CN107789635B - T2造影剂及其制备方法和用途 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种T2造影剂及其制备方法和用途，所述T2造影剂包括钆基纳米材料和二氧化硅层，其中二氧化硅层包覆在所述钆基纳米材料的至少一部分外表面。该T2造影剂具有良好的水溶性和生物相容性，且该T2造影剂尤其适合用来在高场下观察病灶部位的精细结构，造影效果优异。
Description
技术领域
本发明涉及纳米材料领域，具体而言，本发明涉及一种水溶性钆基纳米材料T2造影剂及其制备方法和用途。
背景技术
核磁共振成像由于其无辐射和对人体的非侵入性以及超高的空间分辨率而成为一种有力的疾病诊断工具。在核磁共振成像中，为了提高病灶部位的对比成像效果，常常需要借助于造影剂，造影剂的引入可以缩短病灶部位的T1和T2弛豫时间，从而提高其与周围组织的对比度，常用的造影剂有顺磁性的钆基小分子和纳米材料以及铁磁性的纳米材料。在众多具有造影效果的材料中，钆(Gd)，由于其有7个未配对电子，它的螯合物和无机纳米材料是临床上广泛应用的T1加权核磁共振成像造影剂，但是钆基造影剂在高场下的T1造影效果随着磁场的升高而减弱，不适合用来在高场下观察病灶部位的精细结构，并且并没有找到一种简单有效的钆基纳米材料的合成和水溶性改性的方法，限制了其生产和应用。
因此，适用于在高场下观察病灶部位的造影剂有待深入研究。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种T2造影剂，该T2造影剂具有良好的水溶性和生物相容性，且该T2造影剂尤其适合用来在高场下观察病灶部位的精细结构，造影效果优异。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种T2造影剂。根据本发明的实施例，该T2造影剂包括：
钆基纳米材料；
二氧化硅层，所述二氧化硅层包覆在所述钆基纳米材料的至少一部分外表面。
由此，根据本发明实施例的T2造影剂通过在钆基纳米材料的至少一部分外表面覆盖二氧化硅层，使钆基纳米材料具有了良好的水溶性，且在材料的后续钝化处理中水溶性不会改变，同时，二氧化硅层覆盖在钆基纳米材料表面，可以防止钆离子的泄露，从而在保证T2造影剂的低毒性的同时提高了其生物相容性，另外，表面二氧化硅层的存在使钆基纳米材料获得了更大的应用前景，例如在二氧化硅层表面可以连接其他具有生物功能的分子，或通过高温煅烧使表面二氧化硅层形成介孔二氧化硅从而使T2造影剂成为良好的药物载体，更进一步的，基于高通透性和滞留(EPR)效应，钆基纳米材料能够较好的富集在肿瘤部位，以提高T2造影剂的靶向性，且由尺寸效应形成的高场下优异的T2造影性能，使得本申请配方组成的T2造影剂尤其适合用来在高场下观察病灶部位的精细结构且造影效果优异。
另外，根据本发明上述实施例的T2造影剂还可以具有如下附加的技术特征：
在本发明的一些实施例中，所述二氧化硅层包覆在所述钆基纳米材料的外表面。由此，可以提高所述T2造影剂的水溶性和生物相容性。
在本发明的一些实施例中，所述钆基纳米材料为NaGdF4。由此，可以显著提高所述T2造影剂的成像效果。
在本发明的一些实施例中，所述二氧化硅层的厚度为10～15纳米，优选12纳米。由此，可以进一步提高所述T2造影剂的水溶性和生物相容性。
在本发明的再一个方面，本发明提出了一种制备上述T2造影剂的方法，根据本发明的实施例，该方法包括：(1)在络合剂存在下，使Gd(ClO4)3与NaF接触，以便得到NaGdF4颗粒；(2)将所述NaGdF4颗粒分散至乙醇中，加入28wt％氨水和TEOS，以便得到T2造影剂。由此，根据本发明实施例的制备T2造影剂的方法通过在钆基纳米材料NaGdF4颗粒的外表面覆盖二氧化硅层，使钆基纳米材料具有了良好的水溶性，且在材料的后续钝化处理中水溶性不会改变，同时，二氧化硅层覆盖在钆基纳米材料NaGdF4颗粒表面，可以防止钆离子的泄露，从而在保证T2造影剂的低毒性的同时提高了其生物相容性，另外，表面二氧化硅层的存在使钆基纳米材料NaGdF4颗粒获得了更大的应用前景，例如在二氧化硅层表面可以连接其他具有生物功能的分子，或通过高温煅烧使表面二氧化硅层形成介孔二氧化硅从而使T2造影剂成为良好的药物载体，并且本申请所得的T2造影剂尤其适合用来在高场下观察病灶部位的精细结构且造影效果优异，更进一步的，本申请的T2造影剂制备条件温和，适合大量生产，具有广阔的应用前景。需要说明的是，上述针对T2造影剂所描述的特征和优点同样适用于该制备T2造影剂的方法，在此不再赘述。
