CN107896395A - 用于交流发光二极管灯具的集成电路及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种集成电路及其控制方法。集成电路适用于交流发光二极管灯具，并用以控制耦接于整流输入电压及接地电压之间的储能电路。交流发光二极管灯具包含以串联的方式设置于整流输入电压及接地电压之间的多个发光二极管群组。储能电路包含用以储存电能的电容及耦接于电容及整流输入电压之间的放电开关。集成电路具有路径控制器及储能电路控制器。路径控制器控制多个传导路径，每一传导路径将对应的发光二极管群组耦接至接地电压。储能电路控制器响应对应于第一传导路径的第一路径信号以开启放电开关，并响应对应于第二传导路径的第二路径信号以关闭放电开关。

Description

用于交流发光二极管灯具的集成电路及其控制方法

技术领域

本发明涉及一种发光二极管(Light-Emitting Diode；LED)灯具，特别是涉及一种用于交流(Alternating Current；AC)发光二极管灯具的集成电路及其控制方法。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode；LED)正以非常快的速度被使用于一般的照明用途上。在一使用案例中，包含有多个发光二极管的集合是由交流电源所供电，而「交流发光二极管」一词有时即是用来说明这样的电路。对交流发光二极管照明系统而言，所被关心的部分包括了其制造成本、电路转换效率、功率因数(power factor)、频闪(flicker)及使用寿命…等。

美国第9,374,863号专利展示了几种交流发光二极管灯具，该专利在本文中被引用以作为参考。图1绘示了上述美国第9,374,863号专利中所公开的交流发光二极管灯具100，其具有消除黑暗区间(dark period)的能力，当处于交流电源的低电压波幅时将会造成此黑暗区间的产生。因此，交流发光二极管灯具100可消除黑暗区间的产生，避免频闪的发生。

在图1中，集成电路102具有路径开关SG₁、SG₂、SG₃及SG₄、路径控制器24以及储能电路控制器106。每一路径开关SG₁、SG₂、SG₃及SG₄提供传导路径并将一个发光二极管群组的阴极连接至电流源25，而电流源25限制了从发光二极管串(LED string)流到接地电压的最大驱动电流。举例来说，传导路径中的路径开关SG₁将控制发光二极管群组20₁的阴极与电流源25是否连接在一起。路径控制器24将会自适性地控制多个路径开关SG₁、SG₂、SG₃及SG₄。例如，倘若整流输入电压V_REC过低，而使得流经发光二极管群组20₄的电流I_G4约等于0安培，接着路径控制器24将会开启路径开关SG₃，以将发光二极管群组20₃的阴极直接地连接至电流源25。

图1中的脉波产生器108用以响应信号S₁，而信号S₁是由路径控制器24所传送以控制路径开关SG₁，而路径开关SG₁为所有的路径开关中最上游的路径开关。当信号S₁为有效电位而开启路径开关SG₁时，脉波产生器108被触发以输出具有预设脉波宽度的脉波信号S_CONN。脉波信号S_CONN将开关116开启，以使恒定电流源118将控制电流I_CTL从双载子接面晶体管(BJT)110的基极导引出来。脉波产生器108决定脉波信号S_CONN的脉波宽度，在本说明中脉波信号S_CONN的脉波宽度可以以导通周期T_CONN来代表。当脉波信号S_CONN出现时，双载子接面晶体管110将电容112连接到节点REC。在导通周期T_CONN期间，储能电路104中的电容112所储存的电能将被释放以供电给发光二极管群组20₁、20₂、20₃及20₄，以维持发光二极管群组20₁、20₂、20₃及20₄中的部分发光二极管群组在输入埠16的输入电压V_AC处于低波幅时继续地发光。

