CN107768542B - 有机发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机发光装置，包括基材、辅助电极、绝缘层、第一电极、有机层及第二电极，其中辅助电极设在基材上，绝缘层覆设该辅助电极的部分表面，而使得辅助电极未覆设绝缘层的另一部分表面形成一接触部，第一电极设在基材、绝缘层及接触部之上，且经由接触部电性连接到辅助电极，有机层设在第一电极之上，第二电极在有机层之上，并对应第一电极，其中第一电极在污物(如：微粒)及绝缘层周围的部分形成开路区，而当第二电极在制程上遭遇到污物时，第二电极连接于开路区，使得第一电极及第二电极不致短路。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光装置，尤指一种有机发光材料所制成的发光装置。
背景技术
现有的有机发光装置包括基材、辅助电极、绝缘层、第一电极(一般为阳极)、有机层及第二电极(一般为阴极)。其中辅助电极电性连接到第一电极，且辅助电极之间相互连通，通电时第一电极的阻抗和电流压降凭借辅助电极作用得到减小，使得有机发光装置亮度均匀性得到一定的改善。
再者，由于第一电极与第二电极之间之间隔较小，使得有机发光装置即使在无尘室中进行制造，可能因为微粒(Particle)或其他原因，使得第一电极与第二电极彼此接触而造成短路，进而导致有机发光装置整个不发光，或者是大部分的区域不发光，又或者低于平均发光亮度的一个坏点。但为解决增加两个电极之间的短路问题，而增加第一电极及第二电极之间的有机层厚度，并不太适当。
针对上述的问题，有许多业者或相关领域的研究机构分别提出各种不同的方案，以期可以解决此一问题，如：乐金化学有限公司(LG Chem.,LTD)、乐金显示有限公司(LGDisplay Co.,LTD)、财团法人工业技术研究院……等并申请专利在案，其中以乐金化学有限公司及乐金显示有限公司而言，至少申请有美国专利US9035420、中国专利CN106133939A、CN105164829A及中国台湾专利TWI552411等，其主要解决的方案，都是在第一电极及辅助电极之间设置各式的导电图样形成一保险图样(fuse pattern)，或称短路防止层等，以在不增加有机层厚度的前提下，解决两个电极之间的短路问题。
然而，在第一电极及辅助电极之间要设置保险图样或短路防止层，都需要在制造过程中，使用特定的遮罩进行额外的制造步骤才能制作完成，虽然减少了增加有机层厚度的成本问题，但却额外增加了制造成本及增加制造时间的问题。
发明内容
本案发明人鉴于上述现有技术所衍生的问题，本发明主要目的在不需要增加太多的制造成本的前提下，解决有机发光装置在两个电极之间的短路问题，尤其是在不需要增加额外的制造程式或遮罩的前提下，解决前述的问题。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
一种有机发光装置，其特征是包括：
一基材；
一辅助电极，设在该基材上；
一绝缘层，覆设在该辅助电极的部分表面，而使得该辅助电极未覆设该绝缘层的另一部分表面则形成一接触部；
一第一电极，设在该基材、该绝缘层及该接触部之上，且通过该接触部与该辅助电极电性连接，且该第一电极的厚度不超过12nm；
一有机层，设在该第一电极之上；以及
一第二电极，设在该有机层之上，并对应该第一电极。
当第二电极在制程中在遭遇到污物的部分，连接于开路区，因此第一电极及第二电极之间不会形成短路。
所述的有机发光装置，其中：该第一电极相邻该绝缘层或污物的位置形成一开路区，该第二电极在制程中在相邻污物的部分连接于该开路区。
所述的有机发光装置，其中：该开路区还包括该第一电极在该绝缘层或该污物突出于该基材表面的非平整位置。
所述的有机发光装置，其中：该第一电极为金属或金属氧化物导电材料。
所述的有机发光装置，其中：该金属为银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、铍(Be)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、铱(Ir)或铂(Pt)。