另外，根据本发明上述实施例的制备T2造影剂的方法还可以具有如下附加的技术特征：
在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述络合剂为选自柠檬酸二钠、柠檬酸三钠、乙二胺四乙酸和乙二胺四乙酸二钠中的至少之一。
在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述络合剂的浓度为0.1～0.7mol/L。由此，可以制备得到合适粒径的T2造影剂。
在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述Gd(ClO4)3与所述NaF的摩尔比为(0.1～0.8):1。
在本发明的一些实施例中，在步骤(2)中，基于0.5～50g的所述NaGdF4颗粒，所述乙醇的用量为10～10000mL。
在本发明的一些实施例中，在步骤(2)中，基于0.5～50g的所述NaGdF4颗粒，所述TEOS的用量为10～10000μL。由此，可以制备得到合适二氧化硅层厚度的T2造影剂。
在本发明的一些实施例中，在步骤(2)中，所述28wt％氨水与所述TEOS的体积比为(0.1～1.5):1。
在本发明的又一个方面，本发明提出了上述T2造影剂在核磁共振成像中的用途，所述T2造影剂用于提高高场下病灶部位的造影效果。需要说明的是，上述针对T2造影剂和制备T2造影剂的方法所描述的特征和优点同样适用于该T2造影剂在核磁共振成像中的用途，在此不再赘述。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是根据本发明一个实施例的制备T2造影剂的方法流程示意图；
图2是根据本发明一个实施例的粒径为120nm的NaGdF4颗粒透射电镜图；
图3是根据本发明一个实施例的粒径为190nm的NaGdF4颗粒透射电镜图；
图4是根据本发明一个实施例的粒径为250nm的NaGdF4颗粒透射电镜图；
图5是根据本发明一个实施例的粒径为120nm的T2造影剂透射电镜图；
图6是根据本发明一个实施例的粒径为190nm的T2造影剂透射电镜图；
图7是根据本发明一个实施例的粒径为250nm的T2造影剂透射电镜图；
图8是根据本发明一个实施例的粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂对A549细胞的细胞毒性图；
图9是根据本发明一个实施例的120nm、190nm和250nm的T2造影剂的X射线衍射图；
图10是根据本发明一个实施例的粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的动态光散射分布图；
图11是根据本发明一个实施例的0.5T下粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的T1弛豫率曲线；
图12是根据本发明一个实施例的0.5T下粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的T2弛豫率曲线；
图13是根据本发明一个实施例的7T下粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的T1弛豫率曲线；
图14是根据本发明一个实施例的7T下粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的T2弛豫率曲线。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种T2造影剂。根据本发明的实施例，该T2造影剂包括：钆基纳米材料和二氧化硅层，其中二氧化硅层包覆在钆基纳米材料的至少一部分外表面。发明人发现，通过在钆基纳米材料的至少一部分外表面覆盖二氧化硅层，使钆基纳米材料具有了良好的水溶性，且在材料的后续钝化处理中水溶性不会改变，同时，二氧化硅层覆盖在钆基纳米材料表面，可以防止钆离子的泄露，从而在保证T2造影剂的低毒性的同时提高了其生物相容性，另外，表面二氧化硅层的存在使钆基纳米材料可以连接其他具有生物功能的分子，或通过高温煅烧使表面二氧化硅层形成介孔二氧化硅从而使T2造影剂成为良好的药物载体，更进一步的，基于高通透性和滞留(EPR)效应，钆基纳米材料能够较好的富集在肿瘤部位，以提高T2造影剂的靶向性，且由尺寸效应形成的高场下优异的T2造影性能，使得本申请配方组成的T2造影剂尤其适合用来在高场下观察病灶部位的精细结构且造影效果优异
