CN1076868C - 具保护层的晶片透孔加工法 - Google Patents

Abstract

一种具有保护层的晶片透孔加工法，其系应用于在一晶片上形成至少一个透孔的制造加工上，其加工步骤包含：(1)提供一承载基面；(2)放置该晶片于该承载基面上；(3)于该承载基面与该晶片之间，形成一反射透过穿孔的粒子群之保护层；(4)以一快速移动之粒子群撞击该晶片之一特定区域以形成该透孔。本发明提高了晶片加工的质量与砂材的回收率。

Description

具保护层的晶片透孔加工法

本发明涉及一种晶片加工法，尤指一种具保护层的晶片透孔加工法。

一般于晶片加工法中，以喷砂方式来达成透孔的过程里，砂粒穿过透孔后，经由反弹而撞击该晶片背面，造成该晶片背面的毁损，参见图1，因承载基面12与晶片11并非完全密合接触，因此在该两者之间存在有空隙，当砂粒13穿过晶片11已穿透之透孔，撞击承载基面12而反弹撞击至晶片11的背面，造成该晶片背面的毁损，使得晶片加工过程中质量的降低，另外，砂粒13也易堆积于晶片11与承载基面12间的空隙，造成砂材的流失。

本发明的目的在于改善上述缺点，以提高晶片的加工质量与砂材的回收率。

本发明的目的是这样实现的：一种具保护层的晶片透孔加工法，是以喷砂方式来达成一透孔的过程，该晶片透孔加工法的步骤包括：(1)提供一承载基面；(2)放置该晶片于该承载基面上；(3)于该承载基面与该晶片之间，形成一反射透过穿孔的粒子群之水溶性胶粘着剂保护层；以及，(4)以一快速移动之粒子群撞击该晶片之一特定区域以形成该透孔。

在上述的具保护层的晶片透孔加工法中，承载面包含：一承载晶片的托盘，

一位于托盘与所述的保护层之间，隔离该托盘与该保护层的隔离物。

在上述的具保护层的晶片透孔加工法中，隔离物为一纸制材质。

在上述的具保护层的晶片透孔加工法中，将涂有水溶性胶粘着剂的晶片置于80℃至120℃的温度下，烘烤一分钟至五分钟，形成该保护层。

在上述的具保护层的晶片透孔加工法中，快速移动之粒子群是由一喷砂机经一精密喷头，喷出复数个砂粒所形成。

在上述的具保护层的晶片透孔加工法中，还包含下列步骤：(a)在晶片上放置一遮罩，该遮罩为一高分子聚合物之透明膜；以及，(b)在该遮罩上形成一镂空区域，以供该快速移动之粒子群通过而撞击该晶片以形成透孔。

在上述的具保护层的晶片透孔加工法中，镂空区域是由用一激光加工技术于该遮罩上形成复数个镂空孔组成的区域。

综合上述，该具保护层之晶片透孔加工法，其是于喷砂方式来达成透孔的过程中，能避免砂粒穿过透孔后，经由反弹而撞击该晶片背面，造成该晶片背面的毁损，并改进砂粒堆积于晶片与承载基面间的空隙，造成砂材的流失的问题，因此本发明提高了晶片加工的质量与砂材的回收率。

下面根据实施例的附图对本发明的加工方法详述如下：

图1是现有的喷砂透孔中砂粒反弹之破坏情况的示意图。

图2是本发明的保护层之形成方法的一个实施例示意图。

图3是图2中保护层之保护方式的示意图。

附图中的图号对应构件名称如下：

    11：晶片

    12：承载基面

    13：砂粒

    21：晶片

    22：水溶性胶粘着剂保护层

    23：纸张

    24：托盘

    25：遮罩之镂空区域

    26：第一面

    27：第二面

    28：遮罩

    29：砂粒

本发明应用于在一晶片上形成至少一个透孔的制造加工上，其加工法参见图2，构件28为一遮罩，该遮罩28可以是一高分子聚合物之透明膜，以镭射加工技术使遮罩上形成镂空区域25，而得一具有镂空区域25的遮罩28，另外，于晶片21的第一面26涂布一层牌号为OT-039IPS(简称IPS，由台湾NOVE CHEMTRADIING CO.LTD生产)(IMAGE PRO SUPER)保护层22，置于烤箱中以80℃至120℃的温度下，烘烤一分钟至五分钟后，先铺一纸张23于托盘24上，再将涂布一层IPS(IMAGE PRO SUPER)保护层22的晶片21放置于纸张23上，晶片21与纸张23系因IPS(IMAGE PRO SUPER)保护层22的粘性将紧密结合而无空隙，再以该具有镂空区域25之遮罩28粘贴于晶片(21)的第二面(27)。

参见图3，将上述晶片进行喷砂处理，当喷砂处理的过程中，该遮罩之未镂空部分具有防止晶片21被砂粒穿透的效果，砂粒经遮罩之镂空区域25(图2所示)撞击晶片21而产生透孔，此时由一喷砂机经一精密喷头喷出的砂粒29经过晶片21中先形成的透孔后，将因撞击IPS保护层22而反弹，达成保护晶片21之第一面26的保护效果，也防止砂粒29堆积于晶片21与托盘24间的空隙，而纸张23具有分隔IPS(IMAGE PRO SUPER)保护层22与托盘24的效果，避免它们粘在一起。保护层22为一水溶性的胶状物，该水溶性的胶状物为一IPS(IMAGE PROSUPER)粘接剂。

Claims (7)

1.一种具保护层的晶片透孔加工法，是以喷砂方式来达成一透孔的过程，该晶片透孔加工法的步骤包括：

(1)提供一承载基面；

(2)放置该晶片于该承载基面上；

(3)于该承载基面与该晶片之间，形成一反射透过穿孔的粒子群之水溶性胶粘着剂保护层；以及

(4)以一快速移动之粒子群撞击该晶片之一特定区域以形成该透孔。

2.如权利要求1所述的具保护层的晶片透孔加工法，其特征在于所述的承载面包含：

一承载晶片的托盘，

一位于托盘与所述的保护层之间，隔离该托盘与该保护层的隔离物。

3.如权利要求2所述的具保护层的晶片透孔加工法，其特征在于所述的隔离物为一纸制材质。

4.如权利要求1所述的具保护层的晶片透孔加工法，其特征在于，将涂有水溶性胶粘着剂的晶片置于80℃至120℃的温度下，烘烤一分钟至五分钟，形成该保护层。

5.如权利要求1所述的具保护层的晶片透孔加工法，其特征在于所述的快速移动之粒子群，是由一喷砂机经一精密喷头，喷出复数个砂粒所形成。

6.如权利要求1所述的具保护层的晶片透孔加工法，其特征在于还包含下列步骤：

(a)在晶片上放置一遮罩，该遮罩为一高分子聚合物之透明膜；以及

(b)在该遮罩上形成一镂空区域，以供该快速移动之粒子群通过而撞击该晶片以形成透孔。

7.如权利要求6所述的具保护层的晶片透孔加工法，其特征在于：所述的镂空区域是由用一激光加工技术于该遮罩上形成复数个镂空孔组成的区域。

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