发明内容

在本发明的一实施例中，提供了一种集成电路，其适用于发光二极管灯具。发光二极管灯具包含储能电路及多个发光二极管群组。其中储能电路耦接于整流输入电压及接地电压之间。储能电路包含电容及放电开关。电容用以储存电能，而放电开关耦接于电容及整流输入电压之间。上述多个发光二极管群组以串联的方式设置于整流输入电压及接地电压之间。集成电路包含路径控制器以及储能电路控制器。路径控制器用以控制多个传导路径，而每一传导路径将对应的发光二极管群组耦接至接地电压。储能电路控制器用以响应对应于第一传导路径的第一路径信号以开启放电开关，并用以响应对应于第二传导路径的第二路径信号以关闭放电开关。其中第一路径信号及第二路径信号彼此相异。

在本发明的一实施例中，提供了一种发光二极管灯具的控制方法。发光二极管灯具包含储能电路及多个发光二极管群组。其中储能电路耦接于整流输入电压及接地电压之间，储能电路包含电容及放电开关，电容用以储存电能，放电开关耦接于电容及整流输入电压之间，而上述多个发光二极管群组以串联的方式设置于整流输入电压及接地电压之间。上述的控制方法包含：提供多个传导路径，其中每一传导路径将对应的一个发光二极管群组耦接至接地电压；响应一第一路径信号以开启放电开关，进而释放电容所储存的电能以供电给上述多个发光二极管群组，其中第一路径信号对应于上述多个传导路径中的一第一传导路径；以及响应一第二路径信号以关闭放电开关，进而停止从电容释放电能，其中第二路径信号对应于上述多个传导路径中的一第二传导路径。其中第一路径信号及第二路径信号彼此相异。

附图说明

图1绘示了一种先前技术中的交流发光二极管灯具。

图2至图5分别绘示了本发明不同实施例的交流发光二极管灯具。

图6A绘示了一种电力佳侦测器(power-good detector)。

图6B绘示了图6A中的磁滞比较器(hysteresis comparator)的转换特性。

其中，附图标记说明如下：

16 输入埠

18 全波整流器

20₁、20₂、20₃、20₄ 发光二极管群组

24 路径控制器

25 电流源

100、200 交流发光二极管灯具

104 储能电路

110 双载子接面晶体管

112 电容

114 二极管

116 开关

118 电流源

202 集成电路

203、203a、203b、203c 电力不佳侦测器

204、204a、204b、204c、204d 电力佳侦测器

206、206a、206b、206c 储能电路控制器

207、230、232 脉波产生器

208 SR缓存器

209 开关驱动器

210a、214a 取样/保持电路

212a、212b、216a、216b、260 比较器

217 峰值保持器

262 磁滞比较器

264 及闸

CP₁、CP₂、CP₃、CP₄ 传导路径

GND 接地端

I_DIS 充电电流

I_CTL 控制电流

I_P1 传导电流

I_G1、I_G2、I_G3、I_G4 电流

REC 节点

S₁、S₂、S₃、S₄ 信号

SD_P1、SD_P2、SD_P3、SD_P4 端点电压

SD_PK、V_REF1、V_REF2、V_REF3 参考电压

SI_P1 电流感测信号

SG₁、SG₂、SG₃、SG₄ 路径开关

S_CONN 脉波

SI_HB、SI_HT 样本

T_BLNK 遮没时间

T_CONN 导通周期

V_REC 整流输入电压

V_CAP 电容电压

V_OS1、V_OS2 偏移电压

具体实施方式

以下所公开本发明的各实施例系充分地公开，而足使熟习本发明所属领域中具有通常知识者得以实施本发明。对于本发明所公开的各实施例所做的各种简单组合与变化，仍应视为本发明的实施例。

在以下说明书中，将会公开本发明多个实施例的特例。然而，该些特例并非实施本发明的唯一方式，为了使本发明的说明书以简洁易懂的方式记载，部分熟习本发明所属领域的通常知识者得以简单转用而产生的实施例将不重复赘述。