根据本发明的一个实施例，二氧化硅层可以完全包覆在所述钆基纳米材料的外表面。由此，可以提高所述T2造影剂的水溶性和生物相容性。发明人通过实验意外地发现，通过在钆基纳米材料NaGdF4颗粒的外表面覆盖二氧化硅层，使钆基纳米材料具有了良好的水溶性，且在材料的后续钝化处理中水溶性不会改变，同时，二氧化硅层覆盖在钆基纳米材料NaGdF4颗粒表面，可以防止钆离子的泄露，从而在保证T2造影剂的低毒性的同时提高了其生物相容性。
根据本发明的再一个实施例，钆基纳米材料的具体类型并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，钆基纳米材料包括但不限于NaGdF4。发明人发现，NaGdF4基于其尺寸效应，相对于钆基小分子纳米材料来说有很大的优势，首先，传统的钆基造影剂绝大多数都被用作T1造影剂且仅限于在低场(<3T)下具有较好的T1成像效果，当磁场强度大于3T时，其T1成像效果急剧降低，而本发明中的NaGdF4纳米材料通过利用尺寸效应使得该材料在高磁场环境(>7T)下仍然具有很好的T2造影效果。
根据本发明的又一个实施例，二氧化硅层的厚度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，二氧化硅层的厚度可以为10～15纳米，优选12纳米。发明人发现，二氧化硅层厚度太大会导致纳米材料的尺寸变大很多，进而减弱材料在肿瘤部位的EPR效应或者堵塞血管，如果二氧化硅层厚度过小，则会增大重金属离子和血液中成分的接触概率，进而导致一些隐藏的毒性。
在本发明的第二个方面，本发明提出了一种制备上述T2造影剂的方法。需要说明的是，上述针对T2造影剂所描述的特征和优点同样适用于该制备T2造影剂的方法，在此不再赘述。
下面参考图1对根据本发明实施例的制备T2造影剂的方法进行详细描述。根据本发明的实施例，该方法包括：
S100：制备NaGdF4颗粒
该步骤中，在络合剂存在下，使Gd(ClO4)3与NaF接触，以便得到NaGdF4颗粒。具体的，将Gd(ClO4)3水溶液与络合剂水溶液混合，在快速搅拌下向上述混合液中加入NaF水溶液，得到悬浊液，将悬浊液在6000r/min条件下离心10min，得到的沉淀用乙醇和去离子水各洗一遍，得到NaGdF4颗粒。
根据本发明的一个实施例，络合剂的种类并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，络合剂可以为选自柠檬酸二钠、柠檬酸三钠、乙二胺四乙酸和乙二胺四乙酸二钠的至少之一。发明人通过实验意外地发现，柠檬酸二钠和柠檬酸三钠相比乙二胺四乙酸等络合剂更易溶于水，能够配成浓度较高的溶液，以便后续制备T2造影剂。
根据本发明的再一个实施例，络合剂的浓度并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，络合剂的浓度可以为0.1～0.7mol/L。发明人通过大量实验发现，所使用络合剂浓度的升高会使制备得到的T2造影剂粒径减小，相应地使得T2造影效果减弱，而所使用络合剂浓度的降低会使制备得到的T2造影剂粒径增大，相应地使得T2造影效果增强，但是材料粒径大于250nm时将不适合应用在生物体内。
根据本发明的又一个实施例，Gd(ClO4)3与NaF的摩尔比并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，Gd(ClO4)3与NaF的摩尔比可以为(0.1～0.8):1。发明人通过大量实验意外地发现，当Gd(ClO4)3与NaF的摩尔比过高时，所形成的纳米材料尺寸变小，且Gd(ClO4)3比例过高会向材料中引入过多的钆离子而不利于后续的分离，当Gd(ClO4)3与NaF的摩尔比过低时，所形成的纳米材料的尺寸太大，不适合用于生物体内。
