CN107857885A - 高可靠性的混杂有机/无机量子点复合材料及其制备方法 - Google Patents

高可靠性的混杂有机/无机量子点复合材料及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107857885A
CN107857885A CN201710135216.2A CN201710135216A CN107857885A CN 107857885 A CN107857885 A CN 107857885A CN 201710135216 A CN201710135216 A CN 201710135216A CN 107857885 A CN107857885 A CN 107857885A
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
quantum
inorganic
organic
silane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710135216.2A
Other languages
English (en)
Inventor
申铉拳
崔文九
张东善
成镇宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN107857885A publication Critical patent/CN107857885A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/62—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing gallium, indium or thallium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G83/00—Macromolecular compounds not provided for in groups C08G2/00 - C08G81/00
    • C08G83/001—Macromolecular compounds containing organic and inorganic sequences, e.g. organic polymers grafted onto silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0805—Chalcogenides
    • C09K11/0811—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0894—Antimonates; Arsenates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C09K11/701—Chalcogenides
    • C09K11/703—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/02—Optical fibres with cladding with or without a coating
    • G02B6/0229—Optical fibres with cladding with or without a coating characterised by nanostructures, i.e. structures of size less than 100 nm, e.g. quantum dots
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/001—Conductive additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/22—Absorbing filters
    • G02B5/223—Absorbing filters containing organic substances, e.g. dyes, inks or pigments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/773—Nanoparticle, i.e. structure having three dimensions of 100 nm or less
    • Y10S977/774—Exhibiting three-dimensional carrier confinement, e.g. quantum dots
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/778—Nanostructure within specified host or matrix material, e.g. nanocomposite films
    • Y10S977/783—Organic host/matrix, e.g. lipid
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/813—Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
