CN107815655A - 一种制备低发热量灯具保护罩的方法 - Google Patents

一种制备低发热量灯具保护罩的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种制备低发热量灯具保护罩的方法，其包括以下步骤：第一步，清洗清洗灯罩基板；第二步，将所述已清洗的灯罩基板烘干，放入磁控溅射托盘，然后送入镀膜机；第三步，镀膜；第四步，低发热量灯具保护罩成型。为了将灯具所发射出的红外光反射回所述低发热量灯具保护罩内，减少热量向外发出，从而大幅度降低所述低发热量灯具保护罩表面的温度，不会给人带来不适，本发明提供了一种利用磁控溅射法，将氧化铝、银、二氧化硅分别磁控溅射到所述低发热量灯具保护罩的灯罩基板上，制备低发热量灯具保护罩的方法。

Description

一种制备低发热量灯具保护罩的方法
技术领域
本发明涉及一种制备灯具保护罩的方法，尤其是制备低发热量灯具保护罩的方法。
背景技术
灯具保护罩罩在灯上是为了更好地将光聚集在一起，避免灯光过于刺眼。但传统的灯具保护罩不能将灯产生的热反射到保护罩内，导致这些热散发了出去，引起人身体不适。
发明内容
本发明目的是克服了现有技术的不足，提供一种利用磁控溅射法，将氧化铝、银、二氧化硅分别磁控溅射到低发热量灯具保护罩的灯罩基板上，制备低发热量灯具保护罩的方法。
为了达到上述目的，本发明采用以下方案：
一种制备低发热量灯具保护罩的方法，其包括以下步骤：
(1)第一步，清洗灯罩基板；
(2)第二步，将所述已清洗的灯罩基板烘干，放入磁控溅射托盘，然后送入镀膜机；
(3)第三步，镀膜，包括如下步骤:
A、将所述已烘干的灯罩基板在镀膜机的第一腔室进行无靶材等离子轰击，实现灯罩表面除气；
B、在所述灯罩基板上磁控溅射氧化铝层，采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，用交流电源溅射铝靶，氩氧比为300～500SCCM：500～800SCCM；
C、磁控溅射银层，采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射银靶，氩氧比为300～500SCCM：500～800SCCM；
D、磁控溅射二氧化硅层23，采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，用交流电源溅射硅铝靶，氩氧比为300～500SCCM：500～800SCCM；
(4)第四步：灯罩成型，将灯罩基材从镀膜机中取出，按客户需要成型，得到低发热量灯具保护罩。
如上所述制备低发热量灯具保护罩的方法，所述步骤(2)中清洗所述灯罩基板(1)的具体步骤为：将所述灯罩基板放在丙酮中超声清洗10分钟后，再用乙醇超声清洗10分钟，最后在去离子水中超声清洗10分钟。
如上所述制备低发热量灯具保护罩的方法，在所述步骤(3)的C步骤中，所述银靶是具有99.99％纯度的高纯银。
如上所述制备低发热量灯具保护罩的方法，在所述步骤(3)的B步骤中，在所述灯罩基板(1)上磁控溅射所述氧化铝层的厚度为20～40nm。
如上所述制备低发热量灯具保护罩的方法，在所述步骤(3)的C步骤中，在所述氧化铝层上磁控溅射银层的厚度为10～15nm。
如上所述制备低发热量灯具保护罩的方法，在所述步骤(3)的D步骤中，在所述银层上磁控溅射二氧化硅层的厚度为50～60nm。
如上所述制备低发热量灯具保护罩的方法，在所述步骤(3)的B步骤中，在所述灯罩基板上磁控溅射所述氧化铝层的厚度为40nm。
如上所述制备低发热量灯具保护罩的方法，在所述步骤(3)的C步骤中，在所述氧化铝层上磁控溅射银层的厚度为10nm。
如上所述制备低发热量灯具保护罩的方法，在所述步骤(3)的D步骤中，在所述银层上磁控溅射二氧化硅层的厚度为50nm。
与现有技术相比，本发明有如下优点：
1、本发明利用高纯度银作为镀膜层，提高膜层的红外反射率，将灯具所发射出的红外光99％以上反射回所述低发热量灯具保护罩内，减少热量向外发出，从而大幅度降低所述低发热量灯具保护罩表面的温度，不会给人带来不适。
2、本发明利用氧化铝作为银层的铺垫层，增强银层的附着力，提高膜层的反射率，使灯具发出的红外光反射回所述低发热量灯具保护罩内，进而减少热量的溢出，避免引起人不适。
3、采用磁控溅镀镀膜技术将高反射率膜层一次性涂覆在所述低发热量灯具保护罩的内表面，可用于连续批量化的工业化生产，提高了生产效率和产品良品率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
图1是灯罩基板与各个镀层的厚度结构示意图。
具体实施方式
请参见图1，一种制备低发热量灯具保护罩的方法，其包括以下步骤：
(1)第一步，清洗灯罩基板1。
优选的，将所述灯罩基板1放在丙酮中超声清洗10分钟后，再用乙醇超声清洗10分钟，最后在去离子水中超声清洗10分钟。
(2)第二步，将所述已清洗的灯罩基板1烘干，放入磁控溅射托盘，然后送入镀膜机。
(3)第三步，镀膜，包括如下步骤:
A、将所述已烘干的灯罩基板1在镀膜机的第一腔室进行无靶材等离子轰击，实现灯罩表面除气。
B、在所述灯罩基板1上磁控溅射氧化铝层21，采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，用交流电源溅射铝靶，氩氧比为300～500SCCM：500～800SCCM，本步骤中氩氧比决定了成膜的质量，因此，优先氩氧的比为300SCCM：500SCCM。在所述灯罩基板1上磁控溅射所述氧化铝层21的厚度为20～40nm，优选40nm。
C、磁控溅射银层22，采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射银靶，氩氧比为300～500SCCM：500～800SCCM。本步骤中氩氧比决定了成膜的质量，因此，优先氩氧的比为300SCCM：500SCCM。所述银靶是具有99.99％纯度的高纯银。在所述氧化铝层21上磁控溅射银22层的厚度为10～15nm，优选10nm。
D、磁控溅射二氧化硅层23，采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，用交流电源溅射硅铝靶，氩氧比为300～500SCCM：500～800SCCM，本步骤中氩氧比决定了成膜的质量，因此，优先氩氧的比为300SCCM：500SCCM。在所述银22层上磁控溅射二氧化硅层23的厚度为50～60nm，优选50nm。
(4)第四步：灯罩成型，将灯罩基材1从镀膜机中取出，按客户需要成型，得到低发热量灯具保护罩。
本发明还公开了一种由制备低发热量灯具保护罩的方法制成的低发热量灯具保护罩。
所述低发热量灯具保护罩，包括灯罩基板1,所述灯罩基板1上由内到外依次相邻地复合三个膜层，其中第一膜层即最内膜层为氧化铝层21，第二膜层为银层22，第三膜层即最外膜层为二氧化硅层23。
所述第一膜层为氧化铝层21，氧化铝具有良好的抗氧化性，光滑平整，为银层作铺垫，增强银层的附着力，提高膜层的反射率，使灯具发出的红外光线反射回所述低发热量灯具保护罩内，进而减少热量的溢出，避免引起人不适。
优选的，所述第一膜层氧化铝层混摻有少量铝，具有催化作用，能够提高膜层的反射率。
所述第二膜层为银层22，利用纯度为99.99％的银作为镀膜层，提高膜层的红外反射率，将灯具所发射出的99％以上的红外光线反射回灯具保护罩内，减少红外光线产生的热量向外发出，从而大幅度降低所述低发热量灯具保护罩表面的温度，不会引起人身体不适。
所述第三膜层即最外膜层为二氧化硅层23。二氧化硅具有良好的抗氧化性。以二氧化硅作为最外膜层，不易在环境发生反应，破坏所述低发热量灯具保护罩的膜层结构，影响灯具光照效果，同时以二氧化硅作为镀膜层有着高反射的优点，从而提升膜层的反射率，与银层相互作用，将灯具所发射出红外光线反射回所述低发热量灯具保护罩内。
优选的，所述第三膜层二氧化硅层混摻有少量硅，具有催化作用，能够提高膜层的反射率。
所述灯罩基板1上由内到外依次相邻地复合三个膜层的总厚度为80～115nm，优选100nm。所述灯罩基板1上复合膜层的厚度低，用量少，节约成本。
综上对本申请的实施方式作了详细说明，但是本申请不限于上述实施方式。即使其对本申请作出各种变化，则仍落入在本申请的保护范围。

