CN107689410B - 发光二极管显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种发光二极管显示装置,包含一发光二极管以及一基板。该发光二极管包含一中心轴,且该基板包含一第一连接部以及一第二连接部。该发光二极管的该中心轴穿过该第一连接部。该第二连接部设置于该第一连接部的外周围且与该第一连接部相隔一大于零的距离,且该第一连接部与该第二连接部分别与该发光二极管电连接。

Description

发光二极管显示装置
技术领域
本发明涉及一种发光二极管显示装置,特别是涉及一种利用流体自组装的方式所组成的发光二极管显示装置。
背景技术
电子显示装置为一转换电子信号至可见图像的光电装置,使观看者可观看上述电子信号中所负载的信息。近年来,电子显示装置例如液晶显示装置(Liquid crystaldisplay)及有机电激发光二极管显示装置(Organic electro luminescence display)等相关产品已相当普及。
为了进一步减少显示装置的体积,微型发光二极管显示装置(Micro-light-emitting-diode display)是一种有效的解决方案。相较于其他类型的显示装置,微型发光二极管显示装置不仅体积小,更具有高对比、低功率消耗以及快速的反应时间等优点。
然而,由于微型发光二极管的尺寸相当微小,因此在制作的过程中,主要的问题在于如何正确地且稳定地将每一个微型发光二极管组装于显示装置的一驱动背板(drivingbackplane)上。
有鉴于此,一种准确且稳定地将每一个微型发光二极管组装于驱动背板(drivingbackplane)上便是现在值得研究的一个课题。
发明内容
有鉴于此,本发明提出一种发光二极管显示装置,以解决上述的问题。
在一实施例中,本发明提供一种发光二极管显示装置,包含一发光二极管以及一基板。该发光二极管包含一中心轴。该基板包含一第一连接部以及一第二连接部。该发光二极管的该中心轴穿过该第一连接部,该第二连接部设置于该第一连接部的外周围且与该第一连接部相隔一大于零的距离,且该第一连接部与该第二连接部分别与该发光二极管电连接。
在部分实施例中,本发明另提供一种发光二极管显示装置,包含一基板以及多个发光二极管。该基板具有多个凹槽,各该凹槽内设置有一电性接点。该些发光二极管配置以安装于该些凹槽,各该发光二极管具有一本体、一第一接点、一第二接点以及一第一介电层。该第一接点以及该第二接点设置于该本体上,且该第一接点与该第二接点分别通过相对应的该电性接点电连接于该基板。
本发明提供一种应用于显示器的发光二极管显示装置,包含有具有多个凹槽的基板以及多个微型发光二极管。其中,每一个微型发光二极管上可设置有至少一介电层,使得在流体自组装的过程中,微型发光二极管可以受到外加电场的影响而被驱动至基板上相对应的凹槽,用于正确地组装于相对应的凹槽上。微型发光二极管的本体也可设计为长方体或梯形体,通过这样的设计,微型发光二极管可以更正确地安装于基板上相对应的凹槽。
此外,凹槽中对应于微型发光二极管的正极的连接垫(例如第一连接部)可配置为圆形结构,且凹槽中对应于微型发光二极管的负极的连接垫(例如第二连接部)可配置为环形结构,因此可以使得微型发光二极管安装于凹槽内时,微型发光二极管的正极与负极可以准确地接触到相对应的连接垫。
附图说明
图1为本发明第一实施例的发光二极管显示装置的示意图;
图2为本发明第二实施例的发光二极管显示装置的示意图;
图3与图4为本发明第三实施例的发光二极管显示装置的示意图;
图5为本发明第四实施例的发光二极管于流道中的下视图;
图6为本发明第五实施例的发光二极管显示装置的示意图;
图7为本发明第六实施例的发光二极管显示装置的示意图;
图8为本发明第七实施例的发光二极管显示装置的示意图;
图9为本发明一实施例的第一驱动电路的示意图;
图10为本发明另一实施例的第二驱动电路的示意图;
图11为本发明第八实施例的发光二极管显示装置示意图;
图12为图11中基板与凹槽的上视图;
图13为本发明第九实施例的发光二极管显示装置的示意图;
图14为图13中基板与凹槽的上视图;
图15为本发明第十实施例的基板与凹槽的上视图;图16为图15中沿A-A’线段的剖视图;
图17为本发明第十一实施例的基板的剖视图;