    • Y10S977/815—Group III-V based compounds, e.g. AlaGabIncNxPyAsz
    • Y10S977/818—III-P based compounds, e.g. AlxGayIn2P
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/813—Of specified inorganic semiconductor composition, e.g. periodic table group IV-VI compositions
    • Y10S977/824—Group II-VI nonoxide compounds, e.g. CdxMnyTe
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
    • Y10S977/892—Liquid phase deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/895—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing chemical property
    • Y10S977/896—Chemical synthesis, e.g. chemical bonding or breaking
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/895—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure having step or means utilizing chemical property
    • Y10S977/896—Chemical synthesis, e.g. chemical bonding or breaking
    • Y10S977/897—Polymerization
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/949—Radiation emitter using nanostructure
    • Y10S977/95—Electromagnetic energy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及高可靠性的混杂有机/无机量子点复合材料及其制备方法。具体而言，本发明涉及具有高可靠性的混杂有机/无机量子点复合材料的开发。本发明的混杂有机/无机量子点复合材料难以被水分和氧渗透，即使水分和氧渗透到复合材料中，也难以出现因氧和水分与量子点的结合所致的劣化，并且可以用作能够加工成另一种形式的次级原料，而同时保持量子点作为主要原料的物理性质。

Description

高可靠性的混杂有机/无机量子点复合材料及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种高可靠性的混杂有机/无机量子点复合材料的开发。特别是，本发明涉及一种高度可靠的有机/无机混杂量子点复合材料以及制造所述复合材料的方法，所述复合材料难以被水分和氧渗透，并且即使被渗透也难以劣化。
背景技术
量子点是纳米尺寸的半导体纳米晶体。通过改变量子点的尺寸，可以很容易地改变发光波束的波长，并且通过控制量子点尺寸的分布可以获得具有非常窄的半宽度的波束。因为材料尺寸变小及无机晶体本身所具有的由连续能量状态组成的带变得不连续，量子点显示出与本体材料不同的光学和电学性质。
这可以解释为量子限制效应，各材料的量子限制效应取决于各材料的玻尔半径。已知其为根据半导体的空穴和电子的有效质量和介电常数确定的值，并且是电子和空穴可以在本体中具有的最短距离。当粒径小于玻尔半径时，量子限制效应变得非常强大，其使得材料带隙是不连续的。
随着带隙的变化，导带和价带的光学和电学性质通过电子和空穴运动的变化而变化，其意味着可以通过在控制纳米颗粒尺寸的同时调整量子限制效应而从材料中容易地得到期望的特性。特别是，与荧光染料相比，通过调整材料的尺寸，量子点可以发射具有高量子效率和优异的色纯度的各种光谱，因此作为有前途的发光材料而引起注意，其可以在显示和照明领域增加颜色再现，并且可以产生色纯度类似于太阳光的光源。
随着近来在图像领域的发展，需要一种能够实现高颜色再现性的显示器。已经研究了各种方法来解决这样的技术问题。其中，使用发射尖波束的量子点的方法研究的最为广泛。然而，尽管它们具有优良的物理性能，这些量子点具有易损性，因而通过与诸如水分和氧等各种物质的反应而容易劣化。仅在这些缺点解决后，量子点才可开发成不仅具有高颜色再现性还适用于各种应用领域的部件(组件)。
此外，为了确保可靠性及应用到特定领域中，应该可以通过制造过程将量子点开发成新的部件。为了将量子点加工成新的部件，需要将量子点开发为可以加工成其他形式的次级原料而同时保持量子点作为主要原料的物理性质。
作为以此方式开发的次级原料的量子点复合材料，可以通过将其应用到彩色PR、LED芯片、光转换膜等而将其制造成新的光学组件。
为了制造利用这些物理特性的设备，需要开发将量子点制造成部件的方法以及在该方法中应用的次级原料，并保持量子点的物理特性。
在整个本说明书中，引用了多个文件，并指出了其引用。此处将各引用的文献的公开内容以其整体通过援引并入本文，来描述本发明所属的技术领域的水平及更明显地描述本发明的内容。
