CN107799559A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：位于基板上的绝缘层；和下电极，所述下电极位于所述绝缘层上并且包括具有比其他区域窄的宽度的颈部，其中所述绝缘层具有凹陷图案，所述凹陷图案位于所述颈部中并且向下凹陷。

Description

显示装置及其制造方法
本申请要求于2016年8月29日提交的韩国专利申请No.10-2016-0110272的权益，为了所有目的在此援引该专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
随着信息社会的发展，对于以各种方式显示图像的显示装置的需求逐渐增加。显示装置已快速发展为代替笨重的阴极射线管(CRT)的轻薄大屏幕显示装置。
显示装置包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示装置、电泳显示(ED)装置等。
LCD装置、OLED显示装置和ED装置包括显示面板和用于驱动显示面板的驱动器。驱动器包括用于给显示面板提供扫描信号(或栅极信号)的扫描驱动器和用于给显示面板提供数据信号的数据驱动器。当扫描信号和数据信号提供至子像素时，显示面板能够以通过选择的子像素发光的方式显示图像。
显示面板包括基板，基板上形成有进行操作以显示图像的元件以及用于给这些元件传送电力和信号的电源线和信号线。
制造显示面板的工序包括沉积工艺和修复工艺。沉积工艺是在基板上形成导电层、金属层和绝缘层，以形成诸如元件(包括电极)、电源线和信号线之类的结构的工艺。修复工艺是修复形成在基板上的结构中的缺陷或使有缺陷的子像素变黑的工艺。然而，需要改进常规的方法以便在降低制造成本的同时提高显示面板产率并增加工艺节拍时间(process tact time)。
发明内容
本发明提供了一种显示装置，包括基板、下电极、发光层和上电极。晶体管部分位于所述基板上。所述下电极位于形成在所述晶体管部分的最上层上的绝缘层上并且包括具有比其他区域窄的宽度的颈部。所述发光层位于所述下电极上。所述上电极位于所述发光层上。所述绝缘层位于所述颈部中并且具有向下凹陷的凹陷图案。
在另一个方面中，本发明提供了一种显示装置，包括绝缘层和下电极。所述绝缘层位于基板上。所述下电极位于所述绝缘层上并且包括具有比其他区域窄的宽度的颈部。所述绝缘层具有位于所述颈部中并且向下凹陷的凹陷图案。
在另一个方面中，本发明提供了一种制造显示装置的方法。所述制造显示装置的方法包括：在基板的一侧上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成向下凹陷的凹陷图案；和在所述绝缘层上形成下电极，所述下电极包括具有比其他区域窄的宽度的颈部。所述凹陷图案对应于所述颈部设置。
附图说明
被包括来给本发明提供进一步理解且并入本申请构成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明实施方式的原理。
图1是根据本发明一实施方式的OLED显示装置的框图；
图2图解了子像素的电路构造；
图3图解了根据本发明一实施方式的子像素的电路构造；
图4是根据本发明一实施方式的显示面板的剖面图；
图5是图解根据本发明一实施方式的子像素的平面图；
图6是更详细地图解图5的子像素的一部分的平面图；
图7到11是用于描述根据一实验例的子像素结构和修复工艺的示图；
图12到16是用于描述根据第一实施方式的子像素结构和修复工艺的示图；
图17是图解根据本发明第二实施方式的应用于修复工艺的凹陷图案的平面图；以及
图18是图解根据本发明第三实施方式的应用于修复工艺的凹陷图案的平面图。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的实施方式进行描述，附图中图解了这些实施方式的一些例子。
将参照附图描述本发明的实施方式。
