信号分析装置1为矢量信号分析仪。
本发明的另一方面，所述RFID标签读写器2的工作频率为840MHz～845MHz和/或920MHz～925MHz。
本发明的另一方面，所述电波暗室6的内径2.5米。
本发明的另一方面，所述预定距离为1米。
本发明的另一方面，所述步骤2中，所述RFID标签读写器2发射功率设置为20dBm。
本发明的另一方面，所述步骤4中，所述指令为满足T2要求的启动查询命令。
上述T2的说明见表1。
表1
本发明的另一方面，所述天线4极化方式为线极化。
本发明的另一方面，所述天线4增益为8.5dBi。
以下以具体实施例说明本发明的可行性。
待测试标签的反射散射强度计算方法为；待测试标签反射散射强度＝射频信号分析装置接收到的待测试标签反向散射强度功率+天线增益-线路损耗-空气损耗。其中，线路损耗和空气损耗可根据测试装置的实际情况作为常数进行设置。
测试用例为工作频率840-845MHz，920-925MHz，步进为1MHz。RFID标签读写器的参数设置为，启动查询命令前向链路基准时间为：6.25μs，反向链路频率为：320Khz，编码方式为：FM0，带前导码。
此实施例中，步骤4中的指令为启动查询命令。判断待测试标签反射散射强度是否符合要求的方法为，测试用例中的任一频点待测试标签灵敏度优于-23dBm则测试通过，否则测试失败。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种无源UHF RFID标签反射散射强度测试方法，其特征在于，提供一RFID标签读写器及一射频信号分析装置，包括以下步骤：
步骤1，根据测试项目定义复数个测试用例，并选取一测试用例；
步骤2，根据选取的所述测试用例设置所述RFID标签读写器参数；
步骤3，根据选取的所述测试用例设置所述射频信号分析装置参数，使所述射频信号分析装置工作于相应的信号分析模式；
步骤4，使所述RFID标签读写器以无线形式向一置于电波暗室内的待测试标签发送指令；
步骤5，使所述射频信号分析装置采集所述RFID标签读写器与所述待测试标签通信过程中的射频信号；
步骤6，分析采集到的所述射频信号，并记录所述待测试标签返回信号的反射强度；
步骤7，根据所述待测试标签返回信号的反射强度，计算所述待测试标签端的反向散射强度；
步骤8，选取下一测试用例，并重复所述步骤2至所述步骤7，直至所有所述测试用例测试完毕。
2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，还包括天线及环形器，所述射频信号分析装置的输入接口连接所述环形器的第一端口，所述RFID标签读写器的射频接口连接所述环形器的第二端口，所述环形器的第三端口连接所述天线，所述天线设置于所述电波暗室内，所述待测试标签置于所述电波暗室内，并与所述天线具有预定距离。
3.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述射频信号分析装置为矢量信号分析仪。
4.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述RFID标签读写器的工作频率为840MHz～845MHz和/或920MHz～925MHz。
5.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述电波暗室内径2.5米。
6.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述预定距离为1米。
7.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述步骤2中，所述RFID标签读写器发射功率设置为20dBm。
8.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述步骤4中，所述指令为满足T2要求的启动查询命令。
9.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述天线极化方式为线极化。
10.如权利要求2所述的测试方法，其特征在于，所述天线增益为8.5dBi。
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