发明内容
本发明的发明人已经进行研究并致力于开发诸如油墨等能够将量子点制造成各种形式的次级原料，并且已开发出一种可保持其物理性能并在组件化过程中或之后长时间保持其特性的可靠材料。结果是，本发明的发明人已经通过制造有机/无机混杂量子点复合材料完成了本发明，其中量子点、二氧化硅和聚合物树脂均化学键合形成单一物质，并且难以渗透水分和氧。
因此，本发明的目的在于提供一种具有高可靠性的混杂有机/无机量子点复合材料，其包含量子点、聚合物树脂和二氧化硅。
本发明的另一个目的在于提供一种制备具有高可靠性的混杂有机/无机量子点复合材料的方法。
本发明的另一个目的在于提供一种包含具有高可靠性的量子点复合材料的混杂有机/无机量子点复合材料组合物。
本发明的另一个目的在于提供一种包含具有高可靠性的量子点复合材料的光学设备，诸如滤色片。
本发明的其他目的和优点将通过本发明的以下具体实施方式、权利要求和附图更显而易见。
本发明的一个方面提供了一种混杂有机/无机量子点复合材料，其包含量子点、聚合物树脂和二氧化硅，其中，二氧化硅形成在聚合物树脂中，聚合物树脂的一端形成具有量子点的化学键，且其另一端包含能够形成另外的化学键的官能团。
一般的量子点由疏水性配体包围，因此良好地分散在诸如甲苯、氯仿、己烷、环己烷、丙烯酸月桂酯、甲基丙烯酸月桂酯、丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸酯异冰片酯、丙烯酸酯、丙烯酸己酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸乙酯和三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯等疏水性溶剂中。然而，量子点的表面未完全被配体包围，并具有配体部分地丢失的部分，其结果是，量子点可显示出极性，并且仅在特定的溶剂中良好分散而无物理性质的变化。通过混合诸如具有这些量子点的单体和低聚物的材料很难制备均匀分散的量子点复合材料。由于这种量子点的分散特性，能够与复合材料混合的材料是有限的，并且很难获得作为最终部件的期望特性。
另外，作为增大量子点可靠性的尝试，已经仅通过增加基质的交联密度来防止水分和氧的渗透来生产量子点复合材料。
然而，在本发明中，通过使用作为无机材料的二氧化硅来使量子点化学键合至树脂上，并且合成为单一聚合物材料，从而通过量子点之间的有机/无机材料的分子量增加量子点之间的距离。当合成具有这样结构的量子点复合材料时，获得了具有由有机/无机材料组成的网络的量子点复合材料，其结果是，量子点复合材料可以是非常良好地分散，而不会由于附聚引起波长转换的变化、半宽值的变化和QY减少。
具体而言，与传统的量子点复合材料不同，本发明的高可靠性有机/无机混杂本发明的量子点复合材料在量子点和树脂之间具有直接化学键合。在本发明的有机/无机混杂量子点复合材料中，二氧化硅组分不仅包围量子点，而且二氧化硅颗粒也形成在树脂中，并且量子点、二氧化硅和聚合物树脂均化学键合形成单一物质。这一特征使得水分和氧难以渗透，并且即使渗透，也难以通过与它们反应而使量子点劣化。
本发明的具有高可靠性的混杂有机/无机量子点复合材料可分为量子点、包围量子点的树脂、存在于树脂中的二氧化硅、和包括丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、环氧基等能够因固化形成化学键的不饱和官能团部分。
量子点可以是镉系量子点、II-VI族量子点、III-V族量子点、IV-VI族量子点或I-III-V族量子点，在本发明的一般实施方式中，量子点可以是包括InP等非镉系量子点，也可以是包括CdSe、CdTe或CdZnS等镉系量子点。在本发明的另一示例性实施方式中，量子点包括选自由CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs、ZnSeTe、Mn:ZnSe、Cu:ZnSe、CdZnS、AlGaP、GaInP、AlGaP、和GaInP2组成的组中的一种或多种。
此外，量子点可具有核-壳结构。具有核-壳结构的量子点可以通过在生长晶种的晶体结构中向量子点添加另一种组分而生长各种形状的壳层。如果形成核-壳结构，量子点的优点在于，其可以在满足诸如高发光效率和高发光清晰度等的同时，满足诸如热稳定性或绝缘性质等其他特性。
在示例性实施方式中，具有核-壳结构的量子点可以是壳在其表面上的带隙比芯的带隙更宽的量子点，其中，壳在表面上的带隙由具有比核的价带更低的能量的价带和具有比核的导带更高能量的导带引起。具有核-壳结构的量子点可以选自InP/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/CdS、CdSe/ZnSe、ZnSe/ZnS、Mn:ZnSe/ZnS、Cu:ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnS、ZnTe/ZnS、AlGaP/ZnS、AlInP/ZnS、GaInP/ZnS和CdZnS/ZnS，但不总限于此。
在另一示例性实施方式中，具有核-壳结构的量子点可以具有核/绝缘层壳结构，其中，功能性有机半导体键合至量子点的表面上。在这种情况下，存在以下优势：由于可以在量子点和有机半导体之间调整能量和电荷转移效率，可以提供新的发光和电学特性。