根据本发明的显示装置实现为电视、视频播放器、个人电脑(PC)、家庭影院系统、智能电话等。可选择液晶显示面板、OLED显示面板、ED面板、等离子体显示面板等作为显示装置的显示面板。然而，本发明不限于此。
下面，为了便于描述将举例说明基于OLED显示面板的OLED显示装置。此外，举例说明基于氧化物TFT的显示面板。通过将半导体层部分地金属化的工艺，氧化物TFT使用半导体层的一部分作为导体并使用其余部分作为半导体。
此外，根据类型，下述薄膜晶体管的除栅极电极以外的电极可称为源极电极和漏极电极或者漏极电极和源极电极。然而，为了不构成限制，它们将被描述为第一电极和第二电极。
图1是根据本发明一实施方式的OLED显示装置的框图，图2图解了子像素的电路构造，图3图解了根据本发明一实施方式的子像素的电路构造。图4是根据本发明一实施方式的显示面板的剖面图，图5是图解根据本发明一实施方式的子像素的平面图，图6是更详细地图解图5的子像素的一部分的平面图。
如图1中所示，根据本发明一实施方式的OLED显示装置包括图像处理器110、时序控制器120、数据驱动器130、扫描驱动器140和显示面板150。
图像处理器110输出从外部提供的数据信号DATA以及数据使能信号DE。尽管除数据使能信号DE以外，图像处理器110还可输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或多个，但为了便于描述，未示出这些信号。
时序控制器120从图像处理器110接收数据信号DATA以及数据使能信号DE或包括垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号的驱动信号。时序控制器120基于驱动信号输出用于控制扫描驱动器140的操作时序的栅极时序控制信号GDC和用于控制数据驱动器130的操作时序的数据时序控制信号DDC。
数据驱动器130响应于从时序控制器120接收的数据时序控制信号DDC采样并锁存从时序控制器120提供的数据信号DATA，以将数据信号DATA转换为伽马基准电压并输出伽马基准电压。数据驱动器130通过数据线DL1到DLn输出数据信号DATA。数据驱动器130可采取集成电路(IC)的形式。
扫描驱动器140响应于从时序控制器120提供的栅极时序控制信号GDC输出扫描信号。扫描驱动器140通过扫描线GL1到GLm输出扫描信号。扫描驱动器140采取IC的形式或显示面板150中的面板内栅极的形式。
显示面板150响应于从数据驱动器130和扫描驱动器140提供的数据信号DATA和扫描信号来显示图像。显示面板150包括进行操作以显示图像的子像素SP。
子像素SP包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，或者包括白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。子像素SP可根据发光特性具有一个或多个不同的发光面积。
如图2中所示，单个子像素包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、补偿电路CC和OLED。
开关晶体管SW响应于通过第一扫描线GL1提供的扫描信号执行开关操作，使得通过第一数据线DL1提供的数据信号作为数据电压存储在电容器Cst中。驱动晶体管DR根据存储器Cst中存储的数据电压进行操作，使得驱动电流在第一电源线EVDD与第二电源线EVSS之间流动。OLED根据由驱动晶体管DR产生的驱动电流进行操作以发光。
补偿电路CC添加至子像素是为了补偿驱动晶体管DR的阈值电压。补偿电路CC由一个或多个晶体管构成。补偿电路CC根据补偿方法以各种方式配置。下面将描述补偿电路CC的构造的示例。