图18为本发明第十二实施例的基板的剖视图。
符号说明
100 发光二极管显示装置
100A~100K 发光二极管显示装置
101 金属层
102 基板
102A~100C 基板
103 驱动电路层
104 凹槽
104A 凹槽
105 绝缘层
106 凹槽
107 底层
108 凹槽
109 侧墙结构
110 第一驱动电路
112 第一连接部
1121 圆形部
1122 凸出部
114 第二连接部
116 第一贯孔
118 第二贯孔
120 第二驱动电路
200 发光二极管
200A~200I 发光二极管
202 本体
2021 第一侧面
2022 第二侧面
204 第一接点
206 第二接点
208 第一介电层
210 第二介电层
212 第三介电层
214 第四介电层
A1 主动区
A2 非主动区
AC 交流电压
C 中心轴
D1 直径
D2 直径
D3 孔径
DC1 直径
DC2 直径
E1 电场
E2 电场
EC1 电性接点
EC2 电性接点
EM 驱动信号
EM1 第一驱动信号
EM2 第二驱动信号
H 凹孔
M1 第一晶体管
M2 第二晶体管
M3 第三晶体管
M4 第四晶体管
M5 第五晶体管
P1 位置
P2 位置
S 斜坡结构
VDD 第一直流电压
VSS 第二直流电压
W1 宽度
W2 宽度
具体实施方式
为了让本发明的目的、特征、及优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附的附图做详细说明。其中,实施例中的各元件的配置是为说明之用,并非用以限制本发明。且实施例中附图标号的部分重复,是为了简化说明,并非意指不同实施例之间的关联性。以下实施例中所提到的方向用语,例如:上、下、左、右、前或后等,仅是参考附加的附图的方向。因此,使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。
必需了解的是,为特别描述或图示的元件可以此技术人士所熟知的各种形式存在。此外,当某层在其它层或基板「上」时,有可能是指「直接」在其它层或基板上,或指某层在其它层或基板上,或指其它层或基板之间夹设其它层。
此外,实施例中可能使用相对性的用语,例如「较低」或「底部」及「较高」或「顶部」,以描述图示的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是,如果将图示的装置翻转使其上下颠倒,则所叙述在「较低」侧的元件将会成为在「较高」侧的元件。
在此,「约」、「大约」的用语通常表示在一给定值或范围的20%之内,较佳是10%之内,且更佳是5%之内。在此给定的数量为大约的数量,意即在没有特定说明的情况下,仍可隐含「约」、「大约」的含义。
[第一实施例]
请参考图1,图1为本发明第一实施例的发光二极管显示装置100的示意图。在此实施例中,发光二极管显示装置100包含一基板102以及多个发光二极管200(为了简化说明,本实施例仅画出一发光二极管200),该些发光二极管200可为微型发光二极管(Micro-Light-Emitting-Diode)。其中,基板102上可包含一驱动电路层103、一绝缘层105以及一底层107,驱动电路层103设置于底层107上,且绝缘层105设置于驱动电路层103上并形成有多个凹槽。为了方便说明,于此实施例中仅表示有二凹槽104以及106。发光二极管200是配置以安装于凹槽104与凹槽106,且发光二极管200包含有一本体202、第一接点204、第二接点206以及一第一介电层208。于此实施例中,本体202为一正方体或长方体,并且具有一第一侧面2021以及一第二侧面2022。第一接点204、第二接点206以及第一介电层208是设置于本体202的相同侧,例如设置于本体202的第一侧面2021。
