CN107895564B - 一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法 - Google Patents

一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107895564B
CN107895564B CN201711088797.5A CN201711088797A CN107895564B CN 107895564 B CN107895564 B CN 107895564B CN 201711088797 A CN201711088797 A CN 201711088797A CN 107895564 B CN107895564 B CN 107895564B
Authority
CN
China
Prior art keywords
inorganic semiconductor
semiconductor layer
organic
luminescent device
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711088797.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107895564A (zh
Inventor
郭立雪
朱映光
谢静
胡永岚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guan Yeolight Technology Co Ltd
Original Assignee
Guan Yeolight Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guan Yeolight Technology Co Ltd filed Critical Guan Yeolight Technology Co Ltd
Priority to CN201711088797.5A priority Critical patent/CN107895564B/zh
Publication of CN107895564A publication Critical patent/CN107895564A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107895564B publication Critical patent/CN107895564B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D11/00—Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请公开了一种有机发光器件结构，包括：基板、形成于基板上的电极和有机器件，以及封装结构，所述封装结构包括至少三层且其中一层为无机半导体层，所述无机半导体层与所述有机器件间隔至少一层绝缘层；所述无机半导体层电连接至所述封装结构外部。基于此设计，当有机发光器件的某些区域产生较高的温度时，过高的温度会影响无机半导体层的实际电阻值，通过控制单元持续测定无机半导体层的电阻阻值，并通过查找该无机半导体层的电阻‑温度曲线，即可获得无机半导体层的实时温度值，也即有机发光器件的内部温度值。

