CN107832643A - 一种无源uhf rfid芯片抗静电能力的测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种无源UHF RFID芯片抗静电能力的测试方法，包括根据所述测试用例测试所述待测试芯片是否可正常识别；去除所述待测试芯片与所述外围器件之间的连接；于所述待测试芯片引脚加载一预定电压的脉冲；恢复所述待测试芯片与所述外围器件之间的连接；根据所述测试用例测试所述待测试芯片是否可正常识别；选取下一测试用例，并重复上述步骤，直至所有所述测试用例测试完毕。本发明获得了以下有益效果：可对无源UHF RFID芯片的抗静电能力进行一系列有效的测试。
Description
技术领域
本发明涉及射频标签技术领域，尤其涉及一种无源UHF RFID芯片抗静电能力的测试方法。
背景技术
射频识别技术是二十世纪九十年代兴起的一种无线的、非接触方式的自动识别技术，是近几年发展起来的前沿科技项目。该技术主要是利用射频信号通过空间耦合实现无接触信息传递并通过所传递的信息达到识别目的。射频识别技术的显著优点在于非接触性，因此完成识别工作时无需人工干预，能够实现识别自动化且不易损坏；可识别高速运动的射频标签，也可同时识别多个射频标签，操作快捷方便；射频标签不怕油渍、灰尘污染等恶劣环境，且可以穿透非金属物体进行识别，抗干扰能力强。
现有的射频标签技术中，无源UHF RFID(特高频射频标签)被广泛的应用于物联网中，然而，由于目前缺少对无源UHF RFID的测试设备和测试方法，使得各种工作指标不统一的无源UHF RFID被混合使用，造成物联网或者相应的使用环境工作不稳定。
由于UHF RFID标签的芯片是其主要工作部件，因此如何对UHF RFID芯片提供一系列有效的测试方法，成为业界的课题。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题，现提供一种无源UHF RFID芯片抗静电能力的测试方法。
为实现上述目的，本发明采用了如下的技术方案：
一种无源UHF RFID芯片抗静电能力的测试方法，其中，提供一具有外围器件的待测试芯片，并设定复数个测试用例，还包括以下步骤：
步骤1，选取一所述测试用例；
步骤2，根据所述测试用例测试所述待测试芯片是否可正常识别，如否，测试失败，并退出测试；
步骤3，去除所述待测试芯片与所述外围器件之间的连接；
步骤4，于所述待测试芯片引脚加载一预定电压的脉冲；
步骤5，恢复所述待测试芯片与所述外围器件之间的连接；
步骤6，根据所述测试用例测试所述待测试芯片是否可正常识别，如否，测试失败，并退出测试；
步骤7，选取下一测试用例，并重复所述步骤2至所述步骤6，直至所有所述测试用例测试完毕。
本发明的另一方面，所述待测试芯片为COB封装芯片，所述COB封装芯片还包括0欧姆电阻及功能芯片，所述功能芯片通过所述0欧姆电阻与所述外围器件连接。
本发明的另一方面，所述芯片的工作频率为920MHz～925MHz。
本发明的另一方面，所述预定电压为4KV。
本发明的另一方面，提供一RFID标签读写器，用以识别所述待测试芯片。
本发明的另一方面，所述RFID标签读写器通过馈线连接所述待测试芯片。
本发明的另一方面，所述RFID标签读写器通过向所述待测试芯片发送启动查询命令，以及接收所述待测试芯片的应答判断所述待测试芯片是否可识别。
本发明的另一方面，所述RFID标签读写器以0dBm的输出功率向所述待测试芯片发送启动查询命令。
本发明的另一方面，所述用例为工作频点920.125MHz和测试频点924.875MHz。
本发明获得了以下有益效果：
可对无源UHF RFID芯片的抗静电能力进行有效的测试。
附图说明
图1为本发明无源UHF RFID芯片抗静电能力的方法的流程框图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
一种无源UHF RFID芯片抗静电能力的测试方法，如图1所示，其中，提供一具有外围器件的待测试芯片，并设定复数个测试用例，还包括以下步骤：
步骤1，选取一所述测试用例；
步骤2，根据所述测试用例测试所述待测试芯片是否可正常识别，如否，测试失败，并退出测试；
步骤3，去除所述待测试芯片与所述外围器件之间的连接；
步骤4，于所述待测试芯片引脚加载一预定电压的脉冲；
步骤5，恢复所述待测试芯片与所述外围器件之间的连接；