当要进行流体自组装(Fluid Self-Assembly)时,发光二极管200与基板102是沉浸在一流体中(图中未表示),此时发光二极管200是位于图1中的位置P1,并且第一接点204与第二接点206是朝向上方。当一电场E1外加于发光二极管显示装置100时,发光二极管200上的第一介电层208会受到电场影响而极化,使得第一介电层208相对应产生正电荷。因此,此极化后的发光二极管200会受到电场E1的驱动而以X轴为轴翻转至位置P2,并且发光二极管200会朝基板102继续前进,使得第一接点204与第二接点206可以分别卡合于凹槽104与凹槽106,以使发光二极管200安装于基板102上。此时第一接点204与第二接点206会分别接触凹槽104与凹槽106中的电性接点(electrical pad),使得第一接点204与第二接点206通过该二电性接点而电连接于基板102中的驱动电路层103。
[第二实施例]
请参考图2,图2为本发明第二实施例的一发光二极管显示装置100A的示意图。相较于前述第一实施例,发光二极管显示装置100A中的发光二极管200A另包含一第二介电层210,且第一介电层208与第二介电层210位于本体202的相反侧,例如第一介电层208是位于本体202的第一侧面2021,而第二介电层210是位于本体202的第二侧面2022。第一介电层208与第二介电层210具有不同的介电系数。于此实施例中,第一介电层208的介电系数大于第二介电层210的介电系数。
当要进行流体自组装(Fluid Self-Assembly)时,发光二极管200A原先是位于图2中的位置P1,并且第一接点204与第二接点206是朝向上方。当电场E1外加于发光二极管显示装置100A时,发光二极管200上的第一介电层208与第二介电层210会受到电场E1的影响而极化,使得第一介电层208相对应产生正电荷,而第二介电层210相对应产生负电荷。因此,此极化后的发光二极管200A会受到电场E1的驱动而以X轴为轴翻转至位置P2并朝基板102继续前进,使得第一接点204与第二接点206可以分别卡合于凹槽104与凹槽106,以使发光二极管200A安装于基板102上。
[第三实施例]
请参考图3与图4,图3与图4为本发明第三实施例的一发光二极管显示装置100B的示意图。相较于第二实施例的发光二极管200A,此实施例中的发光二极管200B具有不同直径的第一接点204以及第二接点206,并且基板102上具有分别对应于第一接点204与第二接点206的凹槽104与凹槽106。于此实施例中,第一接点204的直径DC1大于第二接点206的直径DC2。此外,发光二极管200B另包含一第三介电层212以及一第四介电层214。其中,第三介电层212是设置于本体202与第一接点204之间,第四介电层214是设置于本体202与第二接点206之间,并且第三介电层212与第四介电层214具有不同的介电系数。举例来说,第三介电层212的介电系数大于第四介电层214的介电系数。
如图3所示,发光二极管200B是位于位置P1,此时较大直径的第一接点204是面向较小的凹槽104,并且较小直径的第二接点206是面向较大的凹槽106。为了使发光二极管200B安装于基板102上,一电场E2便外加于发光二极管显示装置100B,使得发光二极管200B上的第三介电层212与第四介电层214会受到电场E2的影响而极化,使得第三介电层212相对应产生正电荷,而第四介电层214相对应产生负电荷。因此,此极化后的发光二极管200B会受到电场E2的影响而以于XZ平面上移动或绕Y轴翻转至图4中的位置P2。
接着,在图4中,关闭电场E2并开启电场E1,使得发光二极管200B上的第一介电层208与第二介电层210会受到电场E1的影响而极化。第一介电层208相对应产生正电荷,而第二介电层210相对应产生负电荷。因此,发光二极管200B会受到电场E1的驱动而沿Y轴方向朝基板102前进,使得第一接点204与第二接点206可以卡合于凹槽104与凹槽106。因此,发光二极管200B便可安装于基板102上。
[第四实施例]
请参考图5,图5为本发明第四实施例的一发光二极管200C于一流道中的下视图。发光二极管200C的结构与图1中的发光二极管200相似,两者的差异在于发光二极管200C的本体202为一梯形结构。在下视方向观察时,第一侧面2021为一梯形面,且第一接点204、第二接点206与第一介电层208设置于第一侧面2021。同样地,当由上视方向观察时,第二侧面2022同样为一梯形面。
当发光二极管200C设置于流道中的流体内并且流体流动方向是沿着图5中的箭头方向时,本体202的梯形结构可使得发光二极管200C稳定地沿着流体的流动方向移动,而不会随意地旋转或漂移。此外,在其他实施例中,发光二极管200C也可配置具有不同直径的第一接点204与第二接点206。
