CN107731650B - 反应腔室以及半导体加工设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种反应腔室以及半导体加工设备，其包括基座、基座升降机构、压环、预沉积内衬组件和接地机构，其中，基座用于承载晶片；基座升降机构用于驱动基座上升或下降；压环用于在基座位于进行正常工艺的第一位置时压住晶片的边缘区域，且压环在基座位于进行预沉积工艺的第二位置时，与基座相分离；预沉积内衬组件环绕设置在基座和压环的下方，用于在进行预沉积工艺时阻挡金属粒子沉积到反应腔室的底部；接地机构用于分别将预沉积内衬组件和基座接地。本发明提供的反应腔室，其可以在进行预沉积工艺时，既实现沉积的金属层完全覆盖整个晶片表面，又可以保证反应腔室底部及其内部各个零件的清洁度，从而可以提高设备的使用寿命。

Description

反应腔室以及半导体加工设备

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，具体地，涉及一种反应腔室以及半导体加工设备。

背景技术

在采用物理气相沉积(PVD)设备进行工艺的过程中，通常需要对晶片进行冷却，冷却方法一般为在晶片与基座之间通入惰性气体，以通过惰性气体将晶片的热量传递至基座。由于在晶片与基座之间的惰性气体具有一定压强，这就需要对晶片进行位置固定，常用的一种方法是利用压环将晶片压在基座上。

图1为现有的反应腔室在进行正常工艺时的结构示意图。请参阅图1，反应腔室包括基座1、压环2和基座升降装置4，其中，基座用于承载晶片3；压环2具有沿其周向间隔分布的多个压爪，该压环2通过利用多个压爪叠置在晶片3的边缘区域，而将晶片3固定在基座1上；基座升降装置4用于驱动基座1上升或下降。在进行沉积工艺之前，通常需要进行预沉积工艺，即在晶片表面上沉积一层金属层，以在压爪压住晶片时，通过与金属层相接触，而实现压爪与晶片的电导通，从而可以使压环2与晶片3等电位，以避免二者出现打火现象。

图2为现有的反应腔室在进行预沉积工艺时的结构示意图。请参阅图2，在进行预沉积工艺时，利用基座升降装置4驱动基座1自进行正常工艺的位置(如图1中示出的基座1所在位置)下降至进行预沉积的工艺位置(如图2中示出的基座1所在位置)，此时压爪位于基座1上方，而不与基座1相接触，由于整个晶片表面不受压环2的遮挡，这可以使得沉积的金属层完全覆盖整个晶片表面，从而在后续进行正常工艺时，可以保证压爪在压住晶片3时，能够与金属层相接触。但是，这在实际应用中会出现以下问题，即：在基座1位于上述预沉积的工艺位置时，由于基座2与压爪1之间存在缝隙，在进行预沉积时，金属粒子会通过缝隙沉积到反应腔室的底部，若反应腔室的底部设有烘烤灯管，其被金属沉积后会影响光照烘烤腔室的效果，而且若腔室侧壁或底部沉积被金属沉积之后无法清洗还原。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室以及半导体加工设备，其可以在进行预沉积工艺时，既实现沉积的金属层完全覆盖整个晶片表面，又可以保证反应腔室底部及其内部各个零件的清洁度，从而可以提高设备的使用寿命。

为实现本发明的目的而提供一种反应腔室，包括基座、基座升降机构和压环，所述基座用于承载晶片；所述基座升降机构用于驱动所述基座上升或下降；所述压环用于在所述基座位于进行正常工艺的第一位置时压住晶片的边缘区域，且所述压环在所述基座位于进行预沉积工艺的第二位置时，与所述基座相分离，还包括：

预沉积内衬组件，环绕设置在所述基座和所述压环的下方，用于在进行预沉积工艺时阻挡金属粒子沉积到所述反应腔室的底部；

接地机构，用于分别将所述预沉积内衬组件和所述基座与所述反应腔室的底部腔室壁电导通，所述反应腔室的底部腔室壁接地。

优选的，所述预沉积内衬组件包括环形本体，所述环形本体环绕设置在所述基座和所述压环的下方，用以阻挡所述金属粒子通过所述压环与所述基座之间的缝隙沉积到所述反应腔室的底部；

