CN107851592A - 高热导率晶片支撑基座装置 - Google Patents

Abstract

一种用于静电卡盘的支撑基座装置包括底座壳体，所述底座壳体限定内部腔，以及底座插入件，所述底座插入件被布置成接近所述底座壳体的内部腔。在所述内部腔中形成流体路径并且所述流体路径包括多个线性平行的冷却通道、流体供应通道和流体返回通道，所述多个线性平行的冷却通道由对应的多个线性平行的散热片隔开。冷却流体流经所述流体供应通道，通过所述多个线性平行的冷却通道，并且通过所述流体返回通道返回，以冷却所述支撑基座装置。

Description

高热导率晶片支撑基座装置

技术领域

本公开内容涉及半导体制造工具中的晶片支撑装置，且更具体而言，涉及晶片支撑装置的晶片支撑基座。

背景技术

本章节中的陈述仅仅提供与本公开内容相关的背景信息，且可能不构成现有技术。

静电卡盘(ESC)是一种用在半导体制造工具(诸如等离子体蚀刻机和等离子体增强沉积工具)中的晶片支撑装置。特别地，ESC能够将半导体晶片保持在压力受控的处理室中。晶片、ESC和处理室能够变成一个热力学系统，在该热力学系统中，加工的多余能量通过诸如ESC组件的部件而被移除。特别地，该ESC组件能够在加工期间控制和维持晶片的温度，例如，通过使用通过在卡盘底座中的内部通道流通的液体冷却剂来冷却该晶片。

该ESC组件可以包括多个部件或层，诸如ESC(支撑基板)、基板、加热器和冷却板。层可以被形成为叠层，且相邻的层可以用热传导弹性体粘结剂结合在一起。

如图1中所示出的，典型的晶片支撑装置通常包括限定螺旋冷却通道2的冷却板1，以使冷却流体到处流通。螺旋冷却通道2包括在周边部分处的入口3和邻近冷却板1的中心部分的出口4。冷却流体首先沿着周边部分流通，且然后逐渐地朝着冷却板1的中心部分流通。然而，在具有螺旋冷却路径的典型ESC组件中，从入口3到出口4的流动路径是相对长的。此外，冷却流体的温度总是邻近中心部分较高而邻近冷却板1的周边部分较低。因此，典型的ESC组件在为支撑在其上的晶片提供均匀的且迅速的冷却方面欠缺。

发明内容

在本公开内容的一种形式中，提供了一种用于半导体制造工具的静电卡盘的支撑基座装置。所述支撑基座装置包括底座壳体，所述底座壳体限定内部腔；底座插入件，所述底座插入件布置在所述底座壳体的内部腔内；以及至少一个流体路径，所述流体路径布置在所述内部腔内。所述流体路径限定了多个线性平行的冷却通道、流体供应通道以及流体返回通道，所述多个线性平行的冷却通道由对应的多个线性平行的散热片隔开。冷却流体能够通过经过流体供应通道而流经流体路径，通过多个线性平行的冷却通道，且通过流体返回通道返回，来冷却所述支撑基座装置。在另一种形式中，流体路径与所述底座插入件整体形成。在又另一种形式中，流体路径形成在所述底座壳体中。在仍另一种形式中，第一流体路径形成在底座插入件中且第二流体路径形成在底座壳体中。

在另一种形式中，静电卡盘的支撑基座装置包括由对应的多个线性平行的散热片隔开的多个线性平行的冷却通道、流体供应通道以及流体返回通道。冷却流体流经流体供应通道，通过所述多个线性平行的冷却通道，且通过流体返回通道返回，以冷却所述支撑基座装置。

在又另一种形式中，提供了一种制造支撑基座装置的方法。该方法包括：提供底座壳体和底座插入件；在所述底座插入件中形成多个线性片，以限定多个线性冷却通道，其中所述多个线性冷却通道仅在一个方向上延伸并且相互流体连通；以及将所述底座插入件结合至所述底座壳体。