S200：制备T2造影剂
该步骤中，将所述NaGdF4颗粒分散至乙醇中，加入28wt％氨水和TEOS，以便得到T2造影剂。具体的，将S100中得到的NaGdF4颗粒分散至分散剂乙醇中并与28wt％氨水混合，在搅拌下加入TEOS，得到乳白色溶液，将乳白色溶液在6000r/min条件下离心10min，将离心得到的沉淀用乙醇:水(V:V＝1:1)混合溶液洗三遍，得到白色沉淀T2造影剂。
根据本发明的一个实施例，分散剂乙醇的用量并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，基于0.5～50克NaGdF4颗粒，分散剂乙醇的用量可以为10～10000mL。发明人通过大量实验意外地发现，乙醇用量过少会导致材料分散不完全，而用量过多会提高制备成本。
根据本发明的再一个实施例，TEOS的用量并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，基于0.5～50克NaGdF4颗粒，TEOS的用量可以为10～10000μL，发明人通过大量实验意外地发现，TEOS用量过多会导致形成的硅层厚度过大，用量过少会导致形成的硅层厚度过小或者不能形成硅层。
根据本发明的又一个实施例，28wt％氨水与TEOS的体积比并不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，28wt％氨水与TEOS的体积比可以为(0.1～1.5):1，发明人通过实验意外地发现，28wt％氨水与TEOS的体积比能够显著影响钆基纳米材料表面二氧化硅层的形成，有鉴于此，发明人进行了大量实验，从中确定了上述体积比，发明人发现，28wt％氨水可以提供碱性环境使TEOS水解，进而在钆基纳米材料表面形成二氧化硅层，28wt％氨水与TEOS的体积比过高或过低都不宜与二氧化硅层的形成。
在本发明的第三个方面，本发明提出了上述T2造影剂在核磁共振成像中的用途，所述T2造影剂可以用于提高高场下病灶部位的造影效果。需要说明的是，上述针对T2造影剂和制备T2造影剂的方法所描述的特征和优点同样适用于该T2造影剂在核磁共振成像中的用途，在此不再赘述。
下面参考具体实施例，对本发明进行描述，需要说明的是，这些实施例仅仅是描述性的，而不以任何方式限制本发明。
实施例1
在本实施例中，发明人制备了粒径为120nm的T2造影剂，具体操作步骤如下：
室温下，量取0.2mol/L的Gd(ClO4)3水溶液5mL加入到5mL 0.6mol/L的柠檬酸三钠水溶液中，搅拌混合，反应液出现白色沉淀并很快变得澄清，在快速搅拌下注入15mL0.5mol/L的NaF溶液，反应液中立即产生白色浑浊，在此反应体系中，Gd(ClO4)3溶液的浓度为0.04mol/L，NaF溶液的浓度为0.3mol/L，反应结束后，将所得的产品在6000r/min下离心分离10min，得到的产品用乙醇和去离子水各洗一遍，将得到的白色沉淀NaGdF4分散在10mL乙醇中，得到NaGdF4悬浊液。取NaGdF4悬浊液3mL，加入乙醇至15mL，加入90μL 28wt％氨水，搅拌下注入90μL TEOS，室温下搅拌4h，将所得的产品在6000r/min下离心分离10min，将得到的产品用乙醇:水(V:V＝1:1)混合液洗三遍，得到T2造影剂白色沉淀。将得到的白色沉底用去离子水分散，经DLS检测，其水合粒径为120nm，XRD证明为目标产物，包覆的硅层厚度为12nm，r1＝0.746,r2＝129.7,r2/r1＝173.8。图2为粒径为120nm的NaGdF4颗粒透射电镜图，图5为粒径为120nm的T2造影剂透射电镜图。
实施例2
在本实施例中，发明人制备了粒径为190nm的T2造影剂，具体操作步骤如下：
