CN107710227A - 指纹感测装置和用于制造指纹感测装置的方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种用于感测手指的指纹图案的电容式指纹感测装置,所述电容式指纹感测装置包括:待被所述手指触摸的保护顶层;第一金属层,所述第一金属层包括被布置在所述顶层下面的感测结构的二维阵列;布置在所述第一金属层下面的第二金属层,所述第二金属层包括多个导电结构;布置在第一金属层与第二金属层之间的介电层,所述介电层用于使第一金属层与第二金属层电绝缘,所述介电层包括低k材料;以及读出电路系统,所述读出电路系统被布置在所述第二金属层下面并且通过通孔连接件耦接至导电感测结构中的每一个,以接收表示所述手指与所述感测结构之间的距离的感测信号。还提供了一种用于制造这种装置的方法。
Description
技术领域
本发明涉及指纹感测装置。特别地,本发明涉及适合于在厚盖层下使用的指纹感测装置。
背景技术
各种类型的生物识别系统被越来越多地使用,以便提供提高的安全性和/或增强的用户方便性。特别地,因为指纹感测系统的小形状因子、高性能和用户接受性,指纹感测系统已经被采用于例如消费电子装置中。
在各种可用的指纹感测原理(例如,电容式、光学式、热传式等)中,电容式感测最常被使用,特别是在尺寸和功率消耗为重要课题的应用中。所有电容式指纹传感器提供表示若干个感测结构中的每一个感测结构与放置在指纹传感器的表面上或跨指纹传感器的表面移动的手指之间的电容的测量值。
由于典型指纹图案中所包含的几何形状,纹脊和纹谷之间的电容差可以被视为小。另外,在电容式感测元件与手指之间通常需要不同的材料。这些材料增加了手指与感测元件之间的距离,并且因此将不可避免地进一步降低纹脊和纹谷之间所感测到的电容差。例如,移动装置中的电容式指纹传感器的一些实现方式需要指纹传感器被能够视为非常厚的材料(例如,移动电话中的盖玻璃)覆盖。这些实现方式将大幅降低传感器的动态范围。
当进一步增加感测元件与手指之间的距离时,纹脊和纹谷之间的电容耦合差会快速达到小于感测装置的系统噪声底层值或甚至更小的量级。为了提高感测性能,因此期望降低噪声底层值。
因此,当不能在没有明显成本的情况下通过改变信号放大和读出的结构或大小来进一步改善信噪比时,期望改善感测元件的条件。
发明内容
鉴于现有技术的上述和其他缺点,本发明的目的是提供一种呈现提高的信噪比的改善的指纹感测装置。
根据本发明的第一方面,提供了一种用于感测手指的指纹图案的电容式指纹感测装置,所述电容式指纹感测装置包括:待被所述手指触摸的保护顶层;第一金属层,所述第一金属层包括被布置在所述顶层下面的感测结构的二维阵列;布置在所述第一金属层下面的第二金属层,所述第二金属层包括多个导电结构;布置在第一金属层与第二金属层之间的介电层,所述介电层用于使第一金属层与第二金属层电绝缘,所述介电层包括低k材料;以及读出电路系统,所述读出电路系统被布置在所述第二金属层下面并且通过通孔连接件耦接至导电感测结构中的每一个,以接收表示所述手指与所述感测结构之间的距离的感测信号。
在本文中,保护顶层通常是介电层,该介电层可以为单层或者可以包括多个堆叠层。此外,该层为介电性的意味着该层是非导电的并且可以表示平行板电容器中的电介质,其中,两个电容器板由放置在感测装置的外表面上的手指和每一个导电感测结构来代表。因此,导电感测结构被布置在顶层下面不排除可以在感测结构和感测装置的外表面之间布置另外的层的可能性。例如,保护介电顶层可以包括盖玻璃、显示玻璃、以及包覆层、其他涂层等。
在半导体制造领域中,术语“低k”用来描述相对介电常数(即k值)低于二氧化硅的相对介电常数的介电材料。
此外,导电感测结构被布置在二维阵列中应当被解释成意味着该阵列沿两个方向延伸,也就是说,该阵列在xy平面中延伸,其中在x与y两个方向中有多个感测元件。因此,与线传感器不同,指纹感测装置被视为面传感器。此外,阵列应当被解释成相似对象(在此为感测结构)的系统性布置。因此,感测结构被布置成规则图案。作为总体,阵列可以具有规则外形,例如,方形外形或矩形外形。然而,阵列也可以具有圆形外形、任意形式外形或不规则外形。