如图3中所示，补偿电路CC包括感测晶体管ST和感测线VREF。感测晶体管ST连接在驱动晶体管DR的第二电极线例如源极线与OLED的阳极(即，感测节点)之间。感测晶体管ST进行操作，以将通过感测线VREF传送的初始化电压(或感测电压)提供至感测节点或感测该感测节点的电压或电流。
开关晶体管SW具有连接至第一数据线DL1的第一电极和连接至驱动晶体管DR的栅极电极的第二电极。驱动晶体管DR具有连接至第一电源线EVDD的第一电极和连接至OLED的阳极的第二电极。电容器Cst具有连接至驱动晶体管DR的栅极电极的第一电极和连接至OLED的阳极的第二电极。OLED具有连接至驱动晶体管DR的第二电极的阳极和连接至第二电源线EVSS的阴极。感测晶体管ST具有连接至感测线VREF的第一电极和连接至OLED的阳极的第二电极。
根据补偿算法(或补偿电路的构造)，感测晶体管ST的操作时间可与开关晶体管SW的操作时间相似/相同。例如，开关晶体管SW的栅极电极可连接至第1a扫描线GL1a，感测晶体管ST的栅极电极可连接至第1b感测线GL1b。可选择地，连接至开关晶体管SW的栅极电极的第1a扫描线GL1a和连接至感测晶体管ST的栅极电极的第1b感测线GL1b可连接在一起以被共享。
感测线VREF可连接至数据驱动器。在这种情形中，数据驱动器可在图像非显示时段或在N个帧的时段(N是等于或大于1的整数)实时感测子像素的感测节点并且产生感测结果。同时，开关晶体管SW和感测晶体管ST可同时导通。在这种情形中，基于数据驱动器的时分方法彼此分离经由感测线VREF的感测操作和用于输出数据信号的数据输出操作。
此外，根据感测结果的补偿目标可以是数字数据信号、模拟数据信号或伽马信号。此外，基于感测结果产生补偿信号(或补偿电压)的补偿电路可包括在数据驱动器或时序控制器中，或者实现为单独的电路。
遮光层LS可仅形成在驱动晶体管DR的沟道区域下方或者形成在开关晶体管SW和感测晶体管ST的沟道区域下方以及驱动晶体管DR的沟道区域下方。遮光层LS可用于简单地阻挡外部光或者可用作连接至其他电极或线并组成电容器的电极。
尽管图3显示了包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、OLED和感测晶体管ST的3T(晶体管)1C(电容器)结构，但当增加补偿电路CC时，子像素可以以3T2C、4T2C、5T1C或6T2C结构配置。
如图4中所示，子像素基于参照图3描述的电路形成在第一基板(或TFT基板)150a的显示区域AA上。形成在显示区域AA上的子像素被钝化膜(或钝化基板)150b密封。NA表示非显示区域。第一基板150a可由玻璃或延展性材料形成。
子像素在显示区域AA上按照红色(R)子像素、白色(W)子像素、蓝色(B)子像素和绿色(G)子像素的顺序水平地或垂直地布置。子像素R、W、B和G组成单个像素P。然而，子像素的布置顺序可根据发光材料、发光面积、补偿电路构造(结构)等以各种方式变化。此外，子像素R、G和B可组成单个像素P。
如图4和5中所示，每个都具有发光区域EMA和电路区域DRA的第一到第四子像素Spn1到SPn4形成在第一基板150a的显示区域AA上。OLED形成在发光区域EMA中，包括开关晶体管和驱动晶体管的TFT形成在电路区域DRA中。
通过沉积多个导电层、金属层和绝缘层的工艺获得形成在发光区域EMA和电路区域DRA中的元件。发光区域EMA可定义为发射从OLED产生的光的区域，电路区域DRA可定义为不发射光的区域。
在第一到第四子像素Spn1到SPn4中，位于发光区域EMA中的OLED响应于位于电路区域DRA中的开关晶体管和驱动晶体管的操作而发光。第一到第四子像素Spn1到SPn4中的相邻子像素之间的“WA”表示布置电源线或数据线的线区域。
第一电源线EVDD可位于第一子像素SPn1的左侧，感测线VREF可位于第二子像素Spn2的右侧，第一数据线DL1和第二数据线DL2可位于第一子像素SPn1与第二子像素Spn2之间。