步骤6，根据所述测试用例测试所述待测试芯片是否可正常识别，如否，测试失败，并退出测试；
步骤7，选取下一测试用例，并重复所述步骤2至所述步骤6，直至所有所述测试用例测试完毕。
本发明的另一方面，所述待测试芯片为COB封装芯片，所述COB封装芯片还包括0欧姆电阻及功能芯片，所述功能芯片通过所述0欧姆电阻与所述外围器件连接。上述步骤3中，可通过去除该0欧姆电阻断开功能芯片与外围器件的连接，并且在上述步骤5中，可通过去重新焊接该0欧姆电阻恢复功能芯片与外围器件的连接。
本发明的另一方面，所述芯片的工作频率为920MHz～925MHz。
本发明的另一方面，所述预定电压为4KV。
本发明的另一方面，提供一RFID标签读写器，用以识别所述待测试芯片。
本发明的另一方面，所述RFID标签读写器通过馈线连接所述待测试芯片。
本发明的另一方面，所述RFID标签读写器通过向所述待测试芯片发送启动查询命令，以及接收所述待测试芯片的应答判断所述待测试芯片是否可识别。
本发明的另一方面，所述RFID标签读写器以0dBm的输出功率向所述待测试芯片发送启动查询命令。
本发明的另一方面，所述用例为工作频点920.125MHz和测试频点924.875MHz。
以下以具体实施例说明本发明的可行性。
步骤2中，可先将RFID标签读写器的发射功率设置为0dBm，并且启动查询命令前向链路基准时间设置为6.25μs，反向链路频率设置为320Khz，编码方式设置为FM0，带前导码。参数设置完毕后RFID标签读写器想待测试芯片发送启动查询命令，通过接收待测试芯片的应答，判断待测试芯片是否可识别。步骤6中，RFID标签读写器同样以0dBm向待测试芯片发送启动查询命令，并通过接收待测试芯片的应答，判断待测试芯片是否可识别。
测试用例为频点920.125MHz、924.875MHz。在每个测试用例中，待测试芯片抗静电能力即上述预定电压，如待测试芯片抗静电能力在4KV以上，则测试通过，否则测试失败。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
Claims (9)
1.一种无源UHF RFID芯片抗静电能力的测试方法，其特征在于，提供一具有外围器件的待测试芯片，并设定复数个测试用例，还包括以下步骤：
步骤1，选取一所述测试用例；
步骤2，根据所述测试用例测试所述待测试芯片是否可正常识别，如否，测试失败，并退出测试；
步骤3，去除所述待测试芯片与所述外围器件之间的连接；
步骤4，于所述待测试芯片引脚加载一预定电压的脉冲；
步骤5，恢复所述待测试芯片与所述外围器件之间的连接；
步骤6，根据所述测试用例测试所述待测试芯片是否可正常识别，如否，测试失败，并退出测试；
步骤7，选取下一测试用例，并重复所述步骤2至所述步骤6，直至所有所述测试用例测试完毕。
2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述待测试芯片为COB封装芯片，所述COB封装芯片还包括0欧姆电阻及功能芯片，所述功能芯片通过所述0欧姆电阻与所述外围器件连接。
3.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述芯片的工作频率为920MHz～925MHz。
4.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述预定电压为4KV。
5.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，提供一RFID标签读写器，用以识别所述待测试芯片。
6.如权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述RFID标签读写器通过馈线连接所述待测试芯片。
7.如权利要求6所述的测试方法，其特征在于，所述RFID标签读写器通过向所述待测试芯片发送启动查询命令，以及接收所述待测试芯片的应答判断所述待测试芯片是否可识别。
8.如权利要求7所述的测试方法，其特征在于，所述RFID标签读写器以0dBm的输出功率向所述待测试芯片发送启动查询命令。
9.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述用例为工作频点920.125MHz和测试频点924.875MHz。
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