[第五实施例]
请参考图6,图6为本发明第五实施例的一发光二极管显示装置100D的示意图。于此实施例中,发光二极管显示装置100D中的一发光二极管200D是配置以卡合于基板102上的凹槽104,并且发光二极管200D的本体202具有第一侧面2021以及第二侧面2022。其中,第一介电层208与第一接点204是设置于第一侧面2021,且第二介电层210与第二接点206是设置于第二侧面2022。第一介电层208与第二介电层210可具有不同的介电系数,例如第一介电层208的介电系数大于第二介电层210的介电系数。
当电场E1施加于发光二极管显示装置100D时,发光二极管200D上的第一介电层208与第二介电层210会受到电场E1的影响而极化,使得第一介电层208相对应产生正电荷,而第二介电层210相对应产生负电荷。因此,此极化后的发光二极管200D会受到电场E1的驱动而朝凹槽104移动,使得第一接点204可以卡合于凹槽104。
[第六实施例]
请参考图7,图7为本发明第六实施例的一发光二极管显示装置100E的示意图。于此实施例中,发光二极管显示装置100E的发光二极管200E的结构与第五实施例中的发光二极管200D相似,两者的差异在于发光二极管200E的本体202为一梯形体。其中,本体202的第一侧面2021与第二侧面2022为矩形面且彼此相互平行。其中,第一介电层208与第一接点204是设置于第一侧面2021,且第二介电层210与第二接点206是设置于第二侧面2022。第一介电层208与第二介电层210可具有不同的介电系数。
举例来说,当欲利用电场E1将第二接点206卡合于相对应的凹槽104时,第二介电层210的介电系数需设置大于第一介电层208的介电系数。另外,当欲利用电场E1将第一接点204卡合于相对应的凹槽106时,第一介电层208的介电系数需设置大于第二介电层210的介电系数。
[第七实施例]
请参考图8,图8为本发明第七实施例的一发光二极管显示装置100F的示意图。于此实施例中,发光二极管显示装置100F可为一显示面板中的一像素的子像素(subpixel),并且包含一发光二极管200F、一发光二极管200G、一发光二极管200H。其中,该些发光二极管200F、200G以及200H与驱动电路层103的接触面积都不同,可发出相同波长的光,或可以分别是可发出不同波长光源的发光二极管(例如:红光、绿光、蓝光),且该些发光二极管200F、200G以及200H的结构与第五实施例中的发光二极管200D相似,并且基板102上具有对应于该些发光二极管200F、200G以及200H的凹槽104、106以及108。
当要进行流体自组装程序时,可按照该些发光二极管200F、200G以及200H所对应凹槽104、106以及108的大小,由大至小做安装,例如先将对应较大凹槽108的发光二极管200H安装于凹槽108,接着再将发光二极管200G安装于凹槽106,最后再将最小的发光二极管200F安装于凹槽104。此种安装顺序可以避免发光二极管在组装的过程中安装至错误的凹槽。举例来说,若起初先安装发光二极管200G,则发光二极管200G可能会卡合于凹槽108而非相对应的凹槽106。
值得注意的是,由于子像素(发光二极管显示装置100F)具有三个发光二极管200F、200G以及200H,因此若当其中一者损坏时,剩余的发光二极管可以代替损坏的发光二极管继续发出光线。
请参考图9,图9为本发明一实施例的一第一驱动电路110的示意图。驱动电路层103包含多个第一驱动电路110,配置以驱动前述该些发光二极管。每一个第一驱动电路110包含一第一晶体管M1、一第二晶体管M2、一第三晶体管M3以及一第四晶体管M4。其中,第一晶体管M1的一第一端电连接于一第一直流电压VDD,第一晶体管M1的一第二端电连接于一电性接点EC1,且第一晶体管M1的一控制端电连接于一第一驱动信号EM1。第二晶体管M2的一控制端电连接于一第二驱动信号EM2,第二晶体管M2的一第一端电连接于第一晶体管M1的第二端,且第二晶体管M2的一第二端电连接于一第二直流电压VSS。