所述的有机发光装置，其中：该金属氧化物为铟锡氧化物、铟锌氧化物(IZO)或铝锌氧化物(AZO)。
所述的有机发光装置，其中：该第一电极的厚度小于10nm。
所述的有机发光装置，其中：该第一电极的厚度小于8nm。
所述的有机发光装置，其中：该第一电极的厚度小于6nm。
所述的有机发光装置，其中：该第一电极的功函数大于4.2eV。
一种有机发光装置，其特征是包括：
一基材；
一辅助电极，设在该基材上；
一绝缘层，覆设在该辅助电极的表面；
一第一电性连接层，设在该辅助电极与该基材之间，且该第一电性连接层的边缘露出该绝缘层的边缘外形成一接触部；
一第一电极，设在该基材、该绝缘层及该接触部之上，且通过该接触部与该辅助电极电性连接，且该第一电极的厚度不超过12nm；
一有机层，设在该第一电极之上；以及
一第二电极，设在该有机层之上，并对应该第一电极。
当第二电极在制程中在遭遇到污物的部分，连接于开路区，因此第一电极及第二电极之间不会形成短路。
所述的有机发光装置，其中：该第一电极在相邻该绝缘层或污物的位置形成一开路区，该第二电极在制程中在相邻该污物的部分连接于该开路区。
所述的有机发光装置，其中：该辅助电极交织地布设在该基材上，进而在该基材由该辅助电极之间形成复数个格状区。
所述的有机发光装置，其中：该格状区在该第一电极与该基材之间交织地布设一第二电性连接层。
所述的有机发光装置，其中：该开路区还包括该第一电极在该绝缘层或该污物突出于该基材表面的非平整位置。
所述的有机发光装置，其中：该第一电极为金属或金属氧化物导电材料。
所述的有机发光装置，其中：该金属为银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、铍(Be)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、铱(Ir)或铂(Pt)。
所述的有机发光装置，其中：该金属氧化物为铟锡氧化物、铟锌氧化物(IZO)或铝锌氧化物(AZO)。
所述的有机发光装置，其中：该第一电极的厚度小于10nm。
所述的有机发光装置，其中：该第一电极的厚度小于8nm。
所述的有机发光装置，其中：该第一电极的厚度小于6nm。
所述的有机发光装置，其中：该第一电极的功函数大于4.2eV。
据上所述，本发明具有下列的一或多项优点：
1.由于第一电极在绝缘层或污物等位置形成开路的原因，主要系第一电极的厚度较薄，使得第一电极在凸出于基材的任意非平面位置容易形成不连续状，而非以特定的遮罩在基材上形成的，因此无需增加额外的遮罩。
2.利用第一电极在绝缘层或污物等位置形成开路，而无需增加制造流程如传统的额外设置其他的保险图样或短路防止层。
3.在另一种有机发光装置虽然在辅助电极与基材之间设置第一电性连接层，让辅助电极与第一电极连接，传统的有机发光装置也需要有此结构设计需求，故并未增加额外成本。
附图说明
图1是本发明的一实施例的布局示意图。
图2是图1的A-A’剖面示意图。
图3是图1的B-B’剖面示意图。
图4是图3在布设有机层及第二电极的示意图。
图5是本发明的一实施例中在污物周围的结构示意图。
图6是本发明的一实施例以不同厚度的银作为第一电极的穿透率示意图。
图7是本发明的另一实施例的布局示意图。
图8是图7的C-C’剖面示意图。
图9是本发明的又另一实施例的布局示意图。
图10是图9的D-D’剖面示意图。
图11是图9的E-E’剖面示意图。
附图标记说明：1-基材；2-辅助电极；3-绝缘层；30-接触部；4-第一电极；40-开路区；5-有机层；6-第二电极；7-污物；8-第一电性连接层；80-接触部；9-第二电性连接层。
具体实施方式
以下将以图式及详细说明本发明的精神，任何所属技术领域中具有通常知识者在了解本发明的较佳实施例后，当可由本发明所教示的技术加以改变及修饰，其并不脱离本发明的精神与范围。