室温下，量取0.2mol/L的Gd(ClO4)3水溶液5mL加入到5mL 0.3mol/L的柠檬酸三钠水溶液中，搅拌混合，反应液出现白色沉淀并很快变得澄清，在快速搅拌下注入15mL0.5mol/L的NaF溶液，反应液中立即产生白色浑浊，在此反应体系中，Gd(ClO4)3溶液的浓度为0.04mol/L，NaF溶液的浓度为0.3mol/L，反应结束后，将所得的产品在6000r/min下离心分离10min，得到的产品用乙醇和去离子水各洗一遍，将得到的白色沉淀NaGdF4分散在10mL乙醇中，得到NaGdF4悬浊液。取NaGdF4悬浊液3mL，加入乙醇至15mL，加入80μL 28wt％氨水，搅拌下注入80μL TEOS，室温下搅拌4h，将所得的产品在6000r/min下离心分离10min，将得到的产品用乙醇:水(V:V＝1:1)混合液洗三遍，得到T2造影剂白色沉淀。将得到的白色沉底用去离子水分散，经DLS检测，其水合粒径为190nm，XRD证明为目标产物，包覆的硅层厚度为12nm，r1＝0.446,r2＝142.9,r2/r1＝320.4。图3为粒径为120nm的NaGdF4颗粒透射电镜图，图6为粒径为120nm的T2造影剂透射电镜图。
实施例3
在本实施例中，发明人制备了粒径为250nm的T2造影剂，具体操作步骤如下：
室温下，量取0.2mol/L的Gd(ClO4)3水溶液5mL加入到5mL 0.2mol/L的柠檬酸三钠水溶液中，搅拌混合，反应液出现白色沉淀并很快变得澄清，在快速搅拌下注入15mL0.5mol/L的NaF溶液，反应液中立即产生白色浑浊，在此反应体系中，Gd(ClO4)3溶液的浓度为0.04mol/L，NaF溶液的浓度为0.3mol/L，反应结束后，将所得的产品在6000r/min下离心分离10min，得到的产品用乙醇和去离子水各洗一遍，将得到的白色沉淀NaGdF4分散在10mL乙醇中，得到NaGdF4悬浊液。取NaGdF4悬浊液3mL，加入乙醇至15mL，加入70μL 28wt％氨水，搅拌下注入70μL TEOS，室温下搅拌4h，将所得的产品在6000r/min下离心分离10min，将得到的产品用乙醇:水(V:V＝1:1)混合液洗三遍，得到T2造影剂白色沉淀。将得到的白色沉底用去离子水分散，经DLS检测，其水合粒径为250nm，XRD证明为目标产物，包覆的硅层厚度为12nm，r1＝0.272,r2＝159.6,r2/r1＝586.8。图4为粒径为120nm的NaGdF4颗粒透射电镜图，图7为粒径为120nm的T2造影剂透射电镜图。
实施例4
在本实施例中，发明人评价了不同粒径的T2造影剂对A549细胞的毒性效果。具体的，A549细胞购买自中国科学院上海生命科学研究院细胞资源中心，调整细胞密度到5×104个/mL，将A549细胞接种到三个96孔板(6×6)中，在37摄氏度、5％CO2条件下孵育24h，待细胞贴壁后将培养基换成含不同浓度梯度的三种T2造影剂的DMEM(康宁R10-013-CV，购买公司:拜尔迪)，在37摄氏度、5％CO2条件下继续培养24h，使用CCK-8试剂盒检测A547细胞的活性，结果如图8所示，粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂具有低暗毒性。
实施例5
在本实施例中，发明人测定了不同粒径T2造影剂的X射线衍射图、动态光散射图以及不同粒径T2造影剂在磁感应强度为0.5T下的T1和T2弛豫率；
具体的，图9为粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的X射线衍射图，通过与标准卡片JCPDS#27-0699对比，可以确定所合成的材料即为NaGdF4；图10为T2造影剂的动态光散射分布图，由该图可以看出所合成的不同尺寸的T2造影剂的水合粒径主要为120nm、190nm和250nm；
表I为0.5T下粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的r1、r2和r2/r1值；表II为0.5T下粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的T2离子弛豫率、质量弛豫率和纳米颗粒弛豫率；
图11为0.5T下粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的T1弛豫率曲线，由该图可以看出在0.5T下，T1弛豫率随着尺寸的增大由1.423mM-1S-1减小到0.393mM-1S-1；
图12为0.5T下粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的T2弛豫率曲线，由该图可以看出在0.5T下，T2弛豫率随着尺寸的增大由4.359mM-1S-1增大到8.553mM-1S-1；