感测线VREF可位于第三子像素SPn3的左侧，第一电源线EVDD可位于第四子像素SPn4的右侧，并且第三数据线DL3和第四数据线DL4可位于第三子像素SPn3与第四子像素SPn4之间。
第一子像素SPn1可电连接至位于其左侧的第一电源线EVDD、位于其右侧的第一数据线DL1、以及位于第二子像素SPn2右侧的感测线VREF。第二子像素SPn2可电连接至位于其左侧的第二数据线DL2、位于其右侧的感测线VREF、以及位于第一子像素SPn1左侧的第一电源线EVDD。
第三子像素SPn3可电连接至位于其左侧的感测线VREF、位于其右侧的第三数据线DL3、以及位于第四子像素SPn4右侧的第一电源线EVDD。第四子像素SPn4可电连接至位于其左侧的第四数据线DL4、位于其右侧的第一电源线EVDD、以及位于第三子像素SPn3左侧的感测线VREF。
尽管第一到第四子像素Spn1到SPn4可共同地连接至位于第二子像素SPn2与第三子像素SPn3之间的感测线VREF，但本发明不限于此。此外，尽管仅显示了一条扫描线GL1，但本发明不限于此。
此外，尽管诸如第一电源线EVDD和感测线VREF之类的线以及组成TFT的电极位于不同的层上，但它们通过接触孔(通孔)电连接。通过干蚀刻或湿蚀刻工艺形成接触孔，以暴露位于下方的包括电极、信号线或电源线的结构的一部分。
同时，显示面板实现为大屏幕和高清晰度。因此，形成在组成显示面板的基板上的导电层、金属层和绝缘层的数量增加。此外，基板设计的布局复杂性的增加以及由于粒子导致的具体层的脱落增大了在位于不同水平面的金属层之间(或在导电层与金属层之间)产生短路的可能性。
为了解决这种问题，使用了去除形成在基板上的结构中的缺陷或使有缺陷的子像素变黑的修复工艺。
如图5和6中所示，第一子像素SPn1可定义为红色子像素R，第二子像素SPn2可定位为白色子像素W，第三子像素SPn3可定义为蓝色子像素B，第四子像素SPn4可定义为绿色子像素G。
在红色子像素R、白色子像素W、蓝色子像素B和绿色子像素G的每一个的电路区域DRA与发光区域EMA之间存在颈部(neck)。颈部可定义为下电极，从电路区域DRA产生的驱动电流经由下电极传送至发光区域EMA的OLED。尽管OLED的下电极可被选择为阳极或阴极，但下面将描述下电极被选择为阳极的示例。
由于在沉积工艺过程中产生的粒子或相邻层的脱落，阳极可与位于其上方的阴极短路。在阳极与阴极之间发生短路的子像素不能正常使用。因此，通过修复工艺使该子像素变黑。
然而，需要改进用于变黑的常规修复方法，以便在降低制造成本的同时提高显示面板产率并增加工艺节拍时间。
将描述用于对常规技术进行改进的根据实验例的修复工艺以及用于改进根据实验例的修复方法的实施方式。然而，本发明不限于下述的实验例和实施方式。
<实验例>
图7到11是用于描述根据一实验例的子像素结构和修复工艺的示图。图9是图8的A1-A2区域的剖视图，图10是图8的B1-B2区域在修复工艺之前的剖视图，图11是图8的B1-B2区域在修复工艺之后的剖视图。
如图7中所示，阳极E1位于子像素的电路区域DRA和发光区域EMA中。阳极E1具有位于电路区域DRA与发光区域EMA之间的颈部。颈部具有比电路区域DRA和发光区域EMA窄的宽度。
如图8和9中所示，缓冲层BUF形成在基板SUB上。遮光层LSM形成在缓冲层BUF上。遮光层LSM被图案化成不妨碍从发光区域EMA产生的光的发射。遮光层LSM在垂直方向上形成为不与发光区域EMA交叠。遮光层LSM用作穿过相应区域的第一电源线EVDD的连接电极，连接电极由图7的EVDDC表示。
由包括半导体层、栅极金属层、以及源极和漏极金属层的结构构成的TFT部分TFTA形成在遮光层LSM上。TFT部分TFTA包括一个或多个TFT和电容器。尽管TFT和电容器根据材料和制造方法可具有各种结构，但它们在图中被简单示出。
由阳极E1、发光层EML和以及阴极E2构成的OLED形成在TFT部分TFTA上。通过形成在阳极E1上的堤层BNK限定发光区域EMA，发光区域EMA定义了发射从由E1、EML和E2构成的OLED产生的光的区域。