图1中，导通周期T_CONN是固定的，且可由脉波产生器108所决定。然而，因导通周期T_CONN是固定的，故难以使电路的动作达到最佳化。太短的导通周期T_CONN会提早停止将电容112的电力提供给发光二极管串，而无法完全地消除黑暗区间(dark period)。另一方面，太长的导通周期T_CONN则会使得电容112在输入电压V_AC通过波峰且开始下降时仍然与节点REC连接在一起，使得电容112的电压在下一个导通周期T_CONN开始之前不必要地减少，而导致储能电路的操作效能降低。

因此，为了使交流发光二极管灯具有较佳的性能，导通周期T_CONN应该要能够自行地依据发光二极管灯的架构做适当的调整，如此才能使电路的动作达到最佳化。

图2绘示了本发明一实施例的交流发光二极管灯具200。交流发光二极管灯具200具有全波整流器(full-wave rectifier)18，用以对横跨输入埠16的正弦的输入电压V_AC进行整流，并在节点REC提供整流输入电压V_REC，以及在接地端GND提供接地电压。发光二极管群组20₁、20₂、20₃及20₄形成一个发光二极管串(LED string)且串联在整流输入电压V_REC与接地电压之间。每一个发光二极管群组可依据不同的应用而由多个串联或并联的发光二极管组成。发光二极管群组20₁是图2中最上游的一个发光二极管群组，因其阳极连接至发光二极管串中的最高电压(即整流输入电压V_REC)。类似地，发光二极管群组20₄是图2中最下游的一个发光二极管群组。发光二极管群组20₂相对于发光二极管群组20₁是一个下游的发光二极管群组，而相对于发光二极管群组20₃则是一个上游的发光二极管群组。

集成电路202通常以封装晶片形式存在，并具有多个路径开关SG1、SG2、SG3及SG4、路径控制器24以及储能电路控制器206。每一个路径开关SG1、SG2、SG3及SG4提供传导路径，用以将对应的发光二极管群组的阴极连接到电流源25，而电流源25限制了从发光二极管串流到接地电压的最大驱动电流。举例来说，路径开关SG₁提供并控制介于发光二极管群组20₁的阴极与电流源25之间的传导路径CP₁。路径控制器24用以自适性地控制路径开关SG1、SG2、SG3及SG4。举例来说，倘若整流输入电压V_REC太低而使得流经发光二极管群组20₄的电流I_G4趋近于0安培，则路径控制器24会开启路径开关SG₃，以提供传导路径CP₃，而将发光二极管群组20₃的阴极直接地连接到电流源25。发光二极管群组20₄则不须再驱动，且整流输入电压V_REC若超过发光二极管群组20₁、20₂及20₃的顺向偏压(forward voltages)的总和时，可使得发光二极管群组20₁、20₂及20₃继续发光。

交流发光二极管灯具200具有储能电路104，偶接于整流输入电压V_REC与接地电压之间。当正弦的输入电压V_AC的绝对值相对地高时，储能电路104储存电能；而当正弦的输入电压V_AC的绝对值相对地低时，储能电路104释放所储存电能至发光二极管串。储能电路104具有二极管114，偶接于节点REC及电容112之间。当整流输入电压V_REC超过电容112的电容电压V_CAP时，从二极管114所导引出的电流会对电容112充电，而电容电压V_CAP会升高。一个PNP型的双载子接面晶体管110会如同一个连接于整流输入电压V_REC与电容112之间的放电开关般地作动。当有一非零的(non-zero)控制电流I_CTL从双载子接面晶体管110的基极抽取出去，且电容电压V_CAP高于整流输入电压V_REC时，双载子接面晶体管110可将充电电流I_DIS从电容112导引至节点REC，以对发光二极管串供电。换句话说，双载子接面晶体管110可被控制电流I_CTL开启，之后电容112所储存的电能可被释放，以使发光二极管群组20₁、20₂、20₃及20₄发光。控制电流I_CTL只有在导通周期T_CONN才存在。因为当导通周期T_CONN开始与结束时，其取决于集成电路202内的储能电路控制器206的控制。