在本发明的量子点复合材料中，量子点与围绕量子点的树脂形成直接化学键合。
在示例性实施方式中，具有能够配位键合的非共用电子对的官能团存在于树脂的一端，从而使配位键可以通过将非共用电子对提供至作为核的量子点金属材料而形成。
树脂可以选自由有机硅系树脂、纤维素系树脂、橡胶系低聚物、环氧树脂、ABS系树脂、聚乙烯系树脂、聚碳酸酯系树脂、芳族聚酰胺树脂、PMMA系树脂、聚酯系树脂、聚氨酯系树脂、聚苯乙烯系树脂、PVC系树脂、SBS橡胶、硅酮系聚合物和PTFE系树脂组成的组，但不总限于此。
在本发明的量子点复合材料中，如上所述，聚合物树脂的一端与量子点形成直接化学键合，而另一端包含能够形成另外的化学键的官能团。
在优选的示例性实施方式中，存在于树脂的另一端的官能团是选自丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯基和环氧基的不饱和官能团。
当在树脂末端包含诸如丙烯酸酯基团等不饱和官能团时，其具有优异的流动性并容易与其他材料分散。这种量子点复合材料可与其他材料混合，或可评估为自身可固化的优异的次级原料。另一方面，当不包含这样的不饱和官能团或包含诸如氨基等具有饱和形式的其他官能团时，流动性较差，并且作为次级原料的价值减小。
因此，当本发明的包含树脂末端的诸如丙烯酸酯基团等不饱和官能团的量子点复合材料与其他材料混合时，因为量子点难以彼此接近并聚集，因而材料容易混合且可以获得期望的特性。这些混杂有机/无机量子点复合材料还可以以流体树脂的形式而具有调整的粘度，其结果是，加工性优异。另外，当这样的量子点复合材料最终固化时，量子点化学键合至混杂有机/无机树脂上，成为单一材料状的整体式量子点板，从而表现出非常高的可靠性。
本发明的另一方面提供了一种制备混杂有机/无机量子点复合材料的方法，该方法包括：(i)制备由配体包围的量子点，其中，配体的一端与量子点形成化学键，且另一端包括能够形成另外的化学键的官能团；(ii)加入能够能与配体的官能团形成化学键的硅烷化合物，以使所得的混合物反应；和(iii)纯化并干燥步骤(ii)中所得的反应产物。
(i)制备由具有能够键合至量子点和有机/无机材料的两个官能团的配体包围的 量子点
首先，为了使量子点连接到聚合物材料上，由配体包围的量子点需要通过使用具有能够键合至量子点的官能团和能够键合至其他有机/无机材料的另一官能团的材料来制备。
在本发明的示例性实施方式中，可以通过(a)制备由第一配体包围的量子点和(b)用第二配体取代第一配体来制备量子点，其中，第二配体的一端与量子点形成化学键，且第二配体的另一端包含能够形成另外的化学键的官能团。
这里，第二配体可以是选自具有巯基的化合物中的一种或多种，诸如巯基羧酸、巯基醇、巯基醛化合物、巯基胺化合物和巯基硅烷化合物，但不总限于此。
在本发明的另一个例性实施方式中，由配体包围的量子点可以通过使用具有能够键合至量子点和有机/无机材料的两个官能团的配体直接合成。
(ii)硅烷化合物的添加和反应
为了使用经取代的量子点形成与有机/无机材料的化学键，要求添加诸如硅烷或硅烷醇和硅烷酸等具有官能团的化合物，其可以与量子点的配体形成化学键，并使所得混合物反应。通过处理步骤，可以将所得的量子点复合材料加工成期望的部件形状，然后通过固化反应形成最终的单一量子点板。
为了具有加工性并在光或热固化反应后制造为最终部件，如上所述合成的复合材料还需要包含诸如丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯基和环氧基等官能团，其能够引发固化反应。
这样的硅烷化合物包括3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、低聚四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、1,2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷、双(三乙氧基甲硅烷基)乙烯、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、二苯基硅烷二醇、3-氨基丙基三甲氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷等，但不总限于此。
当这些材料混合在一起，并且所得混合物进行反应时，可以合成混杂有机/无机树脂，其中量子点化学键合至二氧化硅上。
此时，为了增加二氧化硅的比例，还可以将诸如四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、低聚四乙氧基硅烷，四正丙氧基硅烷、1,2-1,2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷、和双(三乙氧基甲硅烷基)乙烯等硅烷与这些材料混合。这些硅烷材料可以与具有能够进行光或热固化的官能团的配体-硅烷试剂的硅烷反应，从而不仅增大复合材料中形成的二氧化硅的比例，还增大二氧化硅的交联率。
(iii)纯化和干燥
为了纯化由于溶胶-凝胶反应得到的混杂有机/无机量子点复合材料，可以使用下述方法：通过利用各组分的蒸汽压差而将处于液态的混合物分离为各组分的蒸馏法；将溶液中至少一种溶解在溶剂中的组分与不包含相应组分的气体接触，以从溶液中释放(除去)该组分的扩散法；在溶剂中吸收气体混合物中的至少一种组分的吸收法，及在有机化合物的纯化中通常使用的其他方法。当使用蒸馏法时，可以使用简单蒸馏、多级蒸馏、共沸蒸馏、水蒸汽蒸馏等，但蒸馏法并不总限于此。