如图8和10中所示，缓冲层BUF形成在基板SUB上。层间绝缘层ILD形成在缓冲层BUF上。钝化层PAS形成在层间绝缘层ILD上。由用于使表面平坦化的绝缘材料制成的平坦化层OC(或涂覆层)形成在钝化层PAS上。具有颈部的阳极E1形成在平坦化层OC上。堤层BNK形成在阳极E1上。同时，与颈部对应设置的绝缘层的结构不限于图10中所示的结构。
如图7到11中所示，根据实验例的子像素在阳极E1中具有颈部。因此，当显示面板的具体子像素需要变黑时，可执行通过经由基板SUB的底面(或其他面)照射来自激光源的激光LSR来切割阳极E1的颈部，以将电路区域DRA与发光区域EMA电分离(阳极E1被分离为电路区域DRA的阳极和发光区域EMA的阳极)的修复工艺。
在实验例中，按以下顺序执行用于变黑的修复工艺。将参照图3描述修复工艺。
首先，切割阳极E1的颈部(尽管颈部的切割部分可对应于图3的①，但本发明不限于此)。
然后，切割充当感测线VREF的连接电极的遮光层，然后检查是否正常执行变黑(尽管遮光层的切割部分可对应于图3的②，但本发明不限于此)。
随后，当确认正常执行了变黑时，将阳极E1和阴极E2短路(尽管短路部分可对应于图3的③，但本发明不限于此)。
之后，切割连接至第1a扫描线GL1a的开关晶体管SW的栅极电极(尽管栅极电极的切割部分可对应于图3的④，但本发明不限于此)。
在实验例中，颈部仅形成在阳极E1中。然而，颈部可形成在需要激光切割的任何部分中。
在实验例中，形成需要激光切割并且因而具有比其他部分窄的宽度的颈部，以利于修复工艺。
然而，尽管采用了实验例的结构，但当执行阳极E1的颈部的切割工艺时，存在修复工艺故障的可能性。
对实验例的检查表明，由于被激光LSR照射的部分与要被切割的阳极E1之间的距离，导致修复工艺的故障。当被激光LSR照射的部分与阳极E1之间的距离较长时，即使在照射激光LSR之后，阳极E1仍未被完全去除，其一部分作为残留膜保留下来。
因此，尽管在实验例中在需要激光切割的部分中形成具有比其他部分窄的宽度的颈部并且因而通过切割颈部很容易执行修复工艺，但由于残留膜，存在产生问题的可能性。
<第一实施方式>
图12到16是用于描述根据第一实施方式的子像素结构和修复工艺的示图。图13是图12的A1-A2区域的剖视图，图14是图12的B1-B2区域在修复工艺之前的剖视图，图15是图12的B1-B2区域在修复工艺之后的剖视图，图16是图12的C1-C2区域在修复工艺之后的剖视图。
如图12中所示，阳极E1位于子像素的电路区域DRA和发光区域EMA中。阳极E1具有位于电路区域DRA与发光区域EMA之间的颈部。颈部具有比电路区域DRA和发光区域EMA窄的宽度。
如图12和13中所示，缓冲层BUF形成在基板SUB上。遮光层LSM形成在缓冲层BUF上。遮光层LSM被图案化成不妨碍从发光区域EMA产生的光的发射。遮光层LSM在垂直方向上形成为不与发光区域EMA交叠。遮光层LSM用作穿过相应区域的第一电源线EVDD的连接电极，连接电极由图7的EVDDC表示。
由包括半导体层、栅极金属层、以及源极和漏极金属层的结构构成的TFT部分TFTA形成在遮光层LSM上。TFT部分TFTA包括一个或多个TFT和电容器。尽管TFT和电容器根据材料和制造方法可具有各种结构，但它们在图中被简单示出。
由阳极E1、发光层EML和以及阴极E2构成的OLED形成在TFT部分TFTA上。通过形成在阳极E1上的堤层BNK限定发光区域EMA，发光区域EMA定义了发射从由E1、EML和E2构成的OLED产生的光的区域。
如图12和14中所示，缓冲层BUF形成在基板SUB上。层间绝缘层ILD形成在缓冲层BUF上。钝化层PAS形成在层间绝缘层ILD上。由用于使表面平坦化的绝缘材料制成的平坦化层OC(或涂覆层)形成在钝化层PAS上。具有颈部的阳极E1形成在平坦化层OC上。堤层BNK形成在阳极E1上。同时，与颈部对应设置的绝缘层的结构不限于图14中所示的结构。