在所述环形本体的内端连接有环形的第一延伸部，所述第一延伸部水平延伸至所述基座的底部，且与其边缘区域相重叠；

所述环形本体的外径大于或等于所述压环的外径。

优选的，在所述环形本体与所述第一延伸部的连接处设置有螺旋管结构的导电线圈。

优选的，在所述环形本体的外端连接有环形的第二延伸部，所述第二延伸部竖直向上延伸，且其顶端位置高于所述压环的底端位置。

优选的，在所述环形本体与所述第二延伸部的连接处设置有螺旋管结构的导电线圈。

优选的，所述环形本体包括平板，

所述平板水平设置；或者，

所述平板倾斜设置，且倾斜的所述平板的内径由上而下逐渐减小。

优选的，所述环形本体包括第一平板和第二平板，其中

所述第一平板水平设置，所述第一平板的外径大于或等于所述压环的外径；

所述第二平板竖直设置在所述第一平板的内侧，并与所述第一平板的内端连接；所述第一延伸部与所述第二平板的内端连接。

优选的，分别在所述第一平板和第二平板的连接处，以及所述第一延伸部与所述第二平板的连接处设置有螺旋管结构的导电线圈。

优选的，所述反应腔室还包括：

内衬升降机构，用于驱动所述预沉积内衬组件上升或下降。

优选的，所述内衬升降机构包括：

提升轴，所述提升轴的上端与所述预沉积内衬组件连接，所述提升轴的下端竖直向下延伸至所述反应腔室的外部；

驱动电机，与所述提升轴的下端连接，用于驱动所述提升轴上升或下降；

波纹管，套设在所述提升轴上，用于对所述提升轴与所述反应腔室之间的间隙进行密封。

优选的，所述反应腔室还包括：

顶针机构，其包括用于支撑晶片的至少三个顶针，所述至少三个顶针均与所述预沉积内衬组件连接，且沿所述基座的周向均匀分布；并且，

在所述基座位于进行取放片操作的第三位置时，所述内衬升降机构通过驱动所述预沉积内衬组件上升或下降，带动所述至少三个顶针上升或下降，以使所述至少三个顶针的顶端高于或低于所述基座的上表面。

优选的，所述反应腔室还包括：

顶针机构，其包括：

至少三个顶针，沿所述基座的周向均匀分布，用于支撑晶片；

顶针升降装置，用于驱动所述至少三个顶针上升或下降，以在所述基座位于进行取放片操作的第三位置时，使所述至少三个顶针的顶端高于或低于所述基座的上表面。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种半导体加工设备，包括本发明提供的上述反应腔室和溅射电源，其中，在所述反应腔室的顶部设置有靶材，所述靶材与所述溅射电源电连接；在所述反应腔室内还设置有用于承载和固定晶片的基座和压环、以及用于驱动所述基座上升或下降的基座升降机构；所述压环用于在所述基座位于进行正常工艺的第一位置时压住晶片的边缘区域，且所述压环在所述基座位于进行预沉积工艺的第二位置时，与所述基座相分离。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的反应腔室，其借助环绕设置在基座和压环的下方的预沉积内衬组件，可以在进行预沉积工艺时，阻挡金属粒子沉积到反应腔室的底部，从而既可以实现沉积的金属层完全覆盖整个晶片表面，又可以保证反应腔室底部及其内部各个零件的清洁度，进而可以提高设备的使用寿命。同时，借助接地机构分别将预沉积内衬组件和基座与反应腔室的底部腔室壁电导通，以实现二者接地，可以防止预沉积内衬组件与射频电源耦合，从而可以保证工艺不受影响。

本发明提供的半导体加工设备，其通过采用本发明提供的上述反应腔室，可以在进行预沉积工艺时，既实现沉积的金属层完全覆盖整个晶片表面，又可以保证反应腔室底部及其内部各个零件的清洁度，从而可以提高设备的使用寿命。

附图说明

图1为现有的反应腔室在进行正常工艺时的结构示意图；

图2为现有的反应腔室在进行预沉积工艺时的结构示意图；

图3A为本发明第一实施例提供的反应腔室的结构示意图；

图3B为图3A中预沉积内衬组件和接地结构的剖视图；

图3C为图3A中预沉积内衬组件和接地结构的立体图；

图4为本发明第二实施例提供的反应腔室的结构示意图；

图5为本发明第三实施例提供的反应腔室的结构示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的反应腔室以及半导体加工设备进行详细描述。