在本公开内容的另一种形式中，提供了一种改善热导率和降低晶片支撑基座的热质量的方法。一种形式中的该方法包括：引导冷却流体通过流体供应通道到达晶片支撑基座的中心部分；径向向外地引导所述冷却流体；双周向地引导所述冷却流体；引导所述冷却流体通过线性平行的冷却通道；双周向地引导所述冷却流体；以及径向向内地引导所述冷却流体通过流体返回通道到达晶片支撑基座的中心部分。在另一种形式中，供应端口和返回端口可以位于支撑基座装置的外围周围，以引导冷却流体。

本公开内容的其他方面在下文中将部分地显现和部分地指出。应理解的是，本公开内的各个方面可以是单独实现的或相互组合实现的。还应理解的是，具体实施方式和附图说明在指示本公开内容的特定示例性形式的同时，仅用于例示目的，且不应被解释为限制本公开内容的范围。

附图说明

为了可以很好地理解本公开内容，现在将描述参考附图、通过实施例的方式给出的其多种形式，其中：

图1是现有技术的晶片支撑组件的示意图；

图2是根据本公开内容的原理构造的支撑基座装置的俯视图；

图3是沿图2的线3-3截取的支撑基座装置的横截面视图，其中为清楚起见，因此移除了电极引线和固定构件；

图4是图3的支撑基座装置的细节A的放大视图；

图5是根据本公开内容的教导构造的底座壳体的横截面视图；

图6是根据本公开内容的原理构造的支撑基座装置的底座插入件的透视图；

图7是图6的底座插入件的俯视图；

图8是沿图7的线8-8截取的底座插入件的横截面视图；

图9是图8的底座插入件的细节B的放大视图；

图10是根据本公开内容的原理构造的支撑基座装置的另一俯视图；

图11是沿图10的线11-11截取的支撑基座装置的横截面视图；

图12是沿图10的线12-12截取的支撑基座装置的横截面视图；

图13是根据本公开内容的原理制造支撑基座装置的方法的流程图；

图14A至图14C示出了根据本公开内容形成穿过底座插入件的凹部的步骤，其中图14A是底座插入件的俯视图，图14B是底座插入件的横截面视图，且图14C是图14B的部分D的放大视图；

图15至图17示出了根据本公开内容的原理在底座插入件中形成流体供应通道和流体返回通道的步骤，其中图15是底座插入件的俯视图，图16是沿着线6-6截取的底座插入件的横截面视图，且图17是沿着线7-7截取的底座插入件的横截面视图；

图18A和图18B示出了根据本公开内容的原理形成多个片以在底座插入件中形成多个冷却通道的步骤，其中图18A是底座插入件的俯视图，且图18B是沿图18A的线8-8截取的底座插入件的横截面视图；

图19A至图19C示出了根据本公开内容的原理将多个引线间隔件固定在底座插入件的凹部中的步骤，其中图19A是底座插入件的俯视图，图19B是沿图19A的线9-9截取的底座插入件的横截面视图，且图19C是图19B的部分E的放大视图；

图20示出了根据本公开内容的原理将空间填充材料施加在底座插入件的冷却通道、流体供应通道和流体返回通道中的步骤；

图21A至图21D示出了根据本公开内容的原理将底座插入件结合至底座壳体的步骤，其中图21A是底座插入件的俯视图，图21B是沿图21A的线10-10截取的底座插入件的横截面视图，图21C是沿图21A的线11-11截取的底座插入件的横截面视图，且图21D是图21C的部分F的放大视图；