第三晶体管M3的一控制端电连接于第二驱动信号EM2,第三晶体管M3的一第一端电连接于第一直流电压VDD,且第三晶体管M3的一第二端电连接于一电性接点EC2。第四晶体管M4的一控制端电连接于第一驱动信号EM1,第四晶体管M4的一第一端电连接于第三晶体管M3的第二端,且第四晶体管M4的一第二端电连接于第二直流电压VSS。其中,第一直流电压VDD大于第二直流电压VSS,并且第一驱动信号EM1与第二驱动信号EM2为方波信号且互为反相。
以第一实施例为例子来说,电性接点EC1可为设置于凹槽104内的电性接点,而电性接点EC2可为设置于凹槽106内的电性接点。发光二极管200的第一接点204可为正极,配置以电连接于电性接点EC1,而第二接点206可为负极,配置以电连接于电性接点EC2。在这样的配置下,当第一驱动信号EM1为高电压电位(high voltage level)时,第一晶体管M1与第四晶体管M4会开启而使驱动发光二极管200被驱动发光。
反之,在流体自组装的过程中,发光二极管200的正极(第一接点204)可能会电连接于电性接点EC2而负极(第二接点206)可能会电连接于电性接点EC1。在这样的配置下,当第二驱动信号EM2为高电压电位(high voltage level)时,第三晶体管M3与第二晶体管M2会开启而使发光二极管200被驱动发光。根据上述的描述可知,不论是发光二极管200的第一接点204与第二接点206分别电连接于电性接点EC1与电性接点EC2,或者是第一接点204与第二接点206分别电连接于电性接点EC2与电性接点EC1,发光二极管200都会被第一驱动电路110所驱动而发光。
请参考图10,图10为本发明另一实施例的一第二驱动电路120的示意图。在另一实施例中,驱动电路层103可包含多个第二驱动电路120,配置以驱动前述该些发光二极管。每一个第二驱动电路120包含一第五晶体管M5,其具有一控制端、一第一端以及一第二端。第五晶体管M5的控制端是电连接于一驱动信号EM,第五晶体管M5的该第一端是电连接于一直流电压(例如第二直流电压VSS),第五晶体管M5的该第二端电连接于电性接点EC1,而电性接点EC2是连接于一交流电压AC。
同样地,以第一实施例为例子来说,电性接点EC1可为设置于凹槽104内的电性接点,而电性接点EC2可为设置于凹槽106内的电性接点。发光二极管200的第一接点204可为正极,配置以电连接于电性接点EC1,而第二接点206可为负极,配置以电连接于电性接点EC2。在这样的配置下,当驱动信号EM为高电压电位(high voltage level)且第二直流电压VSS大于交流电压AC的电压电位时,第五晶体管M5会开启而可驱动发光二极管200发光。
反之,在流体自组装的过程中,发光二极管200的正极(第一接点204)可能会电连接于电性接点EC2而负极(第二接点206)可能会电连接于电性接点EC1。在这样的配置下,当驱动信号EM为高电压电位(high voltage level)且第二直流电压VSS小于交流电压AC的电压电位时,第五晶体管M5会开启而可驱动发光二极管200发光。根据上述的描述可知,不论是发光二极管200的第一接点204与第二接点206分别电连接于电性接点EC1与电性接点EC2,或者是第一接点204与第二接点206分别电连接于电性接点EC2与电性接点EC1,发光二极管200都会被第二驱动电路120所驱动而发光。
[第八实施例]
请参考图11,图11为本发明第八实施例的发光二极管显示装置100I示意图。于此实施例中,发光二极管显示装置100I可包含多个发光二极管200I以及一基板102A。为了简洁的缘故,图中仅表示一发光二极管200I以及一凹槽104A于基板102A上。其中,发光二极管200I包含一第一接点204以及一第二接点206,第一接点204是设置于发光二极管200I的底部,并且发光二极管200I的一中心轴C穿过第一接点204。第二接点206设置于发光二极管200I的底部并与中心轴C相隔一距离。于此实施例中,第一接点204为发光二极管200I的正极,且其宽度可为13μm,但不限于此。第二接点206设置于第一接点204的两侧,其宽度可为9μm,并且与第一接点204之间相隔距离为4μm,但不限于此。