图3A为本发明第一实施例提供的反应腔室的结构示意图。图3B为图3A中预沉积内衬组件和接地结构的剖视图。图3C为图3A中预沉积内衬组件和接地结构的立体图。请一并参阅图3A-图3C，反应腔室11包括基座12、基座升降机构17、压环14、预沉积内衬组件15、内衬升降机构、顶针机构及接地机构。其中，基座12设置于反应腔室11内部，用于承载晶片13。基座升降机构17用于驱动基座12上升或下降。压环14用于在基座12位于进行正常工艺的第一位置时，利用自身重力压住晶片13的边缘区域；压环14在基座12位于进行预沉积工艺的第二位置(如图3A中基座12所在位置)时，与基座12相分离。此时压环14由腔室内衬16支撑。

进行预沉积工艺的目的是在晶片表面上沉积一层金属层。在基座12位于进行正常工艺的第一位置，且压环14压住晶片13时，压环14通过与晶片13表面上的金属层相接触，而与晶片13电导通，从而可以使压环14与晶片13等电位，以避免二者出现打火现象，进而可以保证工艺的正常进行。为了保证金属层能够完全覆盖整个晶片表面，就需要在进行预沉积工艺时，使基座12相对于上述第一位置下降一定高度，即，下降至上述第二位置处，以使压环14与基座12相分离，从而可以使金属粒子能够沉积到原本被压环14压住的区域。也就是说，在进行预沉积工艺时，基座12位于上述第二位置处，此时压环14由腔室内衬16支撑，并未压住晶片表面，从而可以保证金属粒子能够沉积到整个晶片表面。在完成预沉积工艺之后，基座升降机构17驱动基座12上升至上述第一位置处，此时压环14利用自身重力压住晶片13的边缘区域，从而实现对晶片13的固定，同时与沉积在晶片表面上的金属层相接触，从而实现与晶片13电导通。

预沉积内衬组件15环绕设置在基座12和压环14的下方，用于在进行预沉积工艺时阻挡金属粒子沉积到反应腔室11的底部。进一步说，当基座12下降至第二位置时，压环14与基座12相互分离，此时会在二者之间产生间隙，在进行预沉积工艺时，一部分金属粒子会经由该间隙沉积到反应腔室11的底部，污染腔室及其内部零件。在这种情况下，借助预沉积内衬组件15，可以对上述间隙进行遮挡，从而可以保证反应腔室底部及其内部各个零件的清洁度，进而可以提高设备的使用寿命。

下面对上述预沉积内衬组件15的结构进行详细描述。具体地，如图3B和图3C所示，预沉积内衬组件15包括环形本体，该环形本体环绕设置在基座12和压环14的下方，用以阻挡金属粒子通过压环12与基座14之间的缝隙沉积到反应腔室11的底部。环形本体包括第一平板153和第二平板152，其中，第一平板153水平设置，且第一平板153的外径大于或等于压环14的外径，即，第一平板153的外端(即外环壁一侧)位于压环14的外周壁外侧，或者与压环14的外周壁相平齐，用以减少自第一平板153的外边缘下落至反应腔室11的底部的金属粒子数量。第二平板152竖直设置在第一平板153的内侧，并第二平板152的上端与第一平板153的内端(即外环壁一侧)连接，该连接方式具体为：第一平板153和第二平板152通过一体成型或者焊接的方式形成一体式、封闭的环体结构。在第二平板152的下端连接有环形的第一延伸部151，该第一延伸部151水平延伸至基座12的底部，且与基座12底部的边缘区域相重叠，即，第一延伸部151的内端直径小于基座12的外径，用以遮挡基座12与第二平板152之间的缝隙。另外，借助第二平板152，可以增大第一平板153的高度，以使其更靠近压环14的底部，从而可以减小在压环14、基座12和预沉积内衬组件15之间形成的空间体积，进而可以减少进入该空间内的金属粒子数量。

优选的，为了进一步减少自第一平板153的外边缘下落至反应腔室11的底部的金属粒子数量，在环形本体的外端(即，第一平板153的外端)连接有环形的第二延伸部154，该第二延伸部154竖直向上延伸，且其顶端位置高于压环14的底端位置，如图3A所示。