Claims (9)

1.一种制备低发热量灯具保护罩的方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)第一步，清洗灯罩基板(1)；
(2)第二步，将所述已清洗的灯罩基板(1)烘干，放入磁控溅射托盘，然后送入镀膜机；
(3)第三步，镀膜，包括如下步骤:
A、将所述已烘干的灯罩基板(1)在镀膜机的第一腔室进行无靶材等离子轰击，实现灯罩表面除气；
B、在所述灯罩基板(1)上磁控溅射氧化铝层(21)，采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，用交流电源溅射铝靶，氩氧比为300～500SCCM：500～800SCCM；
C、磁控溅射银层(22)，采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射银靶，氩氧比为300～500SCCM：500～800SCCM；
D、磁控溅射二氧化硅层(23)，采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，用交流电源溅射硅铝靶，氩氧比为300～500SCCM：500～800SCCM；
(4)第四步：灯罩成型，将灯罩基材(1)从镀膜机中取出，按客户需要成型，得到低发热量灯具保护罩。
2.根据权利要求1所述制备低发热量灯具保护罩的方法，其特征在于：所述步骤(2)中清洗所述灯罩基板(1)的具体步骤为：将所述灯罩基板(1)放在丙酮中超声清洗10分钟后，再用乙醇超声清洗10分钟，最后在去离子水中超声清洗10分钟。
3.根据权利要求1所述制备低发热量灯具保护罩的方法，其特征在于：在所述步骤(3)的C步骤中，所述银靶是具有99.99％纯度的高纯银。
4.根据权利要求1所述制备低发热量灯具保护罩的方法，其特征在于：在所述步骤(3)的B步骤中，在所述灯罩基板(1)上磁控溅射所述氧化铝层(21)的厚度为20～40nm。
5.根据权利要求1所述制备低发热量灯具保护罩的方法，其特征在于：在所述步骤(3)的C步骤中，在所述氧化铝层(21)上磁控溅射银(22)层的厚度为10～15nm。
6.根据权利要求1所述制备低发热量灯具保护罩的方法，其特征在于：在所述步骤(3)的D步骤中，在所述银(22)层上磁控溅射二氧化硅层(23)的厚度为50～60nm。
7.根据权利要求4所述制备低发热量灯具保护罩的方法，其特征在于：在所述步骤(3)的B步骤中，在所述灯罩基板(1)上磁控溅射所述氧化铝层(21)的厚度为40nm。
8.根据权利要求5所述制备低发热量灯具保护罩的方法，其特征在于：在所述步骤(3)的C步骤中，在所述氧化铝层(21)上磁控溅射银(22)层的厚度为10nm。
9.根据权利要求6所述制备低发热量灯具保护罩的方法，其特征在于：在所述步骤(3)的D步骤中，在所述银(22)层上磁控溅射二氧化硅层(23)的厚度为50nm。
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