在图2中，储能电路控制器206具有开关驱动器209、电力不佳侦测器(power-baddetector)203以及电力佳侦测器(power-good detector)204。开关驱动器209操控控制电流I_CTL以控制双载子接面晶体管110。响应对应于第一传导路径的第一路径信号，电力不佳侦测器203侦测输入电压V_AC的振幅何时为低，以触发开关驱动器209并开启双载子接面晶体管110。响应对应于第二传导路径的第二路径信号，电力佳侦测器204侦测输入电压V_AC的振幅何时足够高，以触发开关驱动器209并关闭双载子接面晶体管110。一般来说，电力不佳侦测器203可决定导通周期T_CONN何时开始，而电力佳侦测器204可决定导通周期T_CONN何时结束。

开关驱动器209具有开关116、电流源118、SR缓存器208、脉波产生器207以及一些逻辑闸(logic gates)。当SR缓存器208在其输出端使信号S_CONN为有效电位(asserted)时，开关116会被开启，且恒定电流源118会从双载子接面晶体管110的基极汲取出而形成控制电流I_CTL，以开启双载子接面晶体管110。当SR缓存器208使信号S_CONN为无效电位(deasserted)时，控制电流I_CTL会停止，且双载子接面晶体管110会被关闭，而结束了导通周期T_CONN。当信号S_CONN为有效电位后，脉波产生器207会产生脉波宽度为遮没时间(blankingtime)T_BLNK的脉波。当此一脉波出现时，可避免SR缓存器208被重置。由图2可看出，开关驱动器209被配置为当双载子接面晶体管110被开启后一遮没时间T_BLNK内不会关闭双载子接面晶体管110。换句话说，导通周期T_CONN会被受限而不得小于脉波产生器207所设置的遮没时间T_BLNK。

对应于传导路径的路径信号可以是代表流过该传导路径的电流的信号、或是开启或关闭路径开关(此路径开关控制着该传导路径)的信号、或是此路径开关中与对应发光二极管群组连接的节点的端点电压。举例来说，如图2所示，电流感测信号SI_P1是对应于传导路径CP₁的路径信号，并代表着流过传导路径CP₁的传导电流I_P1，其中电流感测信号SI_P1是通过感测传导电流I_P1而产生。与发光二极管群组20₂连接的路径开关SG₂端点的端点电压SD_P2是对应于传导路径CP₂的路径信号。开启或关闭路径开关SG₃的信号S₃则是对应于传导路径CP₃的路径信号。

电力不佳侦测器203与电力佳侦测器204可对两个不同的路径信号分别响应而作动。在一实施例中，上述两个不同的路径信号可以分别与不同的传导路径相关。在另一实施例中，上述两个不同的路径信号可以与相同的传导路径相关。

图3绘示了本发明一实施例的交流发光二极管灯具200a。在图3的集成电路202a中的电力不佳侦测器203a与电力佳侦测器204a分别是图2中的电力不佳侦测器203与电力佳侦测器204的范例，而集成电路202a另具有储能电路控制器206a。