读出电路系统被布置成从每一个主动感测结构接收感测信号以及组合多个感测信号以形成指纹图像。
因此,本发明基于如下认识:指纹感测装置的信噪比(SNR)可以通过减小导电感测结构和定位在感测结构下面并且被包括在感测装置的像素中的导电结构之间的电容从而减少电容性串扰来得到改善。特别地,本发明通过减小对于指纹感测ASIC中的寄生电容的主要贡献中之一来改善SNR。
在感测结构与在下面的导电结构之间的寄生电容Cpar增加了放大从感测结构接收到的感测信号的像素放大器——即读出电路系统的像素放大器,通常包括运算放大器(op-amp)——的固有噪声的放大倍数。噪声增量noiseGain可以被估计为noiseGain=(Cpar+Cgain+Cuse)/CGain,其中,CGain为确定像素放大倍数的反馈电容,并且Cuse为有用电容——即用于形成感测信号的有用电容。
总像素噪声设定可以被检测的信号大小的基本限制,其中,总像素噪声为放大器的固有噪声乘以噪声增益(noiseGain)。因此,像素性能可以通过减小寄生电容而得到改善,在本文中通过将低k材料布置在感测结构与导电结构之间来实现减小寄生电容。
指纹感测装置包括多个金属层以提供各种装置功能,其中,顶金属层(即第一金属层)用于形成电容性感测结构。如上面讨论,不期望的寄生电容出现在电容性感测结构和在下面的金属层(即第二金属层)中的电浮置金属结构之间。可以假设仅在第一层中的感测结构和第二层的金属结构之间存在电容耦合。
原则上,可以通过增加第一金属层和第二金属层之间的介电层的厚度来减小寄生电容。然而,因为通孔连接件的尺寸与介电层的厚度成正比,所以介电层不能太厚,以便满足通孔连接件的宽深比要求。换言之,厚的介电层可能使得通孔连接件太大,从而使得它们占据其他部件所需要的空间。
因此,可以通过利用低k介电质在介电层的厚度和通孔连接件尺寸之间找到合适的折中,在这种情况下,可以减小电容耦合而不会过度增加介电层的厚度。
此外,在一些情况下,第一金属层和第二金属层的结构之间的电容可能是被期望的,因为第二金属层被连接至在下面的金属层中需要电容器来起作用的特征部和部件。因此,第一金属层和第二金属层的结构之间的电容不能被完全移除。
根据本发明的一个实施方式,介电层可以有利地包括有机聚合物,其可以被配置成具有低k并且可以沉积在足够厚的层中而在材料中有极少应力,从而有助于过程整合。
在本发明的一个实施方式中,介电层的厚度可以为至少3μm,并且优选地为至少10μm。因为两个导电板之间的电容与这些板之间的距离成反比,所以期望增加感测结构和在下面的导电板之间的距离,即介电层的厚度,但不增加该厚度太多而使得通孔连接件的尺寸成为问题。
根据本发明的一个实施方式,低k材料介电层的介电常数k优选地在1<k<3.9的范围内。如果绝缘材料具有低于3.9(此为SiO2的介电常数)的介电常数,则该绝缘材料通常被称为低k材料。电容与介电常数成反比,使得期望选择具有最低可能的介电常数的介电材料。
在本发明的一个实施方式中,其中,介电层可以为聚苯并二恶唑(PBO)、聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB),其全部的介电常数在约2.5至3.3的范围内。因此,全部材料均可以被视为所谓的低k材料并且它们的材料特性还使得它们适合于整合在用于制造指纹感测装置的制造过程中。
根据本发明的一个实施方式,介电层以干膜形式提供。干膜可以通过层压即通过使用干膜层压技术(例如,热压接合)被施加至装置,这在不能使用诸如旋涂和喷涂的沉积方法的情况下提供了利用标准后端处理技术的替选制造过程。与使用干膜有关的另外的优点是干膜的良好定义的材料特性,例如,由于预制造膜导致的高厚度均匀性和低缺陷浓度。