图22是根据本公开内容的改进热导率和降低支撑基座装置的热质量的方法的流程图；

图23是一种实验装置的示意图，该实验装置被部署为确定根据本公开内容的教导构造的支撑基座装置与普通装置相比的耐热性改进；

图24是用于确定热阻常数的热回路的原理图；

图25是一个数据表，该数据示出了与本公开内容的支撑基座装置相比，普通装置的热负荷增加引起的温度改变；

图26是由图25的表提供的数据点的图表；

图27是根据本公开内容的教导构造的且具有形成在底座壳体中的散热片的支撑基座装置的一种替代形式；

图28是根据本公开内容的教导构造的且具有形成在底座壳体和底座插入件二者中的散热片的支撑基座装置的另一种替代形式；以及

图29是根据本公开内容的教导构造的基座装置的又另一种形式的壳体和底座的部分横截面视图。

在本文中所描述的附图仅是出于例示目的且不用于以任何方式限制本公开内容的范围。

具体实施方式

以下描述本质上仅仅是示例性的且不用于限制本公开内容、应用或用途。例如，本公开内容的以下形式针对用于在半导体加工中使用的卡盘(在某些情况下，是静电卡盘)的支撑组件。然而，应理解的是，本文提供的支撑组件和系统可以在多种应用中采用且不限于半导体加工应用。

如图2至图5中所示出的，静电卡盘的支撑基座装置10包括底座壳体12和布置在底座壳体12下方的底座插入件14。底座插入件14可以是与底座壳体12分离的部件或者可以是与底座壳体12整体形成的。支撑基座装置10限定了穿过底座壳体12和底座插入件14二者的多个引线孔16，用于接收电极引线(未示出)。多个引线间隔件20被设置在底座壳体12和底座插入件14之间并且限定了通孔59，通孔59与底座壳体12和底座插入件14的引线孔16对齐。支撑基座装置10适于被安装在晶片支撑装置(诸如，静电卡盘)下方。底座壳体12包括主要区域24和围绕主要区域24的周边区域26。主要区域24充当加工区域。支撑基座装置10包括用于控制晶片支撑装置和其上的晶片的温度的改进的冷却特征，这将在下文中更详细地描述。

底座壳体12限定内部腔22，用于将底座插入件14接收在其中。主要区域24限定引线孔16。周边区域26限定多个安装孔30，穿过安装孔30插入螺钉(未示出)，以将底座壳体12安装到底座插入件14。主要区域24从周边区域26凸起。内部腔22由上表面35和底座壳体12的内侧表面32限定。至少一个定位凹部34从本公开内容的一种形式的底座壳体12的内侧表面32凹入。

参考图6至图9，底座插入件14包括板主体36、从板主体36向上延伸的多个线性片38以及至少一个定位凸缘40。虽然示出了两个定位凸缘40，但应理解的是，可以采用仅一个定位凸缘40用于与底座壳体12的定位凹部34匹配。板主体36具有外侧面44，外侧面44邻接底座壳体12的内部腔22的内侧表面32。多个线性片38具有多个上表面46，当底座插入件14被结合至底座壳体12时，多个上表面46邻接内部腔22的上表面35或在内部腔22的上表面35附近。可以在底座板14的周边部分45中形成多个安装孔41并且与底座壳体12的安装孔30对齐。

在一种形式中，多个线性片38彼此平行且以第一距离D1(图9)在第一方向X上间隔。因此，术语“线性平行”应被解释为意味着特征大体上是几何线性的且在垂直方向上彼此间隔，或者该线性特征彼此平行。所述多个线性片38在第二方向Y上延伸，以在邻近的线性片38之间形成多个线性冷却通道42。多个线性冷却通道42在第二方向Y上延伸并且由对应的多个线性散热片38隔开。至少四个线性片以大于第一距离D1的第二距离D2间隔，以限定流体供应通道50和流体返回通道52。

底座插入件14还限定了多个凹部54，所述多个凹部54可以具有相同尺寸或不同尺寸。凹部54中的至少一个形成在流体供应通道50中，以限定入口55。凹部54中的至少一个形成在流体返回通道52中，以限定出口56。图7中示出了，一个凹部54形成在流体供应通道50中以形成一个入口55，且两个凹部形成在流体返回通道52中以形成两个出口56，以便于流通的冷却流体从基座支撑装置10退出。在另一种形式中，入口55和出口56可以形成在周边区域26的周围，或形成在贯穿插入件14的其他位置，同时保持在本公开内容的范围内。