电力不佳侦测器203a的功能是用以侦测整流输入电压V_REC是否难以使发光二极管群组20₁发光。当信号S₁为无效电位时，取样/保持(sample/hold；S/H)电路210a对电流感测信号SI_P1进行取样，并当信号S₁为有效电位时，保持所取样到的样本SI_HB。换句话说，当信号S₁转变成有效电位时的那一刻，电流感测信号SI_P1会被取样并被保持而成为样本SI_HB。比较器212a将电流感测信号SI_P1与样本SI_HB减去一偏移电压V_OS1的值进行比较。倘若信号S₁开启路径开关SG₁且电流感测信号SI_P1低于样本SI_HB减去偏移电压V_OS1的值，比较器212a的输出会设置开关驱动器209中的SR缓存器208，以开启双载子接面晶体管110并开始导通周期T_CONN。信号S₁成为有效电位其含意是整流输入电压V_REC已经降至无法同时使发光二极管群组20₁及20₂都继续发光的一特定低电位，故信号S₁成为有效电位以开启路径开关SG₁，进而使电流I_G1变成为传导电流I_P1。在此期间，传导电流I_P1将不会流过发光二极管群组20₂，因此仅留下发光二极管群组20₁继续发光。从取样/保持电路210a所取得的样本SI_HB是当路径开关SG₁刚开启时的电流感测信号SI_P1，其代表当仅有发光二极管群组20₁发光时的传导电流I_P1的一般波幅。倘若整流输入电压V_REC持续地降低而几乎无法使发光二极管群组20₁发光，则传导电流I_P1首先掉至上述一般波幅以下，电流感测信号SI_P1变成小于样本SI_HB减去偏移电压V_OS1的值，故比较器212a开始了导通周期T_CONN，而在导通周期T_CONN期间内，电容112所储存的电能被释放以供电给发光二极管串，而使得至少有一发光二极管群组继续地发光。因此，电力不佳侦测器203a的功能是用以侦测整流输入电压V_REC是否下降且无法只使发光二极管群组20₁发光。就另一角度来看，当电流感测信号SI_P1指示整流输入电压V_REC具有负斜率且难以使发光二极管群组20₁发光时，电力不佳侦测器203a会将双载子接面晶体管110开启。

电力佳侦测器204a的功能是用以侦测整流输入电压V_REC是否具有正斜率。当信号S₃为有效电位时，取样/保持电路214a对端点电压SD_P4进行取样，并当信号S₃为无效电位时，保持所取样到的样本SI_HT。换句话说，当信号S₃开始关闭路径开关SG₃的那一刻，端点电压SD_P4会被取样并被保持而成为样本SI_HT。倘若信号S₃关闭路径开关SG₃且端点电压SD_P4超过样本SI_HT加上偏移电压V_OS2的值，比较器216a的输出会重设开关驱动器209中的SR缓存器208，以关闭双载子接面晶体管110并结束导通周期T_CONN。信号S₃成为无效电位其含意是整流输入电压V_REC已经提升至足以使全部的发光二极管群组20₁、20₂、20₃及20₄都发光的程度。倘若端点电压SD_P4高于样本SI_HT加上偏移电压V_OS2的值，则端点电压SD_P4具有一正斜率。值的注意地，端点电压SD_P4会随着整流输入电压V_REC的变动而变动，或是等于整流输入电压V_REC减去发光二极管串(包括所有的发光二极管群组)的顺向电压。一旦端点电压SD_P4具有一正斜率，整流输入电压V_REC也会具有正斜率，而这表示横跨输入埠16的输入电压V_AC已经具有超过电容112的电容电压V_CAP的波幅，且正在拉高整流输入电压V_REC。因为输入电压V_AC已经变为具有足够的电位以拉高整流输入电压V_REC，故此时储能电路104没有供电给发光二极管串的必要，也因此电力佳侦测器204a可触发开关驱动器209以关闭双载子接面晶体管110并结束导通周期T_CONN。

即使电力不佳侦测器203a响应对应于传导路径CP₁的路径信号，但本发明并不以此为限。举例来说，在本发明部份实施例中，电力不佳侦测器203a可改以响应对应于传导路径CP₂的路径信号。类似地，本发明并不以电力佳侦测器204a响应对应于传导路径CP₃及CP₄的路径信号为限。举例来说，在本发明一实施例中可具有一电力佳侦测器来取代电力佳侦测器204a，以响应对应于传导路径CP₂及CP₃的路径信号。

图4绘示了本发明一实施例的交流发光二极管灯具200b，其具有集成电路202b，而集成电路202b具有储能电路控制器206b。图4储能电路控制器206b中的电力不佳侦测器203b和电力佳侦测器204b分别是图2中的电力不佳侦测器203及电力佳侦测器204的示例。电力不佳侦测器203b与电力佳侦测器204b所响应的路径信号都与传导路径CP₁相关。