根据本发明的一个实施方式,感测装置可以包括第二金属层的被布置在第一金属层的感测结构的正下方的金属结构,该金属结构的面积小于感测结构的面积。可以假设,第二层的金属结构为总像素结构的一部分,总像素结构包括在若干个不同金属层中的部分,其中在顶金属层中的感测结构限定了像素的感测区域。
根据本发明的一个实施方式,介电层的厚度和介电常数可以基于第一层的感测结构和第二金属层的在下面的金属结构之间的期望电容来选择。期望电容可以是像素的功能所需要的电容,其中,金属结构通过一个或更多个通孔连接件电连接至其他部件以提供期望电容。
根据本发明的第二方面,提供了一种用于制造指纹感测装置的方法,该方法包括:提供基板,该基板包括布置在基板的表面上的金属层中的多个金属结构以及定位在基板内的指纹读出电路系统;提供覆盖基板的低k介电层;在介电层中形成通孔连接件开口;在介电层上沉积顶金属层以形成通孔连接件,使得每一个感测结构通过通孔连接件连接至对应的读出电路系统;以及图案化顶金属层以形成感测结构的二维阵列。
包括金属结构和相关联的指纹读出电路系统的基板可以根据常规的CMOS处理技术来制造。例如,基板可以为包括多个指纹传感器芯片的硅晶片。
此外,根据上述制造方法,通孔连接件金属化可以在与形成感测结构的金属层相同的过程步骤中被执行。因而,通孔互连件形成不需要单独的过程步骤。
上述制造方法还允许单独的过程步骤,其中,包括读出电路系统的基板可以被单独制造,其后形成通孔连接件和感测结构。
根据本发明的一个实施方式,介电层可以使用旋涂或喷涂来沉积,或者介电层可以使用干膜层压来沉积。
根据本发明的一个实施方式,介电层中的开口可以使用光刻和蚀刻或直接激光结构化来形成。
根据本发明的一个实施方式,金属层可以使用溅射来沉积。因此,溅射可以用于形成通孔连接件和感测结构两者。还可以使用电沉积来形成顶金属层,在该情况下,可以例如通过溅射来沉积金属晶种层(seed layer)。
此外,顶金属层可以使用光刻来图案化以形成感测结构。
本发明的第二方面的另外的效果和特征大部分类似于以上结合本发明的第一方面描述的效果和特征。
在研究所附权利要求书和以下描述时,本发明的另外的特征以及优点将变得明显。本领域技术人员认识到在不脱离本发明的范围的情况下,可以组合本发明的不同的特征来创建除了下面所描述的那些实施方式之外的实施方式。
附图说明
现在将参照附图更详细地描述本发明的这些和其他方面,附图示出了本发明的示例性实施方式,其中:
图1示意性示出包括指纹感测装置的移动电话;
图2示意性示出根据本发明的实施方式的指纹感测装置;
图3示意性示出根据本发明的实施方式的指纹感测装置的一部分;
图4是概述根据本发明的实施方式的方法的大体步骤的流程图;以及
图5A至图5D示意性示出根据本发明的实施方式的制造方法。
具体实施方式
在本详细描述中,根据本发明的装置和方法的各种实施方式主要参照电容式指纹感测装置和用于制造这种装置的方法来描述。
图1示意性示出根据本发明的示例性实施方式的指纹感测装置102的应用,该应用的形式为具有集成的指纹感测装置102的移动电话100。指纹感测装置在此示出为被布置在移动电话100的盖玻璃下面。指纹感测装置102也可以被布置在电话的按钮中、侧边、或背面。
例如,指纹感测装置102可以用于解锁移动电话100和/或用于授权使用移动电话执行的交易等。根据本发明的各种实施方式的指纹感测装置102也可以用于其他装置,例如,平板计算机、膝上型计算机、智能卡、或其他类型的消费电子装置。
图2是用于感测手指202的指纹图案的电容式指纹感测装置200的一部分的示意图。指纹感测装置包括:待被手指触摸的保护顶层204;第一金属层,该第一金属层包括被布置在顶层204下面的感测结构208的二维阵列;布置在第一金属层下面的第二金属层,该第二金属层包括多个导电结构212;布置在第一金属层与第二金属层之间的介电层216,介电层216用于使第一金属层与第二金属层电绝缘,介电层216包括低k材料。第二金属层还包括用于通孔连接件接触的小型金属结构222,有时被称为“着陆垫”。感测装置200还包括读出电路系统218,读出电路系统218被布置在第二金属层下面并且通过通孔连接件214耦接至导电感测结构208中的每一个,以接收表示手指202与感测结构208之间的距离的感测信号。通孔连接件穿通感测结构208和着陆垫222之间的介电层216。