表III为7T下粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的r1、r2和r2/r1值；表IV为7T下粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的T2离子弛豫率、质量弛豫率和纳米颗粒弛豫率；
图13为7T下粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的T1弛豫率曲线，由该图可以看出在7T下，T1弛豫率随着尺寸的增大0.746mM-1S-1减小到0.272mM-1S-1；图14为7T下粒径为120nm、190nm和250nm的T2造影剂的T2弛豫率曲线，由该图可以看出在7T下，T2弛豫率随着尺寸的增大129.7mM-1S-1增大到159.6mM-1S-1。
表I 0.5T下三种粒径的T2造影剂的r1、r2和r2/r1值
表II 0.5T下三种粒径的T2造影剂的T2离子弛豫率、质量弛豫率和纳米颗粒弛豫率
表III 7T下三种粒径的T2造影剂的r1、r2和r2/r1值
表IV 7T下三种粒径的T2造影剂的T2离子弛豫率、质量弛豫率和纳米颗粒弛豫率
由表I、表II、表III和表IV中的数据可以得出：随着纳米材料的尺寸从120nm～250nm的变化，随着尺寸的增大，材料在0.5T和7T下的T1弛豫率随着尺寸的增大而减小，而T2弛豫率随着尺寸的增大而增大，并且在7T磁场强度下其T2弛豫率很高。进一步，通过计算得到的纳米材料的质量弛豫率和纳米颗粒弛豫率也呈现出相同的趋势，说明该材料是一种可以通过调节尺寸而得到的高场下T2造影剂。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (11)
1.一种T2造影剂，其特征在于，包括：
钆基纳米材料；
二氧化硅层，所述二氧化硅层包覆在所述钆基纳米材料的至少一部分外表面；
所述钆基纳米材料为NaGdF4；
所述NaGdF4的粒径为190nm或者250nm。
2.根据权利要求1所述的T2造影剂，其特征在于，所述二氧化硅层包覆在所述钆基纳米材料的外表面。
3.根据权利要求2所述的T2造影剂，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为10～15纳米。
4.根据权利要求2所述的T2造影剂，其特征在于，所述二氧化硅层的厚度为12纳米。
5.一种制备权利要求1-4中任一项所述T2造影剂的方法，其特征在于，包括：
(1)在络合剂存在下，使Gd(ClO4)3与NaF接触，以便得到NaGdF4颗粒；
(2)将所述NaGdF4颗粒分散至乙醇中，加入28wt％氨水和TEOS，以便得到T2造影剂。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述络合剂为选自柠檬酸二钠、柠檬酸三钠、乙二胺四乙酸和乙二胺四乙酸二钠中的至少之一。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述络合剂的浓度为0.1～0.7摩尔/升。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述Gd(ClO4)3与所述NaF的摩尔比为(0.1～0.8):1。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，基于0.5～50克的所述NaGdF4颗粒，所述乙醇的用量为10～10000毫升。
10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，基于0.5～50克的所述NaGdF4颗粒，所述TEOS的用量为10～10000微升。
11.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在步骤(2)中，所述28wt％氨水与所述TEOS的体积比为(0.1～1.5):1。
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