电力不佳侦测器203b的功能是侦测整流输入电压V_REC是否难以使发光二极管群组20₁发光。比较器212b将电流感测信号SI_P1与参考信号SI_REF进行比较。参考信号SI_REF可以是一个定值，用以当只有发光二极管群组20₁正确地发光时，代表电流源25的电流大小。倘若信号S₁开启了路径开关SG₁，且电流感测信号SI_P1低于参考信号SI_REF，比较器212b的输出会设置开关驱动器209中的SR缓存器208，以开启双载子接面晶体管110并开始导通周期T_CONN。倘若整流输入电压V_REC快要无法使发光二极管群组20₁发光，传导电流I_P1会先下降至电流源25所提供的电流以下，电流感测信号SI_P1会变成低于参考信号SI_REF，因此比较器212b会开始导通周期T_CONN，而在导通周期T_CONN的期间，电容112所储存的电能会被释放以对发光二极管串进行供电，进而维持至少有一个发光二极管群组继续发光。因此，电力不佳侦测器203b的功能是侦测整流输入电压V_REC是否下降且难以驱动单一个发光二极管群组20₁发光。

电力佳侦测器204b的功能是侦测整流输入电压V_REC是否几乎处于波峰。电力佳侦测器204b具有峰值保持器(peak holder)217以及比较器216b。端点电压SD_P1的波峰可被峰值保持器217追踪，而使峰值保持器217据此输出略低于波峰的参考电压SD_PK。一旦端点电压SD_P1已超过参考电压SD_PK，端点电压SD_P1会几乎处于波峰或其最大值，因此比较器216b会传信号至开关驱动器209，以使开关驱动器209于遮没时间T_BLNK之后关闭双载子接面晶体管110，进而结束导通周期T_CONN。当端点电压SD_P1处于端点电压SD_P1的波峰时，整流输入电压V_REC同时会达到本身的最大值。因当整流输入电压V_REC几乎达到本身的最大值时，导通周期T_CONN即被结束，如此将可避免电容112在整流输入电压V_REC开始从本身的最大值下降时被无意义地放电。

电力不佳侦测器203b与电力佳侦测器204b两者都响应对应于传导路径CP₁的路径信号，但本发明并不以此为限。举例来说，在本发明部份实施例中，电力不佳侦测器203b与电力佳侦测器204b可改以响应对应于传导路径CP₂的路径信号。又例如，在本发明其他实施例中，可维持电力不佳侦测器203b响应电流感测信号SI_P1及信号S₁，而电力佳侦测器204b改以响应端点电压SD_P2。

图5绘示了本发明一实施例的交流发光二极管灯具200c，其具有集成电路202c，而集成电路202c具有储能电路控制器206c。图5中的电力不佳侦测器203c与电力佳侦测器204c分别是图2中的电力不佳侦测器203及电力佳侦测器204的示例。

电力不佳侦测器203c会侦测整流输入电压V_REC是否无法支持发光二极管群组20₁及20₂发光。当信号S₁为有效电位时，电力不佳侦测器203c传递信号给开关驱动器209以开始导通周期T_CONN，其中当脉波产生器230在其输入端发现上升缘(rising edge)时，脉波产生器230输出短脉波(short pulse)。如上所述，信号S₁成为有效电位其含意是整流输入电压V_REC已经降至无法同时使发光二极管群组20₁及20₂都继续发光的一特定低电位。因此，信号S₁是否成为有效电位可被用来当作是一指标，用以判断整流输入电压V_REC是否过低，以及判断电容112是否应开始释放所储存的电能以供电给发光二极管串。