在本实施例中，优选的，在环形本体(即，第二平板152的下端)与第一延伸部151的连接处、在环形本体(即，第一平板153的外端)与第二延伸部154的连接处，以及在第一平板153和第二平板152的连接处分别设置有螺旋管结构的导电线圈(图中未示出)，用以提高不同板之间的导电性能，从而可以达到良好的接地效果。

在本实施例中，内衬升降机构用于驱动预沉积内衬组件15上升或下降，该内衬升降机构可以与基座12的升降运动相配合，以使预沉积内衬组件15始终与基座12之间保持一定的间距，从而保证沉积内衬组件15和基座12的运动不会相互干扰。具体地，内衬升降机构包括提升轴18、驱动电机19和波纹管20。其中，提升轴18的上端与预沉积内衬组件15连接，提升轴18的下端沿竖直向下延伸至反应腔室11的外部。驱动电机19与该提升轴18的下端连接，用于驱动提升轴18上升或下降。波纹管20套设在提升轴18上，用于对提升轴18与反应腔室11之间的间隙进行密封，从而保证反应腔室11的真空度。

接地机构用于分别将预沉积内衬组件15和基座12与反应腔室11的底部腔室壁电导通，该底部腔室壁接地，从而实现预沉积内衬组件15和基座12的接地。下面对本实施例采用的接地机构的结构进行详细描述。

具体地，接地机构包括接地铜箔22，该接地铜箔22呈带状，且两端分别与预沉积内衬组件15和基座12连接，如图3C所示，接地铜箔22的其中一端通过接地连接件24与基座12固定连接，且电导通；接地铜箔22的其中另一端通过接地压块25与预沉积内衬组件15固定连接，且电导通。接地铜箔22的中间部分垂落至反应腔室11的底部，并与底部腔室壁电导通，如图3B所示，从而实现预沉积内衬组件15和基座12的接地。由于接地铜箔22质地柔软，属于柔性材料，其可以随着预沉积内衬组件15和基座12的升降自由弯曲，从而无论是预沉积内衬组件15还是基座12在运动进行中，仍然可以分别使预沉积内衬组件15和基座12与底部腔室壁之间始终保持连接和电导通。

另外，在实际应用中，接地铜箔22的数量可以根据预沉积内衬组件15和基座12的接地效果设定为一个或多个，且多个接地铜箔22沿预沉积内衬组件15的周向均匀分布。

需要说明的是，在本实施例中，预沉积内衬组件15和基座12与同一接地铜箔22的两端连接，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，预沉积内衬组件15和基座12还可以采用不同的接地铜箔单独接地，即：接地机构包括第一接地铜箔和第二接地铜箔，其中，第一接地铜箔呈带状，且第一接地铜箔的一端与预沉积内衬组件15连接，另一端垂落至反应腔室11的底部，并与其底部腔室壁电导通，从而实现预沉积内衬组件15的接地。第二接地铜箔呈带状，且第二接地铜箔的一端与基座12连接，另一端垂落至反应腔室11的底部，并与其底部腔室壁电导通，从而实现基座12的接地。另外，第一接地铜箔可以根据预沉积内衬组件15的接地效果设定为一个或多个，且多个第一接地铜箔沿预沉积内衬组件15的周向均匀分布。第二接地铜箔可以根据基座12的接地效果设定为一个或多个，且多个第二接地铜箔沿基座12的周向均匀分布。

在本实施例中，顶针机构包括用于支撑晶片13的至少三个顶针21，至少三个顶针21均与预沉积内衬组件15连接，且沿基座12的周向均匀分布；并且，在基座12位于进行取放片操作的第三位置(低于上述第二位置)时，上述内衬升降机构通过驱动预沉积内衬组件15上升或下降，带动至少三个顶针21上升或下降，以使至少三个顶针21的顶端高于或低于基座12的上表面。进一步说，至少三个顶针21的顶端所在圆周的直径应小于晶片13的直径，以能够在上升过程中顶起基座12上的晶片13。而且，至少三个顶针21的顶端所在圆周的直径可以大于基座12，或者也可以小于或等于基座12，针对后一情况，可以对应地在基座12的外周壁上，沿竖直方向开设凹槽，以供顶针21通过，从而实现顶针21的顶端高于或低于基座12的上表面。

