CN107863422A - 一种发光二极管的外延片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种发光二极管的外延片的制备方法，属于光电子技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上生长缓冲层；对缓冲层进行温度稳定处理，温度稳定处理包括：将生长有缓冲层的衬底置于1000～1050℃环境下，持续时间为t；在生长有缓冲层的衬底上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，通过在衬底上生长了缓冲层之后，对制作中的外延片进行温度稳定处理，将生长有缓冲层的衬底置于1000～1050℃环境下，并持续一段时间，再在缓冲层上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，可使生长出来的外延片厚度更加均匀，从而使该外延片制成的LED芯片发光波长分布更加均匀。
Description
技术领域
本发明涉及光电子技术领域，特别涉及一种发光二极管的外延片的制备方法。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。LED的核心结构是外延片，外延片的制作对LED的光电特性有着较大的影响。
外延片通常包括衬底，以及层叠设置在该衬底上的缓冲层、三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
现有的LED外延片由于内部应力较大，导致外延片厚度不均匀，使制成的 LED芯片出现发光波长呈现同心圆分布，即由中心到边缘波长由长逐渐变短的情况，使得芯片内波长分布不均，降低了LED芯片的良率。
发明内容
为了解决LED芯片存在芯片内波长分布不均的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管的外延片的制备方法。所述技术方案如下：
本发明实施例提供了一种发光二极管的外延片的制备方法，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长AlN缓冲层；
对所述AlN缓冲层进行温度稳定处理，所述温度稳定处理包括：
将生长有所述AlN缓冲层的衬底置于1000～1050℃环境下，持续时间为t， 0＜t≤10min；
在生长有所述AlN缓冲层的衬底上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层。
优选地，所述温度稳定处理时的压力为450～550torr。
进一步地，10s＜t≤5min。
优选地，所述三维GaN岛状层的生长温度为1000℃～1050℃。
优选地，所述n型GaN层的生长温度为1100℃～1200℃。
优选地，所述n型GaN层的生长压力为180～220torr。
进一步地，所述发光层的生长压力为180～220torr。
优选地，所述发光层包括InGaN阱层和GaN垒层，所述InGaN阱层的生长温度为750℃～780℃。
可选地，所述GaN垒层的生长温度为880℃～920℃。
可选地，所述p型GaN层的生长温度为940℃～970℃。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过在衬底上生长了AlN 缓冲层之后，对制作中的外延片进行温度稳定处理，将生长有AlN缓冲层的衬底置于1000～1050℃环境下，并持续一段时间，再在AlN缓冲层上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，温度稳定处理可以充分释放衬底和AlN缓冲层中的应力，使使生长出来的外延片厚度更加均匀，从而使该外延片制成的LED芯片发光波长分布更加均匀。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备方法的流程图；
图2是本发明实施例提供的另一种发光二极管的外延片的制备方法的流程图；
图3～图7是本发明实施例提供的发光二极管的外延片制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管的外延片的制备方法的流程图，如图1所示，该制备方法包括：
S11：提供一衬底。
S12：在衬底上生长AlN缓冲层。
S13：对AlN缓冲层进行温度稳定处理。
具体地，温度稳定处理包括：
将生长有AlN缓冲层的衬底置于1000～1050℃环境下，持续时间为t，0＜t ≤10min。
S14：在生长有AlN缓冲层的衬底上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN 层、发光层和p型GaN层。
本发明实施例提供通过在衬底上生长了AlN缓冲层之后，对制作中的外延片进行温度稳定处理，将生长有AlN缓冲层的衬底置于1000～1050℃环境下，并持续一段时间，再在AlN缓冲层上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层，可以使生长出来的外延片厚度更加均匀，从而使该外延片制成的LED芯片发光波长分布更加均匀。
图2是本发明实施例提供的另一种发光二极管的外延片的制备方法的流程图，下面结合附图3～7对图2提供的制备方法进行详细说明：
S21：提供一衬底。
实现时，该衬底可以是蓝宝石衬底，蓝宝石衬底是一种常见的衬底，制备工艺较为成熟。
在步骤S21中，可以对蓝宝石衬底进行预处理，将蓝宝石衬底置于反应腔中，对蓝宝石衬底进行退火处理8～10分钟。
具体地，退火温度可以为1000～1100℃，退火压力可以为75～225torr，进行退火处理时，向反应腔内以100L/min～130L/min的速度通入H2，以在氢气气氛下进行退火处理。
S22：在衬底上外延生长AlN缓冲层。
如图3所示，在衬底10上生长AlN缓冲层20。
其中，AlN缓冲层20的厚度可以为5nm～100nm，优选为15nm～35nm，生长的AlN缓冲层20的厚度不同，最终形成的外延层的质量也会不同，若AlN 缓冲层20的厚度过薄，则会导致AlN缓冲层20的表面较为疏松和粗糙，不能为后续结构的生长提供一个好的模板，随着AlN缓冲层20厚度的增加，AlN缓冲层20的表面逐渐变得较为致密和光滑，有利于后续结构的生长，但是若AlN 缓冲层20的厚度过厚，则会导致AlN缓冲层20的表面过于致密，同样不利于后续结构的生长，无法减少外延层中的晶格缺陷。
AlN缓冲层20的生长温度可以为600～800℃，生长压力可以为75～150torr。
实现时，AlN缓冲层20的生长可以在PVD(英文：Physical Vapor Deposition，中文：物理气相沉积)反应腔中进行。
在完成步骤S22之后，可以将制备中的外延片从PVD反应腔中取出，置于 MOCVD(英文：Metal-organic Chemical Vapor Deposition，中文：金属有机化合物化学气相沉淀)反应腔中，以便进行后续生长。
S23：对AlN缓冲层进行温度稳定处理。
实现时，温度稳定处理的温度为1000～1050℃。
可选地，温度稳定处理时的压力可以为450～550torr，优选可以为500torr。在该压强下进行温度稳定处理，有利于AlN缓冲层和衬底中应力的释放，且使 AlN缓冲层的表面更加光滑、平整。
