CN107703168A - 一种晶体衍射信号获取方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种晶体衍射信号获取方法,通过采用W靶X射线管,并用铅块屏蔽透射X射线,并加装滤波片减少干扰,可在面探测器上获得清晰的衍射图像。本发明方法可穿透3mm厚的铁,40mm厚的铝,快速获得晶体材料从表层到内部的衍射信号,有利于材料内部的物相、织构和应力分析。
Description
技术领域
本发明涉及材料检测技术领域,特别是X射线衍射分析技术。
背景技术
目前,通常采用X射线衍射法对材料的晶体结构进行分析。传统X射线衍射仪采用波长较长的特征X射线作为辐射源,如Cu靶、Fe靶、Cr靶X射线管发出的特征X射线(特征X射线波长为0.07nm~0.3nm),对常见晶体材料的穿透深度约为10微米,无法获得材料内部的结构信息。另外,由于采用点探测器,数据采集效率较低,采集时间从数分钟到数小时。
为提高检测效率,有人提出采用面探测器接收X射线衍射信号的方法。X射线面探测器系统使传统的零维或一维衍射信息变成二维衍射信息,可同时采集百万个衍射数据,极大地提高了衍射信息的采集数量和采集效率(陈冷,毛卫民,冯惠平。用X射线面探测器系统在线检测钢板织构,2001年中国钢铁年会论文集),采集时间为数秒到数十秒,分析效率大大提高,该技术在晶体结构信息分析,如物相分析、单晶取向分析和材料织构分析等的在线检测方面有巨大的应用前景。但受限于X射线源的穿透能力,其应用受到一定的限制(杨中玉,张津,郭学博,计鹏飞。铝合金的织构及测试分析研究进展,精密成形工程,2013)。
发明内容
针对上述不足,本发明提供一种晶体衍射信号获取方法。该方法可穿透3mm厚的铁,40mm厚的铝,快速获得晶体材料从表层到内部的衍射信号,有利于材料内部的物相、织构和应力分析。
本发明的技术方案:一种晶体衍射信号获取方法,步骤为
步骤一,将铁粉标样置于X射线管光路中心;
步骤二,采用面探测器获取X射线衍射信号,使面探测器表面与入射X射线垂直;
步骤三,在面探测器前方对应X射线透射的位置安装铅块;
步骤四,开启X射线管,采用低电压、低电流,通过样品成像情况调整铅块位置,使之完全挡住透射X射线;
步骤五,增加X射线管的电压和电流,设置探测器的参数;
步骤六,根据衍射信号在面探测器上的分布情况,调整探测器与样品的距离,直至可采集清晰地衍射信号;
步骤七,关闭X射线管,取下铁粉标样,换上待分析样品;
步骤八,设置X射线管的工作电压、电流及探测器工作参数;
步骤九,开启X射线管,待X射线管电压、电流达到设定值后,采集衍射信号,信号采集完毕后,探测器保存数据。
所述X射线为W靶X射线管。
所述步骤五中X射线管的电压为200kV,电流为3mA。在该电压下,X射线管可同时激发出能量不同的WKα和WKβ射线,但WKα的强度是WKβ的10倍以上。在进行衍射分析时,WKβ的衍射信号会对WKα的衍射信号产生干扰,因此需想办法减弱WKβ的强度。
所述步骤1中铁粉标样厚度为3mm。
所述步骤6中清晰的衍射信号为至少3个衍射环。
所述X射线管前方设置有入射准直器中,入射准直器上安装有Hf滤波片。
所述Hf滤波片为0.05mm~0.08mm厚。
增加Hf滤片后的优点是避免WKβ的衍射信号对WKα衍射信号的干扰。
所述铅块厚度大于等于20mm。
本发明方法采用W靶X射线管作为射线源,穿透能力强,根据物质与X射线相互作用的公式计算得知,WKα可穿透3mm厚的铁,40mm厚的铝;配合采用面阵探测器,可快速获得晶体材料从表层到内部的衍射信号;采用铅块屏蔽透射X射线,消除了干扰,提高了探测准确性;增加Hf滤片后避免了WKβ的衍射信号对WKα衍射信号的干扰;本发明方法有利于材料内部的物相、织构和应力分析。
附图说明
图1是材料衍射信号采集原理图;
图2是无滤波片时3mm厚Fe粉的衍射图像;
图3是有Hf滤波片时3mm厚Fe粉的衍射图像;
图4是9mm厚铝板的衍射图像;
图中:1—X射线管;2—准直器;3—Hf滤波片;4—样品;5—面探测器;6—铅块。
具体实施方式
实施例1
在WKα的穿透能力范围内,采用透射式光路对材料表层至内部的结构信息进行检测,原理如图1所示。具体方案为:
步骤一,将3mm厚铁粉样品置于光路中心,使样品与X射线管和探测器等距。铁粉样品采用平均粒径为80μm的退火铁粉制作;
步骤二,安装面探测器,使面探测器表面与入射X射线垂直;
步骤三,在面探测器上对应X射线直射的位置安装20mm厚的铅块,遮挡透射X射线;
步骤四,设置X射线管的电压为200kV,电流为3mA,开启X射线;
步骤五:设置面探测器的采集时间,为30s,采集铁粉样品的衍射信号;