请参阅图1～图4所示，本发明是一种有机发光装置，包括基材1、辅助电极2、绝缘层3、第一电极4(通常为阳极)、有机层5及第二电极6(通常为阴极)，其中辅助电极2设在基材1上，绝缘层3覆设辅助电极2的部分表面，而使得辅助电极2未覆设绝缘层3的另一部分表面形成一接触部30，第一电极4设在基材1、绝缘层3及接触部30之上，且经由接触部30电性连接到辅助电极2，且第一电极4在相邻绝缘层3或污物7的位置以及绝缘层3或污物7突出于基材表面的非平整位置形成开路区40，有机层5设在第一电极4之上，第二电极6在有机层5之上，并对应第一电极4。
请参阅图5所示，第一电极4的厚度通常不超过12nm，第一电极4在形成时，由于污物的阴影效应(shadow effect)，使得第一电极4在污物周围的厚度会更薄而形成开路，当第二电极6在制造过程中，由于污物影响，第二电极6连接到开路区40，使得第一电极4及第二电极6之间不会形成短路，即可解决第一电极4与第二电极6之间的短路问题，相对于现有技术，本发明并不需要使用保险图样来避免短路问题，本发明显着地具有进步性。请参阅图6所示，系以不同厚度(5nm～12nm)的银作为第一电极4，而且可以从图5中观察到第一电极4的厚度越薄，则第一电极4的穿透率会逐渐增加，在小于10nm时于波长在550nm附近的穿透率可超过50％，其中于6nm穿透率约为58％，于5nm穿透率约为85％，厚度更薄时电极阻抗会大幅地增加，会影响后续制作的元件特性。在本发明的实施例中，虽以银作为第一电极4，但本发明在实际实施时并不以此为限，各有机发光装置的第一电极4也可为金属或金属氧化物导电材料，金属进一步可为铝(Al)、金(Au)、铍(Be)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、铱(Ir)或铂(Pt)的其中之一。
请参阅图7所示，系本发明的另一种有机发光装置，其与前述的有机发光装置大致相同，两者的差异在于绝缘层3覆设辅助电极2的全部表面，另外在辅助电极2与基材1之间设有第一电性连接层8，且第一电性连接层8的边缘露出绝缘层3的边缘外形成一接触部80，第一电极4设在基材1、绝缘层3及接触部80之上，且经由接触部80电性连接到辅助电极2，又第一电极4相邻绝缘层3或污物7等位置形成开路区40，有机层5设在第一电极4之上，第二电极6在有机层5之上，并对应该第一电极4。第一电极4的厚度通常不超过12nm，当第一电极4在形成时，由于污物的阴影效应，使得第一电极4在污物周围的厚度会更薄而形成开路，第二电极6在制程中在遭遇到污物7的部分连接于开路区40，因此第一电极4及第二电极6之间不会形成短路。
在上述的实施例中，第一电极4的厚度不超过12nm，进一步系小于10nm，次佳小于8nm，最佳小于6nm，且第一电极4的功函数至少大于4.2eV，次佳大于4.6eV，最佳大于5.0eV，在前述的各实施例中，开路区40进一步包括第一电极4在绝缘层3或污物7突出于基材1表面的非平整位置。又，辅助电极2交织地布设在基材1上，进而在基材1在各辅助电极之间形成复数个格状区(如图1、图7及图9所示)。又为了使第一电极4、辅助电极2及第一电性连接层8之间阻抗值能调适在所需的阻值上，请参阅图9所示，各格状区在第一电极4与基材1之间交织地布设一第二电性连接层9，且第二电性连接层9两端连接到相对应的第一电性连接层8之间。其中，第一电性连接层8及第二电性连接层9可为金属氧化物导电材料，如：铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)或铝锌氧化物(AZO)。
在前述各实施例中，可以观察到本发明至少不需要额外的增加额外的遮罩(如图1的实施例)或增加额外的制造步骤(如图1、图7及图9的实施例)，即可解决第一电极及第二电极形成短路的问题。
以上说明对本发明而言只是说明性的，而非限制性的，本领域普通技术人员理解，在不脱离权利要求所限定的精神和范围的情况下，可作出许多修改、变化或等效，但都将落入本发明的保护范围之内。
Claims (20)
1.一种有机发光装置，其特征是包括：
一基材；
一辅助电极，设在该基材上；