Description

一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法
技术领域
本公开一般涉及电子显示技术领域，具体涉及一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode)，有机发光二极管又称为有机电激光显示，其基本原理为采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，有机材料就会发光，即其具有自发光的特性。与传统的LCD显示方式不同，其无需背光灯，能够节省电能，此外，OLED显示屏幕可以做得更轻更薄，可视角度更大。不过，虽然OLED具有以上优点，但就现阶段而言，有机发光显示技术还存在使用寿命短、屏幕大型化难等缺陷。
单就使用寿命短而言，现有技术中对OLED屏体进行特殊测试时(例如加速老化测试过程)需要对OLED进行高亮度点屏。测试过程中，屏体上的某些区域会产生较高的温度，而过高的温度会影响OLED屏体显示效果，甚至会损坏屏体。因此，在高亮度点屏时需要检测屏体温度，并根据屏体温度调整驱动电压从而对屏体亮度进行及时调整。
目前，大多依靠外界测温仪(如扫描温度显微镜(SThM)，拉曼光谱等)检测屏体温度受到屏体玻璃界面导热特性的影响，这些外界测温仪一方面测试精度较低，要想实现高精度测量，还需要配备相关对位聚焦装置等；另一方面设备复杂，不易实时监测，亟待改进。此外，外界测温仪基本测量的是屏体表面的温度，但屏体内部有机发光层的温度并不能实时检测，但该部分的温度才是影响器件性能的重点参数。
发明内容
第一方面，鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种相较于现有技术而言，能够便于实时监测屏体内部温度变化的有机发光器件结构。
一种有机发光器件结构，包括：基板、形成于基板上的电极和有机器件，以及封装结构，所述封装结构包括至少三层且其中一层为无机半导体层，所述无机半导体层与所述有机器件间隔至少一层绝缘层；所述无机半导体层电连接至所述封装结构外部。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述无机半导体层的厚度大于100nm。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述无机半导体层的厚度大于1μm。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述无机半导体层为Si、SiO2、TiO2、Ge或硅锗合金，所述无机半导体层与所述电极相搭接。所述无机半导体通过掩膜工艺与电极进行搭接。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述绝缘层为有机或无机材料。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述无机半导体层远离所述有机器件的一侧设有封装层。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述绝缘层、无机半导体层或封装层分别至少包括一层。
第二方面，鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种相较于现有技术而言，能够简易且实时地实现实时监测器件内部温度变化的有机发光器件内部温度监测方法。
第二方面，一种有机发光器件内部温度监测方法，包括如下步骤：
S1：获取无机半导体层的电阻-温度曲线并内置于控制单元中；
S2：将第一方面的技术方案所述有机发光器件的无机半导体层与控制单元电连接；
S3：控制单元实时获取无机半导体层电阻信息并查找电阻-温度曲线，获取有机发光器件实时信息。
根据本申请实施例提供的技术方案，在步骤S3之后还包括以下步骤：S4：有机器件与控制单元电连接，当有机器件温度高于温度限值时，控制单元控制切断线路。
根据本申请实施例提供的技术方案，所述温度限值为100℃。
综上所述，本申请基于上述技术方案的改进，提供有一种有机发光器件结构，基于此设计，当有机发光器件的某些区域产生较高的温度时，过高的温度会影响无机半导体层的实际电阻值，通过控制单元持续测定无机半导体层的电阻阻值，并通过查找该无机半导体层的电阻-温度曲线，即可获得无机半导体层的实时温度值，也即有机发光器件的内部温度值。
此外，本申请还提供有一种与上述有机发光器件相适应的有机发光器件内部温度监测方法，此监测方法相较于现有技术而言，能够简易且实时地实现实时监测器件内部温度变化，有效地解决现有技术存在的技术问题。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本申请中一种有机发光器件的结构示意图；
图2为本申请中一种有机发光器件的使用状态示意图；
图3为本申请中一种有机发光器件内部温度监测方法的流程图；
图4为本申请中一种有机发光器件内部温度监测方法的流程图。
图5为本申请中一种有机发光器件内部温度监测方法中的电阻-温度曲线。
图中标号：1、基板；2、电极；3、有机器件；4、无机半导体层。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
实施例一：
请参考图1，本实施例中具体地公开有一种有机发光器件的具体结构。
所述有机发光器件的结构包括：基板1、形成于基板1上的电极2和有机器件3，以及封装结构。
所述基板1、形成于基板1上的电极2和有机器件3为所述有机发光器件的基本组成部件，能够实现当有电流通过时，有机材料就会发光，即其具有自发光的特性。
所述封装结构为本实施例中的关键组成结构，其包括至少三层且其中一层为无机半导体层4，基于此设计，当有机发光器件的某些区域产生较高的温度时，过高的温度会影响无机半导体层的实际电阻值，通过控制单元持续测定无机半导体层的电阻阻值，并通过查找该无机半导体层的电阻-温度曲线，即可获得无机半导体层的实时温度值，也即有机发光器件的内部温度值。所述无机半导体层4与所述有机器件3间隔至少一层绝缘层。
基于上述设计，为能够持续测定无机半导体层的电阻阻值，所述无机半导体层4电连接至所述封装结构外部。
在任一优选的实施例中，所述无机半导体层的厚度大于100nm。
在任一优选的实施例中，所述无机半导体层4的厚度大于1μm。
在任一优选的实施例中，所述无机半导体层4为Si、SiO2、TiO2、Ge或硅锗合金，所述无机半导体层4与所述电极2相搭接。所述无机半导体4通过掩膜工艺与电极进行搭接。
在任一优选的实施例中，所述绝缘层为有机或无机材料。
在任一优选的实施例中，所述无机半导体层4远离所述有机器件3的一侧设有封装层。
在任一优选的实施例中，所述绝缘层、无机半导体层或封装层分别至少包括一层。
实施例二：
请参阅图2和图3，本实施例中具体地公开有一种有机发光器件内部温度监测方法。
所述有机发光器件内部温度监测方法，具体包括如下步骤：
S1：获取无机半导体层的电阻-温度曲线并内置于控制单元中；
S2：将实施例一所述有机发光器件的无机半导体层与控制单元电连接；
S3：控制单元实时获取无机半导体层电阻信息并查找电阻-温度曲线，获取有机发光器件实时信息。
请参阅图5给出的一组电阻-温度曲线示例图，此图给出的是无机半岛体层为Si时的温度曲线示例，以举例说明电阻-温度之间的曲线关系，当然，在实践中，实际内置的电阻-温度曲线将根据无机半导体的实际材料来选定即可。
请参阅图4，在任一优选的实施例中，在步骤S3之后还包括以下步骤：S4：有机器件与控制单元电连接，当有机器件温度高于温度限值时，控制单元控制切断线路。
在任一优选的实施例中，所述温度限值为100℃。当然，在实践中，实际控制的温度可以根据不同屏体可以承受的温度而变化。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (9)

