CN107848206A - 利用激光和气流的增材制造中的表面处理 - Google Patents

利用激光和气流的增材制造中的表面处理 Download PDF

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阿莎瓦尼·库马尔
伯纳德·弗雷
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Abstract

一种用于表面改性的设备包括：支撑件，用以固持工件；等离子体源，用以在小于所述工件的局部区域中产生等离子体；和六轴机器人，用以操纵所述工件与所述等离子体源的相对定位。所述六轴机器人耦接至所述支撑件和所述等离子体源中的至少一个。

Description

利用激光和气流的增材制造中的表面处理
技术领域
本说明书涉及增材制造，也被称为3D打印。
背景技术
增材制造(AM)，又被称为实体自由成形制造(solidfreeform fabrication)或3D打印，是指从原料(通常为粉末、液体、悬浮液或熔化固体)以一系列的二维层或横截面构建出三维物体的制造工艺。相比之下，传统加工技术涉及减材工艺(subtractive processes)并且生产从诸如木头块或金属块的原料切出的物体。
在增材制造中可以使用各种增材工艺。各种工艺在层沉积以产生成品物体的方式和在每个工艺中可相容地使用的材料上有所不同。一些方法熔融或软化材料以产生层，例如，选择性激光熔融(selective laser melting；SLM)或直接金属激光烧结(direct metallaser sintering,DMLS)、选择性激光烧结(selective laser sintering；SLS)、熔融沉积成型(fused deposition modeling；FDM)，而另外一些方法则使用不同技术(例如，立体光刻(stereolithography；SLA))固化液体材料。
烧结是熔合小颗粒(例如，粉末)来产生物体的工艺。烧结通常涉及加热粉末。当在烧结工艺中将粉末状材料加热至充分的温度时，粉末粒子中的原子跨粒子边界扩散，进而将粒子熔合在一起以形成固体件。相较熔融来说，在烧结中使用的粉末不需要达到液相。由于烧结温度不必达到材料熔点，因此烧结常对诸如例如钨和钼的具有高熔点的材料使用。
烧结和熔融均可以在增材制造中使用。所使用的材料决定发生哪种工艺。非晶固体(诸如丙烯腈丁二烯苯乙烯(ABS))实际上是过冷的粘性液体，并且实际上不熔融；由于熔融涉及从固态至液态的相变。因此，SLS可以与ABS一起使用，并且SLM可以用于结晶和半结晶材料(诸如尼龙和金属)，所述材料具有离散的熔融/冻结温度并且在SLM工艺期间经历熔融。
使用激光射束作为用于烧结或熔融粉末状的材料的能量源的常规系统通常在粉末状材料的层中的选定点上引导激光射束并且将所述激光射束选择性地光栅扫描到横跨层的位置。一旦已烧结或熔融第一层上的所有已选位置，新的粉末状材料层在已完成的层的顶部上沉积并且逐层重复所述工艺直至生产出期望的物体。电子射束还可以用作导致材料中烧结或熔融的能量源。同样，电子射束跨层光栅扫描来完成特定层的处理。
发明内容
期望的是由通过3D打印工艺产生的工件制造部件并进一步修改所述工件以包括额外几何特征，所述额外几何特征具有与作为所述3D打印工艺的部件产生的几何特征相比较高的分辨率。所述部件(例如)可以包括低分辨率和高分辨率特征，并且3D打印工艺和后处理操作的组合可以获得两种类型的特征。在一些情形中，所述部件可以包括可通过3D打印工艺获得的简单几何形状，以及后处理操作整合至所述工件中的复杂几何形状。
在3D打印工艺之后对工件进行改性可以包括来自点电源、区域电源、或其组合的改性，所述电源将功率施加至所述工件的特殊部分以整合至所述部件的工件高分辨率特征中。点电源可以将热量添加至工件的小部分以将所述工件改性，并且区域电源可以施加电离气体或等离子体，所述电离气体或等离子体可以将功率添加至所述工件的局部部分。在一些情形中，等离子体可以进一步用于对工件表面进行化学改性。作为改性工件的工艺的部分，感测系统可以检测点电源和/或区域电源何时已获得所述特征。
在一个方面，一种用于表面改性的设备包括：支撑件，用以固持工件；等离子体源，用以在小于所述工件的局部区域中产生等离子体；和六轴机器人，用以操纵所述工件与所述等离子体源的相对定位。所述六轴机器人被耦接至所述支撑件和所述等离子体源中的至少一个。
实现方式可以包括以下特征的一个或多个。设备可以包括耦接至机器人和等离子体源的控制器。所述控制器可以被构造以协调机器人和等离子体源的操作以致使来自等离子体的离子仅冲击工件的暴露表面的一部分。
设备可以包括真空腔室，并且支撑件、等离子体源和机器人可以在所述真空腔室中定位。另外或可选地，所述设备可以包括被定位以产生穿过局部区域的激光射束的激光器。激光射束在工件的暴露表面上的射束斑点可以小于由等离子体冲击的工件的一部分。
在一些实例中，所述设备可以包括被定位以产生穿过局部区域的聚焦离子射束的聚焦离子射束系统。聚焦离子射束在工件的暴露表面上的射束斑点可以小于由等离子体冲击的工件的一部分。
所述设备的等离子体源可以包括管、用以将气体注射至管中的气源、第一射频(radio frequency；RF)电源、以及环绕所述管并耦接至所述第一RF电源的第一多个导电线圈。在一些情形中，所述设备可以包括第二射频(RF)电源。第二多个导电线圈可以耦接至第二RF电源。第二多个线圈可以定位成环绕将等离子体从管发射出的空间。在一些实现方式中，控制器可以被构造成致使机器人以使得在工件与管之间存在空间的方式来定位工件。第一和第二多个线圈可以沿着平行轴定向。在一些情形中，所述设备可以包括耦接至支撑件的第三射频(RF)电源。
本文所述的系统和方法的另一方面包括一种表面改性的方法。所述方法包括在小于工件的局部区域中且靠近工件产生等离子体，使得来自等离子体的离子仅冲击工件的暴露表面的一部分。
在一些情形中，来自等离子体的离子可以被溅射至暴露表面的部分上。来自等离子体的离子可以蚀刻暴露表面的部分。
在一些实例中，所述方法可以包括反应性溅射至暴露表面的部分上。所述方法可以包括利用激光射束冲击暴露表面的部分同时产生等离子体。激光射束可加热暴露表面或被构造以在不从暴露表面移除材料的情况下加热暴露表面。激光射束可以烧蚀材料或被构造以烧蚀来自暴露表面的材料。
所述方法可以进一步包括利用线圈约束等离子体，所述线圈定位成环绕在等离子体源与工件之间的空间。所述方法可以包括利用聚焦离子射束铣削(mill)暴露表面的部分同时产生等离子体。所述方法可以另外或可选地包括利用六轴机器人相对于等离子体源可控地定位工件。
本文所述的系统和方法的另外方面包括一种制造系统。所述制造系统包括被构造以制造工件的3D打印机和用于表面改性的设备。所述设备包括：支撑件，用以固持工件；等离子体源，用以在小于所述工件的局部区域中产生等离子体；和六轴机器人，所述六轴机器人耦接至所述支撑件和所述等离子体源中的至少一个以操纵所述工件与所述等离子体源的相对定位。所述制造系统进一步包括用以将工件从增材制造系统移动至用于表面改性的设备中的支撑件的运输系统。
本文所述的系统和方法的另一方面包括一种制造部件的方法。所述方法包括通过3D打印制造部件，以及通过在小于工件的局部区域中且靠近工件产生等离子体来将离子施加至所制造部件的暴露表面的已选部分。
实现方式可以提供以下优点的一个或多个。工件可以容易地经改性以包括复杂的表面性质和几何形状。后处理系统可以将复杂表面性质改性以具有在预定范围内的硬度或粗糙度。例如，一种部件可被设计以包括具有3D打印工艺可能不能够获得的预定粗糙度和硬度的局部部分。所述部件可能被设计以具有在工件的局部部分中的而3D打印工艺可能不能够获得的详细几何形状，诸如蚀刻的几何形状。3D打印可进一步致使工件的局部部分变形或将残留物余留在所述局部部分上，后处理系统可以容易地清洁所述残留物。后处理系统可以移除、清洁或以其它方式改性局部部分同时防止工件的其他部分改性。后处理系统可以使用沿着工件表面引导至点的点电源或沿着工件表面引导至区域的区域电源局部化对不同大小的部分的改性。
一个或多个实现方式的细节在随附的附图和以下描述中阐述。其他方面、特征和优点将从描述和附图，以及从权利要求书中显而易见。
附图说明
图1是部件制造系统的方块图。
图2是图1的部件制造系统的后处理系统的示意性侧视图。
图3是机器人的示意图。
图4是用于图2的后处理系统的控制系统的方块图。
各个附图中的相同附图标号标示相同元件。
具体实施方式
CAD系统可以产生用以制造部件的指令，所述指令包括宏观特征(例如，低分辨率几何形状和特征)和详细特征(例如，高分辨率几何形状和特征)。在一些情形中，工件制造系统(诸如3D打印系统)可能适用于使用3D打印工艺制造具有大体几何形状的工件。因此，工件制造系统可以使用指示部件的大体几何形状的指令产生工件。在已经初步制造工件之后，所述工件可以经历进一步后制造工艺以获得详细几何形状和特征，所述详细几何形状和特征不作为3D打印系统的3D工艺的部分整合。后制造工艺可以包括用以改性大面积工件和小面积工件以包括部件的详细特征的独立控制的工艺。在使用来自CAD系统的指令的情况下，如本文所述的后处理系统可以进一步改性工件以整合部件的详细几何形状和特征。
一种用以制造部件的制造系统可以包括用以设计、制造、和后处理成为部件的工件的机构、模块，和其他系统。图1图示了部件制造系统100的方块图，所述部件制造系统包括控制器102、3D打印系统104、后处理系统106、和基板传送机构108。控制器102与3D打印系统104、后处理系统106、和基板传送机构108通信以便于制造部件。3D打印系统104、后处理系统106，和基板传送机构108中的每一个可以包括从控制器102接收指令并执行相应系统的操作的控制器。
控制器102包括产生指令的计算机辅助设计(CAD)系统，所述指令可以由3D打印系统104、后处理系统106，和基板传送机构108中的每一个使用以制造部件。3D打印系统104使用从控制器102接收的指令来实现用以制造工件的3D打印工艺。3D打印系统104可以执行适当的3D打印工艺，以产生工件，例如，选择性激光熔融(SLM)或直接金属激光烧结(DMLS)、选择性激光烧结(SLS)、熔融沉积成型(FDM)、和立体光刻(SLA)之类的3D打印工艺。
在3D打印系统产生工件之后，所述工件可以包括在由控制器的CAD系统产生的指令中指示的低分辨率特征和几何形状。例如，由3D打印系统104制造的工件可以包括具有例如在10微米至50微米之间、在50微米与100微米之间、或在100微米至1mm之间的分辨率的特征。因此，在使用来自CAD系统的指令的情况下，3D打印系统104可以产生用以控制3D打印系统104的单独系统(例如，功率系统、机器人系统、阀门、和其他系统)来产生工件的额外指令。控制器102可以操作3D打印系统104的各种部件，包括例如分配器、驱动系统、激光系统、电源、气体输送系统、和用以操作3D打印系统104的其他适当部件。
后处理系统106使用从控制器102接收的指令来分析并处理工件，使得所述工件可以包括在由CAD系统产生的指令中描述的部件的高分辨率特征。高分辨率特征可以包括微尺度的粗糙度。膜厚度也可以以在例如0至500埃之间的深度沉积。例如，后处理系统106可以处理工件表面，使得所述表面包括最终部件的特征：即由3D打印系统104实现的3D打印工艺可能未整合至工件中。在一些情形中，后处理系统106可以反应性溅射并选择性加热工件表面的局部部分以将表面纹理、硬度和其他材料表面性质改性。
后处理系统106可以包括将功率引导至直径小至数毫米的工件之上的局部区域(例如，使用点电源)或引导至直径大至数厘米的工件之上的局部区域(例如，使用区域电源)的电源。点电源，例如，可以是将激光射束发射至工件的小部分上以将热量添加至部件的激光。区域电源，例如，可以是在工件之上的局部区域中从等离子体源发射等离子体的等离子体输送系统。在使用区域电源和点电源的情况下，后处理系统106可以改性工件的暴露表面的局部部分。工件可以使用增材制造工艺(例如，如关于3D打印系统104所描述)制造并且已使用与后处理系统106相关的减材制造工艺改良分辨率。
从由CAD系统产生的指令，后处理系统106可以控制电源以获得对工件的各种改性。例如，后处理系统106的等离子体输送系统可以于不同通量发射等离子体以将工件表面蚀刻为具有可控的粗糙度或硬度。在另一实例中，激光可以数种模式操作，所述模式包括用以加热部件的低功率模式、用以移除可能在3D打印工艺期间已发生的最小材料变形(例如，毛刺、刀痕)的中等功率模式和用以蒸发或蚀刻工件的局部部分的高功率模式。后处理系统106的控制器可以取决于CAD指令指示的特征来控制激光的频率和功率水平。例如，如果CAD指令指示部件中的蚀刻特征，那么后处理系统106可以增加激光的功率水平，使得所述激光可以蚀刻工件的局部部分。
后处理系统106的感测系统可以检测工件的表面性质并且因此监控由后处理系统106实现的工艺。例如，感测系统可以检测可能已产生的工件中的变形，例如，由3D打印工艺产生的变形。在一个实现方式中，如果后处理系统106检测到闪光，那么后处理系统106的控制器可以将指令传输至激光以降低激光的功率水平和/或频率，使得激光可以在不对工件的剩余部分产生损坏的情况下清洁毛刺。
后处理系统106也可以取决于在3D打印系统104的3D打印工艺期间形成工件的材料(例如，金属、塑料、或陶瓷类型)以各种模式操作。在一些情形中，工件可以由金属、陶瓷、或塑料制成。金属粒子的实例包括钛、不锈钢、镍、钴、铬、钒和这些金属的各种合金。陶瓷材料的实例包括金属氧化物，诸如二氧化铈、氧化铝、二氧化硅、氮化铝、氮化硅、碳化硅、或这些材料的组合。塑料的实例可以包括ABS、尼龙、Ultem、聚氨基甲酸酯、丙烯酸酯、环氧树脂、聚醚酰亚胺、或聚酰胺。
在一些情形中，感测系统检测工件的材料，并且后处理系统106随后取决于所检测的材料选择调制的模式，例如用于激光和/或等离子体输送系统的功率量的模式。在其他情形中，后处理系统106可以包括针对工件的材料类型的用户输入。
如图2所示，示例性后处理系统200(例如，图1的后处理系统106)包括用以处理、操纵、和监控工件202的数个系统。在一些实现方式中，工件202使用3D打印系统(例如，图1的3D打印系统104)制造并且使用基板传送机构(例如，图1的基板传送机构108)从3D打印系统移动至后处理系统200。后处理系统200包括外壳204，所述外壳封闭工件机器人206以操纵工件202；感测系统208，用以感测在工件202的表面212上的一小部分210的属性；等离子体输送系统214和等离子体约束系统216，用以改性表面212的局部部分218；以及激光精整系统220，用以改性表面212上的一小部分222。后处理系统106可以包括用以从CAD系统(例如，图1的控制器102)或其他外部系统接收指令并将指令输送至后处理系统200的各个系统的控制器224。任选地，可以省略感测系统208、等离子体系统214/216或激光精整系统220中的一个或多个。
外壳204界定内部腔室226并且将所述内部腔室与外部环境229分离以在内部腔室226内产生内部环境，所述内部环境减少了在工件202的后处理期间的缺陷。外壳204可以允许在腔室226中维持真空环境，例如，小于1Torr或在0.0001Torr至1Torr之间的真空环境。在真空环境内维持的压力可以影响等离子体密度。因此，内部腔室226可以是真空腔室，在所述真空腔室内包括并定位有工件机器人206、感测系统208、等离子体输送系统214、等离子体约束系统216、和激光精整系统220。在一些情形中，腔室226可以包括实质上纯净的气体，例如，已经过滤以移除颗粒的气体。在其他情形中，腔室可以向大气排出气体。真空环境或已过滤的气体可以降低发生缺陷的可能性，例如，在使用感测系统208、等离子体输送系统214、和激光精整系统220期间发生的缺陷。
当将工件202置于用于处理的后处理系统200中(例如，通过图1的基板传送机构108)时，工件机器人206可以用作支撑件以接收、固持、并操纵工件202。工件机器人206可以从控制器224接收指令以平移或旋转内部腔室226内的工件202。工件机器人206是六轴机器人并且可以沿着任何轴(例如，x轴、y轴、和z轴)移动工件202或围绕任何轴旋转工件202。工件机器人206可以在x方向、y方向、和z方向中移动并且可以在θ方向、Φ方向、和Ψ方向中旋转。工件机器人206可以因此相对于感测系统208、等离子体输送系统214、和激光精整系统220中的各个系统移动或旋转工件202。
感测系统208感测工件202的表面212上的小部分210的属性。感测系统208包括x射线光电子分光计(XPS)228，x射线光电子分光计(XPS)228向工件的小部分210发射x射线的射束232并检测由x射线导致的从小部分210逸出的电子。随着射束232接触工件202的表面212，小部分210可以是射束232的射束斑点。小部分210可以具有例如由圆或椭圆界定的区域，其中最大尺寸，例如在10微米与500微米之间、在500微米与5mm之间，以及在10mm与50mm之间。XPS 228可以检测从小部分210逸出的电子的动能和数量并且可以基于所述动能和数量确定材料特性。例如，XPS 228可以确定小部分210的化学组成和/或在小部分210内的材料缺陷和/或污染。在一些情形中，XPS 228可以被构造以确定工件202的深度轮廓的化学组成。在一些情形中，XPS 228可以扫描工件202的表面212并且确定工件202的表面212的线轮廓的元素和化学组成。
尽管已经将感测系统208描述为包括用以确定工件202的表面特征的XPS 228，但在一些实现方式中，感测系统208可以包括其他感测器和检测装置。例如，感测系统208可以使用干涉计、共焦显微镜、或其他适当表面检测系统来检测粗糙度、表面精整、或其他表面特征。感测系统208还可能包括用以确定工件202的小部分210的温度的光学温度感测器。在一些情形中，感测系统208可以包括监控沿着工件202的表面212的各个点处的温度的数个温度感测器。
等离子体输送系统214和等离子体约束系统216可以协作以使用等离子体234改性工件202的表面212的局部部分218并防止将在局部部分218外部的表面212的部分改性。取决于处理条件，来自等离子体输送系统214的离子可以轰击局部部分218以改性表面性质。例如，离子可以致使表面212上的化学反应，被植入表面212中，或者致使溅射来自表面212的材料。离子也可以致使烧结表面212的材料粒子。例如，离子可以被引导至在表面上设置的粉末，使得粉末被加热并烧结以形成固体材料。
等离子体输送系统214用作等离子体源并且可以因此在小于工件202的局部区域之上产生等离子体234。等离子体输送系统214包括气源236，所述气源通过由管或管道240界定的中空内部238供应气体。由气源236供应的气体的实例可以包括氮气、氩气、氦气、氧气、和氟化钛、TiCl4、H2-He混合物。等离子体输送系统214可以包括阀门，所述阀门由控制器224控制以用于将气体从气源236释放至中空内部238中。当从等离子体输送系统214释放等离子体234时，等离子体234被释放至局部区域中并且可以对工件202的表面212上的局部部分218产生改性。
随着气体穿过管道240的中空内部238，通过等离子体输送系统214流动的气体变得离子化，因此形成等离子体234。等离子体(例如，等离子体234)是正性和负性粒子的电中性介质(亦即，等离子体的总电荷大致为零)。例如，当从气源236供应氮气时，气体变得离子化，从而产生N2+或N+。一般来说，应用两个不同电荷的相对电极可以致使从气源236供应的气体形成等离子体234。在图2中，当将气体从气源236供应至中空内部238中时，交流电(AC)电源(未示出)可以将电流传输至位于中空内部238内的电极244。中空内部238进一步容纳反电极，所述反电极与带电荷的电极244协作以在中空内部238内产生电场。反电极可以浮动或连接至地面。管道240可以由电介质材料形成以在中空内部238内含有电场。由电极244和反电极在中空内部238内产生的电场将从气源236流动的气体离子化，从而产生等离子体234。
尽管已经将电极244和反电极描述为在管道240的中空内部238内产生等离子体234，但是在一些实现方式中，等离子体234作为离开管道240中性气体粒子而产生。工件202可以被放置在工作台上，例如，所述工作台被附接至工件机器人206或是所述工件机器人的部分。例如，工作台可以是机器人206的末端执行器的平坦表面。AC电源可与工作台一起操作以对工作台充电，并且另一AC电源可与管道240一起操作(例如，内表面朝向用作电极的管道240的末端247)。AC电源可各自将不同射频的驱动电压传输至管道240和工作台。在此情形中，管道240和工作台协作以产生用以离子化气体粒子的电场。工作台因此用以支撑工件202并离子化气体。
在一些实现方式中，末端247可以包括喷嘴，所述喷嘴被构造以当气体离开管道240的末端247时加速所述气体的流动。喷嘴可以被构造以引发离子气体的超音速流动。例如，喷嘴可以是拉瓦尔(de Laval)喷嘴、缩放型喷嘴、CD喷嘴、或收敛扩散型(con-di)喷嘴。在一些实现方式中，拉瓦尔喷嘴可以是中间收缩以具有小心平衡、不对称的沙漏形状的管。喷嘴可用以加速粒子射束，例如，穿过所述喷嘴的离子的粒子射束，以获得较大的轴向速度。以此方式，粒子射束的动能致使从工件202的表面212的暴露部分移除材料。等离子体234通过喷嘴的流动，例如可以在0与200标准立方厘米(standard cubic centimeter；sccm)之间。
在一些实现方式中，反电极可以连接至单独的AC电源，所述AC电源将反电极充电以使得电极244与反电极具有相反的电荷。较高的射频驱动电压可以被施加至电极244以控制等离子体234中的离子通量，而施加至反电极的较低射频驱动电压可以控制等离子体中的离子能量。控制器224可以调节电极244和反电极的射频电压以控制离子的能量或通量。
感应线圈246可被充电以加速通过管道240的中空内部238的等离子体粒子，使得等离子体234可以被分配至工件202之上的局部区域中。感应线圈246环绕管道240的中空内部238。AC电源245可将射频电流传输至感应线圈246，使得感应线圈246在中空内部238内产生磁场。因为等离子体234的粒子被离子化，磁场与粒子耦合并且可以致使粒子在磁场方向中加速。控制器224可以通过调节由感应线圈产生的磁场来控制赋予等离子体234的粒子的加速量。控制器224可以将指令传输至电源245以将射频驱动电压传输至感应线圈246并且进一步调节驱动电压的功率或频率的量。在此实例中，磁场致使等离子体234的离子化粒子朝向管道240的末端247加速，使得等离子体234可以离开管道240至局部区域中。
当等离子体234离开等离子体输送系统214时，等离子体234可以包含于使用等离子体约束系统216的重叠局部区域的空间248内。等离子体约束系统216包括连接至AC电源252的感应线圈250，所述感应线圈可以将射频驱动电压传输至感应线圈250。感应线圈250定位成环绕将等离子体234从管道240的中空内部238发射出的空间248。当由AC电源252充电时，感应线圈250可以产生磁场，所述磁场用以在重叠局部区域的空间248内含有等离子体234。因此，由于表面212的所述部分不暴露至等离子体，等离子体234不影响在局部部分218外部的工件202的表面212。控制器224可以控制由AC电源252输送至感应线圈250的功率量，以调节空间248的大小并且由此调节由等离子体234覆盖的工件202的局部部分218的区域大小。控制器224可以被构造以控制感应线圈250，使得感应线圈250通过调谐由感应线圈250产生的电磁场来驱动等离子体234的离子。控制器可以调节用以驱动感应线圈250的AC电源252的射频。可选或另外地，感应线圈250还可以再次溅射所沉积的材料或工件202的材料以产生化学计量合金化组合物。
感应线圈250可以与在局部区域的中心处或附近定位的管道240一起定位。在一些实现方式中，感应线圈250可以相对于管道240机械固定。在一些实现方式中，感应线圈250可沿着管道240的轴线移动，但侧向地固定(垂直于轴)。
当沿着局部部分218之上的局部区域在靠近工件202的空间248内约束等离子体234时，等离子体234冲击局部部分218的表面212的暴露部分。等离子体234的离子可以因此致使在局部部分218的表面212上发生化学反应。化学反应可以将局部部分218的表面粗糙度调节为例如在1微米至20微米之间、0.5微米至50微米之间、或其他适当范围。表面硬度深度可以取决于工件202的材料和所使用的等离子体处理工艺的类型，例如，诸如氮化、阳极化、和其他工艺的等离子体处理工艺。例如，氮化可以将局部部分218的表面硬度深度调节为例如在15微米至500微米之间。
可以使用等离子体234局部改性的其他性质包括金属密度和机械性质，例如，诸如屈服强度、断裂韧性、和回弹性之类的机械性质。等离子体234可以进一步从局部部分218移除材料，从而致使局部部分218具有与表面212的其他部分相比较低的表面粗糙度。等离子体234因此仅冲击工件202的暴露表面的一部分，例如，工件202的局部部分218。
调节撞击局部部分218的离子的密度可以调节赋予局部部分218的表面粗糙度。例如，调节传输至电极和反电极中的每一个的射频驱动电压的量值或频率可以调节等离子体234的通量并且因此调节撞击局部部分218的离子的密度。在一个实例中，可以降低等离子体234的通量，使得较少离子撞击熔合的供给材料的表面，进而致使进一步间隔开表面上的不规则性并且增加局部部分218的表面粗糙度。如本文所述，控制器224可以将指令传输至与感应线圈246、电极244和反电极相关的电源来调节等离子体234中的离子通量。
在一些实现方式中，由将等离子体234发射至局部部分218之上的局部区域中的等离子体输送系统214执行的工艺可以进一步调节局部部分218的其他性质，例如，诸如硬度、粒度、结晶取向的其他性质。等离子体可以进一步用于致使例如用以改变硬度的氮化、用以保护部件不受腐蚀环境影响的钝化和阳极化的工艺。在一些情形中，等离子体输送系统214可以分配等离子体234以对工件的密封表面执行电抛光工艺或使表面具有反射性以减少真空和超纯系统中的除气。等离子体输送系统214也可以使用等离子体234的离子来蚀刻工件202的局部部分218。等离子体输送系统214可以替代或另外地通过等离子体或电弧喷射获得表面纹理化。等离子体234也可以围绕工件202的局部部分218添加热量并烧结粉末状材料。在一些实现方式中，控制器224可以被构造以在对应于本文所述的各个表面改性工艺的模式中操作。在每个模式中，控制器224将指令发布至等离子体输送系统214，所述等离子体输送系统调节等离子体234中的离子的通量和能量以获得特殊的表面改性工艺。在一些实现方式中，控制器224可以取决于由感测系统208检测的工件202的材料组成来调制等离子体234的通量和能量。
激光精整系统220可以使用激光器254改性在小部分222内含有的工件202的表面212的性质，所述激光器在表面212的小部分222上发射激光射束255。随着激光射束255接触工件202的表面212，小部分222可以是激光射束255的射束斑点。示出在局部部分218内含有小部分222。激光射束255可因此穿过局部部分218。在一些实现方式中，小部分222可以在局部部分218外部。
在一个实例中，控制器224可以低功率模式、中等功率模式、和高功率模式操作激光器254。在低功率模式中，激光射束255可以将热量添加至小部分222以增加小部分222附近的工件202的温度。在中等功率模式中，激光射束255可以通过充分加热小部分222以移除在小部分222附近的残留物、毛刺或其他微小材料变形来清洁小部分222。中等功率模式允许激光射束255移除在将工件传送至后处理系统200之前可能已发生的变形，例如，由用以形成工件202的工艺发生的变形。在高功率模式中，激光射束255可以烧蚀小部分222以进行减材制造工艺。激光射束255可以蒸发在小部分222附近的材料并且进行诸如蚀刻的工艺。在一些实现方式中，控制器224可以固化模式操作激光射束255，在固化模式中激光射束255可以添加足够的热量或能量以完成小部分222中的材料的固化工艺。在其他实现方式中，控制器224可以取决于由感测系统208检测的工件202的材料组成来调制输送至激光射束255的功率。
等离子体输送系统214因此充当发射等离子体234以将由局部部分218界定的区域改性的区域电源，并且激光精整系统220是发射激光射束255以改性由小部分222界定的点的点电源。当充电时，线圈250界定局部部分218的区域，等离子体324被约束于局部部分218内。局部部分218的区域，例如，可以在1平方厘米与1000平方厘米之间。在一些情形中，随着局部部分218的区域增大，在所述区域内的等离子体234的密度可以降低。小部分222(近似为由激光射束255接触的工件202上的点)，例如，可以具有在0.0001平方毫米与20平方毫米之间的区域。在一些情形中，小部分222可以具有椭圆或圆形形状。在一些实现方式中，局部部分218的区域与小部分222的区域的比率，例如，在5:1与106:1之间或更大。
在一些实现方式中，替代激光器254或除了所述激光器之外，精整系统220可以包括用以产生聚焦离子射束(例如，射束255)以铣削工件202的表面212的聚焦离子射束系统。工件202，例如，可以是微机电系统(microelectromechanical system；MEMS)，所述微机电系统可以具有可通过铣削或由聚焦离子射束蚀刻而获得的特征。可以定位精整系统220，并且因此定位聚焦离子射束系统以产生聚焦离子射束，所述聚焦离子射束穿过局部部分218之上的局部区域，并且在一些情形中更特别地穿过小部分222。在此实例中，聚焦离子射束可以产生较小的区域改性。因此，小部分222，例如，可以在数纳米与100纳米之间。
为了感测并改性工件202的不同部分，感测系统208、等离子体输送系统214、和激光精整系统220可以分别包括用以控制系统208、214和220的位置的可移动的机器人256、258和260。控制器224可以控制机器人256，使得感测系统208可以在沿着工件202的表面212的不同部分(例如，小部分210)处检测工件202的表面性质。控制器224可以控制机器人258，使得等离子体输送系统214可以将等离子体输送至沿着工件202的表面212的不同部分(例如，局部部分218)。控制器224也可以控制机器人260，使得机器人260可以在沿着工件202的表面212的不同部分(例如，小部分222)处进行激光精整。在一些实现方式中，等离子体约束系统216可以与等离子体输送系统214一起移动以控制沿着表面212的局部部分218的位置。在其他实现方式中，机器人移动等离子体约束系统216同时等离子体输送系统214保持固定。随着控制器224操纵机器人，所述机器人可以定位工件202以使得空间248是位于工件202与管道240之间。
机器人256、258和260是六轴机器人。机器人256、258和260由此可以分别沿着任何轴(例如，x轴、y轴、和z轴)移动感测系统208、等离子体输送系统214、和激光精整系统220。机器人256、258和260也可以围绕任何轴旋转系统208、214和220。因此，机器人256、258、260可以每个在x方向、y方向、和z方向中移动并且可以每个在θ方向、Φ方向、和Ψ方向中旋转。机器人256、258、260可以相对于工件202移动感测系统208、等离子体输送系统214、和激光精整系统220中的各个。
机器人206、256、258和260的各个组合可以包括在后处理系统200中以获得工件202与感测系统208、等离子体输送系统214、和激光精整系统220的相对移动。在一些实现方式中，工件202可以保持固定，同时机器人256、258和260分别移动感测系统208、等离子体输送系统214和激光精整系统220。在此实例中，可以通过固定的支撑件或工作台将工件202保持在适当位置。在其他实现方式中，工件机器人206移动工件202，同时系统208、214和220保持固定。因此，在这些实现方式中，一个或多个六轴机器人(例如，工件机器人206或机器人256、258和260的一个或多个)可以操纵固持工件的支撑件与以下系统中的至少一个：感测系统208、等离子体输送系统214、和/或激光精整系统220，以操纵工件202与感测系统208、等离子体输送系统214、和/或激光精整系统220的相对定位。
尽管已经将独立的机器人256、258、和260描述为控制系统208、214、220中的每一个，在一些实现方式中，XPS 228和/或激光器254可以产生与管道240共线的射束232、255。因此，激光精整系统220和感测系统208可以与等离子体输送系统214一起移动。在此实例中，控制器224可以操纵单个机器人(例如，机器人258)以移动系统208、214、220。小部分210与小部分222可以彼此重合。小部分210和小部分222可以进一步包含于局部部分218内。控制器224可以独立地操作系统208、214、220。控制器224可同时操作系统208、214、220，使得后处理系统200可以同时进行感测、激光精整和/或溅射。
尽管已经将机器人206、256、258和260各自描述为六轴机器人，所述系统仅包括机器人206，并且系统208、214、220是固定的。或者，在一些情形中，机器人206可以具有小于六轴控制，但机器人256、258和260可以包括数个单轴或多轴致动器，所述致动器与机器人206相结合地提供对工件与系统208、214、220的相对位置的六轴控制。由感测系统208产生的射束232、激光精整系统220的射束255、等离子体输送系统214的感应线圈246、和等离子体约束系统216的感应线圈250可相对于彼此定位以简化上述工艺。在一些实现方式中，可以定位感应线圈246、250以使得线圈246、250的纵轴是平行的。在一些情形中，感应线圈246、250是共轴的。感应线圈246、250可以与管道240共轴。由于这些实现方式，在等离子体234离开管道240之后等离子体234可以朝向空间248的中心加速，且等离子体234被约束在空间248中。在一些情形中，感应线圈246、250也可以与射束232和/或射束255共轴。在所述情形中，等离子体234和射束232、255可以被引导至工件202的相似或重合的部分。