具体地，在将制作中的外延片置于MOCVD反应腔中后，加热反应腔至 1000～1050℃，增大反应腔内的压强至500torr，并维持一段时间t。
优选地，10s＜t≤5min，若维持的时间过短，则对发光波长的均匀性改善不大，若维持的时间过长，则会延长制备周期，降低生产效率，在本实施例中， t＝4min。
S24：在AlN缓冲层上生长三维GaN岛状层。
如图4所示，在AlN缓冲层20上生长三维GaN岛状层30。
实现时，三维GaN岛状层30的厚度可以为0.1μm～0.5μm，优选为0.2μm ～0.3μm。若三维GaN岛状层30的厚度过薄，会增加后续生长的结构中的位错密度，三维GaN岛状层30的厚度过厚，会增大外延片的正向电阻。
三维GaN岛状层30的生长温度可以为1000～1050℃，生长温度过低则制成的LED芯片的光电特性会变差，若生长温度过高，又会导致二维生长模式，不利于形成三维GaN岛状层30。三维GaN岛状层30的生长压力可以为 450～550torr。
优选地，三维GaN岛状层30生长时的环境与温度稳定处理时的环境可以相同，这样可以便于三维GaN岛状层30的生长。其中环境可以包括温度和压力。
S25：在三维GaN岛状层上生长n型GaN层。
如图5所示，在三维GaN岛状层30上生长n型GaN层40。
具体地，n型GaN层可以包括第一n型GaN子层41和第二n型GaN子层 42。
步骤S25可以包括：
在三维GaN岛状层30上生长第一n型GaN子层41。
在第一n型GaN子层41上生长第二n型GaN子层42。
其中，第一n型GaN子层41的厚度可以为1.5～5.5μm。
进一步地，生长第一n型GaN子层41时，可以控制NH3的流量为 30000～60000sccm，三甲基镓的流量为200～400sccm，H2的流量为100～130L/min， SiH4的流量为20～50sccm。
第一n型GaN子层41的生长温度可以为1100～1200℃，生长压力可以为 180～220torr。
可选地，第一n型GaN子层41中的Si掺杂浓度可以为5E18cm-3～1E19cm-3。
第二n型GaN子层42的厚度可以为400～600nm。
进一步地，生长第二n型GaN子层42时，可以控制NH3的流量为 30000～60000sccm，三甲基镓的流量为200～400sccm，H2的流量为100～130L/min， SiH4的流量为2～10sccm。
第二n型GaN子层42的生长温度可以为1100～1200℃，生长压力可以为 180～220torr。
可选地，第二n型GaN子层42中的Si掺杂浓度可以为5E17cm-3～1E18cm-3。
优选地，第一n型GaN子层41和第二n型GaN子层42生长时的环境可以相同，这样可以便于n型GaN层的生长，第一n型GaN子层41和第二n型GaN 子层42的生长温度都为1100℃～1200℃，在该温度范围内，n型GaN层具有较快的生长速度，有利于提高制作效率，形成的n型GaN层的质量也较好。在 180～220torr的压力下生长第一n型GaN子层41和第二n型GaN子层42，n型 GaN层的生长速度较快，若压力太大，虽然可以加快n型GaN层的生长速度，但会使生长的n型GaN层的表面逐渐变粗糙。
可选地，n型GaN层的总厚度可以为2～6μm，优选为3～4μm。
S26：在n型GaN层上生长发光层。
如图6所示，在n型GaN层40上生长发光层50。
实现时，发光层50可以包括交替层叠的多层InGaN阱层51和多层GaN垒层52。InGaN阱层51和GaN垒层52交替层叠的周期数可以为4～8，优选可以为6。
需要说明的是，图6中仅示出了发光层50中的部分结构，并不用于限制 InGaN阱层51和GaN垒层52交替层叠的周期数，此外在生长发光层50时，也可以先在n型GaN层40上生长GaN垒层52。
可选地，InGaN阱层51的厚度可以为2.8～3.8nm，优选为3～3.5nm。
InGaN阱层51的生长温度可以为750～780℃，InGaN阱层51的生长温度会影响InGaN阱层51的质量和InGaN阱层51中的In的组分，提高InGaN阱层 51的生长温度虽然可以提高InGaN阱层51的质量，但是会导致In的掺入效率降低，从而使In的组分降低，影响LED芯片的发光波长，将InGaN阱层51的生长温度设置为750～780℃，使得生长出的InGaN阱层51具有较好的质量和较合适的In的组分。此外，InGaN阱层51的生长压力可以为180～220torr。
可选地，GaN垒层52的厚度可以为6～20nm。
GaN垒层52的生长温度可以为880～920℃，优选为900℃，若生长温度过低，n型GaN层的生长速度会较慢，且质量较差，若生长温度过高，会影响已经生长出的InGaN阱层51中的In的组分。此外，GaN垒层52的生长压力可以为180～220torr。
S27：在发光层上生长p型GaN层。
如图7所示，在发光层50上生长p型GaN层60。
具体地，p型GaN层60的厚度可以为100nm～500nm，优选可以为 150～350nm。
p型GaN层60的生长温度可以为940～970℃，在940～970℃的温度下生长p型GaN层60，具有较好的晶体质量和掺杂浓度。此外p型GaN层60的生长压力可以为180～220torr，优选为200torr，p型GaN层60的生长压力会影响p 型GaN层60的生长速度，若压力过大，虽然会加快p型GaN层60的生长，但是会导致p型GaN层60的晶体质量变差。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长AlN缓冲层；
对所述AlN缓冲层进行温度稳定处理，所述温度稳定处理包括：
将生长有所述AlN缓冲层的所述衬底置于1000～1050℃环境下，持续时间为t，0＜t≤10min；
在生长有所述AlN缓冲层的所述衬底上依次生长三维GaN岛状层、n型GaN层、发光层和p型GaN层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述温度稳定处理时的环境压力为450～550torr。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，10s＜t≤5min。
4.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述三维GaN岛状层的生长温度为1000℃～1050℃。
5.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述n型GaN层的生长温度为1100℃～1200℃。
6.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述n型GaN层的生长压力为180～220torr。
7.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述发光层的生长压力为180～220torr。
8.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述发光层包括InGaN阱层和GaN垒层，所述InGaN阱层的生长温度为750℃～780℃。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述GaN垒层的生长温度为880℃～920℃。