请同时参考图11与图12,图12为图11中基板102A与凹槽104A的上视图。基板102A可包含一金属层101、一绝缘层105、一底层107以及一侧墙结构109。金属层101是设置于底层107上并电连接于一驱动电路(图中未表示),且绝缘层105是设置于金属层101上。侧墙结构109可形成一凹槽104A且凹槽104A为一圆柱形凹槽,其位于绝缘层105上以容纳发光二极管200I。凹槽104A内可设置有一第一连接部112以及一第二连接部114。如图12所示,沿中心轴C方向观察时,第一连接部112是一圆形且位于凹槽104A的中央处,而第二连接部114为环形结构且环绕第一连接部112。第一连接部112是配置以电连接于第一接点204,且第二连接部114是配置以电连接于第二接点206。于此实施例中,第一连接部112与第二连接部114之间相隔的距离可为7.3μm,但不限于此。
再者,基板102A另包含有一第一贯孔116以及一第二贯孔118。第一贯孔116是贯穿绝缘层105,并且第一贯孔116内设有导电材质(例如钛,但不限于此)。第一贯孔116是配置以电连接第一连接部112与金属层101。第二贯孔118是贯穿绝缘层105,并且第二贯孔118内设有导电材质(例如钛),第二贯孔118是配置以电连接第二连接部114与金属层101。于此实施例中,第一连接部112的一曲率中心是位在第一贯孔116内。第二贯孔118沿中心轴C方向观察为一环形结构(如图12所示),其中第二贯孔118的宽度W2是小于第二连接部114的宽度W1,且第二贯孔118靠近第二连接部114的外侧。
当进行流体自组装程序时,发光二极管200I会进入凹槽104A,使得第一接点204与第二接点206分别接触第一连接部112与第二连接部114。因此,发光二极管200I便可电连接于该驱动电路(图中未表示),使得该驱动电路驱动发光二极管200I发光。
值得注意的是,由于凹槽104A的直径D1(例如为45.7μm)是大于发光二极管200I发光二极管显示装置100I的直径D2(例如为41μm),因此当发光二极管200I进入凹槽104A时,发光二极管200I的中心轴C可能会偏离凹槽104A的一中心轴C1。然而,通过本实施例中的结构设计,第一接点204与第二接点206仍可以分别连接至第一连接部112以及第二连接部114,并且不会发生第一接点204接触第二连接部114或第二接点206接触第一连接部112的问题。
[第九实施例]
请参考图13与图14,图13为本发明第九实施例的发光二极管显示装置100J的示意图,图14为图13中基板102A与凹槽104A的上视图。本实施例的发光二极管显示装置100J与第八实施例的发光二极管显示装置100I的结构相似,两者的差异在于本实施例的第一贯孔116与其包含的导电材质沿中心轴C的方向观察为环形结构,配置以环绕设置于第一连接部112。通过此种结构设计,使得发光二极管200I的第一接点204与第一连接部112的接触面积加大,增加发光二极管200I与驱动电路之间信号传输的效率。
[第十实施例]
请参考图15与图16,图15为本发明第十实施例的基板102A与凹槽104A的上视图,图16为图15中沿A-A’线段的剖视图。图16所揭露的一发光二极管显示装置100K与第八实施例的发光二极管显示装置100I的结构相似,两者的差异在于本实施例的第一连接部112具有相连接的一圆形部1121与一凸出部1122,并且第二连接部114以及第二贯孔118沿中心轴C方向观察为圆弧形结构,并且圆弧形结构相对于中心轴C的角度是大于180度。另外,如图15所示,凸出部1122是朝向该圆弧形结构的一缺口凸出于圆形部1121,并且第一贯孔116是设置于凸出部1122下方。通过此种结构设计,使得发光二极管200I的第一接点204与第一连接部112的接触面积加大,增加发光二极管200I与驱动电路之间信号传输的效率。
[第十一实施例]
请参考图17,图17为本发明第十一实施例的一基板102B的剖视图。于此实施例中所揭露的基板102B具有一主动区A1与一非主动区A2。其中,主动区A1形成有多个前述的凹槽104A,并且基板102B还具有一斜坡结构S,其是设置在邻近于基板102B的非主动区A2与主动区A1的交界处。在流体自组装的过程中,发光二极管可通过斜坡结构S的导引由非主动区A2平顺地移动到主动区A1,接着再进入凹槽104A中。
[第十二实施例]