在第一实施方式中，在位于钝化层PAS上的平坦化层OC中形成凹陷图案HA。平坦化层OC可被图案化以暴露钝化层PAS的表面或基本被完全去除以形成凹陷图案HA。在此，当平坦化层OC被图案化以暴露钝化层PAS的表面时，可更容易地执行将在稍后执行的修复工艺。
位于钝化层PAS上的平坦化层OC由有机绝缘材料形成。可通过使用半色调掩模使与凹陷图案HA对应的平坦化层OC的部分下陷(向下凹陷)的方法在平坦化层OC中形成凹陷图案HA。然而，在平坦化层OC中形成凹陷图案HA的方法不限于此。
如图13和14中所示，凹陷图案HA对应于颈部设置。如图12中所示，颈部在垂直方向上拉长(elongate)，凹陷图案HA在水平方向上拉长。凹陷图案HA的水平长度大于垂直长度。凹陷图案HA具有比颈部大的宽度。就是说，凹陷图案HA可具有水平边比垂直边长的矩形形状。
如图8到16中所示，根据第一实施方式的子像素在阳极E1中具有颈部。因此，当显示面板的具体子像素需要变黑时，可执行通过经由基板SUB的底面(或其他面)照射激光LSR来切割阳极E1的颈部，以将电路区域DRA与发光区域EMA电分离的修复工艺。
在第一实施方式中，按与实验例中相同的以下顺序执行用于变黑的修复工艺。将参照图3描述修复工艺。
首先，切割阳极E1的颈部(尽管颈部的切割部分可对应于图3的①，但本发明不限于此)。
然后，切割充当感测线VREF的连接电极的遮光层，然后检查是否正常执行变黑(尽管遮光层的切割部分可对应于图3的②，但本发明不限于此)。
随后，当确认正常执行了变黑时，将阳极E1和阴极E2短路(尽管短路部分可对应于图3的③，但本发明不限于此)。
之后，切割连接至第1a扫描线GL1a的开关晶体管SW的栅极电极(尽管栅极电极的切割部分可对应于图3的④，但本发明不限于此)。
在第一实施方式中，颈部和凹陷图案HA仅形成在阳极E1中。然而，颈部和凹陷图案HA可形成在需要激光切割的任何部分中。
从图16可知，由于凹陷图案HA，与颈部对应的阳极E1的部分设置为比其他电极更低。就是说，阳极E1的颈部形成在与凹陷图案HA对应的下陷区域中。此外，与其他区域相比，发光层EML和阴极E2以及阳极E1具有与凹陷图案HA对应的下陷部分。
根据第一实施方式，通过在需要激光切割的部分中形成具有比其他区域窄的宽度的颈部并且形成用于使颈部下陷的凹陷图案HA，使得颈部变为更靠近基板SUB，可更容易地执行修复工艺。
在根据第一实施方式的结构中，当执行切割阳极E1的颈部的工艺时，在不会留下阳极E1的残留膜的情况下切割阳极E1的颈部，因而几乎没有修复工艺故障的可能性。
通过不断进行研究以解决实验例中的问题，获得了根据第一实施方式的修复工艺故障的可能性的显著降低。
如实验结果中所述，由于被激光LSR照射的部分与要被切割的阳极E1之间的距离，导致修复工艺的故障。当被激光LSR照射的部分与阳极E1之间的距离较长时，即使在照射激光LSR之后，阳极E1仍未被完全去除，其一部分作为残留膜保留下来。为了解决这个问题，在实验例中增加激光LSR的功率或增加照射时间。然而，在这种情形中，导致了熔化阳极E1以及设置在阳极E1上和阳极E1周围的结构的结果。
然而，当如第一实施方式中那样在颈部中形成凹陷图案HA时，可减小被激光LSR照射的部分与阳极E1之间的距离。当在实验例和第一实施方式中在相同激光照射条件下执行修复工艺时，阳极E1的残留膜在实验例中保留下来，而在第一实施方式中颈部被分离而没有留下阳极E1的残留膜，如图16中所示。
因而，与实验例相比，因为从阳极E1的颈部几乎不留下残留膜，所以第一实施方式可增加修复工艺的成功可能性。
同时，可如以下实施方式中一样修改与颈部对应设置的凹陷图案HA。
<第二实施方式>
图17是图解根据本发明第二实施方式的应用于修复工艺的凹陷图案的平面图，图18是图解根据本发明第三实施方式的应用于修复工艺的凹陷图案的平面图。
如图17中所示，凹陷图案HA对应于颈部设置。颈部在垂直方向上拉长。考虑到可接近颈部布置的其他电极或信号线，凹陷图案HA布置成具有与颈部的水平长度对应的宽度以及比颈部的垂直长度小的垂直长度。
如图18中所示，凹陷图案HA对应于颈部设置。颈部在垂直方向上拉长。考虑到将下陷区域形成为对应于被激光照射的区域的设计，凹陷图案HA布置成具有与颈部的垂直长度和水平长度对应的垂直长度和水平长度。
如上所述，与颈部对应设置的凹陷图案HA可在用于变黑的修复工艺中提供优势。然而，当凹陷图案HA占据过宽或过长区域时，电极的表面平整度和均匀性可劣化。因此，期望的是考虑到这些事实设计凹陷图案HA。此外，凹陷图案HA可具有与颈部的位置限制或形状对应的各种形状，比如矩形、方形、圆形、椭圆形等。
如上所述，本发明在用于变黑的修复工艺过程中可在降低制造成本的同时提高显示面板产率并增加工艺节拍时间。此外，本发明可在用于变黑的修复工艺过程中抑制残留膜的产生，以提高修复成功率并且确保装置可靠性。

Claims (12)

1.一种显示装置，包括：
位于基板上的绝缘层；和
下电极，所述下电极位于所述绝缘层上并且包括具有比其他区域窄的宽度的颈部，
其中所述绝缘层具有凹陷图案，所述凹陷图案位于所述颈部中并且向下凹陷。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述凹陷图案的宽度对应于或大于所述颈部的宽度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述颈部位于发射光的发光区域与不发射光的电路区域之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述下电极具有与所述凹陷图案对应的相对于其他区域的下陷部分。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述绝缘层是由用于使表面平坦化的绝缘材料形成的平坦化层。
6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括位于所述基板与所述平坦化层之间的缓冲层、位于所述缓冲层上的层间绝缘层、以及位于所述层间绝缘层上的钝化层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述凹陷图案被图案化，以暴露所述层间绝缘层的位于所述平坦化层的下方的表面。
8.一种制造显示装置的方法，包括：
在基板的一侧上形成绝缘层；
在所述绝缘层中形成向下凹陷的凹陷图案；和
在所述绝缘层上形成下电极，所述下电极包括具有比其他区域窄的宽度的颈部，
其中所述凹陷图案对应于所述颈部设置。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：在基板的另一侧上设置激光源、向所述颈部和所述凹陷图案所处的区域照射激光、以及将所述下电极分离为发射光的发光区域的下电极以及不发射光的电路区域的下电极。
10.根据权利要求8所述的方法，其中所述凹陷图案的宽度对应于或大于所述颈部的宽度。
11.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述绝缘层包括：
在所述基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成层间绝缘层；
在所述层间绝缘层上形成钝化层；和
在所述钝化层上形成用作所述绝缘层的平坦化层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中形成所述凹陷图案包括：使用半色调掩模来将所述平坦化层图案化，以暴露所述层间绝缘层的位于所述平坦化层的下方的表面。
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