参考图9，一种形式的多个冷却通道42限定了相同的矩形横截面面积。线性片38的高度L大于相邻的片38之间的距离D1，使得在本公开内容的一种形式中，冷却通道42每个都具有大约10：1的纵横比(L:D1)。应理解的是，片38和冷却通道42的数目和尺寸可以根据应用的冷却需求而变化，且因此本文中例示的各种形式不应被解释为限制本公开内容的范围。例如，片38的方向/取向可以是使得它们不必平行于彼此且相对于相邻的片38可以成不同的角度。附加地，片38的间隔和几何结构可以被配置成以便横跨支撑基座装置10提供具有不同热导率的区。另外，片38可以具有非恒定的横截面面积或具有除了如本文例示的矩形配置之外的替代形状。这样的变化应被解释为落入本公开内容的范围内。

流体供应通道50、流体返回通道52和冷却通道42共同地限定了允许冷却流体在支撑基座装置10内流动的流动路径。冷却通道42和流体供应通道50以及流体返回通道52在支撑基座装置10内部。冷却流体可以来自通用的制冷剂源，该制冷剂源还向晶片加工系统(未示出)中的其他工具和室供应冷却流体。冷却流体可以是水或流体相变介质，以改善热传递、冷却效率和响应性。

更具体地，流体供应通道50从底座插入件14的中心部分C径向地延伸。流体通过入口55进入流体供应通道50，在流体返回通道52中径向地且向外引导流体，沿着底座插入件14的周边远离流体返回通道52双周向地(即，在相反的圆周方向A和B上)引导流体。冷却流体的部分进入线性冷却通道42并且远离流体供应通道50双周向地引导流体时，流体在第二方向Y上流动。流体到达径向相对的定位凸缘40后，朝着流体返回通道52双周向地引导流体。从流体供应通道50双周向地流动的两个流体流束和通过多个线性冷却通道42流动的多个流束在流体返回通道52处汇合，并且然后被朝着底座插入件14的中心部分C在流体返回通道52中径向地且向内地引导并且通过出口56离开支撑基座装置10。

本公开内容提供具有改进的热管理和冷却的多种支撑基座装置和操作方法，以在加工表面处，特别是在静电卡盘的加工表面处维持更加均匀的温度情形。通常，除了本文所例示的内部流动配置，增加流体流速允许减小入口到出口的冷却流体的温度升高。增加的流速可以适应由散热片存在导致的压力损失。支撑基座装置10与普通晶片支撑装置相比，通过增加的表面面积允许增加的对流。以本公开内容的一种形式，例如机加工操作移除材料，在片18之间形成支撑基座装置10槽。这允许以降低的热质量对热负荷的更好的响应性。还降低了流动阻抗，同时降低了根据本文中例示的几何结构的背压，以及增加的流体流速。

参考图10至图12，沿着底座插入件14的板主体36的外侧面44和底座壳体12的内侧表面32之间的接合面，且沿着线性片38的上表面46和底座壳体12的内部腔22的上表面35之间的接合面，可以将底座壳体12钎焊至底座插入件14，这将参照图21A至图21D在下文中更详细地描述。

多个引线间隔件20被布置在凹部54中，以安装多个电极引线(未示出)。引线间隔件20可以由铝材料制成且通过螺钉58被安装至底座插入件14的底座板36。引线间隔件20每个都可以包括与支撑基座装置10中形成的引线孔16同轴对齐的通孔59(在图3和图4中示出)，使得电极引线(未示出)可以被插入。换言之，引线间隔件20每个都限定用于接收电极引线的通孔59和用于接收螺钉58的螺钉孔。

参考图13，制造支撑基座装置10的方法100从以下步骤开始：在步骤102中提供限定内部腔22的底座壳体12和包括凸起的主要部分43和周边部分45的底座插入件14。底座壳体12和底座插入件14可以通过熔模铸造或增材制造整体形成。底座插入件14的周边部分45包围凸起的主要部分43。