电力佳侦测器204c侦测整流输入电压V_REC是否提升至足够高的电位以使全部的发光二极管群组20₁、20₂、20₃及20₄发光。电力佳侦测器204c发出信号给开关驱动器209，以当信号S₃成为无效电位，适当地结束连接周期T_CONN。其中当脉波产生器232在其输入端发现上升缘时，脉波产生器232输出短脉波。信号S₃成为无效电位其含意是整流输入电压V_REC已经提升至足以使全部的发光二极管群组20₁、20₂、20₃及20₄都发光的程度。因此，信号S₃是否成为无效电位可被用来当作是一指标，用以判断整流输入电压V_REC是否被横跨输入埠16的输入电压V_AC所提升，以及判断电容112是否应停止释放所储存的电能。

电力不佳侦测器203c与电力佳侦测器204c可单独地或结合在一起，以更替地对图5中的其他路径信号进行响应。

图6A绘示了一种电力佳侦测器204d其可用来取代上述的任何一个电力佳侦测器。电力佳侦测器204d的表现像是一个正斜率侦测器(positive-slope detector)，其具有比较器260、磁滞比较器(hysteresis comparator)262以及一个及闸(AND gate)264。图6B绘示了图6A中的磁滞比较器262的输出电压V_O伴随着输入电压V_I变化与参考电压V_REF1、V_REF2及V_REF3的转换特性。参考电压V_REF1是参考电压V_REF1、V_REF2及V_REF3当中最大的参考电压，参考电压V_REF3则是当中最小的参考电压，而输入电压V_I为端点电压SD_P4。由图6A中的电力佳侦测器204d的设置以及图6B的转换特性来看，可研判出只有当端点电压SD_P4已经低于参考电压V_REF3并正要提升至参考电压V_REF1及V_REF2之间时，及闸264才会输出逻辑值“1”。换句话说，这表示端点电压SD_P4目前具有一正斜率。由于电容112在放电过程中仅可贡献负斜率给端点电压SD_P4，端点电压SD_P4的正斜率的发生可以当作一个指标，用以表示横跨输入埠16的交流输入电压V_AC正在拉高整流输入电压V_REC。因此，当电力佳侦测器204d发现端点电压SD_P4的正斜率时，电容112可停止释放所储存的电能。

在本发明的其他实施例中，电力佳侦测器204d可改以对端点电压SD_P1、SD_P2或SD_P3进行响应。

上述所有的电力佳侦测器都可相互替换以组成本发明的不同实施例，而上述所有的电力不佳侦测器也可相互替换。举例来说，本发明的一个实施例可具有电力佳侦测器204a及电力不佳侦测器203b，以分别决定导通周期T_CONN的结束与开始。

请注意，将本发明上述所公开的各实施例加以进行简单组合与变化(例如数量上的变化)所衍生的各种实施例，仍应视为本发明的实施例。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (21)

1.一种集成电路，适用于一发光二极管灯具，其特征在于，该发光二极管灯具包含一储能电路及多个发光二极管群组，其中该储能电路耦接于一整流输入电压及一接地电压之间，该储能电路包含一电容及一放电开关，该电容用以储存电能，该放电开关耦接于该电容及该整流输入电压之间，而该些发光二极管群组以串联的方式设置于该整流输入电压及该接地电压之间，该集成电路包含：

路径控制器，用以控制多个传导路径，每一传导路径将一对应的发光二极管群组耦接至该接地电压；以及

储能电路控制器，用以响应对应于一第一传导路径的一第一路径信号以开启该放电开关，并响应对应于一第二传导路径的一第二路径信号以关闭该放电开关；

其中该第一路径信号及该第二路径信号彼此相异。

2.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该储能电路控制器包含：

开关驱动器，用以控制该放电开关；

电力不佳侦测器，用以响应该第一路径信号，以触发该开关驱动器开启该放电开关；以及

电力佳侦测器，用以响应该第二路径信号，以触发该开关驱动器关闭该放电开关。

3.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，该开关驱动器被配置为当开启该放电开关后一遮没时间内不会被关闭。