10.根据权利要求1～3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述p型GaN层的生长温度为940℃～970℃。
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|---|---|
| CN (1) | CN107863422A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109686821A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-26 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管的外延片的制备方法 |
| CN111312867A (zh) * | 2020-02-21 | 2020-06-19 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种单芯片白光led的制备方法 |
| CN111341889A (zh) * | 2020-03-07 | 2020-06-26 | 孙蕾蕾 | 半导体照明外延结构形成方法 |
| CN112133799A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-12-25 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN114335267A (zh) * | 2022-03-14 | 2022-04-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管 |
| CN115341194A (zh) * | 2022-07-05 | 2022-11-15 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 提高微型发光二极管发光一致性的生长方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102969425A (zh) * | 2012-11-01 | 2013-03-13 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 生长具有倒v形粗化表面氮化物led外延片的方法 |
| CN105390577A (zh) * | 2015-10-26 | 2016-03-09 | 华灿光电股份有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制作方法 |
| CN105914270A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-08-31 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 硅基氮化镓led外延结构的制造方法 |
-
2017
- 2017-09-19 CN CN201710852359.5A patent/CN107863422A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102969425A (zh) * | 2012-11-01 | 2013-03-13 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 生长具有倒v形粗化表面氮化物led外延片的方法 |
| CN105390577A (zh) * | 2015-10-26 | 2016-03-09 | 华灿光电股份有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制作方法 |
| CN105914270A (zh) * | 2016-06-28 | 2016-08-31 | 聚灿光电科技股份有限公司 | 硅基氮化镓led外延结构的制造方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109686821A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-26 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管的外延片的制备方法 |
| CN109686821B (zh) * | 2018-11-30 | 2021-02-19 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管的外延片的制备方法 |
| CN111312867A (zh) * | 2020-02-21 | 2020-06-19 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种单芯片白光led的制备方法 |
| CN111312867B (zh) * | 2020-02-21 | 2023-12-15 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 一种单芯片白光led的制备方法 |
| CN111341889A (zh) * | 2020-03-07 | 2020-06-26 | 孙蕾蕾 | 半导体照明外延结构形成方法 |
| CN111341889B (zh) * | 2020-03-07 | 2021-04-13 | 孙蕾蕾 | 半导体照明外延结构形成方法 |
| CN112133799A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-12-25 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN112133799B (zh) * | 2020-08-05 | 2022-01-14 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN114335267A (zh) * | 2022-03-14 | 2022-04-12 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种外延片制备方法、外延片以及发光二极管 |
| CN115341194A (zh) * | 2022-07-05 | 2022-11-15 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 提高微型发光二极管发光一致性的生长方法 |
| CN115341194B (zh) * | 2022-07-05 | 2024-02-23 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 提高微型发光二极管发光一致性的生长方法 |
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