读出电路系统218可以被视为包括在基板220中。例如,基板220可以为硅基板并且指纹感测装置200可以使用常规的硅兼容制造技术来制造。在此,手指202被示出为接触感测装置200的感测表面的指纹脊。
应当注意,尽管基板220和顶层204在此被示出为单层,但是两者可以包括多个层,即由多层堆叠组成。
图3示意性示出放置在传感器上的手指202和感测结构208之间的电容302。在感测结构208和在第二金属层中的在下面的金属结构之间还有寄生电容304。在第二层中存在导电金属结构的一个原因可能部分地与由制造限制所规定的在下面的金属层中的金属的最小可允许量有关,其中,包含太少金属的金属层可能无法被可靠地制造。在第二金属层中还可以有与指纹感测装置的其他功能有关的结构。这由感测结构208和在下面的金属结构208之间的电容306示出。
为了减小寄生电容304,在第一金属层206和第二金属层210之间布置有低k介电层216。因为寄生电容与介电层216的介电常数(即k值)成正比并且与介电层216的厚度成反比,所以期望最小化介电层216的介电常数并且最大化介电层216的厚度。
半导体处理中通常使用的介电材料是介电常数为3.9的SiO2,并且最低可能的介电常数为空气的介电常数1。因此,低k材料的k值在1和3.9之间。已经发现,有机聚合物并且特别是聚苯并二恶唑(PBO)或聚酰亚胺用于形成介电层是有利的,其中,PBO的k值在2.9至3.2的范围内,并且聚酰亚胺的k值在2.8至3.3的范围内。此外,待使用的有机介电材料可以包括k值为2.65的苯并环丁烯(BCB)以及k值为2.1的聚四氟乙烯(PTFE)。
介电层的厚度为至少3μm,并且优选地为至少10μm。这应该结合感测结构208和手指202之间的距离来审视,所述距离可以为数百微米,例如,如果感测装置布置在电子装置的盖玻璃或显示玻璃下时,所述距离为至少500μm。此外,感测结构的尺寸通常约50μm,并且通孔连接件的直径为约5μm。
图4的流程图描述了根据本发明的实施方式的方法,这将参照示意性示出制造方法的步骤的图5A至图5E来讨论。
首先,提供402基板220,基板220包括多个金属结构212和着陆垫222,如图5A中所示。如从装置的顶部看去,即从感测装置200的感测表面看去,金属结构212被布置在第二金属层中。还假设基板220包括用于形成指纹图像所需要的相关联的读出电路系统。
接下来,提供404低k介电层216以覆盖基板220,包括覆盖金属结构212,如图5B中所示。例如,低k介电层216可以通过旋涂、喷涂、或通过干膜层压来沉积。在此,重要的是获得介电层216的良好厚度均匀性以便符合其他过程公差。
在已经沉积介电层216之后,图5C示出在介电层216中形成406开口502以为到在下面的读出电路系统的通孔连接件做准备。开口在对应于着陆垫222的位置处形成,穿通介电层216到达着陆垫。接下来,沉积408顶金属层——即第一金属层,使得开口502被填充以在第一金属层与读出电路系统之间形成通孔连接件214。例如,顶金属层可以使用溅射和/或电沉积来沉积。因此,用于形成通孔连接件214和感测结构208的金属在相同过程步骤中被沉积。
最后,使用光刻或激光蚀刻图案化410顶金属层以形成感测结构208的二维阵列,其也可以被称为像素阵列。每一个感测结构连接至对应的读出电路系统218,如图5D中所示。
此外,像素阵列可以被另外的层——例如模塑层(mold layer)——覆盖以保护感测结构208。感测装置还可以包括通过粘合剂附接的保护板或盖玻璃,使得保护板形成感测装置的外表面。
虽然已经参照本发明的具体示例性实施方式描述了本发明,但是许多不同的变更、修改等对于本领域技术人员将变得明显。此外,应当注意,可以以各种方式省略、互换或布置装置和方法的一部分,只要装置和方法仍能够执行本发明的功能即可。