接下来，还参考图14A至图14C，在步骤104中以一种形式对底座插入件14机加工以形成多个凹部54。凹部54延伸穿过底座插入件14的凸起的主要部分43且可以具有相等的尺寸或变化的尺寸。

接下来，在步骤106中对底座插入件14机加工以形成流体供应通道50和流体返回通道52。如图15至图17中所示出的，流体供应通道50和流体返回通道52是两个直线槽的形式，邻近底座插入件14的中心部分C形成，沿着第一方向X(即，径向方向)偏置，且沿着第二方向Y延伸。流体供应通道50和流体返回通道52是平行的且与至少一个凹部54流体连通。流体供应通道50和流体返回通道52中的凹部54分别充当流动路径的入口55和出口56。可选地，凸起的主要部分24的周边边缘被机加工，以使周边部分45放大，使得沿着第一方向X在底座插入件14的径向上形成一对径向凸缘40。虽然没有在图14A中示出，但应理解的是，可以在周边部分45中形成安装孔41(在图9A中示出)。

接下来，如图18A和图18B中所示出的，在步骤108中对底座插入件14的凸起的主要部分43进行加工，以形成平行于多个流体供应通道50和流体返回通道52的多个线性片38。线性片38彼此平行且沿着第二方向Y延伸且沿着第一方向X以预定的距离间隔开。如此，在相邻的线性片38之间限定了多个冷却通道42，并且所述冷却通道42通过线性片38隔开。

如在图19A至图19C中所示出的，在步骤110中多个引线间隔件20被布置在凹部54中并且被固定到底座插入件。多个引线间隔件20对应于多个凹部54并且可以通过螺钉58被固定到底座插入件14。引线间隔件20包括待被螺钉58插入的螺纹孔。引线间隔件20还限定了与支撑基座装置10的通孔16对齐的通孔59(在图3和图4中示出)，以允许电极引线通过。引线间隔件20还用于保护电极引线并且防止冷却流体接触电极引线。

接下来，在步骤112中空间填充材料60被填充在冷却通道42、流体供应通道50和流体返回通道52中，随后在步骤114中对线性片38的上表面46进行机器研磨。如在图20中示出的，空间填充材料60被填充在底座插入件14中的任何开放的空间中，包括冷却通道42、流体供应通道50、流体返回通道52以及凹部54的未被引线间隔件20占据的部分。空间填充材料60防止后续的机器研磨步骤中产生的灰尘和残留进入底座插入件14中的开放的空间。空间填充材料60可以是牺牲的填充材料，诸如固体石蜡。可以使用适合用于此目的的任何其他材料。空间填充材料60稍后可以通过加热或机械手段而被移除，尤其是在底座插入件14被结合至底座壳体12之后。机器研磨步骤确保线性片38的上表面46的平面度，以确保线性片38的上表面46到底座壳体12的内部腔22的上表面35的改进的结合。

最后，在步骤116中具有引线间隔件20的底座插入件14沿着底座壳体12和底座插入件14之间的接合面被结合到底座壳体12。如图21A至图21D所示出的，当底座插入件14被插入在底座壳体12的内部腔22中时，底座插入件14的板主体36的外侧面44邻接底座壳体12的内部腔22的内侧表面32，以限定它们之间的第一接合面61，并且线性片38的上表面46邻接底座壳体12的内部腔22的上表面35，以限定它们之间的第二接合面63(在图21B至图21D中示出)。沿着第一接合面61和第二接合面63可以将底座壳体12钎焊至底座插入件14。可以通过在多个线性片38的上表面46和底座插入件14的板主体36的外侧面44上放置、加热和固化钎焊材料来实现结合。

参考图22，改进热导率和降低支撑基座装置10的热质量的方法120从以下步骤开始：在步骤112中通过邻近支撑基座装置10的中心部分的入口55引导冷却流体到流体供应通道50。接下来，在步骤124中在流体供应通道50中向外地且径向地引导该冷却流体。然后，在步骤126中远离流体供应通道50双周向地引导该冷却流体，随后在步骤128中引导该冷却流体穿过通过多个线性的且平行的冷却通道42。在步骤130中朝着流体返回通道52继续双周向地引导冷却流体。然后在步骤130中，在流体返回通道52中将该冷却流体向内地且径向地引导至支撑基座装置10的中心部分C。最终，引导该冷却流体通过出口56离开支撑基座装置10。该冷却流体可以是水，或者可以包括流体相变介质，以改善热传递、冷却效率和响应性。在不背离本公开内容的范围的情况下，可以使用任何冷却流体。

参考图23至图26，执行一个实验以确定与本公开内容的支撑基座装置相关联的热耗散益处。部署支撑基座装置10并且暴露至热负荷Q1。如所示出的，安置一对热电偶TC₁和TC₂，以测量由冷冻器220提供的冷却流体的温度增加。TC₁被安置在流体供应通道50入口之前，如所示出的。在供应冷却流体的冷冻器220和供应通道50之间还安置流量计230。流体经过装置10并且进入到由线性片38形成的流动通道42时，流体吸收来自热负荷Q1的热量。加热的流体通过返回通道52返回到冷冻器220，在返回通道52处安置另一个热电偶TC₂。热电偶TC₁和T C₂连同流量计230被连接至数据采集装置210，以采集温度信息并且确定改进的性能。使用普通的基座装置执行类似的测试，因此可以进行比较。

图24中示出的热回路例示了如何通过知晓热流速Q和测量横跨装置10的温差来确定热阻常数R。图25的表和图26的图表示出了具有根据本公开内容的散热片的装置10和普通基座装置的比较。在不同的热负荷流速Q期间测量装置的温度改变，可以计算出每种类型的装置的R值。根据该实验，普通的基座装置示出了0.000520℃/W的热阻，而具有根据本公开内容的散热片的改进的基座装置结果是0.000171℃/W的热阻。因此，使用根据本公开内容的基座装置10获得了热传递的30％的增加。

参考图27-28，示出了根据本公开内容的基座支撑装置的另外的形式，其中片形成在壳体中而不是插入件中(图27)，或者片形成在壳体和插入件二者中(图28)。在图27中，替代的支撑基座装置300包括用于接收底座插入件314的底座壳体312。底座插入件314限定内部腔322。底座壳体312包括形成冷却通道342连同供应通道和返回通道(之前示出的)的线性片338。冷却通道342适于接收冷却流体，用于底座壳体312上方的加工表面的热管理。由于将片338形成在壳体312中，以及如上阐述的钎焊接合面，使钎焊接合面进一步远离壳体的顶表面移动(即，移动到片338与插入件314的内侧会合的片338的底部部分)，以便移动潜在的热阻源。

在又另一种形式中，如在图28中示出的，示出了支撑基座装置400。在此变形中，底座壳体412被设置为具有形成冷却通道442的散热片438。底座壳体412适于接收底座插入件414。底座插入件414也包括形成流通通道442A的散热片438A。当与底座壳体412组合时，散热片438和438A形成冷却通道442和442A，以允许冷却流体经过装置400，如之前所描述的。

参考图29，另一种形式的底座壳体和底座插入件被例示为支撑基座装置500。该支撑基座装置500包括具有片538的底座壳体502(如之前所描述的)，而底座插入件504不包括片。一种形式中，沿着钎焊线510将底座壳体502钎焊至底座插入件504，这使热阻的此潜在源远离壳体502的顶部移动，如之前所描述的。还应理解的是，术语“插入件”不应被解释为意味着底座必须如之前所例示地需要插入在底座壳体的腔中，并且可以包括如图29中所示出的配置具有平面接合面。因此，壳体和底座可以是平面的或者彼此齐平的，或者一个被插入另一个内侧，或者具有将这两个部件固定在一起的锁定结构，同时保持在本公开内容的范围内。