当基座12位于第三位置进行取片操作时，首先，利用内衬升降机构驱动至少三个顶针21上升，直至顶针21的顶端高于基座12，在此过程中，至少三个顶针21自基座12托起晶片13，以使晶片13与基座12相分离。然后，机械手移入反应腔室11内，并自顶针21取出晶片13，从而实现晶片13的取片操作。当基座12位于第三位置进行放片操作时，首先，利用内衬升降机构驱动至少三个顶针21上升，直至顶针21的顶端高于基座12的上表面；然后，机械手将晶片13传输至反应腔室11内，并放置于顶针21的顶端；最后，利用内衬升降机构驱动至少三个顶针21下降，直至其顶端低于基座12的上表面，在此过程中，晶片13被传递至基座12的上表面，从而实现晶片13的放片操作。

需要说明的是，在本实施例中，至少三个顶针21均与预沉积内衬组件15连接，且由内衬升降机构驱动上升或下降，但是本发明并不局限于此，在实际应用中，还可以另外设置顶针升降装置驱动至少三个顶针21上升或下降，也就是说，至少三个顶针21与预沉积内衬组件15之间相互独立，且可产生相对运动。在这种情况下，顶针机构是由至少三个顶针和顶针升降装置组成，该顶针升降装置用于驱动至少三个顶针上升或下降，以在基座位于进行取放片操作的第三位置时，使至少三个顶针的顶端高于或低于基座的上表面，从而实现晶片的取放片操作。

进一步需要说明的是，在实际应用中，还可以省去内衬升降机构，即，预沉积内衬组件相对于反应腔室固定不动。在这种情况下，预沉积内衬组件的高度应满足：当基座位于进行取放片操作的第三位置时，预沉积内衬组件与基座之间具有一定的间距，从而不会干扰基座的运动。

图4为本发明第二实施例提供的反应腔室的结构示意图。请参阅图4，本实施例提供的反应腔室与上述第一实施例相比，同样包括基座12、基座升降机构17、压环14、预沉积内衬组件30、内衬升降机构、顶针机构及接地机构。上述部件、组件或机构的结构和功能与上述第一实施例相同，由于在上述第一实施例中已有了详细描述，在此不再赘述。

本实施例与上述第一实施例相比，其区别仅在于：在预沉积内衬组件30中，环形本体的结构不同。

具体地，该环形本体包括平板301，该平板301倾斜设置，且倾斜的平板301的内径由上而下逐渐减小，即，该平板301呈“漏斗”状，这同样可以减小在压环14、基座12和预沉积内衬组件15之间形成的空间体积，进而可以减少进入该空间内的金属粒子数量。而且，在平板301的内端连接有环形的第一延伸部302，该第一延伸部302水平延伸至基座12底部的边缘区域，用以遮挡基座12与平板301之间的缝隙。

优选的，为了进一步减少自平板301的外边缘下落至反应腔室11的底部的金属粒子数量，在平板301的外端连接有环形的第二延伸部303，该第二延伸部303竖直向上延伸至与压环14的外周壁相重叠的位置处。

另外，优选的，在平板301分别与第一延伸部302和第二延伸部302的连接处设置有螺旋管结构的导电线圈(图中未示出)，用以提高不同板之间的导电性能，从而可以达到良好的接地效果。

图5为本发明第三实施例提供的反应腔室的结构示意图。请参阅图5，本实施例与上述第二实施例相比，其区别仅在于：在预沉积内衬组件30’中，平板301’的水平设置，以避免金属粒子自第一延伸部302与基座12之间的间隙滑落至反应腔室11的底部。

当然，在实际应用中，预沉积内衬组件15还可以采用其他任意结构，只要可以实现阻挡金属粒子沉积到反应腔室的底部即可。

作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种半导体加工设备，其包括本发明上述各个实施例提供的反应腔室和溅射电源，其中，在反应腔室的顶部设置有靶材，该靶材与溅射电源电连接，用以激发反应腔室内的工艺气体形成等离子体，并溅射靶材。而且，在反应腔室内还设置有用于承载和固定晶片的基座和压环、以及用于驱动该基座上升或下降的基座升降机构。压环用于在基座位于进行预沉积工艺的第二位置时，与基座相分离，从而可以保证金属粒子能够沉积到整个晶片表面；压环在基座位于进行正常工艺的第一位置时，压住晶片的边缘区域，从而实现对晶片的固定，同时与沉积在晶片表面上的金属层相接触，从而实现与晶片电导通。