1.一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：获取无机半导体层的电阻-温度曲线并内置于控制单元中；
S2：所述有机发光器件，包括：基板(1)、形成于基板(1)上的电极(2)和有机器件(3)，以及封装结构，所述封装结构包括至少三层且其中一层为无机半导体层(4)，所述无机半导体层(4)与所述有机器件(3)间隔至少一层绝缘层；所述无机半导体层(4)电连接至所述封装结构外部；将所述有机发光器件的无机半导体层与控制单元电连接；
S3：控制单元实时获取无机半导体层电阻信息并查找电阻-温度曲线，获取有机发光器件实时信息。
2.根据权利要求1所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，在步骤S3之后还包括以下步骤：
S4：有机器件与控制单元电连接，当有机器件温度高于温度限值时，控制单元控制切断线路。
3.根据权利要求2所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述温度限值为100℃。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述无机半导体层(4)的厚度大于100nm。
5.根据权利要求1至3任一项所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述无机半导体层(4)的厚度大于1μm。
6.根据权利要求1至3任一项所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述无机半导体层(4)为Si、SiO2、TiO2、Ge或硅锗合金，且所述无机半导体层(4)与所述电极(2)相搭接。
7.根据权利要求1至3任一项所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述绝缘层为有机或无机材料。
8.根据权利要求1至3任一项所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述无机半导体层(4)远离所述有机器件(3)的一侧设有封装层。
9.根据权利要求8所述的一种有机发光器件内部温度监测方法，其特征在于，所述绝缘层、无机半导体层或封装层分别至少包括一层。
CN201711088797.5A 2017-11-08 2017-11-08 一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法 Active CN107895564B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711088797.5A CN107895564B (zh) 2017-11-08 2017-11-08 一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711088797.5A CN107895564B (zh) 2017-11-08 2017-11-08 一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107895564A CN107895564A (zh) 2018-04-10
CN107895564B true CN107895564B (zh) 2019-10-25

Family

ID=61804237

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711088797.5A Active CN107895564B (zh) 2017-11-08 2017-11-08 一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107895564B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104599640A (zh) * 2015-02-28 2015-05-06 北京维信诺科技有限公司 一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其温度调节方法
CN105307337A (zh) * 2015-11-02 2016-02-03 固安翌光科技有限公司 一种自动调节亮度的oled发光器件及其制备方法
CN205406566U (zh) * 2016-02-29 2016-07-27 衢州职业技术学院 一种具有自动热保护功能的led
CN106992264A (zh) * 2017-04-13 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板、制备方法及温度异常检测方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106252526B (zh) * 2016-09-22 2018-03-16 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板以及制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104599640A (zh) * 2015-02-28 2015-05-06 北京维信诺科技有限公司 一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其温度调节方法
CN105307337A (zh) * 2015-11-02 2016-02-03 固安翌光科技有限公司 一种自动调节亮度的oled发光器件及其制备方法
CN205406566U (zh) * 2016-02-29 2016-07-27 衢州职业技术学院 一种具有自动热保护功能的led
CN106992264A (zh) * 2017-04-13 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板、制备方法及温度异常检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107895564A (zh) 2018-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Zou et al. Piezo‐phototronic Effect on Selective Electron or Hole Transport through Depletion Region of Vis–NIR Broadband Photodiode
CN104061997B (zh) 一种基于金纳米棒二聚体阵列Fano共振特性的传感器
Yan et al. Piezophototronic Effect Enhanced UV/Visible Photodetector Based on ZnO/ZnSe Heterostructure Core/Shell Nanowire Array and Its Self‐Powered Performance
CN103681897B (zh) 一种红外光电探测器及其制备方法
CN104823300A (zh) 电气设备,特别是有机发光设备
CN108051614B (zh) 一种基于扫描电镜原位力学测试系统的光/力/电耦合测试装置及其测试方法
Riaz et al. Near‐Infrared Photoresponse of Waveguide‐Integrated Carbon Nanotube–Silicon Junctions
CN105784197A (zh) 一种大范围超高温温度传感系统与方法
Wu et al. Effect of gold wire bonding process on angular correlated color temperature uniformity of white light-emitting diode
CN107895564B (zh) 一种有机发光器件结构及其内部温度监测方法
CN108896222A (zh) 一种压力传感器及其检测压力的方法
CN107063432A (zh) 一种同时测量超声波方向、声强及频率的光学方法及装置
US7362088B1 (en) Non contact method and apparatus for measurement of sheet resistance of P-N junctions
KR102247106B1 (ko) 실시간으로 정션 온도의 측정이 가능한 표면 실장형 발광장치 및 이를 이용한 표면 실장형 발광장치의 정션 온도 측정 방법
US20160064459A1 (en) Organic light-emitting diode contact impedance testing device
Liu et al. Planar temperature sensing using heavy-metal-free quantum dots with micrometer resolution
CN106896144A (zh) 光寻址电位感测组件
An et al. Compact GaN-based optical inclinometer
US6396050B1 (en) Self-emitting optical probe, method for producing the same, and scanning near-field optical microscope
An et al. Ultrafast miniaturized GaN-based optoelectronic proximity sensor
CN206787724U (zh) 一种光电传感器及红外测温仪
Lee et al. Determination on the coefficient of thermal expansion in high-power inGaN-based light-emitting diodes by optical coherence tomography
JPS59178739A (ja) キヤリア移動度測定装置
WO2018216179A1 (ja) 温度測定方法、温度測定具、及び温度測定装置
CN104349661A (zh) 用于确定基板的设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant