CN107662159B - 修整抛光垫的控制方法、装置、修整器及抛光设备 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种修整抛光垫的控制方法、装置、修整器及抛光设备。修整抛光垫的控制方法包括以下步骤：获取修整器的基准修复压力；计算所述抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数；获取所述抛光垫当前的修复区域并计算所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数；根据所述基准修复压力、所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。根据本发明的修整抛光垫的控制方法，可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。
Description
技术领域
本发明涉及抛光技术领域，具体而言，涉及一种修整抛光垫的控制方法、修整抛光垫的控制装置、具有所述修整抛光垫的控制装置的修整器和具有所述修整抛光垫的控制装置的抛光设备。
背景技术
为了实时修复抛光垫并延长抛光垫的使用寿命，相关技术中，一般对修整器施以作用力，并使修整器做正弦曲线的速度运动，以达到抛光垫的表面物理一致性。
然而，在化学机械抛光设备的工作过程中，由于作业产品的种类繁杂，作用于晶圆不同区域的抛光压力的大小并不相同，单一的正弦曲线速度模式难以达到抛光垫的表面物理一致性，从而会影响CMP(Chemical Mechanical Polishing，化学机械抛光)工艺，缩短抛光垫的使用寿命。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种修整抛光垫的控制方法，所述修整抛光垫的控制方法可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。
本发明还提出一种修整抛光垫的控制装置。
本发明还提出一种具有所述修整抛光垫的控制装置的修整器。
本发明还提出一种具有所述修整抛光垫的控制装置的抛光设备。
根据本发明第一方面实施例的修整抛光垫的控制方法，包括以下步骤：
获取修整器的基准修复压力；
计算所述抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数；
获取所述抛光垫当前的修复区域并计算所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数；
根据所述基准修复压力、所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。
根据本发明实施例的修整抛光垫的控制方法，可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。
另外，根据本发明实施例的修整抛光垫的控制方法还具有如下附加的技术特征：
根据本发明的一些实施例，分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的基准抛光压力，根据所述a个施压区域中每个施压区域的面积、所述每个施压区域的基准抛光压力和所述每个修复区域的面积计算所述基准权重系数。
进一步地，根据所述每个施压区域的半径、所述基准抛光压力和所述每个修复区域的半径计算所述基准权重系数。
根据本发明的一些实施例，分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的实际抛光压力，根据所述每个施压区域的面积、所述每个施压区域的实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的面积计算所述实际权重系数。
进一步地，根据所述每个施压区域的半径、所述实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的半径计算所述实际权重系数。
根据本发明的一些实施例，根据以下公式计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力：
Pb＝(Mb＇/Mb)*B，其中，Pb为所述当前修复区域的实际修复压力，Mb＇为所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数，Mb为所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数，B为修整器的基准修复压力。
根据本发明第二方面实施例的修整抛光垫的控制装置，包括：
第一获取模块，所述第一获取模块用于获取修整器的基准修复压力；
第一计算模块，所述第一计算模块用于计算所述抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数；
第二获取模块，所述第二获取模块用于获取所述抛光垫当前的修复区域并计算所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数；
第二计算模块，所述第二计算模块根据所述基准修复压力、所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。
根据本发明实施例的修整抛光垫的控制装置，可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。
另外，根据本发明实施例的修整抛光垫的控制装置还具有如下附加的技术特征：
根据本发明的一些实施例，所述第一获取模块还用于分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的基准抛光压力，所述第一计算模块根据所述a个施压区域中每个施压区域的面积、所述每个施压区域的基准抛光压力和所述每个修复区域的面积计算所述基准权重系数。
进一步地，所述第一计算模块根据所述每个施压区域的半径、所述基准抛光压力和所述每个修复区域的半径计算所述基准权重系数。
根据本发明的一些实施例，所述第一获取模块还用于分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的实际抛光压力，所述第二获取模块根据所述每个施压区域的面积、所述每个施压区域的实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的面积计算所述实际权重系数。
进一步地，所述第二获取模块根据所述每个施压区域的半径、所述实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的半径计算所述实际权重系数。
根据本发明的一些实施例，所述第二计算模块根据以下公式计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力：
Pb＝(Mb＇/Mb)*B，其中，Pb为所述当前修复区域的实际修复压力，Mb＇为所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数，Mb为所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数，B为修整器的基准修复压力。
根据本发明第三方面实施例的修整器，包括根据本发明第二方面实施例所述的修整抛光垫的控制装置。
根据本发明实施例的修整器，通过利用如上所述的修整抛光垫的控制装置，可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。
根据本发明第四方面实施例的抛光设备，包括根据本发明第二方面实施例所述的修整抛光垫的控制装置。
根据本发明实施例的抛光设备，通过利用如上所述的修整抛光垫的控制装置，可以实时动态地对抛光垫进行修复，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
图1是根据本发明实施例的修整抛光垫的控制方法的流程图；
图2是根据本发明实施例的抛光垫所加工的晶圆的a个施压区域和抛光垫的b个修复区域的分区示意图；
图3是根据本发明实施例的修整器的速度和修复区域的关系示意图；
图4是根据本发明实施例的修整抛光垫的控制装置的结构示意图。
附图标记：
修整抛光垫的控制装置1，
第一获取模块10，第二获取模块20，第一计算模块30，第二计算模块40。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
本申请基于发明人对以下事实和问题的发现和认识作出的：
在化学机械抛光机理中，抛光垫的物理特性对CMP工艺具有极大的影响。在实际生产过程中，抛光垫的物理特性会随着使用周期而发生变化，故，在化学机械抛光设备中，通常采用安装在摆动臂上的修整器对抛光垫进行修复，其中，影响修复效果的参数主要包括修整器的种类型号、压力、速度、频率、作用区间等。由于晶圆不同抛光区域的抛光压力不尽相同，从而造成抛光垫的磨损状况不一致，进而影响晶圆的表面抛光。
为此，本发明提出一种修整抛光垫的控制方法，该修整抛光垫的控制方法可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。
下面参考附图描述根据本发明第一方面实施例的修整抛光垫的控制方法。
如图1所示，根据本发明实施例的修整抛光垫的控制方法，包括以下步骤：
S101，获取修整器的基准修复压力。
如图2所示，以12英寸晶圆为例，抛光设备对晶圆施加抛光压力时会形成6个施压区域，即Zone0、Zone1、Zone2、Zone3、Zone4和Zone5，每个施压区域具有与其对应的抛光压力。这6个施压区域以晶圆的中心为圆心同心设置，对应于晶圆的中心处的为圆形的施压区域Zone5，Zone0-Zone4这五个环形的施压区域沿晶圆的径向向着晶圆的中心处(即由外向内)依次排列。
具体而言，根据预设基准区域压力、预设修复压力和晶圆的抛光平面度分别获取抛光垫所抛光的晶圆的6个施压区域中每个施压区域的基准抛光压力Aa，例如，预设基准区域压力为2psi(根据抛光设备的不同可以设定不同的预设基准区域压力)，使修整器做压力为5blf、如图3所示的正弦速度运动，根据晶圆的抛光平面度优化出每个施压区域的基准抛光压力Aa，Zone0-Zone5的基准抛光压力分别记为A0、A1、A2、A3、A4、A5。其中，修整器的正弦速度可以由抛光设备给出。
同时，对晶圆进行周期性测试(测试次数大于或等于100)，根据晶圆的诸如抛光平面度和物理缺陷等因素优化出修整器的基准修复压力B。
S102，计算抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数。
举例而言，根据6个施压区域中每个施压区域的面积、每个施压区域的基准抛光压力Aa和每个修复区域的面积计算基准权重系数Mb。有利地，根据每个施压区域的半径、基准抛光压力Aa和每个修复区域的半径计算基准权重系数Mb。
具体地，Zone5的边界半径为0-R5，Zone4的边界半径为R5-R4，Zone3的边界半径为R4-R3，Zone2的边界半径为R3-R2，Zone1的边界半径为R2-R1，Zone0的边界半径为R1-R0，将边界半径为0-r4的区域作为修复区域zone4、边界半径为r4-r3的区域作为修复区域zone3、边界半径为r3-r2的区域作为修复区域zone2、边界半径为r2-r1的区域作为修复区域zone1。
其中，R5＜r4＜R4，R4＜r3＜R3，R3＜r2＜R2，r1＝R0。例如，r4＝40mm，r3＝100mm，r2＝130mm，r1＝152mm。
由此，分别根据以下公式计算zone4的基准权重系数M4、zone3的基准权重系数M3、zone2的基准权重系数M2、zone1的基准权重系数M1：
M4＝R5*A5+(r4-R5)*A4；
M3＝(R4-r4)*A4+(r3-R4)*A3；
M2＝(R3-r3)*A3+(r2-R3)*A2；
M1＝(R2-r2)*A2+(R1-R2)*A1+(R0-R1)*A0。
S103，获取抛光垫当前的修复区域并计算抛光垫当前的修复区域的实际权重系数。
在本发明的一些实施例中，分别获取每个施压区域的实际抛光压力Aa＇，根据每个施压区域的面积、每个施压区域的实际抛光压力Aa＇和抛光垫当前的修复区域的面积计算实际权重系数Mb＇。有利地，根据每个施压区域的半径、实际抛光压力Aa＇和抛光垫当前的修复区域的半径计算实际权重系数Mb＇。其中，Zone0-Zone5的实际抛光压力分别记为A0＇、A1＇、A2＇、A3＇、A4＇、A5＇，zone1-zone4的实际权重系数分别记为M1＇、M2＇、M3＇、M4＇。
具体地，参照上述对基准权重系数Mb的计算公式计算抛光垫当前的修复区域的Mb＇：
M4＇＝R5*A5＇+(r4-R5)*A4＇；
M3＇＝(R4-r4)*A4＇+(r3-R4)*A3＇；
M2＇＝(R3-r3)*A3＇+(r2-R3)*A2＇；
M1＇＝(R2-r2)*A2＇+(R1-R2)*A1＇+(R0-R1)*A0＇。
S104，根据基准修复压力、抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。
例如，根据以下公式计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力：
Pb＝(Mb＇/Mb)*B，其中，Pb为所述当前修复区域的实际修复压力，Mb＇为所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数，Mb为所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数，B为修整器的基准修复压力。
根据本发明实施例的修整抛光垫的控制方法，可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，节省了生产成本，优化了相关技术中单一的修整方式，且简单有效。
可以理解，上述实施例仅以5区域(即6个施压区域)晶圆为例对本发明进行说明，对于加工诸如单区域、3区域等其他类型的晶圆的抛光垫的修复也可参照本发明的修整抛光垫的控制方法。
例如，对于单区域、预设基准区域压力为2psi的晶圆来说，修整器的实际修复压力可以根据以下公式进行计算：
P＝(B*A＇)/2，其中，P为修整器的实际修复压力，B为修整器的基准修复压力，A＇为晶圆的实际抛光压力。
本发明还提出一种修整抛光垫的控制装置1。
如图4所示，根据本发明第二方面实施例的修整抛光垫的控制装置1，包括第一获取模块10、第二获取模块20、第一计算模块30和第二计算模块40。
如图2所示，以12英寸晶圆为例，抛光设备对晶圆施加抛光压力时会形成6个施压区域，即Zone0、Zone1、Zone2、Zone3、Zone4和Zone5，每个施压区域具有与其对应的抛光压力。这6个施压区域以晶圆的中心为圆心同心设置，对应于晶圆的中心处的为圆形的施压区域Zone5，Zone0-Zone4这五个环形的施压区域沿晶圆的径向向着晶圆的中心处(即由外向内)依次排列。
具体而言，第一获取模块10用于获取修整器的基准修复压力。第一获取模块10根据预设基准区域压力、预设修复压力和晶圆的抛光平面度分别获取抛光垫所抛光的晶圆的6个施压区域中每个施压区域的基准抛光压力Aa，例如，预设基准区域压力为2psi(根据抛光设备的不同可以设定不同的预设基准区域压力)，修整器做压力为5blf、如图3所示的正弦速度运动，第一获取模块10根据晶圆的抛光平面度优化出每个施压区域的基准抛光压力Aa，Zone0-Zone5的基准抛光压力分别记为A0、A1、A2、A3、A4、A5。其中，修整器的正弦速度可以由抛光设备给出。
同时，对晶圆进行周期性测试(测试次数大于或等于100)，第一获取模块10根据晶圆的诸如抛光平面度和物理缺陷等因素优化出修整器的基准修复压力B。
第一计算模块30用于计算抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数。
举例而言，第一计算模块30根据6个施压区域中每个施压区域的面积、每个施压区域的基准抛光压力Aa和每个修复区域的面积计算基准权重系数Mb。有利地，第一计算模块30根据每个施压区域的半径、基准抛光压力Aa和每个修复区域的半径计算基准权重系数Mb。
具体地，Zone5的边界半径为0-R5，Zone4的边界半径为R5-R4，Zone3的边界半径为R4-R3，Zone2的边界半径为R3-R2，Zone1的边界半径为R2-R1，Zone0的边界半径为R1-R0，将边界半径为0-r4的区域作为修复区域zone4、边界半径为r4-r3的区域作为修复区域zone3、边界半径为r3-r2的区域作为修复区域zone2、边界半径为r2-r1的区域作为修复区域zone1。
其中，R5＜r4＜R4，R4＜r3＜R3，R3＜r2＜R2，r1＝R0。例如，r4＝40mm，r3＝100mm，r2＝130mm，r1＝152mm。
由此，第一计算模块30分别根据以下公式计算zone4的基准权重系数M4、zone3的基准权重系数M3、zone2的基准权重系数M2、zone1的基准权重系数M1：
M4＝R5*A5+(r4-R5)*A4；
M3＝(R4-r4)*A4+(r3-R4)*A3；
M2＝(R3-r3)*A3+(r2-R3)*A2；
M1＝(R2-r2)*A2+(R1-R2)*A1+(R0-R1)*A0。
第二获取模块20获取抛光垫当前的修复区域并计算抛光垫当前的修复区域的实际权重系数。
在本发明的一些实施例中，第二获取模块20分别获取每个施压区域的实际抛光压力Aa＇，并根据每个施压区域的面积、每个施压区域的实际抛光压力Aa＇和抛光垫当前的修复区域的面积计算实际权重系数Mb＇。有利地，第二获取模块20根据每个施压区域的半径、实际抛光压力Aa＇和抛光垫当前的修复区域的半径计算实际权重系数Mb＇。其中，Zone0-Zone5的实际抛光压力分别记为A0＇、A1＇、A2＇、A3＇、A4＇、A5＇，zone1-zone4的实际权重系数分别记为M1＇、M2＇、M3＇、M4＇。
具体地，第二获取模块20参照上述对基准权重系数Mb的计算公式计算抛光垫当前的修复区域的Mb＇：
M4＇＝R5*A5＇+(r4-R5)*A4＇；
M3＇＝(R4-r4)*A4＇+(r3-R4)*A3＇；
M2＇＝(R3-r3)*A3＇+(r2-R3)*A2＇；
M1＇＝(R2-r2)*A2＇+(R1-R2)*A1＇+(R0-R1)*A0＇。
第二计算模块40根据基准修复压力、抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。
例如，第二计算模块40根据以下公式计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力：
Pb＝(Mb＇/Mb)*B，其中，Pb为所述当前修复区域的实际修复压力，Mb＇为所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数，Mb为所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数，B为修整器的基准修复压力。
根据本发明实施例的修整抛光垫的控制装置1，可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，节省了生产成本，优化了相关技术中单一的修整方式，且简单有效。
可以理解，上述实施例仅以5区域(即6个施压区域)晶圆为例对本发明进行说明，对于加工诸如单区域、3区域等其他类型的晶圆的抛光垫的修复也可参照本发明的修整抛光垫的控制装置1。
例如，对于单区域、预设基准区域压力为2psi的晶圆来说，第二计算模块40可以根据以下公式计算修整器的实际修复压力：
P＝(B*A＇)/2，其中，P为修整器的实际修复压力，B为修整器的基准修复压力，A＇为晶圆的实际抛光压力。
根据本发明第三方面实施例的修整器，包括根据本发明第二方面实施例所述的修整抛光垫的控制装置1。
根据本发明实施例的修整器，通过利用如上所述的修整抛光垫的控制装置1，可以实时动态地修复抛光垫，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。
根据本发明实施例的修整器的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。
根据本发明第四方面实施例的抛光设备，包括根据本发明第二方面实施例所述的修整抛光垫的控制装置1。
根据本发明实施例的抛光设备，通过利用如上所述的修整抛光垫的控制装置1，可以实时动态地对抛光垫进行修复，更好地达到抛光垫的表面物理一致性，延长抛光垫的使用寿命，且简单有效。
根据本发明实施例的抛光设备的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”、“可选实施例”、“示例”或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (14)
1.一种修整抛光垫的控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取修整器的基准修复压力；
计算所述抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数；
获取所述抛光垫当前的修复区域并计算所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数；
根据所述基准修复压力、所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。
2.根据权利要求1所述的修整抛光垫的控制方法，其特征在于，分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的基准抛光压力，根据所述a个施压区域中每个施压区域的面积、所述每个施压区域的基准抛光压力和所述每个修复区域的面积计算所述基准权重系数。
3.根据权利要求2所述的修整抛光垫的控制方法，其特征在于，根据所述每个施压区域的半径、所述基准抛光压力和所述每个修复区域的半径计算所述基准权重系数。
4.根据权利要求1所述的修整抛光垫的控制方法，其特征在于，分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的实际抛光压力，根据所述每个施压区域的面积、所述每个施压区域的实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的面积计算所述实际权重系数。
5.根据权利要求4所述的修整抛光垫的控制方法，其特征在于，根据所述每个施压区域的半径、所述实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的半径计算所述实际权重系数。
6.根据权利要求1所述的修整抛光垫的控制方法，其特征在于，根据以下公式计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力：
Pb＝(Mb＇/Mb)*B，其中，Pb为所述当前修复区域的实际修复压力，Mb＇为所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数，Mb为所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数，B为修整器的基准修复压力。
7.一种修整抛光垫的控制装置，其特征在于，包括：
第一获取模块，所述第一获取模块用于获取修整器的基准修复压力；
第一计算模块，所述第一计算模块用于计算所述抛光垫的b个修复区域中每个修复区域的基准权重系数；
第二获取模块，所述第二获取模块用于获取所述抛光垫当前的修复区域并计算所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数；
第二计算模块，所述第二计算模块根据所述基准修复压力、所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数和实际权重系数计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力。
8.根据权利要求7所述的修整抛光垫的控制装置，其特征在于，所述第一获取模块还用于分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的基准抛光压力，所述第一计算模块根据所述a个施压区域中每个施压区域的面积、所述每个施压区域的基准抛光压力和所述每个修复区域的面积计算所述基准权重系数。
9.根据权利要求8所述的修整抛光垫的控制装置，其特征在于，所述第一计算模块根据所述每个施压区域的半径、所述基准抛光压力和所述每个修复区域的半径计算所述基准权重系数。
10.根据权利要求7所述的修整抛光垫的控制装置，其特征在于，所述第一获取模块还用于分别获取所述抛光垫所抛光的晶圆的a个施压区域中每个施压区域的实际抛光压力，所述第二获取模块根据所述每个施压区域的面积、所述每个施压区域的实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的面积计算所述实际权重系数。
11.根据权利要求10所述的修整抛光垫的控制装置，其特征在于，所述第二获取模块根据所述每个施压区域的半径、所述实际抛光压力和所述抛光垫当前的修复区域的半径计算所述实际权重系数。
12.根据权利要求7所述的修整抛光垫的控制装置，其特征在于，所述第二计算模块根据以下公式计算所述抛光垫当前的修复区域的实际修复压力：
Pb＝(Mb＇/Mb)*B，其中，Pb为所述当前修复区域的实际修复压力，Mb＇为所述抛光垫当前的修复区域的实际权重系数，Mb为所述抛光垫当前的修复区域的基准权重系数，B为修整器的基准修复压力。
13.一种修整器，其特征在于，包括根据权利要求7-12中任一项所述的修整抛光垫的控制装置。
14.一种抛光设备，其特征在于，包括根据权利要求7-12中任一项所述的修整抛光垫的控制装置。
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