干燥条件可以在30℃～200℃内进行调整，可以干燥在真空中或在大气中进行。
本发明的另一方面提供了一种包含上述量子点复合材料的混杂有机/无机量子点复合材料组合物。
混杂有机/无机量子点复合材料组合物可以进一步包含选自由硅烷化合物、多官能丙烯酰基单体、多官能环氧单体、引发剂、UV稳定剂、抗氧化剂、调色剂(着色剂)、增强剂、填料、消泡剂、表面活性剂和增塑剂组成的组中的一种或多种添加剂。
如上所述，复合材料的处理特性和最终固化材料的特性可以通过将单体、低聚物、其他添加剂、引发剂等与所合成的混杂有机/无机量子点复合材料混合而进行调整。
为了进一步提高光/热固化过程中的交联比率，可以在光固化的过程增加交联比率，或者可以通过将诸如双季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、双季戊四醇五丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、四氢糠基丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、二(三羟甲基丙烷)四丙烯酸酯、HDDA己二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(TMPTMA)、乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)、TMP[EO]15TA、三羟甲基丙烷[EO]15三丙烯酸酯、季戊四醇[EO]n四丙烯酸酯、和聚乙二醇400二甲基丙烯酸酯等多官能丙烯酰基单体与复合材料混合，来调整最终固化的量子点板的特性。当环氧树脂是固化反应的主要组分时，可以通过将多官能环氧单体与复合材料混合，来增加最终固化的量子点板的交联比率。
本发明的另一方面提供了一种光学设备，其选自板、滤色片、LED封装件、LED芯片、彩色转换滤光片、光学转换膜，QD膜、芯片上设备(on chip)和发光封装件，其包含混杂有机/无机量子点复合材料。
本发明的光学设备可以通过固化包含本发明的量子点复合材料的混杂有机/无机量子点复合材料组合物而形成。
通过本发明开发的包含混杂有机/无机量子点复合材料的诸如板等最终光学设备几乎不与氧反应，因此可暴露于大气中，并且即使在固化后也具有对水分和氧的低劣化率，因此不需要单独的阻隔膜。
图1示出了制备诸如板等最终部件的整个过程的流程图。合成的量子点的配体被诸如巯基丙酸、巯基乙醇和巯基硅烷等其他配体取代。经取代的量子点与催化剂和诸如四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、低聚四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、1,2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷、双(三乙氧基甲硅烷基)乙烯、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、二苯基硅烷二醇、3-氨丙基三甲氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷等分子混合，并进行溶胶-凝胶反应。此时，反应可以在多种条件下进行，反应温度从室温至120℃，并且反应时间和最终分子结构根据混合的催化剂改变。对如上所述制备的量子点复合材料溶液进行纯化和干燥，以制造最终量子点复合材料。然后最终复合材料与光引发剂或热固化剂混合，进行处理和固化，以制造最终的量子点板。当诸如引发剂等添加剂与复合材料混合时，多种单体和添加剂可以一起混合，以调整交联比率、材料特性、粘附特性等。
图2是简要示出了各处理步骤的量子点复合材料的制备机制的示意图。
本发明的混杂有机/无机量子点复合材料可以用作能够被加工成另一种形式的次级原料，同时保持量子点作为主要原料的物理性质。本发明的混杂有机/无机量子点复合材料维持其物理性能，并确保可靠性，该可靠性在将复合材料制造为部件的过程中或即使在将复合材料制造为部件之后长时间保持其性质，从而使量子点可以用作不具有阻隔膜的部件，并因此可应用于各种部件，诸如滤色片、LED封装件和彩色转换滤光片。
附图说明
图1示出了制备诸如板等最终部件的整个过程的流程图。
图2是简要示出了处理步骤的量子点复合材料的制备机制的示意图。
图3是示出了整体式混杂QD复合材料的概念的示意图，其中通过添加并使由具有硅烷基团的配体包围的量子点反应，可使量子点-无机-有机材料化学键合。
图4a示出了包含量子点和与量子点直接形成化学键的聚合物树脂的混杂有机/无机量子点复合材料的示意图，其中二氧化硅颗粒包含在树脂内。
图4b例示了树脂末端可以包含的官能团的分子结构。
图5a显示了当树脂末端包含丙烯酸酯基团时获得的混杂有机/无机量子点复合材料。
图5b显示了通过以与图5a相同的方法制备复合材料获得的混杂有机/无机量子点复合材料，不同之处在于树脂末端不包含不饱和官能团。
图6示出了最终量子点板的预期结构。
图7示出了显示通过切割实施例中获得的样品而测量的可靠性的图表。
具体实施方式
以下，将通过实施例对本发明进行更详细的描述。提供这些实施例仅用于更具体地描述本发明，并且对于本发明所属技术领域的普通技术人员而言明显的是，本发明的范围不受这些实施例的限制。
实施例
A)量子点合成和配体取代