在仍另一种形式中，可以提供两相流体来流经冷却通道，并且两相流体的压力是受控的，使得两相流体为本公开内容的支撑基座装置提供进一步的加热或热导率性能。例如在美国专利No.7,178,353和No.7,415,835并且还在公开的美国申请No.20100076611中详细描述了这种系统，所述美国专利的全部内容通过引用的方式整体纳入本文。通常，在这些系统中，加压的制冷剂以压缩的液体并且还以气态状态提供。该压缩的液体膨胀成蒸汽混合物，并且添加气态制冷剂以达到由其压力确定的目标温度。因此通过气体压力调节可以非常迅速地作出温度修正。

应注意的是，本公开不限于作为实施例所描述和所例示的实施方案。已经描述了各种各样的修改，且更多是本领域技术人员的知识的一部分。在不脱离本公开内容和本专利的保护范围的前提下，这些和其他修改以及技术等同物的任何替换可以被添加到说明书和附图。

Claims (16)

1.一种用于静电卡盘的支撑基座装置，包括：

底座壳体，所述底座壳体限定内部腔；

底座插入件，所述底座插入件被布置成接近所述底座壳体的内部腔；以及

布置在所述内部腔内的至少一个流体路径，所述流体路径限定：

多个线性平行的冷却通道，其由对应的多个线性平行的散热片隔开；

流体供应通道；以及

流体返回通道，

其中冷却流体能够通过经过所述流体供应通道而流经所述流体路径，通过所述多个线性平行的冷却通道，并且通过所述流体返回通道返回，以冷却所述支撑基座装置。

2.根据权利要求1所述的支撑基座装置，其中所述线性平行的散热片是所述基座插入件的一部分。

3.根据权利要求1所述的支撑基座装置，其中所述线性平行的散热片是所述底座壳体的一部分。

4.根据权利要求1所述的支撑基座装置，其中在所述底座插入件中形成第一流体路径且在所述底座壳体中形成第二流体路径，其中每个流体路径限定多个由对应的多个线性平行的散热片隔开的线性平行的冷却通道、流体供应通道，以及流体返回通道，其中所述线性平行的散热片是所述底座壳体和所述底座插入件的一部分。

5.根据权利要求1所述的支撑基座装置，其中所述底座壳体和所述底座插入件是分离的部件。

6.根据权利要求1所述的支撑基座装置，还包括穿过所述底座壳体和所述底座插入件延伸的多个电极引线。

7.根据权利要求6所述的支撑基座装置，还包括多个间隔件，所述多个间隔件布置在形成在所述底座壳体或所述底座插入件中的凹部内，其中所述电极引线穿过所述间隔件延伸。

8.根据权利要求1所述的支撑基座装置，其中所述流体供应通道在平行于所述冷却通道的方向从中心部分径向地延伸，且然后环绕所述流体路径的外周边双轴向地延伸。

9.根据权利要求1所述的支撑基座装置，其中所述流体返回通道在平行于所述流体路径的冷却通道的方向双周向地延伸并且然后径向地延伸到中心部分。

10.根据权利要求1所述的支撑基座装置，其中流体入口和流体出口环绕所述支撑基座装置的周边区域形成。

11.根据权利要求1所述的支撑基座装置系统，其中所述底座插入件包括下径向凸缘，所述下径向凸缘限定了邻接所述底座壳体的内部腔的内侧表面的外面。

12.根据权利要求1所述的支撑基座装置系统，其中多个冷却通道限定相同的横截面面积。

13.根据权利要求12所述的支撑基座装置，其中所述冷却通道限定大约10：1的纵横比。

14.根据权利要求1所述的支撑基座装置，其中该装置限定0.000171℃/w或更小的热阻。

15.根据权利要求1所述的支撑基座装置，其中所述底座壳体和所述底座插入件之间的接合面是平面。

16.根据权利要求1所述的支撑基座装置，其中所述线性平行的散热片限定间隔和几何机构，以横跨所述支撑基座装置提供具有不同的热导率的区。