一绝缘层，覆设在该辅助电极的部分表面，而使得该辅助电极未覆设该绝缘层的另一部分表面则形成一接触部；
一第一电极，设在该基材、该绝缘层及该接触部之上，且通过该接触部与该辅助电极电性连接，且该第一电极的厚度不超过12nm；且该第一电极相邻污物的位置形成一开路区，
一有机层，设在该第一电极之上；以及
一第二电极，设在该有机层之上，并对应该第一电极；
该第二电极在制程中在遭遇到污物的部分连接于该开路区。
2.如权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于：该开路区还包括该第一电极在该绝缘层或该污物突出于该基材表面的非平整位置。
3.如权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于：该第一电极为金属或金属氧化物导电材料。
4.如权利要求3所述的有机发光装置，其特征在于：该金属为银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、铍(Be)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、铱(Ir)或铂(Pt)。
5.如权利要求3所述的有机发光装置，其特征在于：该金属氧化物为铟锡氧化物、铟锌氧化物(IZO)或铝锌氧化物(AZO)。
6.如权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于：该第一电极的厚度小于10nm。
7.如权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于：该第一电极的厚度小于8nm。
8.如权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于：该第一电极的厚度小于6nm。
9.如权利要求1所述的有机发光装置，其特征在于：该第一电极的功函数大于4.2eV。
10.一种有机发光装置，其特征是包括：
一基材；
一辅助电极，设在该基材上；
一绝缘层，覆设在该辅助电极的表面；
一第一电性连接层，设在该辅助电极与该基材之间，且该第一电性连接层的边缘露出该绝缘层的边缘外形成一接触部；
一第一电极，设在该基材、该绝缘层及该接触部之上，且通过该接触部与该辅助电极电性连接，且该第一电极的厚度不超过12nm；且第一电极在相邻污物的位置形成一开路区；
一有机层，设在该第一电极之上；以及
一第二电极，设在该有机层之上，并对应该第一电极；
该第二电极在制程中在遭遇到污物的部分连接于该开路区。
11.如权利要求10所述的有机发光装置，其特征在于：该辅助电极交织地布设在该基材上，进而在该基材由该辅助电极之间形成复数个格状区。
12.如权利要求11所述的有机发光装置，其特征在于：该格状区在该第一电极与该基材之间交织地布设一第二电性连接层。
13.如权利要求10所述的有机发光装置，其特征在于：该开路区还包括该第一电极在该绝缘层或该污物突出于该基材表面的非平整位置。
14.如权利要求10所述的有机发光装置，其特征在于：该第一电极为金属或金属氧化物导电材料。
15.如权利要求14所述的有机发光装置，其特征在于：该金属为银(Ag)、铝(Al)、金(Au)、铍(Be)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、铱(Ir)或铂(Pt)。
16.如权利要求14所述的有机发光装置，其特征在于：该金属氧化物为铟锡氧化物、铟锌氧化物(IZO)或铝锌氧化物(AZO)。
17.如权利要求11所述的有机发光装置，其特征在于：该第一电极的厚度小于10nm。
18.如权利要求11所述的有机发光装置，其特征在于：该第一电极的厚度小于8nm。
19.如权利要求11所述的有机发光装置，其特征在于：该第一电极的厚度小于6nm。
20.如权利要求11所述的有机发光装置，其特征在于：该第一电极的功函数大于4.2eV。
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