将氯化铟(InCl3)和乙酸锌(ZnAc2)以2毫摩尔:1毫摩尔的摩尔比放入到5ml的油胺溶剂中，并且将所得混合物在100℃真空脱气1小时。将温度升高至210℃，然后将1.5毫摩尔的三(二甲胺基)膦注入该混合物中，反应进行20分钟以形成InP核。将预先制备的10mL壳溶液注入到该核中，反应进行24小时以形成ZnS壳。通过将硬脂酸锌(ZnSt2)和硫磺粉末以2毫摩尔:10毫摩尔的摩尔比添加至10ml的三辛基膦溶剂中制备壳溶液，并且将所得混合物在100℃真空脱气1小时，然后将温度升高至200℃。
由诸如油胺、硬脂酸盐和三辛基膦等配体包围的具有核-壳结构的InP/ZnS量子点通过使用胶体溶液合成法合成，并进行用巯基硅烷(MPS)取代配体的过程。
具体而言，以量子点溶液(40mg/ml):巯基硅烷(MPS)(20mg/ml)之比＝1:10作为基础进行测试，该比例还可以为1:1～1:50。该测试在30℃～100℃的范围内进行，且取代时间为30分钟～24小时。
B)溶胶-凝胶反应
将在A)中制备的经取代的量子点、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷和催化剂(DI水，HCl)混合，所得混合物在70℃～80℃反应12小时。作为溶胶-凝胶反应的组成比，基本上将量子点(40mg/ml):硅烷(甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷):催化剂(DI水+HCl溶液)的比例设定为1:5:5。
通过增加量子点的比例，该比例可调整至1:1:1～1:50:50，并且硅烷和催化剂的比例还可调整为1:1～至少1:10或至多10:1。
C)干燥过程
-干燥条件可调整为30℃～200℃，取决于该条件，干燥可在真空中或大气中进行。在本实施例中，通过在110℃进行24小时的干燥制备混杂有机/无机量子点复合材料。
图4a示出了包含量子点、与量子点形成直接化学键合的聚合物树脂、和包含在树脂中的二氧化硅颗粒的混杂无机量子点复合材料的示意图。因为诸如丙烯酸酯或乙烯基等不饱和官能团存在于本实施例中制备的树脂的一端(在图4a中用圆圈标记的部分)，可以进行另外的化学反应。树脂的另一端包含的官能团的分子结构在图4b中例示出。
-流动性的测量
如上所述，干燥在110℃进行24小时，然后根据ASTM 1238对QD-树脂-二氧化硅复合材料的流动性进行评价。将包含诸如丙烯酸酯等不饱和官能团作为可以在树脂的一端形成另外的化学键的官能团的情况与不包含不饱和官能团的情况比较可见，确认在树脂的末端包含诸如丙烯酸酯等不饱和官能团的混杂有机/无机量子点复合材料具有优异的流动性，因为官能团可以在固化过程中形成另外的键(图5a)。
另一方面，即使具有QD-树脂-二氧化硅复合材料的相同结构，也只能将在树脂末端具有诸如氨基等饱和官能团的量子点复合材料的物理性质评估为粉状或易碎的(图5b)。
D)配制过程
通过使用同步旋转装置将如上所述制备的混杂有机/无机量子点复合材料与5重量％的光引发剂、0.1重量％～50重量％的单体和添加剂混合并搅拌而制备混杂有机/无机量子点复合材料组合物。可以根据单体的类型和含量比调整粘度。通过混合各种单体和添加剂可以控制粘度并赋予多种特性。经证实，当在此过程中添加的单体和添加剂的比例增加时，可靠性趋于降低。
E)形成和固化过程
通过使用UV照射而使可固化的官能团反应的方法来形成和固化其中量子点、二氧化硅和聚合物经化学键连接在一起的量子点板。图6示出了最终量子点板的预期结构，图7示出显示了通过切割由此获得的样品而测量的可靠性的图表。
经证实，即使诸如氧或水分等能够使量子点的材料劣化渗透进入量子点板中，配体也几乎不会脱附，量子点板用混杂有机/无机树脂通过化学键牢固地固定，从而表现出非常高的可靠性而不会劣化(图7)。

Claims (16)

1.一种混杂有机/无机量子点复合材料，其包含量子点、聚合物树脂和二氧化硅，
其中，所述二氧化硅形成在所述聚合物树脂中，且
所述聚合物树脂的一端与所述量子点形成化学键，且另一端包含能够形成另外的化学键的官能团。
2.如权利要求1所述的量子点复合材料，其中，所述量子点具有核-壳结构。
3.如权利要求1所述的量子点复合材料，其中，所述聚合物树脂与所述量子点形成配位键。
4.如权利要求1所述的量子点复合材料，其中，所述官能团是选自丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯基和环氧基中的不饱和官能团。
5.如权利要求1所述的量子点复合材料，其中，所述量子点是镉系量子点、II-VI族量子点、III-V族量子点、IV-VI族量子点或I-III-V族量子点。
6.如权利要求1所述的量子点复合材料，其中，所述量子点包括InP、ZnSe、ZnTe、CdSe、CdTe或CdS。
7.一种混杂有机/无机量子点组合物，其包含权利要求1所述的量子点复合材料。
8.如权利要求1所述的组合物，其中，所述组合物进一步包含选自由硅烷化合物、多官能丙烯酰基单体、多官能环氧单体、引发剂、UV稳定剂、抗氧化剂、着色剂、增强剂、填料、消泡剂、表面活性剂和增塑剂组成的组中的一种或多种添加剂。
9.一种光学设备，其包含权利要求1所述的混杂有机/无机量子点复合材料，
其中，所述光学设备选自板、滤色片、LED封装件、LED芯片、彩色转换滤光片、光学转换膜、QD膜、芯片上设备和发光封装件。
10.如权利要求9所述的光学设备，其中，所述光学设备不包含阻隔膜。