请参考图18,图18为本发明第十二实施例的一基板102C的剖视图。相似于第十一实施例,基板102C具有一主动区A1与一非主动区A2。其中,基板102C还具有至少一凹孔H,其是设置于基板102C的非主动区A2,并且凹孔H的孔径D3小于凹槽104A的孔径(直径D1)。在流体自组装的过程中,发光二极管会由非主动区A2移动到主动区A1,因为发光二极管的直径(例如直径D2)是略小于直径D1且大于凹孔H的孔径D3,因此发光二极管在移动的过程中不会掉入凹孔H而仅会进入凹槽104A中。
本发明所提供的前述各实施例的发光二极管显示装置是可应用于显示器(display),用以作为显示器的发光源。
相较于现有技术,本发明提供一种应用于显示器的发光二极管显示装置,包含有具有多个凹槽的基板以及多个微型发光二极管。其中,每一个微型发光二极管上可设置有至少一介电层,使得在流体自组装的过程中,微型发光二极管可以受到外加电场的影响而被驱动至基板上相对应的凹槽,用于正确地组装于相对应的凹槽上。微型发光二极管的本体也可设计为长方体或梯形体,通过这样的设计,微型发光二极管可以更正确地安装于基板上相对应的凹槽。
此外,凹槽中对应于微型发光二极管的正极的连接垫(例如第一连接部112)可配置为圆形结构,且凹槽中对应于微型发光二极管的负极的连接垫(例如第二连接部114)可配置为环形结构,因此可以使得微型发光二极管安装于凹槽内时,微型发光二极管的正极与负极可以准确地接触到相对应的连接垫。
虽然结合以上实施例公开了本发明如上,但应该了解的是,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作更动、替代与润饰。此外,本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤,任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤,只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果都可根据本发明使用。因此,本发明的保护范围包括上述制作工艺、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外,每一权利要求构成个别的实施例,且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。

Claims (7)

1.一种发光二极管显示装置,其特征在于,包含:
发光二极管,包含一中心轴;
基板,包含:
第一连接部,具有相连接的圆形部与凸出部,其中该发光二极管的该中心轴穿过该第一连接部;以及
第二连接部,其中该第二连接部设置于该第一连接部的外周围且与该第一连接部相隔一大于零的距离,且该第一连接部与该第二连接部分别与该发光二极管电连接;
金属层;
绝缘层,设置于该金属层上,其中该金属层以及该绝缘层是沿着垂直该中心轴的一方向延伸;
第一贯孔,贯穿该绝缘层,其中该第一贯孔内设有导电材质,配置以电连接该第一连接部与该金属层,且该第一贯孔设置于该凸出部下方;以及
第二贯孔,贯穿该绝缘层,其中该第二贯孔内设有导电材质,配置以电连接该第二连接部与该金属层。
2.如权利要求1所述的发光二极管显示装置,其中该基板还包含一凹槽,配置以容纳该发光二极管。
3.如权利要求1所述的发光二极管显示装置,其中该第一连接部的一曲率中心位于该第一贯孔之外。
4.如权利要求1所述的发光二极管显示装置,其中该第二连接部沿该中心轴方向观察为圆弧形,该第二贯孔沿该中心轴方向观察为圆弧形,该第二贯孔的宽度小于该第二连接部的宽度,且靠近该第二连接部的外侧。
5.如权利要求1所述的发光二极管显示装置,其中该第二连接部沿该中心轴方向观察为圆弧形结构,该凸出部朝向该圆弧形结构的一缺口凸出该圆形部。
6.如权利要求1所述的发光二极管显示装置,其中该基板还具有斜坡结构,邻近于该基板的非主动区与主动区的交界处。
7.如权利要求1所述的发光二极管显示装置,其中该基板上还具有至少一凹孔以及一凹槽,该凹孔设置于该基板的一非主动区,该凹槽设置于该基板的一主动区,且该凹孔的孔径小于该凹槽的孔径。
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