4.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第一传导路径即是该第二传导路径。

5.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第一传导路径及该第二传导路径分别将该第一发光二极管群组及该第二发光二极管群组耦接至该接地电压，而该第一发光二极管群组是相对于该第二发光二极管群组的一个上游的发光二极管群组。

6.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第一路径信号是一种用以表示流经该第一传导路径的电流的信号。

7.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该第一路径信号是一种用以开启或关闭一第一路径开关的信号，而该第一路径开关控制该第一传导路径。

8.如权利要求1所述的集成电路，其特征在于，该路径控制器包含一第一路径开关，该第一路径开关控制该第一传导路径，该第一路径开关具有连接于一第一发光二极管群组的一端点，而该第一路径信号位于该端点。

9.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，当相对于该第一路径开关的该第一路径信号表示该整流输入电压具有一负斜率时，该电力不佳侦测器开启该放电开关。

10.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，该第一传导路径将一第一发光二极管群组耦接至该接地电压，而当该第一路径信号表示该整流输入电压难以使该第一发光二极管群组发光时，该电力不佳侦测器开启该放电开关。

11.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，当该第二路径信号表示该整流输入电压具有一正斜率时，该电力佳侦测器关闭该放电开关。

12.如权利要求2所述的集成电路，其特征在于，当该第二路径信号表示该整流输入电压几乎处于波峰时，该电力佳侦测器关闭该放电开关。

13.一种发光二极管灯具的控制方法，其特征在于，该发光二极管灯具包含一储能电路及多个发光二极管群组，其中该储能电路耦接于一整流输入电压及一接地电压之间，该储能电路包含一电容及一放电开关，该电容用以储存电能，该放电开关耦接于该电容及该整流输入电压之间，而该些发光二极管群组以串联的方式设置于该整流输入电压及该接地电压之间，该控制方法包含：

提供多个传导路径，每一传导路径将对应的一个发光二极管群组耦接至该接地电压；

响应一第一路径信号以开启该放电开关，进而释放该电容所储存的电能以供电给该些发光二极管群组，其中该第一路径信号对应于该些多个传导路径中的一第一传导路径；以及

响应一第二路径信号以关闭该放电开关，进而停止从该电容释放电能，其中该第二路径信号对应于该些多个传导路径中的一第二传导路径；

其中该第一路径信号及该第二路径信号彼此相异。

14.如权利要求13所述的控制方法，另包含：

禁止当开启该放电开关后一遮没时间内关闭该放电开关。

15.如权利要求13所述的控制方法，其特征在于，该第一传导路径及该第二传导路径分别将该第一发光二极管群组及该第二发光二极管群组耦接至该接地电压，而该第一发光二极管群组是相对于该第二发光二极管群组的一个上游的发光二极管群组。

16.如权利要求13所述的控制方法，其特征在于，该第一传导路径即是该第二传导路径。

17.如权利要求13所述的控制方法，其特征在于，开启该放电开关的步骤包含：

对该第一路径信号进行取样，以取得一样本；以及

比较该第一路径信号与该样本，以开启该放电开关。

18.如权利要求13所述的控制方法，其特征在于，关闭该放电开关的步骤包含：

对该第二路径信号进行取样，以取得一样本；以及

比较该第二路径信号与该样本，以关闭该放电开关。

19.如权利要求13所述的控制方法，其特征在于，该第一路径信号及该第二路径信号其中之一用以表示流经一对应的传导路径的电流。

20.如权利要求13所述的控制方法，其特征在于，该第一路径信号及该第二路径信号其中之一用以开启或关闭一路径开关，而该路径开关控制一对应的传导路径。

21.如权利要求13所述的控制方法，其特征在于，该第一路径信号及该第二路径信号其中之一是一路径开关的一端点的信号，而该端点将该路径开关连接至该些发光二极管群组中的一发光二极管群组。