如图3所示，例示性机器人300(例如，图2的工件机器人206)固持并操纵工件302。如本文所述，控制器(例如，控制器102)可以基于产生的命令来控制机器人300，例如由控制器的CAD系统产生的命令。
机器人300包括具有数个自由度以围绕环境移动工件302的运动学系统。例如，机器人300包括于接头310处连接的联接304、306。联接304进一步在接头308处连接，所述接头被固定至机器人300的底盘312。运动学系统进一步包括在接头315处连接至联接306的叶片314。联接304、306、和叶片314可以每个彼此独立地旋转以在空间中移动工件302。分别位于接头308、310、和315处的运动学系统的驱动器316、318、和320可以分别控制联接304、306、和叶片314的旋转。例如，驱动器316、318、320可以在θ方向、Φ方向、和Ψ方向中旋转联接304、306和叶片314，并且因此可以在x方向、y方向和z方向中移动工件302并在θ方向、Φ方向和Ψ方向中旋转工件302。
叶片314可以支撑并固持工件302。叶片314可以包括作为真空系统的部件操作的真空孔322，随着机器人300在空间中来回移动工件302，所述真空系统朝向叶片314拉动工件302。
在一些情形中，将工件302维持于高温允许，例如使用后处理系统(例如，图1的后处理系统106和图2的后处理系统200)，这允许更容易地处理工件302。叶片314可以进一步包括用以当机器人300固持工件302时加热工件302的电阻式加热器324。例如，高温可以继续在机器人300接收工件302之前引发的工件302中的固化工艺。
机器人300可以用以在部件制造系统(例如，图1的部件制造系统100)的各个工艺期间固持、支撑和以其它方式操纵工件302。机器人300可以是用以在部件制造系统的各个系统之间(诸如，例如，在3D打印系统与后处理系统(例如，图2的后处理系统200)之间)移动工件302的基板传送机构。机器人300可以是用以在工件302的后处理期间操纵工件302的工件机器人(例如，图2的工件机器人206)。在一些情形中，机器人300可以充当基板传送机构和工件机器人。例如，在机器人300已将工件302从3D打印系统运输至后处理系统之后，随着所述后处理系统执行本文所述的各个工艺以改性工件302，机器人300可以继续移动工件302。
用于后处理系统(例如，图1的后处理系统106或图2的后处理系统200)的示例性控制系统400包括用以操作等离子体输送系统404、激光精整系统406、内存存储元件408、感测和测量系统410、以及功率系统412的控制器402。控制器402可以是操作控制系统400的系统的单个控制器。在一些实现方式中，等离子体输送系统404、激光精整系统406、感测和测量系统410、及功率系统412可以各自包括从控制器402接收指令的单独的控制器。功率系统412可以包括可与等离子体输送系统404、激光精整系统406、内存存储元件408、以及感测和测量系统410中的各个系统一起操作的电源。控制系统400产生并执行用以改性工件(例如，图2的工件202)的指令。
等离子体输送系统404(例如，图2的等离子体输送系统214)可以从控制器402接收指令以在工件的局部部分上执行特定模式的溅射。控制器402可以指示等离子体输送系统404，例如，以改性工件的硬度、纹理、粗糙度、化学组成或其他材料性质。指令可能致使功率系统412调制与等离子体输送系统404相关的电源。在一些情形中，电源可被电气连接至等离子体输送系统404的感应线圈。在一些实现方式中，电源可电气连接至等离子体输送系统404的导体或电极。控制器402可以进一步控制等离子体输送系统404的阀门以改变释放至等离子体输送系统404中的气体量。在一些情形中，控制器402可作为控制等离子体输送系统404的部分来控制等离子体约束系统。例如，控制器402可以控制输送至等离子体约束系统的感应线圈的电能。
激光精整系统406(例如，图2的激光精整系统220)可以从控制器402接收指令而以各种模式操作以改性工件的部分，所述部分小于由等离子体输送系统404改性的部分。如本文所述，激光精整系统406可以低功率模式、中等功率模式、高功率模式、和固化模式操作。功率系统412可以因此调制与激光精整系统406相关的电源以允许激光根据操作激光精整系统406的模式在不同功率和频率下产生射束。
感测和测量系统410(图2的感测系统208)可以从控制器402接收指令以检测工件的性质。例如，如本文所述，感测和测量系统410可以检测工件的表面粗糙度、化学组成、和其他适当性质。
控制器402可以从CAD系统(例如，图1的控制器102的CAD系统)接收指令以控制控制系统400的系统中的每一个。例如，控制器402可以从CAD系统接收指示大体几何形状的数据，所述数据对应于当将工件传送至后处理系统中时所述工件的几何形状。例如，因为用于工件的3D打印系统或制造系统的分辨率不能获得所规定的特征，控制器402可以进一步从工件不包括的CAD系统接收指示详细几何形状的数据。基于指示详细几何形状的数据，控制器402可以将指令发布至等离子体输送系统404和激光精整系统406中的各个以将详细几何形状整合至工件中。在一些情形中，控制器402可以从CAD系统接收数据并且将所述数据存储在内存存储元件408内。