步骤六,根据衍射信号在面探测器上的分布情况,调整探测器距样品的距离,直至可采集3至4个衍射环,图像如图2所示。
实施例2
在入射光路中加装Hf滤波片,对入射X射线进行单色化处理,滤除WKβ射线,避免其对衍射图像的影响。具体方案为:
步骤一,将0.06mm厚Hf滤波片置于入射准直器后端,使之完全遮蔽准直器通道;
步骤二,将3mm厚铁粉样品置于光路中心;
步骤三,安装面探测器,使面探测器表面与入射X射线垂直;
步骤四,在面探测器上对应X射线直射的位置安装20mm厚的铅块,遮挡透射X射线;
步骤五,设置X射线管的电压为200kV,电流为3mA,开启X射线;
步骤六:设置面探测器的采集时间,为30s,采集铁粉样品的衍射信号;
步骤七,根据衍射信号在面探测器上的分布情况,调整探测器距样品的距离,直至可获得3至4个衍射环,图像如图3所示,为WKα射线发生衍射所得的图像。图中每个衍射环代表一组晶面。晶面指数的确定过程为:
(1) 测量样品厚度中心到探测器的距离L;
(2) 测量待标定衍射环的半径r;
(3) 由L、r值计算布拉格角θ,θ=1/2 arctan(r/L);
(4) 将布拉格角θ代入布拉格方程2dsinθ=λ,计算得到与衍射环对应晶面的晶面间距d值,将d值与粉末衍射卡片(PDF卡)比对,即可确定与衍射环对应晶面的晶面指数。经计算和比对,得到图中所示(110)、(200)和(211)晶面。
对比图2、图3,可以发现,加装Hf滤波片后,临近的、易相互干扰衍射环减少,图像更清晰。
实施例3
在WKα的穿透能力范围内,采用透射式光路对材料表层至内部的结构信息进行检测,原理如图1所示。具体方案为:
步骤一,将0.06mm厚Hf滤波片置于准直器后端,使之完全遮蔽准直器通道;
步骤二,将9mm厚铝合金样品置于光路中心;
步骤三,安装面探测器,使面探测器表面与入射X射线垂直;
步骤四,在面探测器上对应X射线直射的位置安装20mm厚的铅块,遮挡直射X射线;
步骤五,设置X射线管的电压为200kV,电流为3mA,开启X射线;
步骤六:设置面探测器的采集时间为20s,采集样品的衍射信号;
步骤七,根据衍射信号在面探测器上的分布情况,调整探测器距样品的距离,直至可采集3至4个衍射环,衍射图像见图4。采用与实施例2相同的标定方法,即可完成衍射环晶面指数的标定,各衍射环对应的晶面分别为(111)、(200)、(220)和(311)。从图像可以看出,各晶面对应衍射环的强度分布并不均匀,在某些方向得到加强,这是由铝合金板中存在的织构引起的。
Claims (8)
1.一种晶体衍射信号获取方法,步骤为
步骤一,将铁粉标样置于X射线管光路中心;
步骤二,采用面探测器获取X射线衍射信号,使面探测器表面与入射X射线垂直;
步骤三,在面探测器前方对应X射线透射的位置安装铅块;
步骤四,开启X射线管,采用低电压、低电流,通过样品成像情况调整铅块位置,使之完全挡住透射X射线;
步骤五,增加X射线管的电压和电流,设置探测器的参数;
步骤六,根据衍射信号在面探测器上的分布情况,调整探测器与样品的距离,直至可采集清晰的衍射信号;
步骤七,关闭X射线管,取下铁粉标样,换上待分析样品;
步骤八,设置X射线管的工作电压、电流及探测器工作参数;
步骤九,开启X射线管,待X射线管电压、电流达到设定值后,采集衍射信号,信号采集完毕后,探测器保存数据。
2.根据权利要求1所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述X射线为W靶X射线管。
3.根据权利要求1或2所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述步骤五中X射线管的电压为200kV,电流为3mA。
4.根据权利要求1或2所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述步骤1中铁粉标样厚度为3mm。
5.根据权利要求1所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述步骤6中清晰的衍射信号为至少3个衍射环。
6.根据权利要求1或2所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述X射线管前方设置有入射准直器中,入射准直器上安装有Hf滤波片。
7.根据权利要求6所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述Hf滤波片厚度为0.05至0.08mm。
8.根据权利要求1或2所述一种晶体衍射信号获取方法,其特征在于,所述铅块厚度大于等于20mm。
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