本发明提供的半导体加工设备，其通过采用本发明提供的上述反应腔室，可以在进行预沉积工艺时，既实现沉积的金属层完全覆盖整个晶片表面，又可以保证反应腔室底部及其内部各个零件的清洁度，从而可以提高设备的使用寿命。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种反应腔室，包括基座、基座升降机构和压环，所述基座用于承载晶片；所述基座升降机构用于驱动所述基座上升或下降；所述压环用于在所述基座位于进行正常工艺的第一位置时压住晶片的边缘区域，且所述压环在所述基座位于进行预沉积工艺的第二位置时，与所述基座相分离，其特征在于，还包括：

预沉积内衬组件，环绕设置在所述基座和所述压环的下方，用于在进行预沉积工艺时阻挡金属粒子通过所述压环与所述基座之间的缝隙沉积到所述反应腔室的底部；

接地机构，用于分别将所述预沉积内衬组件和所述基座与所述反应腔室的底部腔室壁电导通，所述反应腔室的底部腔室壁接地；并且，

所述反应腔室还包括：

内衬升降机构，用于驱动所述预沉积内衬组件上升或下降。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述预沉积内衬组件包括环形本体，所述环形本体环绕设置在所述基座和所述压环的下方，用以阻挡所述金属粒子通过所述压环与所述基座之间的缝隙沉积到所述反应腔室的底部；

在所述环形本体的内端连接有环形的第一延伸部，所述第一延伸部水平延伸至所述基座的底部，且与其边缘区域相重叠；

所述环形本体的外径大于或等于所述压环的外径。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述环形本体与所述第一延伸部的连接处设置有螺旋管结构的导电线圈。

4.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，在所述环形本体的外端连接有环形的第二延伸部，所述第二延伸部竖直向上延伸，且其顶端位置高于所述压环的底端位置。

5.根据权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，在所述环形本体与所述第二延伸部的连接处设置有螺旋管结构的导电线圈。

6.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环形本体包括平板，

所述平板水平设置；或者，

所述平板倾斜设置，且倾斜的所述平板的内径由上而下逐渐减小。

7.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述环形本体包括第一平板和第二平板，其中

所述第一平板水平设置，所述第一平板的外径大于或等于所述压环的外径；

所述第二平板竖直设置在所述第一平板的内侧，并与所述第一平板的内端连接；所述第一延伸部与所述第二平板的内端连接。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，分别在所述第一平板和第二平板的连接处，以及所述第一延伸部与所述第二平板的连接处设置有螺旋管结构的导电线圈。

9.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述内衬升降机构包括：

提升轴，所述提升轴的上端与所述预沉积内衬组件连接，所述提升轴的下端竖直向下延伸至所述反应腔室的外部；

驱动电机，与所述提升轴的下端连接，用于驱动所述提升轴上升或下降；

波纹管，套设在所述提升轴上，用于对所述提升轴与所述反应腔室之间的间隙进行密封。

10.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括：

顶针机构，其包括用于支撑晶片的至少三个顶针，所述至少三个顶针均与所述预沉积内衬组件连接，且沿所述基座的周向均匀分布；并且，

在所述基座位于进行取放片操作的第三位置时，所述内衬升降机构通过驱动所述预沉积内衬组件上升或下降，带动所述至少三个顶针上升或下降，以使所述至少三个顶针的顶端高于或低于所述基座的上表面。

11.根据权利要求1-8任意一项所述的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室还包括：

顶针机构，其包括：

至少三个顶针，沿所述基座的周向均匀分布，用于支撑晶片；

顶针升降装置，用于驱动所述至少三个顶针上升或下降，以在所述基座位于进行取放片操作的第三位置时，使所述至少三个顶针的顶端高于或低于所述基座的上表面。

12.一种半导体加工设备，其特征在于，包括权利要求1-11任意一项所述的反应腔室和溅射电源，其中，在所述反应腔室的顶部设置有靶材，所述靶材与所述溅射电源电连接；在所述反应腔室内还设置有用于承载和固定晶片的基座和压环、以及用于驱动所述基座上升或下降的基座升降机构；所述压环用于在所述基座位于进行正常工艺的第一位置时压住晶片的边缘区域，且所述压环在所述基座位于进行预沉积工艺的第二位置时，与所述基座相分离。