此外,根据对附图、公开内容和所附权利要求书的研究,本领域技术人员在实践所要求保护的本发明时可以理解和实现所公开的实施方式的变型。在权利要求书中,词语“包括”不排除其他元件或步骤,并且不定冠词(“a”或“an”)不排除多个。在相互不同的从属权利要求中描述的特定手段的事实不表示使用这些手段的组合没有优点。
Claims (15)
1.一种用于感测手指(202)的指纹图案的电容式指纹感测装置(200),所述电容式指纹感测装置包括:
待被所述手指触摸的保护顶层(204);
第一金属层,所述第一金属层包括被布置在所述顶层下面的感测结构(208)的二维阵列;
布置在所述第一金属层下面的第二金属层,所述第二金属层包括多个导电结构(212);
布置在所述第一金属层与所述第二金属层之间的介电层(216),所述介电层用于使所述第一金属层与所述第二金属层电绝缘,所述介电层包括被配置成减小所述第一金属层与所述第二金属层之间的电容耦合的低k材料,从而减少所述感测结构与所述导电结构之间的电容性串扰;以及
读出电路系统(218),所述读出电路系统被布置在所述第二金属层下面并且通过通孔连接件(214)耦接至导电感测结构中的每一个,以接收表示所述手指与所述感测结构之间的距离的感测信号。
2.根据权利要求1所述的感测装置,其中,所述介电层包括有机聚合物。
3.根据权利要求1或2所述的感测装置,其中,所述介电层的厚度为至少3μm,并且优选地为至少10μm。
4.根据前述权利要求中任一项所述的感测装置,其中,低k材料介电层的介电常数k在1<k<3.9的范围内。
5.根据前述权利要求中任一项所述的感测装置,其中,所述介电层为聚苯并二恶唑(PBO)、聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)。
6.根据前述权利要求中任一项所述的感测装置,其中,所述介电层以干膜形式提供。
7.根据前述权利要求中任一项所述的感测装置,包括所述第二金属层的布置在所述第一金属层的感测结构的正下方的金属结构,所述金属结构的面积小于所述感测结构的面积。
8.根据权利要求7所述的感测装置,其中,所述介电层的厚度和介电常数基于第一层的感测结构与所述第二金属层的在下面的金属结构之间的期望电容来选择。
9.一种用于制造指纹感测装置的方法,所述方法包括:
提供基板,所述基板包括布置在所述基板的表面上的金属层中的多个金属结构以及定位在所述基板内的指纹读出电路系统;
提供覆盖所述基板的低k介电层;
在所述介电层中形成通孔连接件开口;
在所述介电层上沉积顶金属层以形成通孔连接件,使得每一个感测结构通过所述通孔连接件连接至对应的读出电路系统;以及
图案化所述顶金属层以形成感测结构的二维阵列,其中,低k层被配置成减小第一金属层与第二金属层之间的电容耦合,从而减少所述感测结构与导电结构之间的电容性串扰。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述介电层使用旋涂或喷涂来沉积。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其中,所述介电层使用干膜层压来沉积。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的方法,其中,所述介电层包括有机聚合物。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的方法,其中,所述金属层使用溅射来沉积。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的方法,还包括金属的电沉积以形成所述顶金属层。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的方法,其中,所述介电层中的所述开口使用光刻或直接激光结构化来形成。
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