内存存储元件408可以包括针对等离子体输送系统404、激光精整系统406、感测和测量系统410及功率系统412中的各个系统的特定模式的各种参数。因此，当控制器402传输针对特定操作模式(例如，激光精整系统406的低功率、中等功率、和高功率模式)的指令时，所述指令可能包括系统404、406、410、和412可使用以实现所述模式的目的(例如，热添加、烧蚀)的参数(例如，激光功率或频率，AC功率或频率)。
控制器402可以与感测和测量系统410一起工作且可以与控制器402协作以产生用以传输至等离子体输送系统404和激光精整系统406的指令。例如，感测和测量系统410可检测工件上的表面缺陷，所述表面缺陷可能不是指示如本文所述的详细几何形状的数据的部分。控制器402可产生用以移除表面缺陷的指令并且随后将所述指令传输至等离子体输送系统404或激光精整系统406以移除所述缺陷。
在其他情形中，随着等离子体输送系统404和激光精整系统406操作，感测和测量系统410可以监控工件表面以确保等离子体输送系统404和激光精整系统406可准确地获得详细几何形状。例如，感测和测量系统410可能监控由等离子体输送系统404和激光精整系统406中的各个系统产生的实际几何形状、粗糙度、纹理、或其他性质。
本文所述的系统和全部相关功能操作、以及包括在本说明书中所公开的结构构件和其结构等效物，或者它们的组合，可以在数字电子电路中实现，或在计算机软件、固件、或硬件中实现。系统和方法可以作为一个或多个计算机程序产品(亦即，有形地包含在信息载体中的一个或多个计算机程序，例如，在非暂时性机器可读存储介质中或在传播信号中)实现以用于由数据处理设备(例如，可编程处理器、计算机、或多个处理器或计算机)执行或用以控制所述数据处理设备的操作。计算机程序(又被称为程序、软件、软件应用、或代码)可以任何形式的编程语言(包括编译语言或解释语言)编写，并且所述计算机程序可以任何形式(包括作为单机程序或作为模块、零件、子程序或适用于计算环境的其它单元)来部署。计算机程序不必对应于文件。程序可以存储在保存其它程序或数据的文件的一部分中、存储在专用于所讨论程序的单个文件中、或存储在多个协同文件(例如，存储一个或多个模块、子程序、或代码的部分的文件)中。可以将计算机程序部署为在一个计算机上执行，或将其部署为在位于一个地点或跨过多个地点分布且由通信网络互连的多个计算机上执行。
本文所述的过程和逻辑流可以由执行一个或多个计算机程序的一个或多个可编程处理器进行以通过操作输入数据并生成输出来执行功能。所述过程和逻辑流也可以由例如现场可编程门阵列(field programmable gate array；FPGA)或专用集成电路(application specific integrated circuit；ASIC)的专用逻辑电路来进行，并且设备也可以作为所述专用逻辑电路来实现。
已经描述了数个实现方式。尽管如此，应当理解，可做出各种修改。由此，其他实现方式在随附的权利要求书的范围内。

Claims (15)

1.一种用于表面改性的设备，包括：
支撑件，用以固持工件；
等离子体源，用以在小于所述工件的局部区域中产生等离子体；和
机器人，所述机器人耦接至所述支撑件和所述等离子体源中的至少一个以提供对所述工件与所述等离子体源的相对定位的六轴控制。
2.如权利要求1所述的设备，包括真空腔室，其中所述支撑件、所述等离子体源、和所述机器人在所述真空腔室中定位。
3.如权利要求1所述的设备，包括被定位以产生穿过所述局部区域的激光射束的激光器。
4.如权利要求3所述的设备，其中所述激光射束在所述工件的暴露表面上的射束斑点小于由所述等离子体冲击的所述工件的一部分。
5.如权利要求1所述的设备，包括被定位以产生穿过所述局部区域的聚焦离子射束的聚焦离子射束系统。
6.如权利要求5所述的设备，其中所述聚焦离子射束在所述工件的暴露表面上的射束斑点小于由所述等离子体冲击的所述工件的一部分。
7.如权利要求1所述的设备，其中所述等离子体源包括管、用以将气体注射至所述管中的气源、第一射频(RF)电源、及环绕所述管并耦接至所述第一RF电源的第一多个导电线圈。
8.如权利要求7所述的设备，包括第二射频(RF)电源、和耦接至所述第二RF电源的第二多个导电线圈，所述第二多个线圈定位成环绕将所述等离子体从所述管发射出的空间。
9.一种表面改性的方法，包含：
在小于所述工件的局部区域中且靠近工件产生等离子体，使得来自所述等离子体的离子仅冲击所述工件的暴露表面的一部分。
10.如权利要求9所述的方法，其中将来自所述等离子体的离子沉积至所述暴露表面的所述部分上。
11.如权利要求9所述的方法，其中来自所述等离子体的离子蚀刻所述暴露表面的所述部分。
12.如权利要求9所述的方法，包含利用激光射束冲击所述暴露表面的所述部分同时产生所述等离子体。
13.如权利要求11所述的方法，包含利用线圈约束所述等离子体，所述线圈定位成环绕在等离子体源与所述工件之间的空间。
14.一种制造系统，包括：
3D打印机，所述3D打印机被构造以制造工件；
用于表面改性的设备，所述设备包括：
支撑件，用以固持工件，
等离子体源，用以在小于所述工件的局部区域中产生等离子体，和
六轴机器人，所述六轴机器人耦接至所述支撑件和所述等离子体源中的至少一个以操纵所述工件与所述等离子体源的相对定位；和
运输系统，用以将所述工件从所述增材制造系统移动至用于表面改性的所述设备中的所述支撑件。
15.一种制造部件的方法，包含：
通过3D打印制造工件；和
通过在小于所述工件的局部区域中且靠近工件产生等离子体来将离子施加至制造工件的暴露表面的已选部分。
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