11.如权利要求9所述的光学设备，其中，所述光学设备通过固化权利要求7所述的组合物而形成。
12.一种制备权利要求1所述的混杂有机/无机量子点复合材料的方法，所述方法包括：
(i)制备由配体包围的量子点，其中，所述配体的一端与所述量子点形成化学键，且另一端包含能够形成另外的化学键的官能团；
(ii)添加能够与所述配体的官能团形成化学键的硅烷化合物并使混合物反应；和
(iii)纯化并干燥步骤(ii)中获得的反应产物。
13.如权利要求12所述的方法，其中，步骤(i)通过以下过程进行：
(a)制备由第一配体包围的量子点，和
(b)用第二配体取代第一配体，其中，所述第二配体的一端与所述量子点形成化学键，且所述第二配体的另一端包含能够形成另外的化学键的官能团。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述第二配体是选自巯基羧酸、巯基醇、巯基醛化合物、巯基胺化合物和巯基硅烷化合物中的一种或多种。
15.如权利要求12所述的方法，其中，步骤(ii)中的所述硅烷化合物是具有选自丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯基和环氧基中的官能团的硅烷化合物。
16.如权利要求12所述的方法，其中，步骤(ii)中的所述硅烷化合物是选自由3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、低聚四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、1,2-双(三乙氧基甲硅烷基)乙烷、双(三乙氧基甲硅烷基)乙烯、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、二苯基硅烷二醇、3-氨基丙基三甲氧基硅烷和苯基三甲氧基硅烷组成的组中的一种或多种。
CN201710135216.2A 2016-09-21 2017-03-08 高可靠性的混杂有机/无机量子点复合材料及其制备方法 Pending CN107857885A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0120889 2016-09-21
KR1020160120889A KR20180032108A (ko) 2016-09-21 2016-09-21 고신뢰성 유무기 하이브리드 양자점 복합체 및 이의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107857885A true CN107857885A (zh) 2018-03-30

Family

ID=61617902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710135216.2A Pending CN107857885A (zh) 2016-09-21 2017-03-08 高可靠性的混杂有机/无机量子点复合材料及其制备方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10767107B2 (zh)
KR (1) KR20180032108A (zh)
CN (1) CN107857885A (zh)
WO (1) WO2018056632A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102563060B1 (ko) * 2019-01-15 2023-08-03 동우 화인켐 주식회사 양자점, 이를 포함하는 양자점 발광다이오드, 양자점 필름, 광 변환 수지 조성물, 상기 광 변환 수지 조성물을 이용하여 형성되는 컬러필터, 광 변환 적층기재 및 상기 컬러필터 또는 상기 광 변환 적층기재를 포함하는 화상표시장치
KR102071689B1 (ko) 2019-07-09 2020-01-30 주식회사 신아티앤씨 양자점층을 포함하는 광변환 필름, 상기 광변환 필름을 포함하는 디스플레이 장치용 백라이트 유닛, 및 양자점 분산액의 제조방법
WO2021048244A1 (en) 2019-09-13 2021-03-18 Merck Patent Gmbh Semiconducting nanoparticle
US11670740B2 (en) * 2019-09-26 2023-06-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Conversion layer, light emitting device and method of producing a conversion layer
KR102403500B1 (ko) * 2019-10-29 2022-05-31 (주)올릭스 양자점이 도포된 하이브리드 형광체를 갖는 led 조명장치
WO2022020350A1 (en) 2020-07-24 2022-01-27 Applied Materials, Inc. Quantum dot formulations with thiol-based crosslinkers for uv-led curing
US11646397B2 (en) 2020-08-28 2023-05-09 Applied Materials, Inc. Chelating agents for quantum dot precursor materials in color conversion layers for micro-LEDs
CN112310330B (zh) * 2020-10-30 2024-06-04 北京京东方技术开发有限公司 一种量子点材料、量子点发光器件、显示装置及制作方法
US11994755B2 (en) * 2021-10-28 2024-05-28 Rise Nano Optics Ltd. Diffusion of nanoparticles into transparent plastic
WO2023096215A1 (ko) * 2021-11-24 2023-06-01 한국화학연구원 유무기 혼합리간드를 포함하는 양자점 입자

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103597622A (zh) * 2011-05-31 2014-02-19 纳米技术有限公司 用于发光二极管、光电子显示器等中的半导体纳米粒子基材料
CN103619990A (zh) * 2011-06-28 2014-03-05 3M创新有限公司 用于制备光响应性有机-无机杂化粒子的方法
CN105098075A (zh) * 2015-07-14 2015-11-25 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法
US9202997B2 (en) * 2011-10-28 2015-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystal-polymer micronized composite, method of preparing the same, and optoelectronic device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101609618B1 (ko) 2009-07-17 2016-04-06 서울대학교산학협력단 양자점 함유 입자 및 이의 제조 방법
KR20150023206A (ko) 2013-08-22 2015-03-05 세종대학교산학협력단 양자점-무기입자-고분자 복합체 및 이를 포함하는 광학요소
KR101768439B1 (ko) 2014-09-26 2017-08-17 전남대학교산학협력단 표면 개질된 실리콘 양자점으로부터 제조되는 실리콘 수지를 함유하는 조성물 및 이의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103597622A (zh) * 2011-05-31 2014-02-19 纳米技术有限公司 用于发光二极管、光电子显示器等中的半导体纳米粒子基材料
CN103619990A (zh) * 2011-06-28 2014-03-05 3M创新有限公司 用于制备光响应性有机-无机杂化粒子的方法
US9202997B2 (en) * 2011-10-28 2015-12-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor nanocrystal-polymer micronized composite, method of preparing the same, and optoelectronic device
CN105098075A (zh) * 2015-07-14 2015-11-25 Tcl集团股份有限公司 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018056632A1 (en) 2018-03-29
KR20180032108A (ko) 2018-03-29
US10767107B2 (en) 2020-09-08
US20180079953A1 (en) 2018-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107857885A (zh) 高可靠性的混杂有机/无机量子点复合材料及其制备方法
US10329479B2 (en) Surface-modified nanoparticles
KR101923615B1 (ko) 반도체 나노 입자 기반 발광 소자와 관련 물질 및 방법
TWI586760B (zh) 量子點組合物
KR101931621B1 (ko) 고 반사 물질을 이용한 양자 수율 향상
KR20150039127A (ko) 첨가제를 포함한 봉지된 반도체 나노 입자 기반 물질
CN107534075A (zh) 用金属硫醇聚合物稳定化的量子点
CN106715643A (zh) 用于在有机硅主体中分散量子点以获得用于led照明的颜色转换器的硅氧烷配体
TW201816082A (zh) 光致發光粒子之製造方法
KR101311688B1 (ko) 인 시튜 공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180330

RJ01 Rejection of invention patent application after publication